科目：電子學班級：學生姓名：座號：

(1)

【請務必擇一勾選】■適用班級：電子二、電機二、資訊二、控制二、冷凍二或不適用班級：

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市立大安高工 108 學年度第二學期 ^{專業競試測驗}

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科目：電子學班級：學生姓名：座號：

一、

選擇題(每題 2.5，共 100 分 )

1. 各級電壓增益皆大於 1 之串級放大電路，若級數越多則：

(A) 增益越大且頻寬越大 (B) 增益越大且頻寬越小 (C) 增益越小且頻寬越大 (D) 增益越小且頻寬越小 2. 有一個放大器的電流增益是 20，電壓增益是 50，則總功率

增益為多少？

(A) 30dB (B) 40dB (C) 50dB (D) 60dB

3. 如圖(1)所示放大器，若

V

_i

 2 mV

且放大電壓增益為40dB，試求該放大器的功率增益 dBm 值為多少？( log 2 0.3



；

log 3



0.477)

(A) -40dBm (B) -30dBm (C) -20dBm (D) -10dBm

V

o i 放大器

V

k 4

圖(1)

4. 如圖(2)所示為一變壓器耦合串級放大電路，已知第一級

A

_V1=10，第二級 A_V2=125，第三級 A_V3=80，試求總電壓增益

A

_VT之分貝值( dB)為多少？

(A) 60dB (B) 80dB (C) 100dB (D) 120dB

第一級第二級第三級

5:20 2:5

V

i

V

_o

圖(2) 5. 如圖(3)所示達靈頓電晶體，已知

Q 電晶體的

₁



₁



120，

Q 電晶體的

2



₂



49，I_o

/ I

_i之值為何？

(A) 6000 (B) 5000 (C) 4000 (D) 3000

Ii

Io

Q1

Q2

圖(3) 6. 下列何者非達靈頓電路？

(A) (B) (C) (D)

7. 下列有關直接耦合串級放大電路之敘述，何者正確？

(A) 各級間阻抗匹配容易 (B) 低頻響應佳

(C) 各級間直流工作點不會相互干擾 (D) 電路穩定度高 8. 下列元件，何者會影響高頻響應？

(A) 集極之交連電容 (B) 基極之交連電容 (C) 電晶體的極際電容 (D) 射極之旁路電容。

9. 某一電路之輸入為 5sin(30t)＋7sin(45t)，而輸出為 10cos(30t)

＋14sin(45t)，則此電路產生何種失真？

(A)相位失真 (B)非線性失真 (C)頻率失真 (D)波幅失真。

10. 某一放大器之二次、三次、四次諧波失真百分率各為 D2＝24%、D3＝7%、D4＝4%，五次以上諧波失真可忽略，

則此放大器之總失真度 D

T約為多少？

(A)5% (B)15% (C)20% (D)25%

11. 若將兩個具有相同高頻響應的單級共源極場效電晶體放大器，串接成兩級放大器，則其高頻 3dB 頻率將約原來單級的 (A) 2 倍 (B)

1 2

倍 (C)1 2 倍 (D)

2 1 

倍。

12. 如圖(4)所示疊接放大電路，試問

Q 與

₁

Q 電晶體所組成

₂ 之放大器分別為何種組態？

(A) Q1：CE 型，Q2：CB 型 (B) Q1：CC 型，Q2：CC 型 (C) Q1：CE 型，Q2：CC 型 (D) Q1：CC 型，Q2：CB 型

Vⁱ C¹

C^E Q¹ 2kΩ 1kΩ C^B

Q² 7kΩ

9kΩ

+18V

C² 4kΩ I^o

V^o 6kΩ

圖(4)

13. 承上題，已知電晶體1



2=100，VBE1=VBE2=0.7V，若熱 當電壓 VT=26mV，試求電路的電壓增益 AVT之值為何？

(A) -240 (B) -200 (C) -120 (D) -100

14. 已知 N 通道 JFET 的

V

_P

  2.8V

，試問下列場效電晶體的操作區，何者是錯誤的？

(A) (B)

G 1.5 V  V

D 8 V  V

S 3 V  V

飽和區

G 1 V  V

D 10 V  V

S 2 V  V

截止區

(C) (D)

G 3 V   V

D 3 V  V

S 1 V  V

歐姆區

G 2 V  V

D 4 V  V

S 2.5 V  V

歐姆區

15. 如圖(5)所示增強型 N 通道 MOSFET 的結構圖，試問其符號為下列何者？

(A) (B) (C) (D)

D G

S

G

D

S

G D

S

G

D

S

(2)

第 2 頁，共 2 頁

丙甲

S G D

乙

VGS + _ 氧化物金屬

半導體圖(5)

16. 承上題，圖(5)中甲區與乙區分別為何種型式半導體？

若要形成通道，V_GS之條件為何？

(A)甲區：N⁺型，乙區：P 型，V_GS> V_T> 0 (B)甲區：N⁺型，乙區：P 型，V_GS< V_T< 0 (C)甲區：P⁺型，乙區：N 型，V_GS> V_T> 0 (D)甲區：N⁺型，乙區：N 型，V_GS> V_T> 0

17. 如圖(6)中的三條特性曲線 L₁，L₂，L₃，依序分別是哪幾 種 FET 的轉移曲線？

(A) L₁：N 通道 DMOSFET，L₂：P 通道 EMOSFET，

L

₃：N 通道 JFET

(B) L₁：N 通道 EMOSFET，L₂：P 通道 DMOSFET，

L

₃：N 通道 JFET

(C) L₁：P 通道 EMOSFET，L₂：N 通道 DMOSFET，

L

₃：P 通道 JFET

(D) L₁：P 通道 JFET，L₂：N 通道 EMOSFET，

L

₃：P 通道 DMOSFET

VGS

ID

0 L3

L2

L1

圖(6)

18. 下列電子元件中，何者是靠單一種載子來傳導電流？

(A)BJT (B)LED (C)Zener Diode (D)FET 19. 以下所示的四個輸出特性曲線，何者為 P 通道

EMOSFET 的輸出特性曲線？

(A) (B)

V

DS

I

DS

3 2 0 VGS  V

2 3

VGS  V

1 4

VGS  V

V

DS

I

DS

0

3 2

VGS  V

2 3

VGS  V

1 4

VGS  V

(C) (D)

VDS

IDS

0

1 4

VGS   V

2 3

VGS  V

3 2

VGS   V

^V

^DS

I

DS

0

1 4

VG S  V

2 3

VG S  V

3 2

，且電路工

作點定於

V

_GS

  1V

，

V

_DS

 8V

，

I

_D

 4mA

，則 RS 之值為何？

(A) 1 kΩ (B)2.5 kΩ (C) 3 kΩ (D) 4.5 kΩ

22. 承上題之條件，圖(7)所示電路之汲極電阻 RD值為何？

(A)1k (B) 2k (C)

3k

(D) 4k

C1

CS

RG

RS

-VSS

+VDD

C2

Vo

Vi VDS

RD

圖(7) 23. 如圖(8)所示電路，求 ID電流約為多少？

(A)

0.68mA

(B)

1mA

(C)

1.36mA

(D)

2mA

4kΩ

I^D

R²

R^S

+15V

V^G V^D

R^D R¹

1MΩ

0.5MΩ

6kΩ

2V

=4mA

P DSS

V I

 

圖(8)

24. 承上題之條件，圖(8)所示電路中之 VD電壓為多少？

(A) 11V (B) 10V (C) 5.5V (D) 5V

25. 如圖(9)所示電路，求此 MOSFET 的直流偏壓 VDS之值為下列何者多少？

(A) 1V (B) 2V (C) 3V (D) 4 V

+11V

C² V^o

C¹ Vⁱ

I^D

2

1V

=1mA V VT

K

 2kΩ

2MΩ

圖(9)

26. 承上題之條件，圖(9)所示電路的功率消耗 P1與 FET 的功 率消耗 P2之值分別為多少？

(A) P1=12mW；P2=12mW (B) P1=12mW；P2=32mW (C) P1=32mW；P2=44mW (D) P1=44mW；P2=12mW 27. 如圖(10)所示電路，求 VA電壓為多少？

(A) 6V (B) 4V (C) 2V (D) 1V

28. 承上題之圖(10)中，電晶體 Q1與 Q2工作於何區？

(A) 飽和區 (B) 歐姆區 (C) 截止區 (D) 崩潰區

2

2 2

2V

=0.3mA V VT

K

 +12V

V^A Q¹ Q²

1

2 1

2V

= 0.3mA V VT

K



圖(10)

(3)

第 3 頁，共 2 頁 29. 已知某 FET 的

r

_d

=100k 

，且該 FET 在 VDS固定下，VGS

變化 1.5V，可得 ID變化 3mA，試問該 FET 的電壓放大倍數



之值為何？(

 =g

_{m d}

r

)

(A)250 (B)200 (C)120 (D)100

30. 如圖(11)所示電路，求 FET 轉移電導 gm值為何？

(A)2mS (B)2.5mS (C)5mS (D)6mS

2kΩ

+14V

2MΩ

3.2V

=16mA

P DSS

V I

 

1.6V +

_

圖(11)

31. P 通道 JFET 之交流等效模型為下列何者？

(A) (B)

G

rd

vgs

D

S

gs mv g

G

rd

D

S

gs mv g

(C) (D)

G

rd

vgs

D

S

gs mv g

G rd

D

S

gs mv g

32. 關於金氧半場效電晶體放大電路常見之三種基本架構，包含共源極(CS)、共汲極(CD)、共閘極(CG)，下列敘述何

者正確？

(A) CS 放大電路中，輸入電壓信號經由閘極送入，輸出電壓信號經由汲極取出，且輸出與輸入電壓信號同相位 (B) CD 放大電路中，具有低輸入阻抗，且電壓增益大於 1 (C) CD 放大電路中，具有高輸入阻抗與低輸出阻抗，適

用於阻抗匹配應用，且輸出與輸入電壓信號反相 (D) CG 放大電路中，輸入與輸出電壓信號之相位接近，

且具有較低之輸入阻抗

33. 如圖(12)所示電路，若

g

_m

 2mS

求電壓增益 A_v為多少？

(A) -8 (B) -4 (C) -2.67 (D) -1.33

C¹

R^G R^S

C² R^D

V^o Vⁱ

+V^DD

iⁱ

i^o

Zⁱ

Z^o

1kΩ 3MΩ

4kΩ

圖(12)

34. 承上題之條件，圖(12)所示電路之電流增益 Ai為多少？

(A)2000 (B)-2000 (C)1000 (D)-1000

g

_m

 3mS

，求輸出阻抗 Zo為多少？

(A)

0.4k 

(B)

0.3k 

(C)

0.2k 

(D)

0.1k 

C1

R^G

R^S C²

Vo

+V^DD

iⁱ

i^o Zⁱ

Z^o

3kΩ

1MΩ R^L

6kΩ

圖(13)

36. 承上題之條件，圖(13)所示電路之電壓增益 Av為多少？

(A)6 (B)7

910 (C)

1213 (D) 1819

g

_m

 2mS

，求輸入阻抗 Zi為多少？

(A)

500 

(B)

250 

(C)

150 

(D)

100 

C1

RD

RS

C2

Vⁱ iⁱ io

Zi

500Ω

V^o

Z^o

+VDD

2kΩ

圖(14)

38. 承上題之條件，圖(14)所示電路之電流增益 Ai為多少？

(A)-1 (B)1 (C)-0.5 (D)0.5

39. 如圖(15)所示之共源極放大電路，其中 JFET 之順向互導 為 gm，若沒加與有加源極旁路電容 Cs時之電壓增益分別

為 Av1與 Av2，則 Av2/ Av1=？

_S

C1

RG RS

C2

RD

Vo

Vi

+VDD

CS

SW

圖(15)

I

_D



0.6mA，

V

_T



1V，則電壓增益

V

_o

V

_i 為多少？

(A)-10 (B)-8 (C)-6 (D)-4

+

5V

C

A C D B B

21 22 23 24 25

D B B A C

26 27 28 29 30

D A A B C

31 32 33 34 35

C D C A B

36 37 38 39 40

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選擇題(每題 2.5，共 100 分 )

V

 2 mV





V

V

A

A

V

V

Q 電晶體的





Q 電晶體的





/ I

則此放大器之總失真度 D

1 2

2 1 

Q 與

Q 電晶體所組成



V

  2.8V

L

L

L

L

V

I

V

I

V

I

V

 V

V

 V

 V

V

 V

V

 V

 V

V

 V

V

 V

 V

V

 V

V

 V

 V

V

 17V

V

  17V

V

  1V

V

 8V

I

 4mA

3k

0.68mA

1mA

1.36mA

2mA

r

=100k 



 =g

r

g

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^V