0A 系統、設備及零件
0A001 “核子反應器”及其特別設計或製備之設備及零件如下：
a. “核子反應器爐”，可維持一可控制之自續核分裂連鎖反應之運轉；
b. 金屬槽或其工廠製造組裝之主要元件，包括反應爐壓力槽之頂蓋，其 特別設計或製備為容納“核子反應器”之爐心者；
c. 操控設備，特別設計或製備用於“核子反應器”燃料之裝填或取出；
d. 控制棒及其支撐或懸吊之結構、驅動裝置與導管，特別設計或製備用 於控制“核子反應器”中之核分裂過程；
e. 壓力管，特別設計或製備使用在裝有燃料元件與主要冷卻劑之“核子 反應器”內；其操作壓力超過5.1MPa；
f. 鋯金屬與合金之管或管束組合，特別設計或製備用於“核子反應器”之 內，其鉿與鋯之重量比少於1:500；
g. 冷卻劑泵，特別設計或製備用於“核子反應器”內主冷卻劑之循環；
h. ‘核子反應器內部組件’，特別設計或製備用於“核子反應器”之內，包括 爐心支撐柱、燃料通道、熱防護罩、擋板、爐心柵格板與擴散器板；
說明：在0A001.h.中，‘核子反應器內部零件’係指在反應爐槽中之任何主 要結構，具有一或多種功能，例如支撐爐心、維持燃料調準、引導 主冷卻劑之流向、提供反應爐槽輻射防護罩，與指引爐心內儀錶等。
i. 為用於“核子反應器”中主冷卻劑循環而特別設計或製備之熱交換器 (蒸汽產生器)；
j. 為用於測定“核子反應器”爐心中之中子通量程度而特別設計或製備之 中子偵測與量測儀器。
0B 測試、檢驗及生產設備
0B001 工廠及特別設計或製備之設備及零件，用於分離“天然鈾”、 “耗乏鈾”
及“特別可分裂物質”內所含之同位素，如下列：
a. 分離工廠，特別設計用於分離”天然鈾”、”耗乏鈾”及“特別可分裂物 質”內所含之同位素，如下列：
1. 氣體離心分離工廠；
2. 氣體擴散分離工廠；
3. 空氣動力分離工廠；
4.化學交換分離工廠；
5.離子交換分離工廠；
6.原子蒸氣”雷射”同位素分離(AVLIS)工廠；
7.分子”雷射”同位素分離(MLIS)工廠；
8.電漿分離工廠；
9.電磁分離工廠；
b. 氣體離心機、組件及零件，特別設計或製備用於氣體離心分離製程，
如下列：
說明：在0B001.b.‘高強度-密度比材料’係指下列任一者：
a. 極限抗拉強度等於或大於2,050MPa之麻時效鋼；
b. 極限抗拉強度等於或大於460MPa之鋁合金；或
c. “纖維狀或絲狀材料”其“比模數”大於3.18 × 106公尺及 “比抗拉強 度”大於76.2 × 103公尺；
1. 氣體離心機；
2. 完整之轉子組件；
3. 由‘高強度-密度比材料’製成之轉子圓柱管，其壁厚度為12mm或以 下，直徑介於75mm至400mm之間；
4. 由‘高強度-密度比材料’製成之環圈或風箱，設計用於支撐轉子管 或連結物件，其壁厚度為3mm或以下，直徑介於75mm至400mm之 間；
5. 由‘高強度-密度比材料’製成之檔板，直徑介於75mm至400mm之 間，安裝於轉子管內部；
6. 由‘高強度-密度比材料’製成之頂蓋或底蓋，直徑在75mm至400mm 之間，其尺寸適合轉子管之末端；
7. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之機殼，其內部懸掛環狀磁鐵構成
之磁浮軸承，該機殼包含阻尼媒介，且具有適合轉子頂蓋之磁耦合 電極片或第二磁鐵；
8. 特別製備之軸承，包含裝置於阻尼器上之樞軸杯組件；
9. 由圓柱體組成之分子泵，具有內部機械製成或擠壓成型之螺旋溝 槽及內部機械鑽成之孔洞；
10. 多相交流磁滯(或磁阻)馬達之環狀馬達定子，用於頻率範圍600 至2,000 Hz及功率範圍50至1,000 Volt-Amps時之真空中同步操作；
11. 離心機之機殼/接納容器包含氣體離心機之轉子管組件，由堅固圓 筒構成，其壁厚度達30mm，由”抗UF6腐蝕材料”製造或保護，並以 機械精密加工而成；
12. 由內部直徑達12mm之管子構成的杓斗，由”抗UF6腐蝕材料”製造 或保護，透過皮托管作用，由離心機轉子管內部抽取UF6氣體；
13. 特別設計或製備之頻率轉變器(轉換器或反向轉流器)，俾供馬達 定子進行同位素濃縮，具有下列特性及特別設計之零件：
a. 600至2,000Hz之多相輸出；
b. 頻率控制優於0.1%；
c. 諧波失真低於2%；及 d. sn效能高於80%；
14. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之風箱閥，其直徑介於10mm至 160mm之間；
c. 設備及零件，特別設計或製備用於氣體擴散分離製程，如下列：
1. 由多孔性金屬、聚合物或陶瓷等“抗UF6腐蝕材料”製造之氣體擴散 膜，其孔徑介於10至100nm之間，厚度為5mm或低於5mm；若為管 狀者，其直徑為25mm或低於25mm；
2. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之氣體擴散機殼；
3. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之壓縮機(主動移位、離心式與軸流 式)或氣體鼓風機，其UF6之每分鐘吸入容積為1立方公尺(m3)或更 高，排放壓力高達666.7kPa者；
4. 旋轉軸密封用於0B001.c.3所指之壓縮機或鼓風機，及設計用於緩 衝裝置，其氣體滲漏率低於1,000cm3/min；
5. 由鋁、銅、鎳或含鎳超過60%合金製造之熱交換器，或結合上述金 屬之包覆管，設計用於次大氣壓力下操作者，在壓力差為100kPa情 況下，其滲漏率使其壓力上升限制在每小時低於10Pa；
6. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之風箱閥門，其直徑介於40mm至 1,500mm之間者；
d. 設備及零件，特別設計或製備用於空氣動力分離製程，如下列：
1. 由裂縫狀彎曲通道構成之分離噴嘴，其通道曲率半徑小於1mm，
可抗UF6腐蝕，噴嘴內有刀緣式分隔，使通過噴嘴之氣體分離為兩 道氣流；
2. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之正切氣流入口，為氣流驅動之圓 筒或圓錐管(渦流管)，其直徑介於0.5cm至4cm之間，且其長度及直 徑之比率為20:1或更低，並有1個或更多之正切氣流入口；
3. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之壓縮機(主動移位、離心式與軸流 式)或氣體鼓風機，其每分鐘之吸入容積為2立方公尺或更高；包括 其旋轉軸之密封；
4. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之熱交換器；
5. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之空氣動力分離單元機殼，包含渦 流管或分離噴嘴；
6. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之風箱閥，其直徑介於40mm至 1,500mm之間者；
7. 由承載氣體(氫氣或氦氣)中分離UF6至含量小於1ppm之處理系 統，包括：
a. 低溫熱交換器與低溫分離器，溫度可至153K(-120℃)或更低者；
b. 低溫冷凍單元，其溫度可至153K(-120℃)或更低者；
c. 用於由承載氣體中分離UF6之分離噴嘴或渦流管單元；
d. 溫度可至253K(-20℃)或更低之UF6冷阱；
e. 設備與零件，特別設計或製備用於化學交換分離製程，如下列：
1. 快速液體-液體脈衝交換柱，其階段滯留時間為30秒或更低者，並 可抗濃鹽酸者(例如由適合之塑膠材料如氟碳聚合物或玻璃製造或 保護者)；
2. 快速液體-液體脈衝離心接觸器；其階段滯留時間為30秒或更低 者，並可抗濃鹽酸者(例如由適合之塑膠材料如氟碳聚合物或玻璃製 造或保護者)；
3. 抗濃鹽酸溶液之電化學還原電池，用於將鈾由一價狀態還原至其 它狀態；
4. 可自有機流中取得U+4之電化學還原電池進料設備，及與製程流體 接觸之零件，由適合之材料(例如玻璃、氟碳聚合物、聚苯硫酸酯、
聚醚碸與浸潤樹脂石墨)製造或保護者；
5. 為生產高純度氯化鈾溶液之進料製備系統，包括溶解、溶劑萃取，
及/或用於純化離子交換設備；以及將鈾U+6或U+4還原成為U+3之電 解電池；
6. 將U+3氧化為U+4之鈾氧化系統；
f. 設備及零件，特別設計或製備用於離子交換分離之製程，如下列：
1. 快速反應型離子交換樹脂、薄膜或多孔大網狀樹脂，其化學活性 交換群被限制在非活性多孔載體結構及其他合適之組合結構之表 面塗層，該結構包括顆粒或纖維，其直徑為0.2mm或更小者，可抗 濃鹽酸，設計具有交換速率之半數時間低於10秒，並可於
373K(100℃)至473K(200℃)之溫度下操作；
2. 離子交換柱(圓筒狀)其直徑大於1,000mm者，由抗濃鹽酸之材料製 造或保護(例如鈦金屬或氟碳塑膠)，具有在373K(100℃)至
473K(200℃)之溫度及0.7Mpa以上之壓力下操作能力；
3. 離子交換回流系統(化學或電化學氧化或還原系統)，用於離子交換 濃縮串級組中之化學還原劑或氧化劑之再生；
g. 設備及零件，特別設計或製備用於原子蒸氣“雷射”同位素分離 (AVLIS)之製程，如下列：
1. 高功率條子或掃瞄電子光束槍用於鈾蒸氣化系統，其傳輸功率大 於2.5kW/cm者；
2. 用於熔融態鈾或鈾合金之液體鈾金屬處理系統，包含由合適之抗 腐蝕及抗熱材料(例如鉭、氧化釔包覆之石墨、包覆其它稀土金屬 氧化物或其混合物之石墨)製造或保護之坩堝，及其冷卻設備；
說明：參照2A225。
3. 由抗鈾金屬蒸氣或液體之高熱與腐蝕之材料，如氧化釔包覆之石 墨或鉭，所製造或作為內襯之產品與後端收集系統；
4. 為容納鈾金屬蒸氣來源、電子束槍與產品及後端收集器之分離器 模組機殼(圓柱形或長方形容器)；
5. 為分離鈾同位素之長時間操作，且具有頻譜頻率安定器之“雷射”
或“雷射”系統；
說明：參照6A005及6A205。
h. 設備與零件，特別設計或製備用於分子“雷射”同位素分離(MLIS)之製 程或同位素選擇性雷射活化之化學反應(CRISLA) 製程， 如下列：
1. 由“抗UF6腐蝕材料”製成之超音波膨脹噴嘴，用於冷卻UF6混合物 及承載氣體至150K(-123℃)或以下；
2. 五氟化鈾(UF5)產物收集器，由過濾器、撞擊式或氣旋式收集器或 其他組合所構成，並由“抗UF5/UF6腐蝕材料”製成者；
3. 由“抗UF6腐蝕材料”製成或保護之壓縮機，及其旋轉軸密封；
4. 將UF5(固態)氟化成UF6(氣態)之設備；
5. 由承載氣體(例如氮氣或氬氣)中分離UF6之處理系統，包括：
a. 溫度可低至153K(-120℃)或更低之低溫熱交換器與低溫分離 器；
b. 溫度可低至153K(-120℃)或更低之低溫冷凍單元；
c. 溫度可低至253K(-20℃)或更低之UF6冷阱；
6. 為分離鈾同位素之長時間操作，且具有頻譜頻率安定器“雷射”或
“雷射”系統；
說明：參照6A005及6A205。
i. 設備及零件，特別設計或製備用於電漿分離之製程，如下列：
1. 為製造或加速離子之微波動力來源與天線，其輸出頻率大於 30GHz，且平均輸出功率大於50kW；
2. 頻率大於100kHz，並可處理平均功率大於40kW之無線頻率離子激 發線圈；
3. 鈾電漿產生系統；
4. 用於熔融態鈾或鈾合金之液體金屬處理系統，由合適之抗腐蝕與 抗熱材料(例如鉭、氧化釔包覆之石墨、包覆其它稀土金屬氧化物
或其混合物之石墨)製造或保護之坩堝，及其冷卻設備；
說明：參照2A225。
5. 產品與後端收集系統，由抗鈾蒸氣高熱及腐蝕之材料，如氧化釔 包覆之石墨或鉭，所製造或保護者；
6. 為容納鈾電漿來源、無線頻率驅動線圈與產品及後端收集器之分 離器模組機殼(圓筒形)，由合適之非磁性材料製成(例如：不銹鋼)；
j. 設備及零件，特別設計或製備用於電磁分離之製程，如下列：
1. 單一或多元之離子來源，由蒸氣來源、離子化器與離子束加速器 構成，以合適之非磁性材料 (例如石墨、不銹鋼或銅)製成，並可 提供50mA或以上之總離子束流者；
2. 為收集濃縮鈾及耗乏鈾離子束之離子收集器平板，由兩個或兩個 以上之裂縫及口袋組成；且以合適之非磁性材料(例如：石墨或不 銹鋼)製成者；
3. 鈾電磁分離器之真空機殼，以非磁性材料(例如：不銹鋼)製成；且 操作壓力設計為0.1Pa或以下者；
4. 直徑大於2m之磁極片；
5. 離子源之高電壓電力源，具有下列特性者：
a. 可連續操作；
b. 輸出電壓為20,000V或以上者；
c. 輸出電流為1A或以上者；及
d. 在8小時期間，電壓調節優於0.01%者；
說明：參照3A227。
6. 磁力供應源(高功率、直流電)，具有下列特性者：
a. 可在輸出電流500A或以上、電壓100V或以上情況下連續操 作；及
b. 在8小時期間，電流或電壓調節優於0.01%者。
說明：參照3A226。
0B002 輔助系統、設備及零件，由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護，係特別設計 或製備用於0B001管制之同位素分離工廠，如下列：