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計算軌跡軸之總數時,次級平行輪廓軸(例如水平搪床之 W-軸,或中 心線與主旋轉軸平行之次級旋轉軸)未被列入計算。旋轉軸無需轉動

360°。旋轉軸可由一線性元件(如螺桿或齒條及小齒輪組)驅動。

2. 2B 所述之可同時協調進行“輪廓控制”之軸之數目,指在工件加工時 可使加工件與工具同時動作或互動所沿或所繞之軸之數目。但不包括 機器運轉時,機器中其他相對動作所沿或所繞之任何附加之軸,例如:

a. 磨床之磨輪修整系統;

b. 為架設不同工件而設計之平行旋轉軸;

c. 為操控同一工件而設計之共線旋轉軸,其操控方法為從不同末 端,將工件固定在一夾頭上。

3. 軸之命名應依國際標準 ISO 841,“數值控制機器-軸與動作之命名”。

4. 在 2B001 至 2B009 中,“傾斜旋轉軸”算作一旋轉軸。

5. 依照 ISO 230/2(1988)或等效國家標準之測量所衍生之‘指定定位準確 度等級’,可用於每一工具機型,以取代個別之機器測試。‘指定定位 準確度等級’係指出口商提供予會員國主管當局,足以代表此一機器 型號準確度之準確值。

指定值之測定方法:

a. 選擇同型號之機器 5 台進行評量;

b. 依 ISO 230/2(1988) (1)標準測量線性軸精確度;

c. 對每台機器測定其每個軸之 A-值。A-值之計算方式記載於 ISO 標準中;

d. 決定每個軸之 A-值平均值。此平均值 A 即成為該型號每個軸 (AxAy…)之指定值;

e. 由於第二類清單提及每一線性軸,因此有多少條線性軸即有多 少個指定值;

(1) 製造商依照 ISO 230/2(1997)計算定位準確度時,須向會員國主管當局確認其已建立之標準。

f. 若不為 2B001.a.至 2B001.c.或 2B201 所管制之機器型號之任一 軸,具有或優於研磨機器6 μm、銑削及車削機具 8 μm 之指定準 確度 A ,則製造商必須每 18 個月再確認一次其準確度等級。

2B001 能够除去(或切削)金屬、陶瓷或“複合材料”,且依據製造商之技術規格 可配備電子元件進行“數值控制”之工具機及其任何組合,及特別設計之 零件,如下:

說明:參照 2B201。

註解 1:2B001 不管制限於製造齒輪之工具機。此類機器之管制,參照 2B003。

註解 2:2B001 不管制限於製造下列任一零件之工具機:

a. 曲柄軸或凸輪軸;

b. 工具或切削器;

c. 擠壓機蝸桿;

d. 雕刻或多面琢磨寶石之工具機零件。

註解 3:在車削、銑削或研磨等功能中,具有至少兩種以上功能之工具 機(例如車削機具有銑削功能)必須依 2B001.a.、b.或 c.之每一適 用規定進行評估。

說明:光學精密拋光機,參照 2B002.。

a. 具下列所有特性之車削用工具機:

1. 依照 ISO 230/2(1988) (1)或等效之國家標準,在“所有補償機制”下 沿任一線性軸之定位準確度等於或小於(優於)6 μm;及

2. 具 2 個或 2 個以上之軸可同時協調進行“輪廓控制”者;

註解:2B001.a.不管制用於生產隱形眼鏡而特別設計,且具有所有下 列特徵之車削工具機:

1. 機器控制器限用於與眼睛有關之軟體進行零件程式化資料輸 入;及

2. 無真空夾片吸盤。

b. 具下列任一特性之銑削用工具機:

1. 具下列所有特性:

a. 依照 ISO 230/2(1988) (1)或等效之國家標準,在“所有補償機制”

下沿任一線性軸之定位準確度等於或小於(優於)6 μm;及 b. 3 個線性軸加上 1 個旋轉軸,可同時進行”輪廓控制”;

2. 5 個或 5 個以上之軸可同時協調進行”輪廓控制”;

3. 依照 ISO 230/2(1988) (1)或等效之國家標準,在“所有補償機制”下 沿任一線性軸之工模搪床定位準確度等於或小於(優於)4 μm;或 4. 具下列所有特性之飛刀切削機:

a. 主軸”偏擺”及”軸向移位”少於(優於)0.0004 mm 量錶讀數差;及 b. 滑行運動(左右搖動、前後顛簸和滾動)之角度誤差低於(優於)2

弧秒,量錶讀數差超過 300 mm 移動距離。

c. 具下列任一特性之研磨工具機:

1. 具下列所有特性:

a. 依照 ISO 230/2(1988) (1)或等效之國家標準,在“所有補償機制”

下沿任一線性軸之定位準確度等於或小於(優於)4 μm;及 b. 3 個或 3 個以上之軸可同時協調進行“輪廓控制”;或 2. 5 個或 5 個以上之軸可同時協調進行“輪廓控制”;

註解:2B001.c.不管制下列研磨機:

1. 外部、內部及外部-內部成圓柱狀之研磨機具,且具下列所有特 性:

a. 僅限於圓柱狀研磨;及

b. 最大工件容積僅限於外直徑或長度為 150 mm 者。

2. 專為不含 z 軸或 w 軸如工模磨床之機具而設計,且依照 ISO 230/2(1988) (1)或等效之國家標準,在“所有補償機制”下沿任一線 性軸之定位準確度等於或小於(優於)4 μm。

3. 表面研磨機。

d. 無線型放電加工機(EDM),具有 2 個或 2 個以上之旋轉軸可同時協 調進行“輪廓控制”;

e. 去除金屬、陶瓷或“複合材料”用之工具機,且具下列所有特性:

1. 藉下列任一方式去除材料:

a. 水或其他液體之噴射,包含使用研磨添加物;

b. 電子束;或 c. “雷射”光束;及

2. 至少有 2 個旋轉軸具備下列所有特性:

a. 可同時協調進行“輪廓控制”;及 b. 定位準確度小於(優於)0.003°

f. 最大鑽孔深度超過 5m 之深孔鑽孔機及為進行深孔鑽孔而修改之車 削機,及為此特別設計之零件。

2B002 能選擇性移除材料,產生非球面光學表面之數值控制光學拋光機具,且 具下列所有特性:

a. 可將形狀精修至小於(優於)1.0 μm;

b. 精修後之粗糙度小於(優於)100 nm rms;

c. 3 個或 3 個以上之軸可同時協調進行“輪廓控制”;或 d. 使用下列加工程序:

1. 磁流變精修(‘MRF’);

2. 電流變精修(‘ERF’);或 3. ‘高能粒子束精修’;

4. ‘充氣膜工具精修’;

5. ‘液體噴射精修’。

技術註解:

2B002 所述:

1. ‘MRF’係指藉研磨材磁性流體以去除材料之加工程序,該流體之黏度 係由磁場控制;

2. ‘ERF’係指藉研磨材流體以去除材料之加工程序,該流體之黏度係由 電場控制;

3. ‘高能粒子束精修’係指以反應性原子電漿(RAP)或離子束進行選擇性

去除材料之加工程序;

4. ‘充氣膜工具精修’指使用加壓膜可變形小面積接觸工件;

5. ‘液體噴射精修’指利用流體去除物質。

2B003 專為刨削、精修、研磨或搪磨硬化(Rc=40 或以上)正齒輪、螺旋齒輪及 雙螺旋齒輪而特別設計之“數值控制” 工具機或手動工具機,及其特別設 計之零件、控制器及配件,該等齒輪之齒節直徑大於 1,250 mm,面寬度 為齒節直徑之 15%或以上,且精修至品質為 AGMA 14 級或更佳者(相當 於 ISO 1328 第 3 級)。

2B004 具下列所有特性之熱“均壓機”,及其特別設計之零件及配件:

說明:參照 2B104 及 2B204。

a. 封閉腔內為熱控制之環境,且腔室之內徑為 406 mm 或以上;及 b. 下列任一者:

1. 最大工作壓力超過 207 MPa;

2. 熱控制環境超過 1,773 K(1,500 ℃);或

3. 碳氫化合物浸漬及移除其造成之氣體降解產物的設施。

技術註解:

腔室內部尺寸係指腔室內不包含夾具而可達到工作溫度及工作壓力之 尺寸。該尺寸為壓力室或隔熱爐室之內徑,取其二者之間較小者,端視 二室中何者位於另一者之內部而定。

說明:特別設計之壓模、鑄模和工具,參照 1B003、9B009 及軍用貨品 管制。

2B005 專為 2E003.f.之附表及相關註解所列之加工程序而特別設計,用於非電 子基材上進行無機物被覆、鍍膜及表面修飾之沈積、加工及程序控制之 設備,如下所列,及其特別設計之自動化處理、定位、操作及控制零件:

a. 具下列所有特性之化學氣相沉積(CVD)生產設備:

說明:參照 2B105。

1. 為下列任一項而修改之加工程序:

a. 脈動式化學氣相沉積;

b. 控制晶核形成熱沉積(CNTD);或

c. 電漿增強式或電漿輔助式化學氣相沉積;及 2. 下列任一項:

a. 含有高真空(等於或小於 0.01 Pa)旋轉密封;或 b. 含有現場膜厚控制功能;

b. 具有離子束電流 5 mA 或以上之離子植入生產設備;

c. 電子束物理氣相沉積(EB-PVD)生產設備,含有額定功率超過 80 kW 之電力系統,具下列任一特性:

1. 可精確調節鑄塊供給速率之液槽液位“雷射”控制系統;或

2. 電腦控制沉積速率監控器,依據蒸氣流中電離原子之發光原理操 作,以控制含 2 種或 2 種以上元素之鍍膜沈積速率者。

d. 具下列任一特性之電漿噴射生產設備:

1. 於減壓控制氣壓(在電漿槍噴口上方及距離 300 mm 內所測之壓力 等於或小於 10 kPa)之真空室中操作,且在進行噴射程序前,其真 空度能降至 0.01 Pa;或

2. 含有現場膜厚控制功能;

e. 濺鍍沈積生產設備,沈積速率在 15 μm/h 或以上時,其電流密度可達 0.1 mA/mm2 或以上者;

f. 含有電磁鐵柵極,可操縱控制陰極上之電弧點之陰極電弧沈積生產設 備;

g. 離子鍍膜生產設備,能現場進行測量下列任一項者:

1. 基材上之膜厚及速率控制;或 2. 光學特性。

註解: 2B005 不管制為切割工具或工具機而特別設計之化學氣相沉 積、陰極電弧、濺鍍沉積、離子鍍膜或離子植入等設備。

2B006 維度檢驗或測量系統、設備與“電子組件”,如下:

a. 電腦控制或“數值控制”之座標測量機具(CMM),依據 ISO 10360-2 (2009)標準測試,在該機具操作範圍內之任何一點進行測試時(亦即在 軸的長度以內),其三維(體積)最大可容許長度量測誤差(E0,MPE)等於 或小於(優於)(1.7+L/1,000) μm(L 係以 mm 為單位測得之長度);

技術註解:

製造商規格上所訂定最精確座標測量機具(CMM)組態(例如下列項目之 最佳者:探針、針頭長度、運動參數及環境),並具有“所有可補償機制”

者,其最大可容許長度量測誤差(E0, MPE)須達到 1,7+L/1, 000 μm 之門 檻。

說明:參照 2B206。

b. 直線位移及角位移測量儀器,如下所列:

1. 具下列任一特性之直線位移測量儀器:

技術註解:

2B006.b.1.所述之“直線位移”係指測量探針和被測量物之間距離之變 動。

a. 量測範圍在 0.2 mm 以內時,”解析度”等於或小於(優於)0.2 μm 之非接觸式測量系統;

b. 具下列所有特性之線性電壓差動轉換器系統:

1. 量測範圍在 5 mm 以內時,“線性度”等於或小於(優於)0.1%;及 2. 在標準周圍環境測試室溫±1 K 下,每日之漂移等於或小於(優於)

0.1%;或

c. 如下之測量系統:

1. 含有一“雷射”;及

2. 在 20 ± 1 ℃範圍內維持下列各特性至少 12 小時:

a. 整個量測範圍內之“解析度”等於或小於(優於)0.1 μm;及 b. 補償空氣折射率後,能實現“量測不準度”等於或小於(優

於)(0.2 ± L/2,000) μm(L 係以 mm 為單位測得之長度);

d. 為提供 2B006.b.1.c.所列系統回饋能力而特別設計之“電子組 件”;

註解:2B006.b.1.不管制測量干涉儀系統,其具有不使用回饋技術 之自動控制系統,並利用“雷射”以測量工具機、維度檢驗機具 或類似設備之滑動誤差。

2. “角度位置誤差”等於或小於(優於)0.00025°之角位移測量儀器;

註解:2B006.b.2.不管制如自準直儀之光學儀器,該儀器乃利用準直 光(例如雷射光)偵測鏡子之角位移。

c. 藉由測量不同角度之光散射以測定表面不規則性之設備,且其靈敏 度為 0.5nm 或更小(更佳)。

註解:2B006 包含除 2B001 管制外之可用作測量機具之工具機,其規格 如符合或超過測量機具功能所列之標準,即受管制。

2B007 具下列任一特性之“機器人”,及其特別設計之控制器與“末端操縱器”:

說明:參照 2B207。

a. 於全三維影像處理或全三維“背景分析”時,可即時產生或修改“程 式”,或產生或修改數值程式資料;

技術註解:

“背景分析”限制並未包括第三維近似值,該近似值乃經由某一特定 角度審視,或由有限灰階度解析獲取,以感知確認任務之深度及結構 (2 1/2 D)。

b. 經特別設計以符合爆炸性軍需品環境相關之國家安全標準;

註解:2B007.b.不管制為噴漆間而特別設計的“機器人”。

c. 經特別設計或額定之輻射硬化,可承受總輻射劑量大於 5 × 103 Gy(Si) 而不會導致降級操作;或

技術註解:

Gy(Si)一詞係指一未遮蔽之矽樣品曝露在離子化輻射線下所吸收的 能量,此能量以焦耳/公斤為單位表示。

d. 專為在 30,000 m 以上高度操作而設計。

2B008 專為工具機或維度檢驗或測量系統及設備所特別設計之組件或單元,如 下:

a. 整體“準確度”小於(優於)(800+(600 × L × 10-3)) nm(L 等於以 mm 為 單位之有效長度)之線性定位回饋單元(例如感應式元件、刻度尺、紅 外線系統或“雷射”系統);

說明:“雷射”系統,參照 2B006.b.1.與 2B006.b.1.d.之註解之註解。

b. “準確度”小於(優於)0.00025°的旋轉定位回饋單元(如感應式元件、刻 度尺,紅外線系統或“雷射”系統);