112 學年度四技二專統一入學測驗電機與電子群專業(一) 試題

112 學年度四技二專統一入學測驗 電機與電子群專業(一) 試題

1. 將2×10^－3庫倫的正電荷由b點移向a點需作功0.1焦耳，若a點的電位為60V， 則b點的電位為何？

(A)20V (B)10V (C)－10V (D)－20V。

2. 具有相同材質之a及b兩圓柱形導線，若a之截面積為b的4倍，且a的長度為 b的2倍，則a導線電阻值Ra與b導線電阻值Rb之比(Ra：Rb)為何？

(A)1：2 (B)1：4 (C)2：1 (D)4：1。

3. 如圖(一)所示電路，下列有關各節點間電位差之敘述，何者正確？

(A)Vac＞Vad (B)Vdn＞Vcn (C)Vdn＞Vac (D)Vad＞Vac。

圖(一) 圖(二)

4. 如圖(二)所示電路，若E及R1為固定值，且當R2＝2Ω時，V2＝10V；當R2＝8 Ω時，V2＝16V。當R2＝18Ω時，則V2為何？

(A)20V (B)19V (C)18V (D)17V。

5. 如圖(三)所示電路，電流I約為何？

(A)－2.33A (B)－1.24A (C)1.67A (D)2.33A。

圖(三) 圖(四)

6. 如圖(四)所示電路，電流Ia與Ib分別為何？

(A)Ia＝1A、Ib＝2A (B)Ia＝2A、Ib＝1A (C)Ia＝0A、Ib＝2A (D)Ia＝1A、Ib＝0A。

7. 如圖(五)所示電路，電流I為何？

(A)3A (B)2A (C)1A (D)0A。

圖(五) 圖(六)

8. 如圖(六)所示電路，若直流電壓源VS＝120V，C1＝10μF、C2＝20μF、C3＝30 μF，則電壓V1與V2分別為何？

(A)V1＝20V、V2＝100V (B)V1＝60V、V2＝60V (C)V1＝80V、V2＝40V (D)V1＝100V、V2＝20V。

9. 兩個電感L1＝12mH、L2＝8mH串聯，且兩個電感之間無互感效應，若流過電感 的直流電流為20A，則此兩個電感的總儲存能量為多少焦耳？

(A)2 (B)3 (C)4 (D)5。

10. 電阻與電容串聯電路，電阻為2kΩ，電容為25μF，此電路的時間常數為何？

(A)12.5ms (B)25ms (C)50ms (D)100ms。

11. 兩個電壓時間函數v1(t)與v2(t)，若v1(t)的相位超前v2(t)為60°，則下列何者正確？

(A)v1(t)＝20sin(314t－30°)V、v2(t)＝20cos(314t－60°)V (B)v1(t)＝20cos(314t－60°)V、v2(t)＝20sin(314t－30°)V (C)v1(t)＝20sin(314t－30°)V、v2(t)＝20sin(314t－60°)V (D)v1(t)＝20cos(314t－30°)V、v2(t)＝20sin(314t－60°)V。

12. 如圖(七)所示之交流穩態電路，若v(t)＝10 2 cos(2t)V，則流經12Ω電阻之電流 有效值為何？

(A)0.5A (B)2A (C)4A (D)6A。

圖(七)

13. 有一RLC串聯電路，接於v(t)＝100 2 sin(377t)V之交流電源，已知電阻R＝6 Ω、電感抗XL＝20Ω、電容抗XC＝12Ω，則此串聯電路最大瞬間功率為多少瓦 特？

(A)1200 (B)1460 (C)1600 (D)1850。

14. 如圖(八)所示電路，若流經8Ω電阻之電流有效值為10A，則電源供給之平均功 率P與虛功率Q分別為何？

(A)P＝1000W、Q＝2000VAR (B)P＝2000W、Q＝1000VAR (C)P＝2000W、Q＝2000VAR (D)P＝1000W、Q＝1000VAR。

圖(八)

15. 有一RL串聯電路，R＝6Ω，L＝6mH，接於電壓源v(t)＝120sin(1000t＋60°)V，

則此電路之電流i(t)為何？

(A)10 2 sin(1000t＋15°)A (B)10sin(1000t＋15°)A (C)10 2 sin(1000t＋60°)A (D)10sin(1000t－45°)A。

16. 有一RLC串聯電路，接於v(t)＝300sin(2000t)V之電源，已知R＝500Ω，L＝

20mH，當電路電流有效值為最大時，則電容C應為何？

(A)6.5μF (B)10μF (C)12.5μF (D)15.5μF。

17. 有關RLC並聯諧振電路之敘述，下列何者正確？

(A)諧振時總電流最大

(B)諧振時品質因數愈大，頻帶寬度愈寬 (C)諧振時總導納最大

(D)諧振時電感與電容之虛功率大小相等。

18. 將一個五環色碼電阻串接直流安培計，再串接於12.4V之直流電壓源，安培計讀 值為20mA，此色碼電阻的色環依序(第一環至第五環)可能為何？

(A)藍紅黑棕棕 (B)藍灰黑金棕 (C)藍紅黑黑棕 (D)藍紫黑銀棕。

19. 如圖(九)所示電路，電流I為何？

(A)－3A (B)－2A (C)2A (D)3A。

圖(九) 圖(十)

20. 如圖(十)所示之暫態電路及電流iL(t)時間響應圖，電流IS＝10A，時間常數τ為 0.02秒。已知電阻RS＝2Ω，且電感在開關S1閉合前無儲存能量，當時間為零時 (t＝0秒)開關S1閉合(導通)，則此電路的直流電壓源ES與電感LS分別為何？

(A)ES＝20V、LS＝40mH (B)ES＝10V、LS＝30mH (C)ES＝20V、LS＝20mH (D)ES＝10V、LS＝10mH。

21. 用示波器量測弦波電壓信號，其測試棒及示波器端之衰減比設定皆為1：1，電 壓信號波形如圖(十一)所示，若電壓信號的峰值對峰值為20V，頻率為500Hz，

則示波器設定垂直刻度(VOLTS/DIV)與水平刻度(TIME/DIV)分別為何？

(A)垂直刻度為10V/DIV、水平刻度為0.5ms/DIV

(B)垂直刻度為10V/DIV、水平刻度為5ms/DIV

(C)垂直刻度為5V/DIV、水平刻度為10ms/DIV

(D)垂直刻度為5V/DIV、水平刻度為0.5ms/DIV。

圖(十一)

▲閱讀下文，回答第22－23題

某生購買了一組三相平衡負載設備，已知此三相平衡負載設備為Δ接方式，且每相阻 抗為3＋j4歐姆。今將其接至三相平衡電壓源，如圖(十二)所示之U、V、W三端子，

且線電壓有效值為100V。

圖(十二)

22. 圖(十二)中負載總消耗功率為多少瓦特？

(A)600 (B)1200 (C)2400 (D)3600。

23. 當連接至三相平衡電壓源之V點端子的導線因脫落發生斷路，則電路負載總消 耗功率變為多少瓦特？

(A)1800 (B)2000 (C)2400 (D)3600。

▲閱讀下文，回答第24－25題

如圖(十三)所示直流電路，IS＝60A，R1＝6Ω，R2＝12Ω，R3＝4Ω，在不同負載電阻 情況，計算流經電阻的電流，並設計負載電阻RL以符合下列情況。

圖(十三)

24. 若負載電阻RL為2Ω，則電流I1與I2分別為何？

(A)I1＝24A、I2＝12A (B)I1＝12A、I2＝12A (C)I1＝24A、I2＝24A (D)I1＝12A、I2＝18A。

25. 若設計負載電阻RL以獲得RL的最大功率消耗，則負載電阻RL與其最大功率Pmax

分別為何？

(A)RL＝4Ω、Pmax＝900W (B)RL＝8Ω、Pmax＝1800W (C)RL＝8Ω、Pmax＝2000W (D)RL＝4Ω、Pmax＝2400W。

26. 如圖(十四)所示之週期性電壓v(t)，若Vp＝10V、T＝5ms、t1＝3ms，則v(t)之工 作週期D(duty cycle)與電壓平均值Vav分別為何？

(A)D＝3ms、Vav＝6V (B)D＝60%、Vav＝6V (C)D＝2ms、Vav＝4V (D)D＝40%、Vav＝4V。

圖(十四)

27. 有關半導體材料，下列敘述何者正確？

(A)半導體因電位差產生載子移動而形成擴散電流 (B)外質半導體中電洞與自由電子的載子濃度相同

(C)P型矽半導體是由本質矽半導體摻雜(doping)三價元素而成 (D)N型半導體多數載子為自由電子，少數載子為電洞，帶負電位。

28. 如圖(十五)所示電路，稽納二極體(Zener diode)之崩潰電壓VZ＝20V，最大額定 功率320mW，且其逆向最小工作電流(崩潰膝點電流)IZK＝2mA。若忽略稽納電 阻，在RL＝2kΩ且正常工作時VO要維持20V，則電壓源VS之最小值及最大值 分別為何？

(A)32V、46V (B)34V、46V (C)32V、50V (D)34V、58V。

圖(十五)

29. 有關雙極性接面電晶體(BJT)工作於飽和區之敘述，下列何者正確？

(A)BJT之集極電流與基極電流成正比

(B)BJT之集－射極間，猶如開關的導通(ON)狀態

(C)BJT之基－射極接面為順向偏壓且基－集極接面是逆向偏壓 (D)BJT之基－射極接面為逆向偏壓且基－集極接面是順向偏壓。

30. 如圖(十六)所示電路，VEE＝－12V，RB＝200kΩ，RC＝1kΩ，若BJT之β＝100，

VBE＝0.7V，則VC為何？

(A)6.35V (B)－6.35V (C)5.65V (D)－5.65V。

圖(十六)

31. 如圖(十七)所示電路，VCC＝18V，RC＝3kΩ，RE＝0.82kΩ，RF1＝238kΩ，RF2

＝42kΩ，若BJT之β＝100，且已知基極交流電阻r^π＝1kΩ，則電壓增益vo/vi

約為何？

(A)－100 (B)－250 (C)－280 (D)－300。

圖(十七)

32. 有關BJT與場效電晶體(FET)元件之比較，下列敘述何者正確？

(A)BJT為電流控制型，FET為電壓控制型 (B)BJT之輸入阻抗較FET高

(C)BJT之熱穩定度較FET高

(D)BJT與FET皆屬於雙載子元件。

33. 某N通道空乏型MOSFET，夾止(pinch－off)電壓Vp＝－3V，IDSS＝10mA，於電 路中將其偏壓操作於飽和區，且閘－源極間電壓VGS＝－1V，則MOSFET之轉 移電導gm約為何？

(A)1.11mA/V (B)2.22mA/V (C)3.33mA/V (D)4.44mA/V。

34. 如圖(十八)所示電路，MOSFET之臨界電壓(threshold voltage)Vt＝2V，參數K＝

0.5mA/V²，RD＝2.2kΩ，若已知VD＝10.6V，則RS為何？

(A)0.5kΩ (B)0.9kΩ (C)1.2kΩ (D)1.5kΩ。

圖(十八)

35. 如圖(十九)所示MOSFET放大電路，RG＝1.2MΩ，RD＝2.2kΩ，RS＝1.2kΩ，

RL＝10kΩ，汲極交流電阻rd忽略不計，若電晶體操作於飽和區，此MOSFET於 工作點之轉移電導gm＝2.4mA/V，則電壓增益vo/vi約為何？

(A)－8.6 (B)－6.22 (C)－5.12 (D)－4.33。

圖(十九)

36. 如圖(二十)所示MOSFET疊接放大電路，RS＝300Ω，RD＝2.7kΩ，RG1＝RG2＝ 3MΩ，RG3＝4.7MΩ。已知MOSFET均操作於飽和區且Q1之轉移電導gm1＝ 25mA/V，Q2之轉移電導gm2＝30mA/V，汲極交流電阻rd均忽略不計，則電壓增 益vo/vi為何？

(A)－55 (B)－67.5 (C)－74.2 (D)－81。

圖(二十) 圖(二十一)

37. 如圖(二十一)所示MOSFET邏輯電路，下列敘述何者錯誤？

(A)此電路之功能為反或閘(NOR gate)

(B)若A為低電位，B為高電位，則輸出Y為高電位 (C)若A為高電位，B為低電位，則輸出Y為低電位 (D)輸入與輸出的布林代數關係為Y＝A＋B。

38. 如圖(二十二)所示電路，其中IO＝1mA，BJT之β＝99，則電壓VR及電阻R分 別為何？

(A)VR＝7.5V、R＝2.5Ω (B)VR＝7.5V、R＝10Ω (C)VR＝10V、R＝50Ω (D)VR＝10V、R＝100Ω。

圖(二十二) 圖(二十三)

39. 如圖(二十三)所示之理想運算放大器電路與波形，若輸入電壓vs為500Hz之對稱 三角波，則輸出電壓vo之峰對峰值為何？

(A)16V (B)12V (C)8V (D)4V。

40. 如圖(二十四)所示之理想運算放大器電路，輸出電壓VO為何？

(A)4V (B)6V (C)8V (D)10V。

圖(二十四)

41. 如圖(二十五)所示電路，輸入電壓vs＝10sin(3000t)V，若運算放大器的飽和電壓 為±10V，則電路之上臨界電壓VTH及遲滯電壓VH分別為何？

(A)VTH＝1.2V、VH＝2.4V (B)VTH＝2V、VH＝4V (C)VTH＝3.6V、VH＝7.2V (D)VTH＝9V、VH＝18V。

圖(二十五)

42. 利用反相放大器及最少RC相移電路節數來設計弦波振盪器，若各節RC電路之 R、C值皆相同，則下列敘述何者錯誤？

(A)理論上，放大器電路增益值為－29時，會產生弦波輸出 (B)回授網路之相移應為180°

(C)回授網路可由二節RC相移電路所組成 (D)迴路增益βA＝1∠0°。

▲閱讀下文，回答第43－44題

振盪器可以產生週而復始的交流信號輸出，並廣泛地應用於波形產生器、通訊系統，

或是手機、電腦的時脈產生等等。

43. 關於運算放大器組成之波形產生電路，下列敘述何者正確？

(A)方波產生電路中之施密特觸發器(Schmitt trigger)為負回授電路 (B)方波產生電路可由施密特觸發器與微分器組成

(C)三角波產生電路可由施密特觸發器與積分器組成 (D)三角波產生電路僅需由施密特觸發器與電阻器組成。

44. 在各種振盪器中，下列敘述何者錯誤？

(A)弦波振盪條件須滿足巴克豪森準則(Barkhausen criterion) (B)晶體振盪電路頻率精凖且穩定度佳

(C)哈特萊振盪器常用來產生方波信號

(D)考畢子振盪器使用2個電容及1個電感構成振盪電路。

45. 如圖(二十六)所示之理想二極體整流電路，vs為有效值100V、50Hz之正弦波電 源，若變壓器的電壓規格：一次側120V、二次側0－12－24V，輸出電壓vo供給 固定電阻負載RL，則下列敘述何者正確？

(A)vo的平均值為20/πV (B)vo的有效值為12V (C)vo的漣波頻率為50Hz (D)vo的漣波週期為0.01秒。

圖(二十六) 46. 有關示波器之使用，下列敘述何者正確？

(A)使用示波器的EXT輸入端子，與電路串聯接線，能測量電流信號 (B)將示波器輸入耦合設置於DC，只能測量電路的直流信號

(C)將示波器輸入耦合設置於AC，只能測量電路的交流信號 (D)示波器螢幕上的垂直方向刻度，只能測量電路的信號週期。

47. 如圖(二十七)(a)之MOSFET實驗電路，RS＝300Ω，VR已調整使得放大電路操 作於最佳工作點。信號產生器(F.G.)頻率設於2kHz，以示波器CH1量測vi、CH2 量測vo波形如圖(二十七)(b)與圖(二十七)(c)所示，CH1、CH2之輸入耦合均設置 於DC，且示波器已完成歸零與調整適當。此電路之電壓增益vo/vi約為何？

(A)15 (B)1.5 (C)－15 (D)－29。

圖(二十七)

48. 如圖(二十八)所示電路，若VBE＝0.7V，量測得BJT的C極與E極之電壓分別為 VC＝16V，VE＝2.04V，則此BJT之β值為何？

(A)120 (B)100 (C)80 (D)50。

圖(二十八)

▲閱讀下文，回答第49－50題

如圖(二十九)所示之BJT串級放大電路，電晶體Q1之β為199，Q2之β為99，VBE均 為0.7V，熱電壓VT＝26mV，RE1＝1.3kΩ，RE2＝663Ω，若選擇RC1及RC2使得兩級 放大電路之工作點均操作於負載線的中點。

圖(二十九) 49. 依題幹敘述之條件，則RC2之值約為何？

(A)1.52kΩ (B)2.52kΩ (C)3.12kΩ (D)5.11kΩ。

50. 承上電路，輸入阻抗Zin約為何？

(A)7.8kΩ (B)4.02kΩ (C)2.74kΩ (D)1.8kΩ。

電機與電子群專業(一)－【解答】

1.(B) 2.(A) 3.(D) 4.(C) 5.(C) 6.(A) 7.(D) 8.(D) 9.(C) 10.(C) 11.(B) 12.(A) 13.(C) 14.(B) 15.(A) 16.(C) 17.(D) 18.(C) 19.(D) 20.(A) 21.(D) 22.(D) 23.(A) 24.(A) 25.(B) 26.(B) 27.(C) 28.(A) 29.(B) 30.(D) 31.(C) 32.(A) 33.(D) 34.(A) 35.(D) 36.(B) 37.(B) 38.(D) 39.(A) 40.(B) 41.(B) 42.(C) 43.(C) 44.(C) 45.(D) 46.(C) 47.(D) 48.(D) 49.(C) 50.(B)

112 學年度四技二專統一入學測驗 電機與電子群專業(一) 試題詳解

1.(B) 2.(A) 3.(D) 4.(C) 5.(C) 6.(A) 7.(D) 8.(D) 9.(C) 10.(C) 11.(B) 12.(A) 13.(C) 14.(B) 15.(A) 16.(C) 17.(D) 18.(C) 19.(D) 20.(A) 21.(D) 22.(D) 23.(A) 24.(A) 25.(B) 26.(B) 27.(C) 28.(A) 29.(B) 30.(D) 31.(C) 32.(A) 33.(D) 34.(A) 35.(D) 36.(B) 37.(B) 38.(D) 39.(A) 40.(B) 41.(B) 42.(C) 43.(C) 44.(C) 45.(D) 46.(C) 47.(D) 48.(D) 49.(C) 50.(B) 1. Wb^→a＝Q(Va－Vb)

0.1＝2×10^－3(60－Vb) Vb＝10V

2. Ra＝

b b

A 4

2 ρ ＝

2 1 Rb

Ra：Rb＝1：2 3. Vn＝0V

Vb＝－3V

Vc＝2＋(－3)＝－1V Va＝－1＋(－3)＝－4V Vd＝－4＋(－3)＝－7V

Vac＝－4－(－1)＝－3V Vac＜Vad

Vad＝－4－(－7)＝＋3V

Vbn＝－3V Vcn＝－1V Vbn＜Vcn

Vdn＝－7V Vac＝－3V Vdn＜Vac

4. E＝

2

10 R1＋10＝5R1＋10 E＝ 8

16 R1＋16＝2R1＋16 R1＝2Ω E＝5×2＋10＝20V R2＝18Ω 20＝I×2＋I×18 I＝1A V2＝1×18＝18V

5.

VTh＝－2×3－2×2＝－10V I＝ 2 4

10

＋ ＝1.67A 6.

I＝ 3 1 2 2 4 6

＋

＋

－

－ ＝0A Va＝0＋2＝2V Ia＝

2 2 ＝1A Vb＝0＋6＝6V Ib＝

3 6 ＝2A 7.

1 4 V₁－ ＋

4

V₁ －6＝0 V1＝

4 1 1 1

6 4

＋

＋ ＝8V

I＝4－4＝0A 8.

V₁＝120×

50 10

50

＋ ＝100V V₂＝120×

50 10

10

＋ ＝20V

9. WT＝ 2

1 ×(12×10^－3＋8×10^－3)×20²＝4J 10. τ＝RC＝2×10³×25×10^－6＝50×10^－3s＝50ms

11. v1(t)＝20cos(314t－60°)＝20sin(314t＋30°)，v1(t)超前v2(t)60°。

12. AC











Ω

＝

＝

Ω

＝

＝

4 8 2 1 x 1

4 2 2 x

C L

 　

Z ＝j4＋12//(j4－j4＋4)＝3＋j4＝5∠53.1°

IT＝ 5

10 ＝2A

12Ω

I ＝2×

4 j 4 j 4 12

4 j 4 j 4

－

＋

＋

－

＋ ＝0.5A

13. Z＝6＋j20－j12＝6＋j8＝10Ω I＝ 10

100 ＝10A

P＝I²R＝10²×6＝600W S＝I²Z＝10²×10＝1000VA Pmax＝P＋S＝600＋1000＝1600W 14. V＝10(8－j6)＝10×10＝100V

I1＝ 4 j 3

100

＋ ＝ 5

100 ＝20A P＝20²×3＋10²×8＝2000W

Q＝20²×4－10²×6＝1000VAR(L性) 15. AC．XL＝1000×6×10^－3＝6Ω











 45 2 6

2 60 120

＝10∠15°

i(t)＝10 2 sin(1000t＋15°) 16. ImaxR性 xL＝xC

ωL＝ C 1 ω C＝ L 1

ω2 ＝ _{2 3}

6

10 20 2000

10 1

 －



 μF＝12.5μF

17. RLC並諧振 電流最小 導納最小 BW＝ Q

f_o

Q大，BW小 QLo＝Qco

18. R＝ ₃

10 20

4 . 12

 － ＝620Ω R＝620×10°Ω±1%

藍 紅 黑 黑 棕 19. 重疊

I1＝ 2 2

8

＋ ＝2A I2＝－2×

2 2

2

＋ ＝－1A

I3＝4×

2 2

2

＋ ＝2A I＝2＋(－1)＋2＝3A 20. ES＝ISRS＝10×2＝20V

τ＝

S S

R

L LS＝0.02×2＝0.04H＝40mH

21. 4

20 ＝5V/格 T＝ f

1 ＝ 500

10

1 ³ ms＝2ms

4 m

2 ＝0.5ms/格 22. △





P P

I 3 I

V 100 V V

＝

＝

＝





IP＝ 4 j 3

100

＋ ＝ S

100 ＝20A P＝3IP2RP＝3×20²×3＝3600W 23.

4 j 3

100

＋ ＝20A，

8 j 6

100

＋ ＝10A PT＝20²×3＋10²×6＝1800W 24.

－60＋ 6 V₁

＋ 12 V₁

＋ 4 2 V₁

＋ ＝0 V1＝

6 1 12

1 6 1

60

＋

＋

＝ 12

5

60 ＝144V

I1＝ 6

144 ＝24A I2＝

12

144 ＝12A

25.

RTh＝6//12＋4＝8Ω VTh＝60×(6//12)＝240V RL＝RTh＝8Ω

PLmax＝ 8 4 240²

 ＝1800W 26. D＝

T t₁

×100%＝

mS 5

mS

3 ×100%＝60%

Vav＝ T

t V_P ₁

＝ 5mS mS 3 V

10  ＝6V 27. (A)電位差產生載子移動：漂移電流

(B)N型半導體：電子濃度＞電洞濃度 P型半導體：電洞濃度＞電子濃度

(D)N型半導體：多數載子為電子，少數載子為電洞，整體電性為電中性 28. IZ(max)＝

Z (max) Z

V

P ＝

V 20

mW

320 ＝16mA IL＝

L Z

R V ＝

K 2

20 ＝10mA

VS(min)＝(IZK＋IL)×1KΩ＋VZ＝(2mA＋10mA)×1KΩ＋20V＝32V VS(max)＝[IZ(max)＋IL]×1KΩ＋VZ＝(16mA＋10mA)×1KΩ＋20V＝46V 29. BJT工作於飽和區：

E－B與C－B接面皆為順向偏壓；猶如開關的"ON"狀態；

βIB≧ICS，IB增加時，IC不再隨之增加。

30. IB＝

B BE EE

R V

| V

| － ＝

K 200

7 . 0

12－ ＝0.0565mA IC＝βIB＝100×0.0565mA＝5.65mA VC＝－ICRC＝－5.65mA×1KΩ＝－5.65V 31.

i o

V

V ＝－β×

rπ

R //

R_{C F2}

＝－100×

K 1

K 42 //

K

3 ＝－280 32. FET為單載子元件；其輸入阻抗與熱穩定度皆高於BJT。

33. gm＝

| V

| I 2

P

DSS ×(1－

P GS

V V )＝

3 m 10

2 (1－

3 1

－

－ )＝4.44mA/V

34. ID＝

D D DD

R V

V － ＝

K 2 . 2

6 . 10

15－ ＝2mA

VGS＝Vt＋ K I_D

＝2＋ 0.5m m

2 ＝4V VG＝15×

M 1 M 2

M 1

＋ ＝5V

∴RS＝

D S

I V ＝

D GS G

I V

V － ＝

m 2

4

5－ ＝0.5KΩ 35.

i o

V

V ＝－gm(RD//RL)＝－2.4m×(2.2K//10K)≒－4.33

36.

i o

V

V ＝－gm1RD＝－25m×2.7K＝－67.5 37. 反或閘，Y＝A＋B

A B Y 0 0 1 0 1 0 1 0 0 1 1 0

∴任一輸入為高電位時，其輸出為低電位。

38. VR＝Vi＝10V 又∵IB＝IO＝1mA

∴IE＝(1＋β)IB＝(1＋99)×1mA＝100mA R＝

E R

I V ＝

mA 100

V

10 ＝100Ω 39. T＝

f 1 ＝

500

1 ＝2mS

△t＝ 2 T ＝

2 mS

2 ＝1mS

＋VOP＝－RC×

t V_i

△

△ ＝－100×10³×0.01×10^－6× m 1

4 4－

－ ＝8V

－VOP＝－RC×

t V_i

△

△ ＝－100×10³×0.01×10^－6× m 1

) 4 (

4－－ ＝－8V

∴Vo(P^－P)＝＋VOP－(－VOP)＝8－(－8)＝16V 40. Vo＝4－2m×1K＋4＝6V

41. VTH＝＋Vsat×

K 10 K 40

K 10

＋ ＝10×

5 1 ＝2V

42. 回授網路由三節R－C相移電路組成。

43. 施密特觸發器具有正回授電路。

44. 哈特萊振盪器用來產生射頻正弦波信號。

45. V2(rms)＝100×

10

1 ＝10V

Vo(av)＝ π

2 V2P＝ π

2 ×(10× 2 )＝

π 2 20 V Vo(rms)＝

2

1 V2(rms)＝ 2

1 ×10＝5V fo＝2fs＝2×50Hz＝100Hz To＝

fo

1 ＝ 100

1 ＝0.01秒

46. (1)示波器垂直輸入端與待測端點並聯連接。

(2)輸入耦合置於"DC"，採用直接交連方式，可測量直流與交流信號。

(3)螢幕上的垂直方向用來測量電壓的振幅。

47.

) P P ( i

) P P ( o

V V

－

－ ≒

DIV / mV 50 DIV 3

DIV / V 1 DIV 4 . 4



－  ≒－29.33 48. IC＝

C C CC

R V

V － ＝

K 2

16

20－ ＝2mA IE＝

E E

R V ＝

K 1

04 .

2 ＝2.04mA

β＝

B C

I I ＝

C E

C

I I

I

－ ＝

m 2 m 04 . 2

m 2

－ ＝50 49. VBB2＝VBB1＝12×

K 18 K 90

K 18

＋ ＝2V RBB2＝RBB1＝90K//18K＝15KΩ IB2＝

2 E 2 2

B

2 BE 2 BB

R ) 1 ( R

V V

＋β

＋

－ ＝

K 663 . 0 ) 99 1 ( K 15

7 . 0 2

＋ 

＋

－ ＝0.016mA IC2＝β2IB2＝99×0.016mA＝1.584mA，VCE2＝

2 V_CC

＝ 2

12 ＝6V RC2≒

2 C

2 CE CC

I V

V － －RE2＝

m 584 . 1

6

12－ －0.663K≒3.12KΩ 50. IB1＝

1 E 1 1

BB

1 BE 1 BB

R ) 1 ( R

V V

＋β

＋

－ ＝

K 3 . 1 ) 199 1 ( K 15

7 . 0 2

＋ 

＋

－ ＝0.00473mA

r_π1＝

1 B

T

I V ＝

mA 00473 . 0

mV

26 ＝5.497KΩ Zin＝90K//18K//5.497KΩ＝4.02KΩ