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感光記錄材料與全像光學系統簡介

第一章、 序論

1.3 感光記錄材料與全像光學系統簡介

在體積全像儲存的應用方面,所用之材料的選擇有諸多要求,其參數包括:光敏感 度(sensitivity)、照光後的收縮率(shrinkage)、動態範圍(dynamic range,記為 M/#),

光柵強度(strength)、穩定度(stability)等。近年來,因感光高分子材料發展出具有 高繞射效率與低雜訊的良好光學性質,在光學元件製作上及資訊儲存、處理、顯示上,

感光高分子是常選用的材料媒體。如今全像記錄物質的選擇,感光高分子也成為最普遍 利用的介質材料。

感光高分子(photopolymer)物質是單體(monomer)、聚合體(polymer)、光啟始劑 (photoinitiator),與其餘不活潑的化學成分(binder)等的組成。在曝光程序裡,光啟 始劑接收光子產生自由基,促使單體開始聚合,稱作「光聚合」(photopolymerization)。

全像干涉條紋的記錄為不均勻曝光,愈高聚合體濃度之生成,是經由曝照較強的曝光能 量而來。因而介質內聚合體的濃度不均勻,在空間分布上形成濃度梯度,導致未反應的 單體在介質內發生擴散,往聚合體濃度較高的區域移動。聚合體濃度高的部分為亮區 (bright regions),即全像干涉圖樣亮紋的位置。藉由聚合體分布不均勻的濃度梯度,

使介質內直接關係到整體折射率的其他成份也開始擴散至暗區(dark regions),調控了 介質折射率在空間上的分布,而得到相位光柵。

單體移動至亮區的過程,止於反應完畢或定影(fixing)發生。定影可經由記錄後,

將全像片均勻曝光的程序而完成。這步驟是為消耗照光後介質內未反應的殘餘單體,使 其完全聚合。感光高分子因聚合物的濃度不均勻,使材料的其他化學組成在介質內擴 散,形成介質折射率的不均勻分布。在全像記錄過程中,因為介質分子的移動及聚合,

提升了介質材料原始的折射率,即先前稱之的平均折射率。故記錄後除了調制折射率生 成外,平均折射率的量值也增加了,但增加微量,且能經由全像塊材因照光產生收縮之 兩效應相互抵制,故在理論計算上不考慮這個量。

本論文希望採用的感光高分子為DuPont公司開發的HRF-150x001 藥膜,是一種適於 用來記錄穿透式體積全像純相位光柵的材料。該材料遵從上述殘餘單體會往亮區擴散的

反應機制。在文獻上過去的光學實驗中,通常以 488nm波長的雷射光波為記錄光源,但 是其對 532nm也感光,所以本論文將以此波長作為記錄光源來設計,另外,已知此材料 的厚度 38um、可產生的折射率調制量n 約為 101 -3

θ

,本論文也將以此材料參數作為設計參 數來模擬我們所設計的體積全像光柵分光器之特性。

以此記錄材料,我們設計如下圖為體積全像光柵的記錄系統,將 HRF(全像記錄膜) 用透明膠帶固定於載玻片玻璃上,置放兩光交會點之處,記錄下平面波干涉條紋,藉由 改變不同的夾角 ,我們可產生不同的體積全像光柵。

圖 1.6 全像記錄系統裝置圖

Ar laser

WP1 SF

PBS S2 WP2

M2

M1

HRF

Glass Plate S1

θ

CCD2

CCD1 R

二、體積全像光柵繞射特性與分光原理

sin sin sin sin

air i

β

為記錄光的波數( 0

為光柵向量(grating vector),表示一垂直於「介質內之介電常數值相等處所形成之 各平行的平面」的向量。可發現

2

π

= 2 sin

β θ1/ 2

感光後,若為像位光柵記錄材料,則介質中介電常數ε 為具空間週期性分布: r

布拉格繞射之特性,以及布拉格角度與波長的選擇性(Bragg selectivity)。

由 Maxwell 方程式導出,介質(非導電體)內的波動方程式為

2 2

(∇ +k )E= 0 (2.10)

E 為電場函數,也就是此波動方程式的解。將 Kogelnik 的耦合常數(coupling coefficient/ coupling constant)可以寫成:

0 1

利用(2.7)、(2.9)、及上式,並由電磁學理論推導,得(2.10)式中

2

可能去除了。

檢查上兩式,我們可以看到除非入射光波及繞射光波之波向量與光柵向量Κ

這個關係一般稱其為布拉格條件(Bragg condition)。進一步將此條件代入,則(2.16) 式化簡為

c 、R c 為記錄光的角度因子,或稱傾斜度。(2.20)式可化簡為 S

( )

sin sin

z z z

sin sin sin

( ) sin sin sin

圖 2.3 單一張體積光柵之色散分光示意圖

cos cos cos n

θ θ λ φ

− + =

Λ 且 1 2 0

0

sin sin sin n

cos cos cos sin sin sin

n

0 2 4 6 8 10 12

diffraction efficiency

圖 2.4 體積光柵的繞射能力與材料之物理性質及幾何形狀關係

cos cos cos sin i sin d sin

cos cos cos sin sin 2 sin sin

圖 2.5 繞射光的相位失配與角度偏移關係

sin sin sin

sin sin

d

sin

sin sin cos sin sin cos sin

sin

( ) [ ]

cos sin

cos

1 2 2 sin

cos sin

cos sin sin

cos cos

sin 2

cos cos sin sin cos sin

2

由(2.37)、(2.40)式,相位失配量為一與偏離量有關之參數,整理如下:

0.524 0.526 0.528 0.53 0.532 0.534 0.536 0.538 0.54 0.1

0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

wavelength (um)

normalized diffraction efficiency

d=80um;DEmax=0.4783 d=160um;DEmax=0.9981 d=200um;DEmax=0.8897

圖 2.7 相位光柵的 DE 是波長選擇性的函數

對不同厚度參數的光柵而言,繞射效率之最大值不同,且亦造成波長(或角度)選擇 性的不同。體積光柵繞射效率的特性為波長的sinc2

0 0, 1 0

α ≠ α =

函數,愈厚的材料函數寬度愈小,可 將此函數主峰(main lobe)的半高寬視為光柵色散的頻寬。故得厚度愈大,光柵可用分 光之頻率範圍愈小,此為體積全像光柵不利分光之因素之一。

2.1.4 含吸收率之相位光柵

若考慮介質吸收對相位光柵繞射特性的影響,則在此將 代入,而耦合 常數仍為 1

0

π

n

κ

=

λ

。則繞射效率為

0 0

-0.08 -0.06 -0.04 -0.02 0 0.02 0.04 0.06 0.08

normalized diffraction efficiency

D=1.6 (考 慮 吸 收 率);

slant factor C

maximum diffraction efficiency (DEmax)

D=0

2.2 反射式體積全像光柵

由(2.47)

1

2

normalized DE

kd=0.5

tanh sin

κd

0 0.5 1 1.5 2 2.5 3 3.5 4 4.5

cos cos cos

2 2 2

sin sin sin

n n

cos cos cos sin sin sin

n

又對反射式光柵而言,布拉格條件為 sin cos

sin cos

n n

sin sin sin sin cos sin

2 cos

sin cos

s

sin cos

sin

sin sin cos cos sin sin

2

2.3 多工組合光柵簡介

接續前面的討論,探討組合光柵(multiple grating)的問題。組合光柵有兩種不同 的記錄方式:多道光同時記錄、或多道光依先後次序記錄。在此指的是後者,藉由變化 sinc sin

R S R S

sin sin

cos cos 1

-0.4 -0.2 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4

angular detuning (DEG)

diffraction efficiency

0.2208度

0.51 0.52 0.53 0.54 0.55 0.56

0.02

diffraction efficiency

0.532um

0.542um

圖 2.15 繞射效率對讀取光波長作圖

圖 2.15 是設定光柵介質厚度為 38um、記錄光波長 0.532um、入射角 45等條件下,

繞射值理論上的結果。其繞射效率的半寬大約在 0.527um-0.537um,將其解釋為單一張 光柵能繞射分光最保守的範圍,大小約只有 10nm。若只有單一張光柵的話,會讓儀器的 頻譜響應範圍過小。在這個情況下,我們需要改變不同的記錄角或波長,設計一張光柵,

使 0.542um 的光可以最大值的效率讀取出,並作其鄰近波長的色散。而如何選取每一次 的記錄條件,使各張光柵皆相獨立互不干擾,是多工組合重要探討的課題。

本文的設計主軸將於第三章詳細描述,雖然亦是變化記錄角度,組合不同張光柵,

卻不能真正稱之為角度多工,也不是真正的波長多工。若為記錄角度多工組合光柵,通 常會固定物體光的入射角度,只以改變參考光角度來記錄,如圖 2.16 所示。而我們的 設計方式與波長多工的差異又在於只以單一種波長來記錄。

圖 2.16 角度多工記錄、讀取向量圖

ρ σ

Κ

β

x z

2.4 體積光柵元件色散能力分析

分析過程中均假設入射光波與繞射光波為平面波,且光柵的橫剖面無窮大,因此無法有 效得到繞射光波光場在系統中 CCD 輸出平面上分布的型式,自然無法進一步得到光柵解 析度之參數,來說明其分光能力。

進一步檢查圖 1.5 所示,我們所使用的穿透式光柵光譜儀光學系統,實際上是一個 記錄與讀取平面光波的體積全像系統。記錄用的兩道平面光波是利用將兩點波源分別放 置在參考平面 (yR,zR)及輸入信號平面(y z0, 0)來產生,偵測系統與信號光波對稱。依據 波恩近似法則與近軸光學,重建時之繞射光場分布為

( ) '

j r r

V

E r

≈ ∫

dr e− Κ⋅ 

ε (2.71)

其中

Κ = − 

σ ρ

 

為光柵向量,並根據全像理論,儲存 2M+1 張光柵於介質後,材料中的折 射率會被調制,可寫成

* . .

M

r m m

m M

R S c c

ε

=−

∆ =

+ (2.72)

上式中,R 為在參考光平面上的「第 m 次」記錄所對應之點光源,經過透鏡 L1 之後等m

效成第 m 個入射角度的平面光波,分別對應為不同記錄角度的參考光波入射。S 為物m 體光波,經透鏡作一次傅氏轉換後於記錄平面上的分布。這樣的系統適合用來分析影像 的儲存。

而本論文所使用記錄光柵的系統可參照圖 1.6,本論文的光柵設計,是將折射定律 考慮進去,光束於介質外部入射角與內部角度不同。雖然實際上兩光干涉所形成光柵之 幾何結構,是與兩記錄光介質內部之夾角有關,但對元件外部的整個系統而言,所要討 論的皆為外部角度,我們在此所討論的角度為外角。本論文光學系統的物體光為平面光 波,記錄時於介質內與另一平面波(參考光波)干涉。由於本論文的讀取系統為圖 1.5,

記錄系統為圖 1.6,將記錄、讀取分開來看,如圖 2.17 所示,先將圖 1.6 之記錄光平面 波等效成點光源加一透鏡。θ 為透鏡 L1 之光軸與光柵元件對稱軸的夾角、1m θ 為透鏡 L2m 之光軸與光柵元件對稱軸的夾角,用於第 m 次記錄。而將圖 1.5 穿透式光譜儀系統表為 圖 2.17 之讀取系統,θ 為固定的讀取光入射角、以任意波長 λ 讀取,並假設聚焦透鏡i

出使用近軸近似。令θ 為初始的參考光記錄角、1 θ 為初始的物體光記錄角,在此已經把2

0 0 0 0

0

dxe dye dze

x d

rect rect

sinc 2

cos cos sin

2

cos cos sin

( , ) sinc 2

cos cos sin

2

cos cos sin

2

cos sin sin cos sin sin

2 2

如圖 2.18 說明:

yd(0.01 um) zd(0.01 um)

d=38um

200 400 600 800 1000

100

200 400 600 800 1000

100

200 400 600 800 1000

100

cos cos

( ) cos sin

cos sin

d

sin sin cos

2 0 min

0 2

sin cos ( ) sin

cos cos

d

d

f R n

N n

λ φ λ θ

φ λ

θ θ

 Λ∆

≡ ∆ = 



(2.82)

但解析度的計算通常是哪一個?經由實際的數值代入(3.1.2 節),會發現對成像系統之 解析度而言,其(∆λ)min大於對光學解析度而言的(∆λ)min,故解析度多以 2

0

sin cos d R f

n

λ φ

= θ

∆ Λ 公式計算。

三、體積全像光柵色散光學元件之設計

關於體積全像光柵作為分光元件,本論文提供三種不同設計法則,其記錄原理皆將 描述於下,並包含繞射結果的模擬。若用感光材料(HRF-150x001)作記錄,依此感光底 片的規格,皆以光柵材料厚度 d=38um,平均折射率n0 =1.5,調制折射率n1

= 1.4 10 ×

3, 光柵橫向大小 D=2cm,且以綠光(波長 0.532um)記錄等等作計算。市售的 CCD 規格,若 長寬大小 8mm x 6mm,通常為 5 百萬像素,故一個畫素之大小以

∆ = 3um

計算。除了分 光元件的參數,系統皆以等效焦距 f1 = f2 =10cm,CCD 畫素間距 3um 作計算。

3.1 設計原理(一)--擬似波長多工

這個設計最根本的想法是為了可以將θ 入射的不同波長i λ 色散到不同角度 ( )i θ λ ,d i 所利用的方法是逐次改變記錄角度,以達到每一張光柵的布拉格波長之讀取限制,實行 類似「波長多工」組合光柵的概念。

在進行詳細的分析前,我們先說明記錄的原理與讀取的過程。在全像記錄介質內,

參考光入射角θ 且物體光入射角1 θ 以2 λ 在介質記錄後,此時這張光柵若讀取光以0 θ 入1 射,其布拉格繞射的中心波長為λ 。由於此光柵元件設計之目的必須適合使各色光自相0

參考光入射角θ 且物體光入射角1 θ 以2 λ 在介質記錄後,此時這張光柵若讀取光以0 θ 入1 射,其布拉格繞射的中心波長為λ 。由於此光柵元件設計之目的必須適合使各色光自相0

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