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第五章 結論與未來展望

5.2 未來展望

本論文提出一種萃取材料參數的方法,藉由微帶線的相位延遲與功率損耗 觀念,推導出介電係數ε 與損耗正切

r tanδ

隨頻率變化的參數值。在實驗部份討論 三種方式的「微帶線資料」,第一種方式為未經 De-Embedded 部分,直接將量測 資料代入萃取流程中,結果成功的得到合理的ε 與

r tanδ

值,並如預期的隨著頻率 變化,在將變數參數以 HFSS 重新模擬的結果中,獲得與量測結果接近的驗證支 持 , 證 明 所 萃 取 的 參 數 為 可 用 。 但 接 著 在 第 二 種 與 第 三 種 方 式 皆 有 經 De-Embedded 部分的「微帶線資料」中,得到失敗的萃取結果。我們回推相關公 式,發現在經過大量繁複的 T 矩陣(ABCD 矩陣)轉換萃取「新微帶線資料」過程 中放大了失真,使得最後偏離了實際應有的結果,將所得的參數代回 HFSS 模擬,

如預期獲得的結果與量測差異較大。但是在分析過程中,我們發現到第二種與第 三種方式「微帶線資料」最後的參數萃取結果很接近,這說明了雖然一開始量測 上的些微誤差,加上大量數學換算過程中的誤差,使得最後結果錯誤,但兩者在 經過不同的 De-Embedded 部分後(一者去一邊 pad 效應,一者去兩邊 pad 效應),

卻可以得到相同結果,因此可以說明第二種與第三種方式「微帶線資料」的去 pad 效應效果不大,間接說明本實驗中微帶線的 pad 效應不大,呼應了第一種方 式「微帶線資料」未經過 De-Embedded 部分確可以成功的結果。

5.2 未來展望

掌握材料參數為設計元件的重要基礎,希望本論文能提供作為「材料參數 萃取技術」的雛形參考,相信還有許多尚未被發現的因數需被討論。也期盼實驗 室之學弟妹可以繼續將這技術做後續研究,驗證是否可以套用在其它構裝基板 上。另外因為製程上的關係,最後未能量測到線寬較寬的微帶線資料,但由於萃 取公式與線寬較細的微帶線稍有不同(如第二章介紹),所以在下次的基板製程 上,可以繼續討論之。再者為去基座效應之研究,因為微帶線樣本不足,無法完 善做比較,往後有機會應當可以再深入探討之。

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附錄 A

HFSS 變數參數(介電常數與損耗正切)設定:

匯入 .pts 檔

PS: 將.txt 檔內容 table 的抬頭(freq 與 value)刪除,在將副檔改成.pts 即可。

Loss Tangent 的設定同樣如此。

『完成 HFSS 變數參數之設定。』

附錄 B

ADS 萃取參數補充說明:

在 phase 的部份,因為表示的關係,會侷限在正負 180 度,所以會造成相位 在 7.85GHz 的地方瞬間從負 180 度跳到正 180 度,雖然相位加上正負 360 度對向 位本身而言是同義的,但在數學推導上可能會造成錯誤,如下圖所示的 Beta 圖 的 Beta4 曲線在 7.85GHz 造成錯誤,為修正此現象,因此在數學公式上,會將 7.85GHz 以後的相位「減回 360 度」。

2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

0 22

200 400 600

0 800

freq, GHz

Bet a 1 Bet a 2 Bet a 3 Bet a 4 B et a4_1 B et a 3 _ 1

2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

0 22

-100 0 100

-200 200

freq, GHz

phas e(S (8, 7))

m24

m24 freq=

phase(S(8,7))=177.528 7.850GHz

虛線表示實際應有的相位圖

2 4 6 8 10 12 14 16 18 20

0 22

1 2 3

0 4

freq, GHz

Ee ff1 Ee ff2 Ee ff3 Ee ff4 Eef f3 _ 1 Eef f4 _ 1

m18 m18freq=

Eeff4_1=2.3907.850GHz

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