【108】四技二專統一入學測驗 108~1
四技二專
統一入學測驗
電機與電子群專業科目(一)(二) 電子學、電子學實習
(本試題答案係依據統一入學測驗中心於108 年 5 月 6 日公布之參考答案)
試題分析
一、命題焦點
電機類、資電類專業科目(一)―電子學:
命題平均分配於所有章節,其中以二極體之應用電路、電晶體直流偏壓電路、
電晶體放大電路、運算放大器及基本振盪電路為主。命題包含綜合觀念與理論計 算,僅第9、23 題計算過程繁瑣,整體而言,難度適中。
電機類專業科目(二)―電子學實習:
命題平均分配於所有章節,其中以二極體之特性及應用電路、電晶體放大電 路、場效電晶體放大電路、運算放大器應用電路與基本振盪電路為主。命題包含 綜合觀念與理論計算,僅第31 題計算過程繁瑣,整體而言,難度中間偏易。
資電類專業科目(二)―電子學實習:
命題平均分配於所有章節,其中以二極體之特性及應用電路實驗、串級放大 電路命題比例較高。命題以綜合觀念為主,整體而言,難度偏易。
二、配分比例表
章 電機類、資電類
專業科目(一)電子學 題數 專業科目(二)電子學實習 電機類 題數
資電類 題數
1 概論 2 工場安全及衛生 1 0
2 二極體 1 二極體之特性及應用電路實驗 2 2 3 二極體之應用電路 3 截波及箝位電路實驗 1 1 4 雙極性接面電晶體 1 雙極性接面電晶體之特性實驗 1 1 5 電晶體直流偏壓電路 3 電晶體直流偏壓電路實驗 1 0 6 電晶體放大電路 3 電晶體放大電路實驗 2 1
7 串級放大電路 2 串級放大電路實驗 1 3
8 場效電晶體 2 場效電晶體之特性實驗 0 1 9 場效電晶體放大電路 2 場效電晶體放大器電路實驗 2 1 10 運算放大器 3 運算放大器應用電路實驗 2 1 11 基本振盪電路 3 基本振盪電路實驗 2 1
合計 25 合計 15 12
108 年
3584-X﹝I﹞夾入3584、3584-R
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電機類、資電類專業科目(一)―電子學:
____ 1. 若正弦波電壓信號v(t)0.1 sin (1000 πt)V,則下列敘述何者正確?
(A)有效值為 0.1V (B)平均值為 0.05V (C)頻率為 500Hz (D)時間 t0.01 秒時,其電壓值為 0.1V。 概論 ____ 2. 下列有關電子伏特(eV)之敘述,何者正確? (A)為能量單位 (B)為
功率單位 (C)為電壓單位 (D)為電阻單位。 概論 ____ 3. 假設矽二極體在 25°C 時,其順向電壓降為 0.65V,則當溫度上升至
65°C 時,其順向電壓降約為何? (A)0.75V (B)0.65V (C)0.55V
(D)0.25V。 二極體
____ 4. 單相橋式全波整流電路,若其整流二極體視為理想,則輸出電壓漣波 百分率約為何? (A)121% (B)48% (C)21% (D)0%。
二極體之應用電路 ____ 5. 有一二極體半波倍壓電路,假設二極體與電容器皆視為理想,輸入交
流電源電壓之峰值為V ,若要得 N 倍之輸出電壓(Nm V ),則至少m 需有幾組的二極體與電容器? (A)0.5N (B)N (C)2N (D)3N。
二極體之應用電路 ____ 6. 如圖(一)所示之截波電路,若D 為理想二極體,則1 V 與i V 之轉移曲o
線為何?
(A) (B)
(C) (D) 二極體之應用電路
____ 7. 有關雙極性接面電晶體(BJT)射極(E)、基極(B)、集極(C)特性之敘述,
下列何者正確? (A)寬度:B>E>C (B)寬度:E>B>C (C)摻雜 濃度比:B>E>C (D)摻雜濃度比:E>B>C。 雙極性接面電晶體 ____ 8. 如圖(二)所示之電路,若電晶體之 100,VBE 0.7V,VCE(sat) 0.2V,
則 集 極 電 流 大 小 為 何 ? (A)0.43mA (B)0.92mA (C)9.8mA
(D)43mA。 電晶體直流偏壓電路
1.(C) 2.(A) 3.(C) 4.(B) 5.(B) 6.(D) 7.(D) 8.(C)
圖(一)
【108】四技二專統一入學測驗 108~3
____ 9. 如圖(三)所示之放大器電路,MOSFET 之IDSS 12mA,夾止電壓(pinch- off voltage)VP 2V,其工作點之ID 3mA,則此放大器之小信號電 壓增益Av v / vo i及其輸出電阻R 各約為何?場效電晶體放大電路 o (A)Av 7.5,Ro 1.25k (B)Av 12.5,Ro 1.25k
(C)Av 7.5,Ro 2.5 k (D)Av 12.5,Ro 2.5k。
____ 10. 如圖(四)所示之放大器電路,JFET 之gm 40mA/V,則此放大器之小 信 號 電 壓 增 益 Av v / vo i 約 為 何 ? (A) 0.5 (B)0.5 (C) 1
(D)1。 場效電晶體放大電路
____ 11. 如圖(五)所示之理想運算放大器(OPA)電路,輸入電壓信號v 為對稱s 方波,且電路操作於未飽和狀態下,則其輸出電壓v 應為何種波形? o (A)突波 (B)三角波 (C)弦波 (D)方波。 運算放大器 ____ 12. 如圖(六)所示之電路,欲使電壓增益為11,且輸入電阻為 30 kΩ。
則R 及1 R 之值各約為何? (A)2 R1 2.5kΩ,R2 27.5kΩ (B)R1 27.5kΩ,R2 2.5kΩ (C)R1 30kΩ,R2 330kΩ
(D)R1 30kΩ,R2 2.73kΩ。 運算放大器
圖(五) 圖(六)
____ 13. 如圖(七)所示之電路,已知V1 1V,V2 2V,V3 4V,則V 為何? o (A)5V (B)7V (C)9V (D)11V。 運算放大器 ____ 14. 利用運算放大器及 RC 相移電路來設計振盪器,下列敘述何者錯誤?
(A)直流供電,產生交流信號輸出 (B)回授網路之相移為 180 度 (C) 迴路增益| A | 1 (D)RC 相移形成負回授特性。 基本振盪電路 9.(A) 10.(D) 11.(B) 12.(C) 13.(B) 14.(D)
圖(二) 圖(三) 圖(四)
108~4 【108】四技二專統一入學測驗
____ 15. 有關正回授電路的特性,下列敘述何者正確? (A)可增加系統穩定 度 (B)可增加系統頻寬 (C)可降低雜訊干擾(D)可產生週期性信號。
基本振盪電路
____ 16. 如圖(八)所示之理想振盪器電路,下列敘述何者錯誤? (A)v 之波o 形為三角波 (B)電路可產生週期性信號 (C)電容 C 兩端之電壓波 形近似三角波 (D)v 之頻率與電阻 R 及電容 C 有關。基本振盪電路 o
____ 17. 有關 NPN 電晶體共射極組態電路,直流工作點之設計,當輸入適當之 弦波電壓信號測試時,則下列敘述何者錯誤? (A)理想之工作點位 置通常設計於負載線之中間 (B)工作點位置若接近截止區時,當輸 入電壓信號波形為負半週時之輸出信號波形會失真 (C)工作點位置 在負載線之中間時,輸出電壓信號波形與輸入電壓信號波形反相 (D)工作點位置若接近飽和區時,會使得輸出電壓信號波形之正半週
發生截波失真。 電晶體直流偏壓電路
____ 18. 如圖(九)所示之電路,若VCC 12V,RC 1 kΩ, 100,VBE 0.7V,
電晶體飽和電壓VCE(sat) 0.2V,v 為 5V 電壓,則此電路操作於飽和i 區時之最大電阻R 約為何? (A)18.2kΩ (B)26.5kΩ (C)36.4kΩ B
(D)42.2kΩ。 電晶體直流偏壓電路
____ 19. 下列有關 BJT 放大器小信號模型分析之敘述,何者正確? (A)輸入 耦合電容應視為開路 (B)混合 π 模型之 r參數可由直流工作點條件 求出 (C)T 模型之r 無法由直流工作點條件求出 (D)射極旁路電容e
應視為斷路。 電晶體放大電路
____ 20. 如圖(十)所示操作於作用區(active region)之電路,若RB1 120kΩ,
RB2 60kΩ,RE 1kΩ, 119,π 模型參數 r 1.25kΩ,則交流輸入 電阻R 約為何? (A)18.2kΩ (B)24.3kΩ (C)30.1kΩ (D)36.5kΩ。 i
電晶體放大電路 15.(D) 16.(A) 17.(D) 18.(C) 19.(B) 20.(C)
圖(七)
+VCC
−VCC
vo
R2
C R1
R
圖(八)
【108】四技二專統一入學測驗 108~5
____ 21. 如 圖 ( 十 一 ) 所 示 操 作 於 作 用 區 之 電 路 , 若 工 作 點 之 基 極 電 壓 VB 2.2V,VBE 0.7V,熱電壓(thermal voltage)VT 25mV,RE 1 kΩ,RC 3.3kΩ, 119,則電壓增益v / v 約為何? (A)o i 196.4 (B)168.8 (C)141.2 (D)121.4。 電晶體放大電路 ____ 22. 一理想三級串級放大器電路,第一級電壓增益為100,第二級放大
器電壓增益為 20 dB,第三級放大器電壓增益為 10dB。則此放大器 之總電壓增益為何? (A)70dB (B)50dB (C)10dB (D)10dB。
串級放大電路
B C
E
RC
RB
vo
vi
+VCC
圖(九) 圖(十) 圖(十一)
____ 23. 如圖(十二)所示操作於作用區之電路,若直流偏壓電流IE 1.25mA,
熱電壓VT 25mV, 150,負載喇叭阻抗RL 30Ω,則電壓增益
o i
v / v 約為何? (A)149 (B)14.9 (C)14.9 (D)149。
串級放大電路 ____ 24. 如 圖 ( 十 三 ) 所 示 之 JFET 電 路 , VDD 12V , RG1 600kΩ ,
RG 2 120kΩ,RD 4.7kΩ,RS 3kΩ,若汲極電壓VD 6V,則 G、
S 兩端之電壓V 約為何? (A)GS 1.83V (B)0.64V (C)0.24V
(D)1.22V。 場效電晶體
圖(十二) 圖(十三) 圖(十四) ____ 25. 如圖(十四)所示之增強型 MOSFET 電路,其臨界電壓(threshold
voltage)VT 2.25V,參數K0.8mA/V2,VDD 15V,RG1 900 kΩ,
RG 2 300 kΩ,RD 3.3 kΩ,則V 約為何? (A)10.14V (B)9.06V DS
(C)7.56V (D)4.12V。 場效電晶體
21.(A) 22.(A) 23.(C) 24.(A) 25.(B)
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電機類專業科目(二)―電子學實習:
____ 1. 電源線路、電動機具或變壓器等電器設備因過載、短路或漏電所引起 之火災,在電源未切斷時,不適合使用下列何種裝置滅火? (A)泡 沫滅火器 (B)ABC 乾粉滅火器 (C)BC 乾粉滅火器 (D)二氧化碳
滅火器。 工場安全及衛生
____ 2. 如圖(二)所示之理想二極體電路,在正常工作下,則v 之最大值為何? ab (A)Vm (B)2Vm (C)3Vm (D)4Vm。 二極體之特性及應用電路實驗
圖(二)
____ 3. 使用指針型三用電表判別 NPN 電晶體接腳時,若已知基極接腳,將 電表撥至歐姆檔1k,以手指接觸基極與假設的集極,再以電表黑棒 及紅棒交替接觸量測集極和射極。當電表指針大幅度偏轉(低電阻)
時,下列敘述何者正確? (A)黑棒接觸的接腳為集極 (B)黑棒接觸 的接腳為射極 (C)紅棒接觸的接腳為集極 (D)無法判別接腳。
雙極性接面電晶體之特性實驗 ____ 4. 如圖(三)所示之理想二極體電路,v 頻率為 1kHz,時間常數 RC>10ms,i
則輸出電壓v 的最大值o vo(max)和最小值vo(min)分別為何?
(A)vo(max)7V,vo(min) 1V (B)vo(max)3V,vo(min) 3V (C)vo(max)0V,vo(min) 6V (D)vo(max) 1V,vo(min) 7V。
截波及箝位電路實驗 ____ 5. 如圖(四)所示之整流電路及輸入與輸出波形,經檢測後,下列敘述何
者正確? (A)D 及1 D 皆故障開路 (B)2 D 或2 D 故障開路 (C)4 D 或1 D 故障開路 (D)3 D 及3 D 皆故障開路。二極體之特性及應用電路實驗 4 ____ 6. 如圖(五)所示之電路,若電晶體之切入電壓VBE 0.7V,VCE(sat) 0.2V,
100,則IC為何? (A)0mA (B)2.5mA (C)4.9mA (D)9.3mA。
電晶體直流偏壓電路實驗 1.(A) 2.(C) 3.(A) 4.(D) 5.(B) 6.(C)
圖(三)
【108】四技二專統一入學測驗 108~7
圖(四) 圖(五)
____ 7. 如圖(六)所示之電路,R1 10kΩ,R2 5kΩ,RE 3.3kΩ,若電晶體之 切入電壓VBE 0.7V,熱電壓VT 25mV, 99,則輸入阻抗Z 約為何? i (A)5kΩ (B)3.3kΩ (C)1.67kΩ (D)25Ω。 電晶體放大電路實驗 ____ 8. 如圖(七)所示之電路,R1 20kΩ,R2 10kΩ,RC 2.5kΩ,RE 3.3kΩ,
若電晶體之切入電壓VBE 0.7V,熱電壓VT 25mV, 99,則電壓 增益v / v 約為何? (A)1 (B)25 (C)50 (D)100。 o i
電晶體放大電路實驗 ____ 9. 如圖(八)所示之放大器電路,實驗時若改變R 電阻值,且兩電晶體都4
維持在作用區工作,則下列何者不會改變? (A)電壓增益v / v o1 i (B)電壓增益v / v (C)電流增益o i i / i (D)輸入阻抗o i Z 。 i
串級放大電路實驗
圖(六) 圖(七) 圖(八)
____ 10. 如圖(九)所示之電路,當開關(SW)閉合且V 由 0V 逐漸調到 4VGG 時,I 將逐漸降到 0 安培;當 SW 切開時D ID 4mA;則當 SW 閉合 且VGG 2V 時,I 為何? (A)1mA (B)2mA (C)4mA (D)8mA。 D
場效電晶體放大器電路實驗 ____ 11. 如 圖 ( 十 ) 所 示 之 放 大 器 電 路 , VDD 12V , JFET 之 截 止 電 壓
GS(off )
V 2V,IDSS 3mA,汲源極交流等效電阻rd ,汲極直流偏 壓電流ID 0.9mA;若輸入小訊號v 為峰對峰值 50mV 之弦波時,量i 測 得 v 之 峰 對 峰 值 為 300mV , 則o R 值 約 為 何 ? (A)1.74kΩ D (B)2.53kΩ (C)3.64kΩ (D)4.72kΩ。 場效電晶體放大器電路實驗 7.(B) 8.(D) 9.(D) 10.(A) 11.(C)
108~8 【108】四技二專統一入學測驗
圖(九) 圖(十) 圖(十一)
____ 12. 如圖(十一)所示之理想運算放大器電路,則V 為何? (A)o 9V (B)3V (C)6V (D)9V。 運算放大器應用電路實驗 ____ 13. 如圖(十二)所示之理想運算放大器電路,則下列敘述何者正確?
(A)當v 的頻率i
S
f 1
2 R C
時,電路工作如同積分器 (B)當v 的頻率i
S
f 1
2 R C
時,電路工作如同積分器 (C)當v 的頻率i
S
f 1
2 R C
時,電路工作如同微分器 (D)當v 的頻率i
S
f 1
2 R C
時,電路工作
如同非反相放大器。 運算放大器應用電路實驗
____ 14. 如圖(十三)所示之電路,運算放大器之輸出正、負飽和電壓分別為
10V和10V,假設v 轉態之下臨限(界)電壓為 2.6V,則下列敘o 述何者正確? (A)R1 6k (B)上臨限電壓為 4.6V (C)遲滯電壓 為4V (D)vi 6V 時,vo 10V。 基本振盪電路實驗
1
圖(十二) 圖(十三) 圖(十四)
____ 15. 如圖(十四)所示之振盪電路,兩運算放大器之輸出正、負飽和電壓分 別為15V與15V,電路在正常工作下,則下列敘述何者正確?
(A)v 為頻率 10Hz 之三角波 (B)o v 為頻率 10Hz 之方波 (C)o v 之最o 大值為9V (D)v 之最小值為o 12V。 基本振盪電路實驗
12.(B) 13.(C) 14.(B) 15.(A)
【108】四技二專統一入學測驗 108~9
資電類專業科目(二)―電子學實習:
____ 1. 一雙極性接面電晶體操作在工作區(Active Region)時,若其集極 (Collector)電流=5.95mA,射極(Emitter)電流=6.0mA,請問電流增 益(β)為多少? (A)99 (B)109 (C)119 (D)129。
雙極性接面電晶體之特性實驗 ____ 2. 有關雙極性接面電晶體放大器的敘述,下列何者正確? (A)共基極
放大器電流增益大約為 1 (B)共集極放大器輸入電壓信號與輸出電 壓信號反相 (C)共集極放大器實驗時,即使將電晶體的射極與集極 接反了,整體電路特性仍然不變 (D)共射極放大器可用來放大電壓
信號,並有低輸出阻抗的特性。 電晶體放大電路實驗
____ 3. 小明做二極體特性實驗時,量測並繪得 二條 I-V 曲線,如圖(十一)所示之實線 與虛線,則下列敘述何者錯誤?
(A)逆向偏壓時,曲線中斜率較大的部 分其內阻較大 (B)若分別是矽與鍺二 極體的量測,則曲線(1)是鍺二極體
(C)順向偏壓時,曲線中斜率較大的部分其內阻較小 (D)若是同一矽 二極體在不同工作溫度下的量測,則曲線(1)比曲線(2)溫度高
二極體之特性及應用電路實驗 ____ 4. 實驗中一增強型 MOSFET 操作在飽和區,閘-源極電壓(V )與臨界電GS
壓(V )之差為 1V 時,汲極電流為 2mA。若改變T V 電壓與GS V 之差為T 1.2V,而 MOSFET 仍操作在飽和區,則此時的汲極電流變為多少?
(A)2mA (B)2.4mA (C)2.88mA (D)3.46mA。場效電晶體之特性實驗 ____ 5. 如圖(十二)電路,已知雙極性接面電晶體操作在
工作區(Active Region),下列敘述何者錯誤?
(A)電容C 主要作為穩壓用途,使C V 保持不變 C (B)此電路為共射極(Common Emitter)放大器 (C)電阻R 具有可穩定電路的負回授效果 E (D)當溫度升高時,集極-射極間電壓V 下降。 CE
串級放大電路實驗
1.(C) 2.(A) 3.(A) 4.(C) 5.(A)
圖(十一)
圖(十二)
108~10 【108】四技二專統一入學測驗
____ 6. 有關串級放大器實驗,下列敘述何者錯誤? (A)串級放大器可用來 達到較大的電流增益需求 (B)達靈頓電路屬於直接耦合串級放大器 (C)以同一放大器串接成串級放大器,其頻寬依串級數的增加而以固 定比例下降 (D)串級放大器可用來達到較大的電壓增益需求。
串級放大電路實驗 ____ 7. 下列有關振盪器的敘述何者正確? (A)RC 相移振盪器不包含負回
授的電路架構 (B)石英晶體的壓電效應使石英晶體振盪電路產生振 盪,不需滿足巴克豪生準則 (C)方波是由正弦波與偶次諧波所組成,
故方波產生器又稱多諧振盪器 (D)弦波振盪器的啟動信號為雜訊所
提供。 基本振盪電路實驗
____ 8. 實驗時,使用主級線圈與次級線圈比例為 110:24 之變壓器裝配如圖 (十三)所示之全波整流電路,若二極體順向導通時兩端的電壓為零。
下列選用的二極體之額定峰值逆向電壓(Peak Inverse Voltage),何者 較為適當?
(A)28V (B)30V (C)32V
(D)34 V。 二極體之特性及應用電路實驗
____ 9. 實驗圖(十四)之電路,運算放大器進行線性放大功能,則輸出電壓Vo 與輸入電壓間之表示式,下列何者正確?
(A)Vo V V1 23(V3V4V ) / 45 (B)Vo V V1 22(V3V4V )5 (C)Vo V V1 2V3V4 V5
(D)Vo V V1 23(V3V4V ) / 25 。 運算放大器應用電路實驗 ____ 10. 如圖(十五)所示電路中增強型 MOSFET 操作在飽和區,若其轉導gm
為 5mS , 則 電 路 的 電 壓 增 益 為 下 列 何 者 ? (A) 10V / V (B)5V / V (C)10V / V (D)5V / V。場效電晶體放大器電路實驗 ____ 11. 如圖(十六),放大器 A 的輸出阻抗為 160 歐姆,而喇叭阻抗為 10 歐
姆。變壓器一次側與放大器輸出連接,二次側與喇叭連接。若欲達 成阻抗匹配,變壓器一次側線圈與二次側線圈之匝數比應為多少?
(A)1:16 (B)16:1 (C)1:4 (D)4:1。 串級放大電路實驗 6.(C) 7.(D) 8.(D) 9.(A) 10.(D) 11.(D)
圖(十三)
【108】四技二專統一入學測驗 108~11
休息一下!看我一眼,茅塞頓開
析
圖(十四) 圖(十五) 圖(十六)
____ 12. 小明做如圖(十七)之二極體電路實驗,若二極體為理想二極體。當輸 入電壓V 為介於in 10V至10V之正弦波時,輸出電壓V 之最大值為o 15V,最小值為5V,則a、b 節點間電路方塊 X 最可能為下列何者?
(A) (B) (C) (D)
截波及箝位電路實驗 12.(B)
電機類、資電類專業科目(一)―電子學:
1. t 2 ft,1000 t 2 ft f 500Hz 2. 一個電子移動 1 V 所需的能量,稱為 1 eV 3. 矽二極體順向電壓降的溫度係數為2.5 mV/C
故 T 65 C 25 C 40 C,順向電壓為0.65 V 2.5 mV / C 40 C 0.55 V 4. 橋式全波整流電路,輸出平均值為Vo(dc) 0.636 Vm
漣波有效值為Vr(rms) 0.308 Vm
輸出電壓漣波百分比為 r(rms) m
o(dc) m
V 0.308 V
r% 100% 100% 48%
V 0.636 V
5.
解
圖(十七)
108~12 【108】四技二專統一入學測驗
由上圖可知Vm需一組二極體與電容(D 、1 C ) 1
2 Vm需二組二極體與電容(D 、1 D ,2 C ,1 C ) 2 以此類推,N V m需N 組二極體與電容
6. (1) 當Vi 2 V時,二極體D ,OFF,1 V0 Vi (2) 當Vi 0 V時,二極體D ,ON,1 V0 2 V (3) 當Vi0 V時,二極體D ,ON,1 V0 2 V 7. 寬度:C E B ,摻雜濃度比:E B C 8. 因為 IB IC(sat),所以電晶體飽和
CC CE(sat ) C(sat )
C
V V 10 V 0.2 V
I 9.8 mA
R 1 k
,IB 5 V 0.7 V 0.43 mA 10 k
C C(sat )
I 100 0.43 mA 43 mA I ∴IC IC(sat ) 9.8 mA 9. (1) 求V :GS
2 D DSS GS
P
I I 1 V V
,
2
VGS
3 mA 12 mA 1 2
,VGS ,1V 3 V(不合)
(2) 求g :m m DSS GS
P P
2I V
g 1
| V | V
2 12 mA 1 V
1 6 mS
2 2 V
(3) 電壓增益A :v Av g Rm D 6 mS 1.25 k 7.5 (4) 輸出阻抗R0 RD 1.25 k
10. 此電路為共汲極放大器 v m S L
m S L
g (R R ) A 1 g (R R )
#
#
40 mS (5 k 5 k ) 1 40mS (5 k 5 k )
#
# ≑0.99≑1 11. 此電路為 OPA 積分器,方波 積分後 三角波
12. 輸入電阻 i i 1
i
R V R 30 k
I , v 2
1
A R
R , R2 11
30k ,∴R2 330 k 13. 此電路為減法器,應用重疊定理
① 考慮V 、2 V ,將3 V1 非反相加法器 0 2 V 4 V
100 k +100 k
V 3 V
1 1
100 k +100 k
,Vo1 V 1 200k 3V 3 9V
100k
② 考慮V ,將1 V2 V3 反相放大器 0
o2
200 k
V 1 V 2 V
100 k
,∴Vo Vo1Vo2 9 V ( 2 V) 7 V 14. RC 相移形成正回授特性
15. 正回授才可產生週期性信號
【108】四技二專統一入學測驗 108~13
16. 此電路為 OPA 方波產生電路,v 之波形為方波 o
17. 工作點若接近飽和區,會使得輸入電壓波形為正半週時,其輸出信號之負半週 發生截波失真。
18. IC(sat ) 12 V 0.2 V 11.8 mA 1 k
, B(sat) 11.8 mA
I 0.118 mA
100
B(max)
5 V 0.7 V R 0.118 mA
≑36.44 k
19. (A)輸入耦合電容應視為短路,(B)混合 型之 r可由直流工作點求出 (C) T模型之r 可由直流工作點求出,(D)射極旁路電容應視為短路。 e 20. 此電路為共射極放大器
i B1 B2 E
R R #R #[r (1 )R ]120 k#60 k#[1.25 k (1 119) 1 k ]
≒120 k#60 k#121.25 k≑ 30 k
21. 此電路為共射極放大器
B BE
E
E
V V 2.2 V 0.7 V
I 1.5 mA
R 1 k
, e
E
25 mV 25 mV
r I 1.5 mA≑16.67
r (1 )re 120 16.67 2 k , v RC 119 3.3 k A r 2 k
≑196.4 22. 20log | A | 20log | 100 | 40 dBv1 ,dBAVT 40 dB 20 dB 10 dB 70 dB 23. (1) 求R 等效阻抗,C
2 2
C 1 L
2
N 10
R R 30 3 k
N 1
(2)求r :e e T
E
V 25 mV
r 20
I 1.25 mA
(3) 電壓增益A ,v v o c o C
i i c e
V V V R 1
A 14.9
V V V (1 )r 10
24. (1) 求V :G G DD G 2
G1 G 2
R 120 k
V V 12 V 2 V
R R 600 k 120 k
(2) 求I :D VDVDDI RD D,6 V 12 V I D 4.7 k , D 6 V
I 1.277mA 4.7 k
(3) 求V :S VS ID RS1.277mA 3 k 3.84 V
(4) 求V :GS VGS VGVS2 V 3.84 V 1.84 V 25. (1) 求V :GS GS DD G 2
G1 G 2
R 300 k
V V 15 V 3.75 V
R R 900 k 300 k
(2) 求I :D IDK(VGSV )t 2 0.8 mA v/ 2(3.75 V 2.25 V) 2 1.8 mA (3) 求V :DS VDS VDDI RD D15 V 1.8 mA 3.3 k 9.06 V
108~14 【108】四技二專統一入學測驗
電機類專業科目(二)―電子學實習
1. 電器火災不適用泡沫滅火器 2. VabVm2 Vm 3 Vm
3. 當電表指針大幅偏轉時,黑棒接觸的接腳為集極,紅棒接觸的接腳為射極 4. 此電路為箝位電路
v 輸出波形為 o
故vo(max) 1 V
o(min)
v 7 V
5. 因輸出V 的負半週沒有輸出,故i D 或2 D 故障開路 4 6. B 10 V 0.7 V
I 93 A
100 k
,IC IB 100 93 A 9.3 mA
C(sat)
10 V 0.2 V
I 4.9 mA
2 k
,因ICIC(sat),故電晶體飽和,
所以IC IC(sat) 4.9 mA
7. 輸入阻抗Z 約為i Z ≒i R R (11# #2 )RE≒10 k#5 k#330 k 3.3 k 8. 此電路為共基極放大器
th
V 12 V 10 k 4 V 20 k 10 k
,Rth 20 k 10 k# ≒6.7 k
th BE
B
th E
V V 4 0.7
I 0.01 mA
R (1 )R 6.7 k 100 3.3 k
E B
I (1 )I 100 0.01 mA 1 mA , e T
E
V 25 mV
r 25
I 1 mA
此電路的輸入阻抗Zi re#RE 25#3.3 k 25
輸出阻抗Zo Rc2.5 k 電壓增益 v o C o o
i E i i
v I Z Z 2.5 k
A 100
v I Z Z 25
9. 改變R 電阻值,不會改變電路的輸入阻抗4 Z i
10. ID0 AVGS VGS(OFF) VP 4 V,VGS0 V IDIDSS4 mA 當VGS 2 V時,
2 D DSS GS
P
I I 1 V V
2 V 2
4 mA 1
4 V
1 mA
【108】四技二專統一入學測驗 108~15
11. 此電路為共源極(CS)放大器
2 D DSS GS
GS(off )
I I 1 V V
,
2 GS GS(off )
0.9 mA 3 mA 1 V V
令 GS
GS(off )
1 V K
V ,K 0.3
m DSS
GS(off )
2I K 3 mA
g 2 0.3 3mA 0.3
V 2V
v m D
A g R ,又 v o(p p)
i(p p)
v 300 mV
A 6
v 50 mV
, D 6 R 3mA 0.3
≑3.64k
12. OPA
2 V 1 V 4 V 4 k 4 k 4 k
V 1 V
1 1 1
4 k 4 k 4 k
,Vo 1 10 k V 3 ( 1 V) 3 V 5 k
13. 此電路為改良型微分器
① 當v 的頻率i
S
f 1
2 R C
時,XCRS,電路工作如同微分器
② 當v 的頻率i
S
f 1
2 R C
時,XCRS,電路工作如同反相放大器。
14. 此電路為反相樞密特觸發電路 (A) D 1
1 1
R 1 k
V 4V ( 10 V) 2.6V
1 k R 1 k R
,R1 9 k (B) U 9 k 1 k
V 4 V 10V 4.6 V
1 k 9 k 1 k 9 k
(C) VH VUVD 4.6 V 2.6 V 2 V (D) vi 6 V時vi VUvo 10 V 15. (1) V 的輸出波形為三角波 o
(2) V 的輸出頻率o 1 1
f 10 Hz
T 4 5 k 500 k 0.1 F 10 k
(3) V 的正負峰值為o 5 k 15 V 7.5 V 10 k
資電類專業科目(二)―電子學實習
1. IB IE IC 6 mA 5.95 mA 0.05 mA , C
B
I 5.95 mA I 0.05 mA 119
2. 共基極放大器電流增益 i c
e
A i
i 1
≒1
108~16 【108】四技二專統一入學測驗
3. 逆向偏壓時,曲線中斜率較大的部份其內阻較小 4. IDK(VGSV )t 2 D 2 2
GS t
I 2 mA K(V V ) 1 V
當VGSV 1.2 Vt 時, D 2 mA2 2
I (1.2V) 2.88 mA
1 V
5. 電容器C 的主要用途為交連電容,將交流信號耦合至下一級,並使各級放大C 器直流工作點不會相互影響。
6. 串級放大器的串級數為 n,則此串級放大器的頻寬為
1 n
BW(n) BW 2 1,將縮 小
1
2n 倍 1
7. (A)RC 相移振盪器包含負回授電路架構,(B)石英晶體振盪電路需滿足巴克豪 生準則,(C)方波是由正弦波與其奇次諧波所組成,(D)弦波振盪器的啟動信號 為雜訊所提供。
8. Vm 24 V 2 17 V
2 ,二極體的P.I.V.2 Vm 34V 9. (1) OPA V的電壓為
3 4 5
3 4 5
V V V
V V V
R R R
V 1 1 1 1 4
R R R R
(2) 因V V,且利用K.C.L.
1 2 o
V V V V V V
R R R
,Vo V V1 23V 1 2 3 4 5
V V 3(V V V )
4 10. 此電路為共源極放大器,電壓增益 v m D
m S
g R 5 mS 11 k
A 5
1 g R 1 5 mS 2 k
11.
2
O 1
L 2
R N
R N
, 1 O
2 L
N R 160 4
N R 10 1
12. (A) 輸出波形為: (B)輸出波形為:
(C) 輸出波形為: (D)輸出波形為:
0V Vo
t
故選(B)