第四章 實驗結果與討論
4.1 材料製備與鑑定
4.1.1 基材製備與鑑定
以XRD繞射圖譜強度為MCM-41 結構指標,MCM-41PHC樣品在 2θ為 2.2°具有明顯MCM-41 結構,在 2θ為 3.5 ~ 4.5°具有明顯微結構。
該樣品在 540℃鍛燒後,XRD強度強度稍有增強,經 760℃水蒸氣處 理 4 小時後XRD強度明顯增強;在水蒸氣處理 8 小時後XRD強度達 到最高,結構最穩定;在水蒸氣處理 24 個小時後,結構依然存在,
XRD強度仍然高於原始樣品,並且 2θ在 3.5 ~ 4.5°微結構亦明顯存 在,稍微往高角度偏移。該結果顯示,水蒸氣處理使得MCM-41PHC結 構更趨穩定 (如圖示 4.01 所示)。高解析度TEM圖(如圖 4.02~4.04)確 定水熱處理後樣品仍然具有良好的MCM-41 孔洞結,在水熱處理後顆 粒似乎稍微增大。同時,測量水蒸氣處理前後MCM-41PHC樣品之
27Al-NMR圖譜(圖 4.05 及 4.06),該圖譜顯示在 50 ppm附近有一個小 峰,0 ppm附近並沒有鋁峰,代表MCM-41PHC樣品含有極微量鋁,具 有沸石微結晶構造,全部的鋁皆以四配位骨架結構鋁存在,並無非骨 架結構鋁。
另外,進行熱穩定性實驗如圖 4.07,自製MCM-4PHC1 的樣品結 構在800℃能呈現穩定,1000℃熱處理後,其結構呈現崩解。
改以市售的MCM-41Ald進行水蒸氣處理,結果發現MCM-41Ald進 行水蒸氣處理八小時後,結構不變;水蒸氣處理 24 小時後,XRD強 度呈現衰弱,代表結構明顯破壞 (如圖 4.08 所示)。文獻上報導指出,
純矽MCM-41 水熱穩定性僅達到 100℃熱水處理46,比較上述結果可 知,吾人自製的MCM-41PHC具有高水熱穩定性。
0 2 4 6 8 10
MCM41PHC S760H24MCM41PHC
S760H16MCM41PHC
S760H08MCM41PHC
S760H04MCM41PHC MCM41PHC(540)
PH
Arbitrary Unit
2 theta
圖4.02 MCM-41PHC1TEM圖
圖 4.03 S760H08MCM-41 PHC1TEM圖
圖 4.04 S760H24MCM-41 PHC1TEM圖
200 150 100 50 0 -50 -100 -150 -200
-50 0 50 100 150
ppm
MCM41pHC2540 6h
圖4.05 經煅燒後的MCM-41PHC1 Al-NMR圖譜
200 150 100 50 0 -50 -100 -150 -200
-50 0 50 100 150
ppm
S760H08MCM41
圖4.06 經高溫水蒸汽處理 8 小時的MCM-41 PHC1 Al-NMR圖譜
0 10 20 30 40 50 60 MCM41PHC
MCM41PHC-1000
MCM41PHC-800
MCM41PHC-540
Arbitrary Unit
2 theta
圖4.07 MCM41PHC1熱穩定性實驗的XRD圖
0 2 4 6 8 10
MCM41Ald S760H08MCM41Ald S760H24MCM41Ald
Arbitrary Unit
2 theta
圖4.08 市售的MCM-41Ald的XRD圖
對於 MCM-41 水熱穩定性影響要因,吾人由合成配方與矽源種 類、中孔材料壁厚、水玻璃殘留(如 Na、Ti、Al、B、Co、Cr、Cu、
Fe、Mn、Zn、Ni 等微量元素)等因素加以探討。吾人先藉由 BET、
XRD 與 TEM 分析結果來探討管壁變化的情形,再探討水玻璃雜質、
矽源與合成配方對於MCM-41 結構的影響。
首先,從XRD結果計算MCM-41 管徑d100值 (表 4.01 及 4.02),
MCM-41PHC之d100值為 40.5 Å,在水熱處理後d100值變小,降至約37.6 Å,管徑呈現收縮現象。BET孔徑分佈曲線(圖 4.09)圖計算管徑Wd亦 得到相同趨勢,管壁厚度在水蒸氣處理後呈現減少趨勢,由原樣的 14.37 Å (BJH法)或 7.42 Å(d100法),760°C水蒸氣處理 24 個小時後降至 9.60 Å (BJH法)或 5.22 Å(d100法)。相對之下,MCM-41Ald之d100值為40.5 Å,管壁厚度為 13.11 Å (BJH法)或 7.21Å(d100法),與MCM-41PHC相當,
但其水熱穩定性遠低於MCM-41PHC。
一般認為SBA-15 結構強於MCM-41 原因係來自於SBA-15 具有 較大的管壁厚度2,文獻報導指出:MCM-41 結構隨著管壁增厚而變 強,長久以來文獻皆以增加壁厚作為提高MCM-41 結構強度的主要策 略。上述結果顯示,本研究MCM-41PHC所擁有的超高水熱穩定性結構 顯然不是來自於管壁增厚效果。
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 MCM41PHC
S760H24MCM41PHC
S760H16MCM41PHC S760H08MCM41PHC S760H04MCM41PHC
Quantity Adsorbed
P/P0
圖 4.09 MCM41PHC1BET恆溫吸附曲線圖
0 20 40 60 80 100
MCM41PHC S760H04MCM41PHC S760H08MCM41PHC S760H16MCM41PHC S760H24MCM41PHC
dV/dD
D
圖 4.10 MCM41PHC1BET孔徑分佈曲線圖
表4.01 MCM-41 氮氣吸附實驗結果 Sample SBET
(m2/g) MCM-41PHC 1030 998.73 1.10 32.24 40.46 46.71 S760H04MCM41PHC 1027 1139 1.13 33.86 37.28 43.04 S760H08MCM41PHC 1011 1036 1.11 33.27 37.53 43.34 S760H16MCM41 PHC 829 1121 0.85 31.30 36.86 42.55 MCM-41PHC 46.71 32.24 39.31 14.37 7.42 40 S760H04MCM41PHC 43.06 33.86 34.67 9.18 4.26 – S760H08MCM41PHC 43.34 33.27 38.33 10.07 6.82 47 S760H16MCM41 PHC 42.55 31.30 36.07 11.26 8.20 – S760H24MCM41 PHC 43.38 33.78 33.96 9.60 5.22 37
MCM41Aldf 45.44 32.34 40.14 13.11 7.21 – a. 由 t-plot 計算所得。
b. Obtained from the geometrical model with equation
V
另外,吾人利用ICP分析Sodium Silicate及MCM-41,結果如圖 4.11 所示。從圖中可以發現Sodium Silicate (Na2Si3O7)除了含有矽、鈉這兩 個 主 要 元 素 外 , 亦 有 微 量 的 鈦(1189 ppm)及鎳(7 ppm)存在,而 MCM-41PHC1中含有微量的鈦(464 ppm);Sodium Silicate (Na2SiO3)含 有微量的鈦(984 ppm),值得進一步研究該微量成分對於MCM-41 結 構的可能影響。
對於MCM-41 鈉殘留量的影響,吾人將低濃度(2%wt及 4%wt)的 Sodium Silicate (Na2Si3O7)含浸在MCM-41PHC1上,再測量水熱穩定性 實驗。圖 4.12 顯示,低濃度的Sodium Silicate含浸量即會明顯破壞 MCM-41PHC結構;在高溫水蒸汽處理後,整個MCM-41PHC1結構崩解,
因此推論,鈉不是造成超高水熱穩定性結構的原因。
Al Si Na Ti Cr Mn Fe Co Ni Cu 1.0X105
ppm
2.7X105
1189
7.04
圖4.11 Sodium Silicate (Na2Si3O7) ICP分析結果
0 2 4 6 8 10 S760H08MCM41PHC+0.02Na2Si3O7
MCM41PHC+0.02Na
2Si
3O
7
MCM41PHC+0.04Na2Si3O7
MCM41PHC
Arbitrary Unit
2 theta
圖4.12 MCM-41PHC1含浸水玻璃
另外,吾人研究合成配方的影響,相對於文獻報導(表 4.03),吾 人的配方使用的OH基最少,而且水量偏多,為所有配方中鹼性最弱 者。所以吾人將矽源更換Sodium Silicate (Na2SiO3),提高配方的鹼性。
從圖4.13 可知:MCM-41PHC2 (Na2SiO3)的結構比MCM-41PHC1 (Na2Si3O7) 略差,在760°C水蒸氣處理 8 小時後,MCM-41 PHC2 (Na2SiO3)的結構 明顯被破壞,亦即表示MCM-41 PHC2 (Na2SiO3)的水熱穩定性較
MCM-41 PHC1 (Na2Si3O7)差。接著吾人利用NaOH與Na2Si3O7混合製成 Na2SiO3進行合成MCM-41 PHC3,結果發現水蒸汽處理後中孔結構消
性結構的原因。
S760H08MCM41PHC3 (Na2Si3O7+NaOH)
S760H08MCM41PHC1 (Na2Si3O7) MCM41PHC3 (Na2Si3O7+NaOH) S760H08MCM41PHC2 (Na2SiO3)
MCM41PHC2 (Na2SiO3)
MCM41PHC1 (Na2Si3O7)
Arbitrary Unit
2theta
圖4.13 不同 Sodium silicate 合成 MCM-41
4.1.2
離子拓印術
將CTAB-MCM-41 樣品利用Cu-AAPTS處理進行離子拓印術,當 MCM-41 中的模板被AAPTS取代後,形成AAPTS-MCM-41,從圖 4.14 與4.15 中可以看到結構變化趨勢與圖 1.11 相近。經由AAPTS處理後,
MCM-41 結構與Cu離子螯合形成Cu-AAPTS-MCM-41,MCM-41 之 XRD強度變弱,即MCM-41 結構規則性變弱。再經過硝酸處理,接著 在200℃鍛燒處理後,從XRD中發現MCM-41 峰強度增強,而且熱穩 定性則可達到1000℃,水熱穩定性可達 760℃處理 24 小時(如圖 4.16 所示)。BET結果分析如表 4.04,其管徑有縮小情形,管壁厚度以BJH 方法計算壁厚變小,但以幾何模型bd計算壁厚則變大。相對於直接合 成MCM-41PHC熱穩定性僅達 800℃,離子壓印後處理法可以強化 MCM-41 結構。
0 10 20 30 40 50 MCM41
0.3AAPTS-MCM41 0.3Cu-AAPTS-MCM41
2 theta
Arbitrary Unit
圖4.14 MCM41PHC經部分Ion Imprint處理後的XRD圖
0 10 20 30 40 50
Arbitrary Unit
AAPTS-MCM41 Cu-AAPTS-MCM41
MCM41
2 theta
圖4.15 MCM41PHC經Ion Imprint處理後的XRD圖
0 2 4 6 8 10 AAPTS-MCM41 S760H24-AAPTS-MCM41 S760H08-AAPTS-MCM41 200H05-AAPTS-MCM41 200H05-1000-AAPTS-MCM41
Arbitrary Unit
2 theta
圖 4.16 AAPTS-MCM41PHC經(水)熱穩定性測試的XRD圖
0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0
AAPTSMCM41(1000)
S760H08AAPTSMCM41 S760H24AAPTSMCM41
Quantity Adsorbed
P/P0
圖4.17 AAPTS-MCM41PHCBET恆溫吸附曲線圖
0 50 100 150 200 Sample SBET
(m2/g) MCM41PHC 1030.73 998.73 1.10 32.24 S760H08-AAPTS-MCM41PHC 604.84 695.92 0.28 30.69 S760H24-AAPTS-MCM41PHC 477.66 447.68 0.20 36.10
Wd S760H08-AAPTS-MCM41PHC 25.52 8.67 15.05 39.36 S760H24-AAPTS-MCM41PHC 23.07 3.64 17.77 39.74