南亞科技(股)公司簡介

南科在 2009 年度 DRAM 相關產品的銷售佔全年度的 99.8%，主要產品為，

第一，DRAM 晶片：包括 DDR DRAM、DDRII DRAM 及 DDRIIII DRAM。

第二，DRAM 模組。

第三，晶圓代工製造服務。

（二）技術及研發概況

2002 年與 Qimonda 共同研發製程技術，2008 年 4 月起與 Micorn 簽署共同研發技 術備忘錄，後續結束與Qimonda 的合作關係。2009 年南科的 12 吋晶圓廠(3A 廠)，

由於Micron 採用 Stack（堆疊式）技術，故南科將製程由原先導入 Qimonda 的 Trench

（溝槽式）轉換到Stack（堆疊式）的製程技術。2009 年 50 奈米的 2Gb DDRIII 的 障。南科除了有SDR、DDR、DDRII 、DDRIII 的產品外，繪圖用及行動型記憶體 產品也是未來發展重心，可避免產品過度集中的風險。

（五）發展遠景之有利與不利因素與因應對策

（1）有利因素：DRAM已走向寡佔市場，南科是少數有能力負擔50奈米以下製程的 廠商。加以南科有台塑集團的後盾支援，在財務上的優勢超過大多數同業，在

集團的嚴謹生產管理系統和集團議價採購的能力支援下，各項成本控制和原物 料取得的成本上，優於其他廠商。南科和Micorn的策略聯盟，Micorn在製程上 有優異的表現，結合南科在成本控制及製造生產能力的優勢，可使雙方在製程 與產能領先同業，提升永續經營的能力。

（2）不利因素與因應對策

DRAM 產業景氣波動劇烈且競爭激烈，投資金額龐大，是發展DRAM產品的 不利因素。南科的因應對策為早期推出新產品，取得新產品推出市場初期較高 的利潤，並開發高階產品線及低功率記憶體產品線以提高利潤。在製程上.不斷 提升技術，藉以降低成本。在行銷業務上，提高利基型產品之比重，充分利用 設備和產能，降低DRAM 產業不景氣時的衝擊。

（六）南科的重要沿革

表5-5 南科的重要沿革

資料來源：整理自2009 年南科公開說明書 1995 年 3 月 南亞科技股份有限公司成立。

1996 年 11 月 與日本沖電氣株式會社（OKI）簽訂 0.36 微米 和 0.32 微 米製程技術。

1998 年 11 月 與IBM 公司簽定 0.2 微米及 0.175 微米 DRAM 技術授權合 約。

1999 年 10 月 0.20 微米 64M SDRAM 開始量產。

2000 年 08 月 股票於台灣證券交易所掛牌上市買賣。

10 月 與IBM公司簽訂專利授權及共同開發0.14微米、0.11微米 DRAM產品合約。

2002 年 11 月 與德國英飛凌（Infineon）公司簽署成立合資公司及0.09微 米、0.07微米共同技術研發協定。

2003 年

1 月 與德國英飛凌（Infineon）公司合資成立華亞科技股份有限 公司

。

2005 年 9 月 與英飛凌簽訂60 奈米共同開發合約。

2006 3 月 三廠(12 吋廠)動土典禮。

2007 年 3 月 三廠(12 吋廠)啟用。

11 月 3A 廠試產成功；第三季導入70 奈米製程。

2008 年 4 月 與美光簽定合資及合作開發技術合約。

2009 年 8 月 68 奈米堆疊式（Stack）產品試產成功。

9 月 50 奈米堆疊式（Stack）產品試產成功。

5.3 深度訪談對象