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第四章 結果與討論

4.1 中孔洞材料之物性鑑定

4.1.3 擴孔合成時間對中孔洞材料之孔洞結構影響

4.1.3 擴孔合成時間對中孔洞材料之孔洞結構影響 A.對等溫吸脫附曲線之影響

等溫曲線在吸、脫附過程中,常因吸附材孔洞形狀之影響造成遲 滯現象(hysteresis loop),會使吸附曲線與脫附曲線呈現不可逆狀態,

除相同吸附量所對應之相對壓力較低之外,由脫附曲線所得之吸附量 也比吸附曲線的來得高,於是吸脫附曲線會出現一迴圈現象。且不同 之孔洞結構型態亦可藉由遲滯現象發生之位置大概推估。

圖4-3 為 MCM-41 及 DS-MCM-TMB[36、48、60、66(1)、66(2)、

72(1)、72(2)hrs]其氮氣吸/脫附等溫曲線,其中於樣品名後之(1)、(2) 代表為相同合成時間但不同批次合成之樣品,雖然孔洞擴張合成之流 程相同,但在擴張劑添加入界面活性劑時,會因滴定速度較前一次稍 快或稍慢造成凝膠現象提早或晚發生,以致於必須加入更多或更少水 量才得繼續以電磁攪拌,故會造成同樣合成時間但孔洞結構不盡相同,

導致材料製備較不穩定,此於 4.1.5 小節中,將以後加酸法調整使其 再現性佳。根據(IUPAC)之化學分類可得知圖中所有樣品皆屬於第四 型之氣體吸附形態,仍為典型中孔洞材料之吸附曲線(Wang et al., 2006),藉由多層吸附之機制,隨著相對分壓增高氮氣吸附量隨之上 升; 而圖 4-3(a) Si-MCM-41 在 P/P0 = 0.3~0.4 之間有一陡峭曲線與明 顯吸脫附曲線為可逆現象,可顯示產物具有良好均勻度之孔洞大小與

 

高度規則性之孔洞排列,其中陡峭曲線之現象為中孔洞之毛細濃縮吸 附所造成(Matsumoto et al.,1999)。圖 4-3(b)則可看出其遲滯現象之相 對分壓(p/p0)向右偏移到 P/P0 = 0.48~0.7 之間,且顯得較為平緩,接著 圖4-3(c)(d)(e)之遲滯現象更加明顯向右偏移到 P/P0 = 0.6~0.96 之間,

而圖4-3(f)(g)(h)又較上列向右偏移至 P/P0 = 0.7~0.98。上述遲滯現象 之相對分壓向右明顯偏移之現象,為孔洞孔徑明顯增大所造成(Peter and Sayari , 2007),故由此處亦可大致看出圖 4.3(g)(h)具有最大之孔徑,

此處偏移及曲線較為平緩之現象亦代表其孔洞大小排列性較不規則。

另外於圖可看出除了(b)與 MCM-41 相近之外,其餘之氮氣吸附量皆 高於(a) MCM-41 ,原因為添加擴張劑後之樣品亦增大了孔洞體積,

則可吸附較大量之氮氣。

 

Adsorption relative pressure(p/p0)

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0

Quantity adsor b ed of N 2 (c m 3 /g ST P)

0

(c) DS-MCM-TMB(48 hr)、(d) DS-MCM-TMB(60 hr)、

(e) DS-MCM-TMB(66 hr)-1、(f) DS-MCM-TMB(66 hr)-2、

(g) DS-MCM-TMB(72 hr)-1、(h) DS-MCM-TMB(72 hr)-2

 

B. 對孔徑分佈之影響

圖4-4 為中孔洞材料 MCM-41 在不同擴張孔洞合成時間下之孔徑 分佈狀況,在經過擴大孔洞後之中孔洞顆粒,雖孔徑變大但波峰強度 皆有些微降低的趨勢,分佈圖較為寬廣、分散(Belmabkhout and Sayari, 2009),其中又以圖 4-4 中 DS-MCM-TMB(60 hrs)及 DS-MCM-TMB (72 hrs)-1 情況較為顯著,孔洞均勻性差,有呈現雙波峰(bimodal)及曲線 平緩之分佈狀況,此於文獻中亦有提及(Sayari and Yang, 1999)。

相較之下圖 4-4 中 DS-MCM-TMB(36 hrs)、DS-MCM-TMB(66 hrs)-1 在擴張孔洞後仍具有較高之波峰強度,高於其餘樣品之孔徑分 佈波峰,波谷也較狹窄,顯示其孔洞分佈均勻性及規則性較佳,此一 結果也與上述氮氣吸脫附等溫曲線結果一致。除此之外,亦可看出圖 上每一樣品之孔徑分佈,皆有明顯向右增大之趨勢,中孔洞MCM-41 之孔徑大小分佈僅約略在30(Å)即 3 nm 左右,而圖 4-4 中經擴大孔洞 之中孔洞顆粒孔徑分佈範圍可達到5 nm~12 nm,顯示出孔洞擴大之 效果相當明顯。

  pore size (Angstrom)

20 40 60 80 100 120 140 160 180 200

 

出具有線性正相關,可得知隨合成時間上升孔洞大小和體積會跟著上 升,其中又以孔洞體積之趨勢較顯著(R2可達 0.72),比表面積則是隨 時間增長而下降,呈現負相關性。文獻中對於調整水熱合成時間亦有 相同情況,如Sayari et al. (1999)以 MCM-41 為基材,進而以一步合 成或二步合成法添加擴張劑 DMDA,並調整水熱時間,結果證實水 熱時間延長確實可逐漸增大孔洞大小(約 10 nm)及孔洞體積(約 2.2 cm3/g),但伴隨而來的會是降低規則性及孔壁逐漸坍塌,另外 Liang et al. (2004)與 Yan et al. (2011)亦有提及水熱合成時間對孔洞大小之影響,

呈現之結果皆與本研究相符合,但其所使用之中孔洞基材不相同。

由於本研究中掌控孔洞結構之技術,在擴張劑添加入界面活性劑 之合成階段易於發生凝膠狀態,但凝膠現象發生的快慢較難以控制,

造成此法中孔洞顆粒再現性較差,且由數據結果顯示,在水熱合成時 間為72 hr 時的吸附材於孔洞結構上差異性較大,比表面積也可能下 滑降至500 m2/g 左右,且由孔徑分佈顯示其中孔洞結構及孔壁可能有 輕微倒塌及崩壞現象。因此在後續改變不同劑量及調整步驟合成中孔 洞顆粒時,乃將合成時間固定在 66 hr,此時之孔徑及孔洞體積仍可 獲得有效擴張。

 

DS-MCM-TMB(36hrs) 963 4.1 1.09 DS-MCM-TMB(48hrs) 761 8.0 1.8 DS-MCM-TMB(60hrs) 703 8.4 1.8 DS-MCM-TMB(66hrs)-1 732 7.2 1.8 DS-MCM-TMB(66hrs)-2 763 9.6 2.2 DS-MCM-TMB(72hrs)-1 492 14 1.9 DS-MCM-TMB(72hrs)-2 784 9.2 2.3 4-1 中孔洞材料之比表面積 SBET、平均孔洞大小 dBJH與孔體積 Vp

P o re si ze (n m )

Time (hr)

 

761 703 732763

492

 

4.1.4 擴孔劑量不同對中孔洞材料之孔洞結構影響