應用電子學實驗(I)
實驗十之1
實驗十 場效電晶體的特性
零件
接面場效電晶體(FET) K30 一枚;
可變電阻 5k、10k、100k 各一枚;
電阻 4.7k、5.6k、10k、20k、330k、1M
Ω
各一枚;電容 4.7µF 、0.01µF 各一枚。
精密電阻 1k 一枚
目的
了解及測試場效電晶體的特性及簡單應用電路。
相關知識
(1) 場效電晶體的操作特性 (2) FET電流源
(3) 源極隨耦器
(4) 電壓控制的可變電阻
有關FET之原理及簡單應用請詳閱補充資料。
預習問題
1. 如何判別K30FET之三隻腳各為何極?
2. 請在2SK30之資料中,找到下列參數之範圍:
(a) IDSS;(b)VT;
註:IDSS的範圍鍵可分為R、O、Y、GR等級別,我們實驗用的是Y或GR級。
3. 請敘述FET的特性,並畫出不同VGS,對應的ID對VDS之特性曲線。
4. 請設計對本實驗所有程序的數據紀錄表格。
程序
<1>場效電晶體(FET)之特性
接腳如右圖。K30 FET之接腳請查閱補充資 料。
調整可變電阻(10kΩ)可改變VGS。VGS由0V 至-3V,每隔0.2V讀取ID的值。(ID=VD/1k)
<2>FET電流源:
V
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實驗十之2
1. 這裡我們要設計一個1mA的電流源,RL部分 先不接電阻,也就是+15V直接接1k
Ω
精密電 阻,以量測1 kΩ兩端的電壓來計算電流大 小,調整5k可變電阻(RS),使得1kΩ兩端 電壓為1V。記錄此時的RS值為多少?2. RS維持不變,將RL接上一個100kΩ的可變電 阻做負載,負載電流為ID。調整可變電阻,
記錄不同RL值下之ID(ID=VD/1k)及VDS(用 DVM測)。
3. 你的ID在不同的VDS變化大嗎?什麼時候(何 VDS值?)此FET不可做為一定電流源?
<3>源極隨耦器 (Source Follower)
右圖為一非常簡單之源極隨耦器。Vin
用1kHz,Vp-p=0.2V,DC offset=0 之弦 波輸入,記錄Vout之振幅,求此隨耦 器之A V
v V
out in
(
=
)。註:當Vin=0時,請先用DVM測VGS和 VDS。
<4>電壓控制的可變電阻(Voltage Controlled Variable Resistor) 在上面程序之中,FET在飽
和 區 (或稱恆流區)操作 時可用作一定電流源,在 線性區時則不行。在本程 序中,FET在此區像一個電 阻 , 而 電 阻 值 可 由 VGS控 制。
1. 接 線 如 右 圖 , Vin用 1kHz、振幅0.1V之弦波輸 入,調整100k
Ω
之可變電 阻 , 記 錄 VGS 和 Vout。(VGS由0 V 調到-2.4 V,
間隔0.3V。)
2. 將Vin改用三角波輸入,
在不同VGS下觀察其Vout失真之情形。
應用電子學實驗(I)
實驗十之3
問題與討論
1. 由程序1之結果畫出ID對VGS圖,找出IDSS及
V
p。在飽和區時,
)
22
GS pDS
(V V
I = κ −
,κ為一常數。將你的結果與此公式比較,說 明你的結果符合此公式並求出κ值。並由此可得出Gm對VGS-Vp之關係。註:你可用 ID對VGS作圖,由此可得
κ
及Vp。
2. (1)由程序2之結果,畫出ID對VDS圖,VDS為多大時FET由飽和區(或稱恆流 區)進入線性區?
(2)當FET在飽和區時,此定電流源工作良好,你可否由程序1所得之結果預 測此定電流源之ID?並和你的實驗結果比較。
3. 在程序3中,源極隨耦器之Av是否比1小很多?是否能由Av求出Gm?並和問題 1中所得的結果比較。
4. 程序4之電路可簡化如右圖,在線性區的 FET我們可用一可變電阻R代表。畫出R對VGS
圖。