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歐盟軍商兩用貨品及技術出口管制清單 暨

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(1)

歐盟軍商兩用貨品及技術出口管制清單

歐盟一般軍用貨品清單

Community Regime for the Control of Exports of Dual Use Items and Technology

and

Common Military List of the European Union

經濟部國際貿易局 彙編

1

中 華 民 國 101 年 8 月

(2)

前 言

本部前於 97 年 12 月 26 日經貿字第 09704606850 號公 告以「歐盟軍商兩用貨品及技術出口管制清單」與「歐盟一 般軍用貨品清單」取代「瓦聖那協議(WA)」、「飛彈技術管 制協議(MTCR)」、「核子供應國集團(NSG)」、「澳洲集團

(AG)」及「聯合國禁止化學武器公約(CWC)」等國際出 口管制組織所列管之清單,作為我國之戰略性高科技貨品輸 出管制清單。

因「歐盟一般軍用貨品清單」與「歐盟軍商兩用貨品及 技術出口管制清單」分別於去(100)年 2 月及本(101)年 2 月由 歐盟執委會公告更新,為避免我廠商續使用舊版清單致與他 國在列管之戰略性高科技貨品認定上有不一致情形,爰就更 新之清單重新中譯並公告之。

本次更新及中譯係委請財團法人工業技術研究院辦 理,並經各業務相關權責單位:行政院原子能委員會、國防 部軍備局、經濟部工業局及經濟部技術處等分別就其主管範 圍予以檢視、審閱,期能達到管制清單中譯之正確性,俾使 國內廠商於查對清單管制項目時不致造成誤解而發生運用 上之困擾。

對於參與本次翻譯、編輯、校對及審核等工作之專家、

學者及權責機構,本局謹此致以由衷之謝忱。若仍有疏漏之 處,尚祈各界不吝賜正。

經濟部國際貿易局 101 年 8 月

(3)

清單及管制號碼說明

歐盟公布的「歐盟軍商兩用貨品及技術出口管制清單」

(Community Regime for the Control of Exports of Dual Use Items and Technology,簡稱:「歐盟清單」 )之內容包含「瓦 聖那協議(WA)清單」 (不含軍品清單,此一部分係由「歐 盟一般軍用貨品清單」(Common Military List of The European Union,簡稱: 「歐盟軍品清單」),予以管制) 、「飛彈技術 管制協議(MTCR)管制清單」、「核子供應國集團(NSG)

管制清單」 、 「澳洲集團(AG)管制清單」及「聯合國禁止化 學武器公約(CWC)管制清單」等 5 大國際出口管制公約或 協議所列管之清單,所列之管制品涵蓋生化、電子、電腦、

電信、航空、核子等多項領域之相關專業技術、規格及貨品,

並依貨品類別、性質與功能、管制屬性等予以彙整編排成統 一的管制清單。「歐盟軍品清單」則沿用瓦聖那協議(WA)

軍品清單之分類方式編排。

「歐盟清單」之號列範例如:2A226,其中第 1 碼為管 制品類別,第 2 碼英文字母為性質與功能,後 3 碼則為管制 屬性(多邊或單邊管制) 。以下為其分類原則:

一、管制品歸成 10 大類別(category),分別為:

第 0 類:核能物質、設施與設備

第 1 類:材料、化學品、微生物及毒素 第 2 類:材料加工程序

第 3 類:電子 第 4 類:電腦

第 5 類:電信及資訊安全

第 6 類:感應器及雷射

(4)

第 7 類:導航及航空電子 第 8 類:海事

第 9 類:航太與推進系統

二、依據管制品之性質與功能將每 1 類別細分為 5 小類:

A:系統、設備及零件 B:測試、檢驗及生產設備 C:材料

D:軟體 E:技術

三、管制編號屬性(多邊或單邊管制) : 000-099:瓦聖那協定(WA)

100-199:飛彈技術管制協議(MTCR)

200-299:核子供應國集團(NSG)

300-399:澳洲集團(AG)

400-499:化學武器管制公約(CWC)

500-599:保留 600-699:保留 700-799:保留 800-899:保留 900-999:單邊管制

因此,依前述原則可查閱得知範例 2A226 貨品屬於「材 料加工程序」之「系統、設備及零件」,為「核子供應國集 團(NSG)」列管之貨品

具下列所有特性之閥:a.標準尺寸 為 5 mm 或以上;b.具一風箱密封;及 c.完全以鋁、鋁合金、

鎳,或以重量計含鎳超過 60%之鎳合金製造或襯裏。

(5)

歐盟軍商兩用貨品及技術出口管制清單

COUNCIL REGULATION (EC) No 428/2009 of 5 May 2009 setting up a Community regime for the control of exports,

transfer, brokering and transit of dual-use items (簡稱:「歐盟清單」)

(譯自歐盟 2012 年 2 月 21 日歐盟理事會規章 C 107 E

取代原(EC) No 428/2009 號規章之附錄一)

(6)

軍商兩用項目與技術清單

本清單履行國際同意之軍商兩用貨品管制,包括瓦聖那協議、飛彈技術管制協 定、核子供應國集團、澳洲集團與禁止化學武器公約。

目錄 註解

略詞與縮寫 定義

第 0 類: 核能物質、設施與設備 第 1 類: 特殊原料與相關設備 第 2 類: 材料加工程序

第 3 類: 電子 第 4 類: 電腦

第 5 類: 電信及“資訊安全”

第 6 類: 感應器及雷射 第 7 類: 導航及航空電子 第 8 類: 海事

第 9 類: 航太與推進系統

一般註解

1. 為管制以軍事用途設計或修訂的貨品,參考個別會員國對於軍用貨品管制之 相關清單,本附錄參考文獻所陳述之”參照軍用貨品管制”指的是同一清單。

2. 出口任何非管制貨品(包括植物),其中含有一種或多種受本附錄管制之成分項 目,並為該貨品之主要成分,且可能被移除或用於其它用途者,應受本附錄 管制。

說明:在評定獲取之貨品中受管制之成分項目或考慮其是否為該貨品之主要 成分時,需權衡其數量、價值與涉及之技術知識、及其它特殊事項等 因素建立判斷。

3. 本附錄中所指之貨品包括新品與舊品。

4. 在部分情況下,化學品依其名稱及 CAS 號碼加以臚列。本清單則是以具有相 同結構式(包括水合物)的化學品為適用對象,而不論其名稱及 CAS 號碼如 何。此處之所以提供 CAS 號碼,目的僅是在協助識別特定化學物或混合物,

不受其命名法所困擾。由於某些表列化學品在不同形式之下,分別有著不同

(7)

的 CAS 編號,且某些含有表列化學品的混合物亦另有其 CAS 編號,使用者 不宜將 CAS 編號做為獨特識別工具。

核能技術註解

(相關見第 0 類第 E 節)

直接關聯於第 0 類中任何管制貨品之“技術”,依照第 0 類條款管制。

用於“開發”、“生產”或“使用” 管制貨品之“技術”,雖使用於非管制貨品,仍應受 管制。

核准管制貨品出口,亦同時授權給該最終使用者安裝、操作、維護與修理該貨品 所需之最低限度技術。

“技術”移轉之管制不適用於“公共領域”資訊,或“基礎科學研究”。

一般技術註解

(相關見第 1 類至 9 類第 E 節)

受第 1 類至 9 類管制之貨品,其“開發”、“生產”或“使用”所“需要”之“技術”輸出,

依照第 1 類至 9 類條款管制。

受管制之貨品,其“開發”、“生產”或“使用”所“需要”之“技術”, 雖使用於非管制 貨品,仍應受管制。

本附錄之管制“技術”不適用於安裝、操作、維護與修理該貨品所需之最低限度技 術,或出口時已經授權該技術。

說明:本附錄之管制未豁免 1E002.e.、1E002.f.、8E002.a.及 8E002.b.所述之“技 術”。

本附錄之管制“技術”移轉,不適用於“公共領域”資訊、“基礎科學研究”,或專利 申請最低需求之資訊。

(8)

一般軟體註解

(本註解優先於任何第 0 類至 9 類第 D 節中之管制) 本清單第 0 類至 9 類不管制下列軟體:

a. 大眾可經由下列方式獲得者:

1. 由不受限制之零售點以下述方式銷售者:

a. 櫃台交易;

b. 郵購交易;

c. 電子交易;或 d. 電話訂購交易;及

2. 設計為使用者安裝,無需供應商進一步支援之軟體;或

說明:一般軟體註解有關 a.項之豁免規定,不包括本清單第五類第二部分(“資 訊安全”)所管制之“軟體”。

b. “在公共領域內”。

歐盟理事會公報之編輯慣例

為符合國際文體指南(2011 年版) 第 108 頁 6.5 段,歐洲共同體以英文公布之正 式公報:

— 逗號用來分隔整數與小數(本中文版以小數點號來分隔整數與小數)。

— 以空間分隔表明千位整數(本中文版每千位以逗號分隔)。

— 轉載複製本附錄文件採用上述方式(本中文版以上述括號內之方式表示)。

(9)

字首集合字與縮寫 字首集合字

或縮寫 英文全名 中文註解

ABEC AGMA AHRS AISI ALU ANSI ASTM ATC AVLIS CAD CAS CCITT CDU CEP CNTD CRISLA CVD CW

CW(for lasers) DME

DS EB-PVD EBU ECM ECR EDM EEPROMS EIA

EMC ETSI FFT

Annular Bearing Engineers Committee American Gear Manufactures’ Association attitude and heading reference systems American Iron and Steel Institute arithmetic logic unit

American National Standard Institute

The American Society for Testing and Materials air traffic control

atomic vapour laser isotope separation computer-aided-design

Chemical Abstracts Service

International Telegraph and Telephone Consultative Committee

control and display unit circular error probable

controlled nucleation thermal deposition

chemical reaction by isotope selective laser activation chemical vapour deposition

chemical warfare continuous wave

distance measuring equipment directionally solidified

electron beam physical vapour deposition European Broadcasting Union

electron-chemical machining electron cyclotron resonance electrical discharge machines

electrically erasable programmable read only memory Electronic Industries Association

electromagnetic compatibility

European Telecommunications Standards Institute Fast Fourier Transform

環狀軸承工程委員會 美國齒輪製造協會 飛行狀態及航向參考 系統

美國鋼鐵研究院 算術邏輯單元

美國國家標準研究院 美國試驗材料學會 空中交通管制 原子蒸氣雷射同位素 分離

電腦輔助設計 化學摘要服務 國際電報電話諮詢委 員會

控制及顯示單元 圓形機率誤差 控制成核熱沉積 同位素選擇性雷射活 化化學反應

化學氣相沈積 化學戰

連續波 測距儀 定向式凝固

電子束物理氣相沈積 歐洲廣播聯盟

電子化學加工 電子迴旋共振 電子放電機

電氣拭除式可編程唯 讀記憶體

電子工業協會 電磁相容性

歐洲電信標準協會 快速傅立葉轉換

(10)

GLONASS GPS HBT HDDR HEMT ICAO IEC IEEE IFOV ILS IRIG ISA ISAR ISO ITU JIS JT LIDAR LRU MAC Mach MLIS MLS MOCVD MRI MTBF Mtops MTTF NBC NDT PAR PIN ppm PSD QAM RF SACMA SAR

global navigation satellite system global positioning system

hetero-bipolar transistors high density digital recording high electron mobility transistors

Intermational Civil Aviation Organisation International Electro-technical Commission Institute of Electrical and Electronic Engineers Instantaneous-field-of-view

Instrument landing system

Inter-range instrumentation group International standard atmosphere Inverse synthetic aperture radar

International Organization for Standardization International Telecommunication Union Japanese Industrial Standard

Joule-Thomson

light detection and ranging line replaceable unit

message authentication code

ratio of speed of an object to speed of sound(after Ernst Mach)

molecular laser isotopic separation microwave landing systems

metal organic chemical vapour deposition magnetic resonance imaging

mean-time-between-failures

million theoretical operations per second mean-time-to-failure

Nuclear, Biological and Chemical non-destructive test

precision approach radar personal identification number parts per million

power spectral density

quadrature-amplitude-modulation radio frequency

Suppliers of Advanced Composite Materials Association synthetic aperture radar

全球衛星導航系統 全球定位系統 異雙極電晶體 高密度數位記錄 高電子漂移率晶體 國際民航組織

國際電子技術委員會 電機電子工程師學會 瞬間視野

儀器降落系統 靶場儀表組 國際標準大氣壓 逆向合成截面雷達 國際標準化組織 國際通信聯盟 日本工業標準 焦耳-湯姆生 光偵測及距測 線上可換元件 訊息辨識碼

物體速率對聲速率之 比(馬赫數)

分子雷射同位素分離 微波降落系統

有機金屬化學氣相沈 積

電磁共振影像 平均失效間隔時間 每秒百萬次理論運算 平均初次失效時間 核、生、化

非破壞性試驗 精測雷達 人員識別號碼 每百萬分之一 功效頻譜密度 正交調幅 射頻

尖端合成材料供應商 協會

合成截面雷達

(11)

SC SLAR SMPTE SRA SRAM SRM SSB SSR TCSEC TIR UV UTS VOR YAG

single crystal

sidelooking airborne radar

Society of Motion Picture and Television Engineers shop replaceable assembly

static random access memory SACMA Recommended Methods single sideband

secondary surveillance radar

trusted computer system evaluation criteria total indicated reading

ultraviolet

ultimate tensile strength

very high frequency omni-directional range yttrium/aluminum garnet

單晶體

旁視機載雷達

電影電視工程師協會 場站修護組合件 靜態隨機存取記憶體 SACMA 建議方法 單面頻帶

次級搜索雷達 可信度電腦系統評估 標準

總讀數 紫外線

極限拉伸強度 極高頻全向導航台 釔鋁柘榴石

(12)

專用術語定義

以單引號標示之術語定義,在技術註解中解釋相關項目。

以雙引號標示之術語定義如下:

說明:在定義之術語後以括弧標明類別出處。

“準確度”(第 2、6 類)通常以不準確度測量,意指測量結果與可接受之標準值或實 際值間之正負最大偏差值。

“主動飛行控制系統”(第 7 類)指一系統自主處理多個感測器之輸出後提供必要之 預防性指令,以防止“航空器”與飛彈產生不必要之動作或結構性負載。

“主動像素”(第 6、8 類)當其暴露於光(電磁)輻射線下,具有光電移轉功能之固態 陣列最小(單一)元素。

“為戰爭用途修改” (第 1 類)指任何改裝或精選(如改變純度、儲存期限、毒性、

散佈特性、或抗 UV 輻射),設計用來增強其產生對於人或動物的殺傷力、降低 裝備功能、摧毀農作物或環境之有效性。

“調整尖峰效能”(第 4 類)乃調整後之尖端速率,指“數位電腦”從事 64 位元或以上 浮點加法與乘法運算,以 TeraFLOPS(WT)呈現,單位為每秒 1012調整浮點運算 次數。

說明:參照第四類技術註解。

“航空器”(第 1、7、9 類)指固定翼、旋動翼、旋轉翼(直昇機)、傾斜旋翼或傾斜 翼之空中載具。

說明:參照“民用航空器”。

“所有補償機制”(第 2 類)指製造商為求將某型號工具機的所有系統性位置誤差 皆減至最小,或將特定機器測量座標的測量誤差皆減至最小,而考慮所有可行 之方法。

“依照國際電信聯合會分配”(第 3、5 類)根據現行 ITU 無線電管制,依主要的、

許可的、次要之服務分配頻率。

說明:額外及替代的配置不在此列。

“角度隨機移動”(第 7 類)指角度誤差因角度比率的白色雜訊隨時間增大。(IEEE STD 528-2001)

“角度位置誤差”(第 2 類)指角度位置與實際位置之最大差異,在桌上的工作部件

(13)

底座旋轉離開最初的位置後,精確測量之角度位置(參考 VDI/VDE 2617 草圖“座 標量測儀之旋轉檯”)。

“APP”(第 4 類)等同於“Adjusted Peak Performance” (“調整尖峰效能”)。

“非對稱演算法” (第 5 類)指使用不同數學相關之金鑰,進行加密與解密之密碼演 算法。

說明:“非對稱演算法”通常運用在金鑰管理。

“自動目標追蹤”(第 6 類)乃一種處理技術,可自動決定並提供目標最可能的即時 位置之推測值。

“平均輸出功率”(第 6 類)指以焦耳為單位之“雷射”總輸出能量除以秒為單位之

“雷射持續時間”。

“基本閘傳遞延遲時間”(第 3 類)指傳遞延遲時間值對應使用於“單晶積體電路”內 之基本閘。對“單晶積體電路”內之“族”而言,這可能指在特定“族”內之每一典型 閘之傳遞延遲時間,或指在特定“族”內之每一閘之典型傳遞延遲時間。

說明 1:“基本閘傳遞延遲時間”不可與複合單晶積體電路之輸入/輸出延遲時間 混淆。

說明 2:對構成所有積體電路之“族”而言,可應用下列所有製造方法與規格,但 其個別功能除外:

a. 一般之硬體和軟體架構;

b. 一般之設計及製程技術;及 c. 一般之基本特性。

“基礎科學研究”(核能技術註解、一般技術註解)指實驗性或理論性工作,主要用 以獲取解釋自然現象或可觀察之事實的基本原則新知識,而非主要朝向解決特定 實用目標或目的者。

“偏差”(加速度計)(第 7 類)指在與加速率或轉速無相關的特定條件下,量測指定 時間內加速度計平均輸出。“偏差”以 g 值或公尺每秒平方表示(IEEE STD 528-2001)(Micro g equals 1×10-6g)。

“偏差”(陀螺儀)(第 7 類)指在與加速率或轉速無相關的特定條件下,量測指定時 間內陀螺儀平均輸出。“偏差”以度每小時(deg/hr)表示(IEEE Std 528-2001)。

“軸向移位”(第 2 類)指主軸在旋轉一圈後,在垂直於主軸面板之平面,緊鄰於主 軸面板之圓周一點上測量之軸移位 (參考:ISO 230/1 1986.5.63)。

(14)

“碳纖維預製品”(第 1 類)指在基質導入形成複合材料之前,塗佈或未塗佈之纖維 為了組成一個架構之有序整齊排列。

“CEP”(圓周誤差率)(第 7 類)指一種準確度之測量,以目標為圓心之半徑特定範 圍內,其擊中機率達 50%。

“化學雷射”(第 6 類)指發自化學反應之輸出能量所激發產生之一種“雷射”。

“化學品混合物”(第 1 類)指由兩種或兩種以上成分組成之固體、液體或氣體產 物,此混合物在儲存狀況下,不會產生化學反應。

“循環控制式抗扭矩或環流控制式方向控制系統”(第 7 類)指使用空氣輸送至空氣 動力的表面,以增加或控制表面產生之作用力的系統。

“民用航空器”(第 1、3、4、7 類)指”航空器”列於民用航空主管單位公布之適航證 書清單中,作為飛行商業與民用之國內、外航線,或合法之民用、私人使用或商 業用途。

說明:參照“航空器”。

“混合”(第 1 類)指熱塑性纖維絲與強化纖維絲之混合,以生產完全纖維型態之強 化纖維”基質”混合物。

“磨碎”(第 1 類)指利用壓碎或研磨方式將物質縮小成為粒子之製程。

“共通頻道信號”(第 5 類)乃利用標示之訊息、多重電路或呼叫之訊號資訊,以及 其它如用於網路管理之資訊,在交換通訊間單一頻道之信號方法。

“通訊頻道控制器”(第 4 類)指控制同步或非同步數位資訊流通之實體介面,它是 一種裝置可被整合至電腦或電信設備,提供通訊存取。

“補償系統”(第 6 類)主要由非向量感測器與一或多個參考感測器 (例如向量磁力 計)所組成,同時配有可減輕平台上剛體旋轉噪音之軟體。

“複合材料”(第 1、2、6、8、9 類)指一種或多種特殊用途,將“基質”與一或多種 添加相組合而成之材料,添加相可由粒子、鬚狀物、纖維組成或任何以上之組合。

“複式旋轉檯”(第 2 類)指可使工作物件在二個非平行軸線上旋轉與傾斜的工作 台,可能同時被協調用於“輪廓控制”。

“III/V 族化合物”(第 3、6 類)指二元或多元的單晶或多晶物質,由 Mendeleyev 週期表中 IIIA 及 VA 族元素所構成 (例如:砷化鎵、砷鋁化鎵、磷化銦)。

“輪廓控制”(第 2 類)指兩個或兩個以上“數值控制”動作,其運轉依照下一個需求 的位置與達到該位置需求的進料速率之指令。進料速率不同,且相互關聯,以產 生需求之輪廓(參考 ISO/DIS 2806-1980)。

(15)

“臨界溫度”(第 1、3、5 類)(有時稱為轉移溫度) 係指特定“超導”材料在此溫度 下,失去對直流電流之阻抗。

“密碼起動”(第 5 類)意指透過某種安全機制而得以起動或啟用密碼能力的技術;

該項機制係專屬於某個項目,且僅有該項目的製造商,或有資格起動或啟用該密 碼能力的客戶,方能加以運作(例如以某個序號為基礎的特許金鑰或授權工具,

如數位化簽名證明書)。

技術註解:可用來運作”密碼起動”之技術及機制者,包括各種硬體、”軟體”

及”技術”。

“密碼學”(第 5 類)指含資料轉換的原理、手段與方法之學門,乃為了隱藏資訊內 容,防止未被偵測的修改或防止未授權之使用。“密碼學”限於使用一或多個“秘 密參數”(例如:加密變數),或相關的金鑰管理作資料轉換。

說明:“秘密參數”為一不為外人所知之常數或金鑰,或僅限特定族群使用。

“CW 雷射”(第 6 類)指可產生大於 0.25 秒之固定輸出能量之“雷射”。

“資料庫參考導航”(“DBRN”)系統(第 7 類)指利用事先測得之不同地理資料,經整 合後在動態情況下,提供正確導航資訊之系統。資料來源包括海深圖、星象圖、

重力圖、磁力圖或 3-D 數位地形圖。

“可變形鏡面”(第 6 類)(亦稱為自動補償光學鏡面)係指鏡面具下列特性:

a. 對一單一連續光反射表面施加個別扭力或力,產生動態變形,以補償因光波 投射於鏡面所引起之變形;或

b. 具有多重光反射元件,經由施加扭力或力,可單獨且機動地重新定位,以補 償因光波投射於鏡面所引起之變形。

“耗乏鈾”(第 0 類)指所含鈾-235 之濃度已耗損至低於自然存在(天然鈾)之濃度。

“開發”(一般技術註解、核能技術註解、全體)係指與量產前所有相關之過程者,

諸如設計、設計研究、設計分析、設計概念、原型之組裝及測試、先導生產方案、

設計資料,將設計資料轉化為產品之過程、架構設計、整合設計、工廠配置等。

“擴散結合”(第 1、2、9 類)係指以固態分子將至少兩個分離之金屬物結合而成為 單一結合體,其結合力與其中強度較弱者相同。

“數位電腦”(第 4、5 類)指以一個或多個離散變數之形式,可執行下列所有工作之 設備:

a. 接收資料;

b. 儲存資料或指令於固定或可更改(可寫入)之儲存裝置內;

(16)

c. 藉由儲存可修改順序之指令序列以處理資料;及 d. 提供資料輸出。

說明:儲存指令序列之修改,包含固定儲存裝置之替換,但非線路或接線之改變。

“數位傳輸率”(定義)指以任何形式之媒介直接傳送資訊之總位元速率。

說明:參照“總數位傳輸率”。

“直接作用液壓成形”(第 2 類)指一種變形過程,使用充滿液體之彈性囊袋直接與 工作物件接觸。

“漂移率” (陀螺儀) (第 7 類)指陀螺儀輸出零件,其功能與輸入旋轉無關,以角速 率表示。(IEEE STD 528-2001)

“動態訊號分析儀”(第 3 類)指“訊號分析儀”使用數位取樣與轉換技術形成特定 波形之傅立葉頻譜影像,包括振幅與相位資訊。

說明:參照“訊號分析儀”。

“特殊可分裂物質”之“有效克” (第 0、1 類)係指:

a. 鈽同位素與鈾-233,同位素重量以公克為單位;

b. 鈾-235 濃縮至 1%或更高之鈾,元素重量以公克乘以其濃縮程度之平方,濃縮 程度以重量分率之小數型式表示;

c. 鈾-235 濃縮低於 1%之鈾,元素重量以公克乘以 0.0001。

“電子組裝” (第 2、3、4、5 類)係指數個電子元件(例如“電路元件”、“離散組件”、

“積體電路”等)相互連結,以執行一或多種特定功能,其為可替換之實體,且通 常可被分解。

說明 1:“電路元件”係指單一主動或被動功能之電路零件,如一個二極體、一個 電晶體、一個電阻、一個電容等。

說明 2:“離散組件”係指一分別封裝之”電路元件”,自身可與外部連接。

“電子操控相陣列天線”(第 5、6 類) 係指以相位藕合方式形成波束之天線,例如 波束方向由輻射元件之複雜激發係數控制,且應用電子訊號之傳輸與接收,波束 方向之方位或高度,或二者均可改變。

“能量材料”(第 1 類)指能夠藉由化學反應來釋放特定用途所需能量的物質或混 合物。”爆炸物”、”煙火”和”推進劑”分別為能量材料的子分類。

“末端操縱器”(第 2 類) 係指握爪、“活動工具元件”及任何其它附加於‘機器人’操

(17)

縱手臂末端底板之工具。

說明:“主動工具單元”指對工作物件施予動力、加工能量或感應之裝置。

“等效密度”(第 6 類)指投射在光學元件表面之單位光學面積上之光學元件質量。

“專家系統”(第 7 類)指將規則應用於“程式”以外獨立儲存之資料,以提供結果的 系統,且具下列任一功能者:

a. 可自動修改使用者採用之“原始碼”;

b. 以準自然語言提供予某類問題之相關知識;或 c. 獲取發展該系統所需之知識(符號訓練)。

“炸藥” (第 1 類)指應用於初級炸藥、加壓用途,或裝填於彈頭、破壞及其他應用 等引起爆炸所需要之固態、液態或氣態物質或混合物。

“全權數位引擎控制”(“FADEC”) (第 7、9 類) 為 Full Authority Digital Engine Control 系統的縮寫,係指用於燃氣渦輪機或複合循環引擎之電子控制系統,其 能在要求引擎起動到要求引擎關機的整段運作程序內,無論為正常情況或是 故障情況,均能自動控制引擎運作。

“容錯”(第 4 類)指電腦系統之功能,在硬體或“軟體”之零件發生故障後,無須人 員介入仍能保持操作,提供特定水準之服務:連續性操作、資料完整,與在一定 時間內恢復服務。

“纖維狀或絲狀材料”(第 0、1、8 類)包括:

a. 連續“單絲”;

b. 連續“紗線”及“粗紗”;

c. “帶子”、織物、不規則之蓆子及編織品;

d. 碎纖維、短纖維及纖維毯;

e. 任何長度之單結晶鬚或複相晶鬚;

f. 芳香聚醯胺漿料。

“薄膜型積體電路”(第 3 類)係指“電路元件”陣列與沈積在絕緣“基板”上之厚膜或 薄膜形成之金屬互連結構。

說明:“電路元件”係指單一主動或被動功能之電路零件,如一個二極體、一個 電晶體、一個電阻、一個電容等。

“固定式”(第 5 類)係指編碼或壓縮運算其無法接受外部提供之參數(例如密碼或

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金鑰變數),且無法被使用者修改。

“飛行控制光學感應器陣列”(第 7 類)係指由光學感測器分佈而形成之網路,使用

“雷射”光束提供即時飛行控制資料於機上處理。

“飛行路徑最佳化”(第 7 類)係指由四度空間(空間與時間)期望之軌跡達到最小偏 差,以最大性能或效果完成任務的程序。

“焦面陣列”(第 6、8 類)係指直線或二維空間平面層或平面層之組合,其具有或不 具有電子讀出功能之個別偵測元件,應用於焦面。

說明:此定義不包括堆疊單一偵測元件,或任何二、三或四個元件偵測器,其元 件不具有時間延遲與整合功能。

“分頻寬”(第 3、5 類)係指“瞬時頻寬”除以中心頻率,以百分比表示。

“跳頻”(第 5 類)係指一“展頻”形式,以間斷步驟的隨機或假隨機順序,改變其於 單一通訊頻道中之傳送頻率。

“頻率切換時間”(第 3、5 類)係指訊號自一個選擇輸出頻率切換到達最終指定之輸 出頻率或± 0.05 %之內的時間。特定頻率範圍小於中央頻率± 0.05 %者被定義為 未具有頻率切換能力。

“頻率合成器”(第 3 類)係指任何種類頻率來源不論實際使用之技術,能由一個或 多個輸出提供多個同步或交替之輸出頻率,而該等頻率由較少數之標準(或主要) 頻率所控制、產生或規範。

“燃料電池”(第 8 類)指某種電化學裝置,它可利用消耗外來燃料的方式,將化學 能直接轉變成直流(DC)電流。

“熔融”(第 1 類)指利用熱、輻射或催化劑等能使交聯或聚合(固化),或可融化而 不熱解(碳化)。

“氣體霧化”(第 1 類)係指以高壓氣流將熔流之金屬合金變為直徑 500 微米或更小 微粒之處理程序。

“地理分散”(第 6 類)係指感應器相對位置在任一方向之距離均大於過 1,500 公 尺。活動式感應器通常被視為 “地理分散”。

“導航裝置”(第 7 類)係指整合測量及計算載具之位置及速率(例如導航)流程之系 統,將計算及指令傳送至載具之飛行控制系統以矯正軌道。

“熱均壓緻密化”(第 2 類)係指在密閉腔室中以超過 375K(102℃)加壓鑄造之過 程,利用不同介質(氣體、液體、固態粒子等)在各方向產生相同力量,以減少或 消除鑄造物之內在空隙。

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“混合式積體電路”(第 3 類)指任何結合之積體電路,或以“電路元件”或“分離零 件”積體電路連結,以執行特定功能者,且具有下列特性:

a. 含有至少一個未密封之元件;

b. 使用典型 IC 製造法聯結者;

c. 能以整組方式更換;及 d. 正常情況下不能分解。

說明 1:“電路元件”係指單一主動或被動功能之電路零件,如一個兩極真空管、

一個電晶體、一個電阻、一個電容等。

說明 2:“分離零件”係指分別包裝之“電路元件”,其自身具外部連結功能。

“影像增強”(第 4 類)係指由外部資訊衍生影像之演算方式之處理,例如時間壓 縮、過濾、淬取、挑選、關聯、迴旋或領域之間轉換(例如快速傅立葉轉換或 Walsh 轉換)。以上之演算方式不包括對單一影像之線性或旋轉之轉換,例如翻譯、特 徵淬取、登記或虛偽色彩。

“免疫毒素”(第 1 類)係指結合一細胞特定之單株抗體與“毒素”或“毒素次單位”,

使其選擇性地影響病態細胞。

“在公共領域內”(一般註解、核能技術註解、一般軟體註解)在此適用者,係指任 何人均可取得之“技術”或“軟體”,且更進一步地傳播不受任何限制(版權限制並 不排除“在公共領域內”之“技術”及“軟體”)。

“資訊安全”(第 4、5 類)指所有確保資訊或通訊的可存取性、機密性或完整性的方 法及功能,但為防止故障的方法及功能除外。此包括“密碼學”、 “密碼啟用”、 “密 碼分析”,防止放射資訊曝露與電腦安全。

說明:“密碼分析”係指對於密碼系統或其輸出與輸入之分析,以得到機密變數 或敏感資料,包括清楚之文字。

“瞬時頻寬”(第 3、5、7 類)係指輸出功率在沒有調整其他運作參數之情況下,於 3dB 的範圍內保持恆定之頻寬。

“儀器測量範圍”(第 6 類)係指雷達之明確顯示範圍。

“絕緣”(第 9 類)係指應用於火箭推進器之零件,例如殼體、噴嘴、入口、殼體罩,

以及包括凝固或半凝固之複合橡膠片,包含絕緣或耐熱材料,其亦可能併於釋放 應力之防護罩或襟翼中。

“內襯”(第 9 類)適用於固態推進劑與殼體或絕緣襯墊間之結合介面。通常使用液 態高分子以分散耐熱或絕緣材料,例如碳填入之羥基端聚丁二烯(HTPB)或其它

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添加硬化劑之高分子,以噴灑或以刮漿方式塗佈於殼體內部。

“固有磁梯度計”(第 6 類)係指單一磁場梯度感測元件與相關之電子裝置,其輸出 即磁場梯度之一測量。

說明:參閱“磁力梯度計”。

“隔離活培養物”(第 1 類)包括潛伏型及乾燥製備活菌。

“均壓機”(第 2 類)係指設備可在密閉腔室以不同介質(氣體、液體、固態粒子等),

在腔室所有方向對工作物件或材料產生相等之壓力。

“雷射”(第 0、2、3、5、6、7、8、9 類)係指可產生由激發輻射增強之時、空相干 光之零件組合裝置。

說明:參照:

“化學雷射”;

“超高功率雷射”;

“移轉雷射”。

“雷射持續時間”(定義)係指一“雷射”發射“雷射”線之時間,若是“脈衝雷射”,則 該時間等於一個脈衝或一連續脈衝發射之時間。

“比空氣輕之載具”(第 9 類)係指氣球及飛船,依靠熱空氣或其它如氦或氫等比空 氣輕之氣體升空之載具。

“線性度”(第 2 類)(通常以非線性度作為測量)指實際特性偏離一直線之最大正或 負偏差(高標度與低標度平均值),而該直線之定位係為平衡及減少其最大偏差。

“區域網路”(第 4 類)係指一資料傳輸系統,具有下列所有特性:

a. 容許任意數目之獨立“資料裝置”直接相互通訊;及

b. 局限於中等大小之區域(例如辦公大樓、工廠、校園、倉庫)。

說明:“資料裝置”係指可傳輸或接收序列數位資訊之設備。

“磁梯度計”(第 6 類)係指儀器用於偵測本身以外來源之磁場空間變化。此等儀器 由多個“磁力計”及相關電子裝置組成,其輸出為磁場梯度之一測量值。

說明:參照“固有磁梯度計”。

“磁力計” (第 6 類)係指儀器用於偵測本身以外來源之磁場。此等儀器由單一磁場 偵測元件及相關電子裝置組成,其輸出為磁場之一測量值。

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“主儲存體”(第 4 類)係指由中央處理器快速存取之主要資料或指令儲存裝置。其 由“數位電腦”內部儲存裝置及其分級延伸部分所組成,如高速緩衝儲存裝置或非 序列存取延伸儲存裝置。

“抗 UF6 腐蝕材料”(第 0 類)係指可為銅、不銹鋼、鋁、氧化鋁、鋁合金、鎳或含 鎳 60%以上重量比之合金,以及可抗 UF6 腐蝕的氟化烴聚合物,且適合分離製 程使用者。

“基質”(第 1、2、8、9 類)指填充於顆粒、鬚晶或纖維間之空間的實質連續相材料。

“測量不準度”(第 2 類)係指可測量變數的正確值在 95%信心水準下,位於輸出值 某一範圍內的特性參數。此參數包括未修正之系統偏差、未修正之齒隙與隨機偏 差(參考:ISO 10360-2 或 VDI/VDE 2617)。

“機械合金法”(第 1 類)係指由機械衝擊方式將元素及主體合金粉末,經過結合、

破碎及再結合之合金製程。藉由添加適當的粉末,非金屬粒子可結合至合金中。

“熔融抽取”(第 1 類)係指“快速硬化”及抽取帶狀合金產物之製程,將一小截冷凍 塊旋轉插入熔融金屬合金槽以抽取帶狀合金。

說明:“快速硬化”係指液態物質於冷凍速率超過 1,000K/s 之下固化。

“熔融紡絲”(第 1 類)係指以金屬熔液流衝擊旋轉之冷凍塊,形成片狀、帶狀或棒 狀產物之“快速硬化”製程。

說明:”快速硬化”係指液態物質在冷凍速率超過 1,000K/s 之下固化。

“微電腦微電路”(第 3 類)係指“單晶積體電路”或“多晶積體電路”內含有邏輯運算 單元(ALU),可由內部儲存以執行一般指令於內部所儲存之資料。

說明:內部儲存容量可由外部儲存裝置增大。

“微處理器微電路”(第 3 類)係指“單晶積體電路”或“多晶積體電路”含有邏輯運算 單元(ALU),可執行一系列來自外部儲存之一般指令。

說明 1:“微處理器微電路”通常不包含使用者可存取之整合儲存裝置,雖然存在 於晶片上之儲存裝置可用於執行其邏輯功能。

說明 2:包括為共同操作而設計之晶片組,提供“微處理器微電路”之功能。

“微生物”(第 1、2 類)係指細菌、病毒、類菌、立克次氏體、衣原體或真菌,無論 是天然的、增強的或是經改變的,其形式可以是“隔離活培養物”者,或被蓄意接 種或污染之活體物質而帶有該等培養菌者。

“飛彈”(第 1、3、6、7、9 類)係指完整的火箭系統及無人駕駛飛行載具系統,可 負載至少 500 公斤飛行至少 300 公里之距離。

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“單絲”(第 1 類)或絲指纖維之最小單位,通常直徑在數微米。

“單晶積體電路”(第 3 類)指主動或被動”電路元件”之組合,或兩者之組合:

a. 係指於單一半導體材料物件或所謂之“晶片”上,以擴散製程、植入製程或鍍膜 製程形成者;

b. 可視為一個不可分割的連結;及 c. 執行電路功能。

說明:“電路元件”係指單一主動或被動功能之電路零件,如一個二極真空管、

一個電晶體、一個電阻、一個電容等。

“單頻譜影像感應器”(第 6 類)係指可由一分立之頻譜中獲取影像資料者。

“多晶積體電路”(第 3 類)係指兩個或兩個以上之“單晶積體電路” 結合於一共同 之“基板”上。

“多頻譜影像感應器”(第 6 類)指可由 2 個或 2 個以上分立頻譜,同時或循序獲取 影像資料者。感測器具有 20 個以上分立頻譜者,有時被稱為超頻譜影像感測器。

“天然鈾”(第 0 類)係指天然存在且含有鈾同位素之混合物。

“網路存取控制器”(第 4 類)係指分散式切換網路之實體介面,全程使用共同媒介 於相同之“數位傳輸率”下運作,並判斷傳輸順序(例如象徵感測或載體感測)。該 控制器獨立於任何其它裝置,並選擇向其發送之資料包或資料組(例如 IEEE 802),此裝置可整合於電腦與電訊設備中,提供通訊存取。

“類神經電腦”(第 4 類)係指設計或修改以模仿神經細胞或一群神經細胞之行為之 計算裝置,此計算裝置以其硬體性能區別其特色,而此硬體可依據以往資料調整 多重計算組件之重量與其互連數目。

“核子反應器”(第 0 類)指能夠運轉以維持可控制的自行持續核分裂鏈反應之完 整反應器。一個核子反應器包括反應器槽內部或直接附屬之所有項目、核心內控 制功率程度之設備、通常用來容納直接接觸或控制核心主要冷卻劑之組件。

“數值控制”(第 2 類)係指一裝置藉採用通常於運作進行中引用之數字資料,而自 動控制之製程(參考 ISO 2382)。

“目標碼”(第 9 類)係指已被程式系統編譯之一個或多個程序(“原始碼"(原始語 言)),以設備可執行形式之方便表達。

“光放大”(第 5 類)係指光通訊之放大技術,引用由分離光源產生未轉換為電子訊 號之增強光學訊號,即使用半導體光學放大器或光纖螢光放大器。

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“光學電腦”(第 4 類)係指設計或修改以使用光呈現資料之電腦,其邏輯運算元件 以直接耦合光學裝置為基礎。

“光學積體電路”(第 3 類)係指“單晶積體電路”或“混合式積體電路”,含有一個或 一個以上零件,設計作為光感測器或光發射器,或具有光學或光電功能者。

“光學切換”(第 5 類)指不經轉換為電子訊號之光學形式訊號路徑選擇或訊號切換。

“總電流密度”(第 3 類)係指線圈內所有之安培匝數(即總匝數乘以每匝負荷最大 電流)除以線圈之總橫截面(包含超導體細絲、嵌入超導體細絲之金屬基質、密封 材料、任何冷卻通道等)。

“會員國” (第 7、9 類)係指參與瓦聖那協議之國家。

“尖峰功率”(第 6 類)係指”雷射持續時間”之最高能量水準。

“個人區域網絡”(第 5 類)指具下列特性之資料通訊系統:

a. 允許任意數量的獨立或互連的’資料裝置’直接互相通訊;及

b. 侷限於個人或裝置控制器鄰近範圍內裝置之間的通訊(例如︰單一房間、辦公 室或汽車)。

技術註解:

‘資料裝置’指能發射或接收數位資訊序列之裝備。

“功率管理”(第 7 類)係指改變高度計訊號之傳輸功率,以致使“航空器”高度之接 收功率總是在決定高度之最小需求。

“壓力轉換器”(第 2 類)係指可將壓力之測量轉為電子訊號之裝置

“預先分離”(第 0、1 類)係指為增加同位素濃度之先期處理程序。

“主飛行控制”(第 7 類)係指使用力/力矩產生器之“航空器”之穩定或操控,即空氣 動力控制表面或推進力向量。

“主要組成元件”(第 4 類),當其應用於第 4 類時,“主要組成元件”係指更換該元 件之價值超過系統價值總和之 35%。元件價值為系統製造者或系統整合者所支付 之價格。其總價值指在製造地或統合運送地由無關連人士支付之正常國際售價。

“生產”(一般技術註解、核能技術註解及全部)係指所有生產階段,如:建造、生 產工程、製造、整合、組裝(安裝)、檢查、測試、品質保證等。

“生產設備”(第 1、7、9 類)係指工具、模具、夾具、鑄模、壓模、固定裝置、調 整機械裝置、檢測裝置、其它機械裝置與零件等,但只限於該等為“開發"或為 一個或多於一個“生產"階段而特別設計或修改者。

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“生產設施”(第 7、9 類)係指“生產設備”與特別設計之軟體,整合於裝置中,而用 於“開發”或用於一個或更多”生產”階段。

“程式”(第 2、6 類)係指執行某種程序之系列指令,或可轉換為可由電子電腦執行 之形式。

“脈波壓縮”(第 6 類)係指在維持高脈波能量之優點下,將持續時間長的雷達訊號 脈波轉變為持續時間短的雷達訊號脈波之編碼與處理。

“脈衝持續時間” (第 6 類)指“雷射”脈衝持續時間,以全寬半強度(FWHI)水準量測。

“脈衝雷射”(第 6 類)係指“脈衝持續時間”小於或等於 0.25 秒之“雷射”。

“量子加密技術”(第 5 類)係指藉由量測物理系統之量子機械特性(包括明確由量 子光學、量子場論或量子電動力學所控制之物理特性),為“密碼學"之共用金 鑰,建立一技術族群。

“雷達頻率機動性”(第 6 類)係指任何技術,以假隨機順序改變介於脈衝之間或脈 衝群組之間的雷達發射器的載波頻率,其總數等於或大於脈衝頻寬。

“雷達擴展頻譜”(第 6 類)係指任何擴展能量之調節技術,此能量源自於相對窄頻 帶之訊號,使用隨機或假隨機編碼技術將其擴展至較寬之頻帶。

“輻射靈敏度”(第 6 類)意指對輻射的靈敏程度(mA/W) = 0.807 ×(奈米波長) × QE(量子效率)。

技術註解:QE 通常是以百分點為單位,但本公式決定以小數的方式來表達 QE,

例如將 78%寫為 0.78。

“即時頻寬”(第 3 類)對“動態訊號分析儀”而言,係指不使輸入之資料在分析時造 成任何中斷,而可輸出顯示或大量儲存之最大頻寬範圍。具有一個以上頻道之分 析儀,其頻道配置會產生最寬之”即時頻寬”用來進行計算。

“即時處理”(第 2、6、7 類)係指電腦系統之資料處理,當受到外部事件刺激時,

不顧其系統負載情況,藉可供使用資源之功能,在保證回應時間以內,提供必須 的服務水準。

“重現性”(第 7 類) 係指當操作條件改變或測量之間發生非操作狀態,在相同的操 作環境下,對同一變數之重複測量,得到最接近一致的狀況。(參考:IEEE STD 528-2001(one sigma standard deviation))

“必要”(一般技術註解、第 1-9 類)用於“技術”時,僅指“技術”中之一部分,主要 為達到或超越控管之性能水準、特色或功能。此“必要” “技術”可共用於不同貨品。

“解析度”(第 2 類)係指一測量裝置的最小增量;在數位儀器中,指最小之有效位

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元。(參考:ANSI B-89.1.12)

“鎮暴劑”(第 1 類) 指在預期情況下使用於鎮暴用途的物質,其能快速刺激人類感 官或使人失去生理活動能力,上述效應在停止接觸後能在短時間內消失。

技術註解:

催淚瓦斯為“鎮暴劑”其中一個子項。

“機器人”(第 2、8 類)係指一種可在連續路徑或點至點間操控之機械,可使用感應 器,且具有下列所有特性:

a. 多功能;

b. 藉由三度空間多變向移動,可對材料、零件、工具或特殊裝置定位或定向;

c. 裝置三個或三個以上閉路或開路伺服裝置,可包括步進馬達;及

d. 具有“使用者可程式化”之特性,藉由教導/重現之方法或以電子電腦之程式化 邏輯控制,無需機械介入。

說明:上述定義不包括下列裝置:

1. 僅為手動/遙控操作之操縱機構;

2. 自動移動裝置採固定順序操控之機構,以機械固定程式動作操作。其 程式以固定的的止動裝置如螺栓或凸輪等機械方式限制。其動作順序、

路徑或角度之選擇均無法利用機械、電子或用電氣方法改變;

3. 具機械控制可變順序操控機構之自動移動裝置,按照機械固定程式動 作操作。該程式以機械方式固定以限制活動,但具可調整之止動裝置(例 如螺栓或凸輪)。其動作順序、路徑或角度的選擇在固定程式之模式內為 可變,在一個或多個運動軸上變更或修改程式模式 (例如更換螺栓或交 換凸輪),僅可藉由機械運作予以完成;

4. 自動移動裝置採非伺服控制改變順序操控之機械,按照機械固定程式 動作操作,程式可改變,但順序只能由機械固定之電動二元裝置產生之 二元訊號進行,或由可調整之止動裝置進行;

5. 堆疊起重機定義為笛卡爾座標操控系統,製作成垂直陣列儲存倉整體 之一部份,且設計用於存取儲存倉內之物品。

“旋轉霧化”(第 1 類)係指以離心力將一束或一池液態金屬減為 500 微米或更小熔 滴之過程。

“粗紗”(第 1 類)係指一股(通常為 12 至 120 束)大致平行的“絲束”。

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說明:“絲束”係指排成大致平行之“單絲”束(通常超過 200 單絲)。

“偏擺”(第 2 類) (不正之旋轉)係指在與主軸垂直之平面,於受測物旋轉表面之內 部或外部上之一點,測量主軸旋轉一圈後之徑向位移。(參考:ISO 230/1 1986,

paragraph 5.61)

“尺度因素”(陀螺儀或加速度計)(第 7 類)係指受測物其輸出變化對輸入變化之比 值。在輸入範圍內,一般以周期性地改變輸入值的方法,獲得輸入-輸出資料,

然後以最小平方法進行資料處理,所得直線之斜率即為尺度因素。

“定態時間”(第 3 類)指當轉換器在任何兩位準間切換時,輸出達到最終值 0.5 位 元所需之時間。

“SHPL”即“超高功率雷射”。

“訊號分析儀”(第 3 類)指可量測與顯示多重頻率訊號中之單頻成分基本特性之儀器。

“訊號處理”(第 3、4、5、6 類)指利用如時間壓縮、過濾、抽取、選擇、關聯、對 合或不同領域間之轉換(例如快速傅立葉轉換或 Walsh 轉換)等演算法,處理由外 部取得含有資訊之訊號。

“軟體”(一般軟體註解、所有類)係指集合一個或一個以上“程式”或“微程式”安裝 於任何形式之實體媒介。

說明:“微程式”係指由一特殊儲存裝置保存之一序列元件指令,由其參考指令 引進指令暫存器而啟動執行。

“原始碼”(或原始語言)(第 6、7、9 類)係指一個或多個處理程序之簡便表達形式,

可由程式系統轉換為可由設備執行之形式(“目標碼"(或目標語言))。

“太空載具”(第 7、9 類)係指主動與被動式衛星與太空探測器。

“太空級”(第 3、6、8 類)係指設計、製造及測試符合特殊電子、機械或環境需求 之產品,用於發射和部署人造衛星或於 100 公里或以上高空操作之飛行系統。

“特殊可裂變物質”(第 0 類)係指鈽-239、鈾-233、“同位素 235 或 233 之濃縮鈾”,

以及任何含有前述物質者。

“比模數”(第 0、1、9 類)在凱氏溫度(296±2)K (攝氏(23±2)C),及相對濕度(50±5)%

下測量,以帕斯卡(pa)為單位之楊氏係數,相當於牛頓/平方公尺除以比重(牛頓/

立方公尺)。

“比拉伸強度”(第 0、1、9 類) 在凱氏溫度(296±2) K (攝氏(23±2) C),及相對濕 度(50±5)%下測量,以帕斯卡(pa)為單位之極限拉伸強度,相當於牛頓/平方公尺 除以比重(牛頓/立方公尺)。

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“噴濺急冷”(第 1 類)係指將金屬熔流衝擊冷凍塊而“快速凝固” 使形成片狀產品 之處理。

說明:“快速凝固”係指在冷卻率超過 1,000K/s 下,使熔態物質凝固。

“展頻” (第 5 類)係指將一個在相對窄頻帶通訊頻道之能量擴展至一個較寬能量頻 譜之技術。

“展頻”雷達(第 6 類) — 參閱“雷達擴展頻譜”。

“穩定度”(第 7 類)係指某個參數相對於其在穩定溫度情況下測量校準值之標準偏 差(1 sigma),可以時間函數表示。

“化學武器公約締約國(非締約國)”(第 1 類)係指禁止發展、生產、儲存與使用化 學武器之公約已經(尚未)生效之國家。

“基板”(第 3 類)係指一片基底材料含有或無互連之型態,於其上或其內可裝置“分 立零件”或積體電路或可同時裝置以上二者。

說明 1:“分立零件”係指一分離包裝之“電路元件”,且具外部連結功能。

說明 2:“電路元件”係指單一主動或被動功能之電子電路零件,如一個二極真空 管、一個電晶體、一個電阻、一個電容等。

“毛胚基板” (第 6 類)指單晶化合物,其尺寸適合用於生產光學元件,例如鏡面或 光學視窗。

“毒素次單位”(第 1 類)係指整個“毒素”之中,結構上與功能上分立之成分。

“超合金”(第 2、9 類)係指在超過 922K(649℃)之溫度下,以及嚴苛環境與操作情 況下,鎳基、鈷基或鐵基合金,其強度超過 AISI 300 系列中之任一合金。

“超導性”(第 1、3、5、6、8 類)係指能失去所有電阻的材料(即金屬、合金或化合 物),亦即可獲得無限大的電子傳導,與運載極大電流而不會產生焦耳熱。

說明:物質之“超導性”狀態可由“臨界溫度”、臨界磁場與臨界電流密度個別描 述其特性,臨界磁場為溫度之函數,而臨界電流密度為磁場與溫度二者之 函數。

“超高功率雷射”(SHPL)(第 6 類)係指“雷射”在 50ms 內可傳遞超過 1kJ(全部或部 分)之輸出能量,或具有平均值或連續波(CW)功率超過 20kW 者。

“超塑性成形”(第 1、2 類)係指用於金屬加熱之變形處理程序,通常用於具低拉伸 強度(低於 20%)特性之金屬,其斷裂點由傳統拉伸強度測試方法在室溫下測定,

目的是使該金屬在處理過程中的拉伸達到 2 倍於傳統拉伸之測定值。

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“對稱演算法” (第 5 類)係指用相同之金鑰做加密與解密之密碼運算。

說明:“對稱演算法”通常用於資料保密。

“系統追蹤軌跡”(第 6 類)係指經處理的、相互關聯的(融合雷達目標資料至飛航計 畫位置)及更新之航空器飛行位置報告,可供空中交通管制中心控制員使用者。

“心臟收縮陣列電腦”(第 4 類)係指可由使用者在邏輯閘層次機動控制資料流通與 修改之電腦。

“帶”(第 1 類)係指由交錯或單向之“單絲”、“絲束”、“粗紗”、“纖維束”或“紗線”

等構成之材料,通常已預浸潤樹脂。

說明:“絲束”係指一股“單絲”(通常超過 200 單絲),並排成大致平行之情況。

“技術”(一般技術註解、核能技術註解及全部)係指“開發”、 “生產”或“使用”貨品 所需之特定資訊。此資訊之形式為“技術資料”或“技術協助”。

說明 1:“技術協助”之可能形式如指導、技巧、訓練、實務知識、咨詢服務等,

且可涉及”技術資料”之傳送。

說明 2:“技術資料”之可能形式如藍圖、平面圖、示意圖、模型、公式、圖表、

工程設計與規格、手冊與使用說明等,其以文字方式,或記錄於其它媒體 或裝置如磁碟、磁帶、唯讀記憶體等。

“傾斜旋轉軸”(第 2 類)係指可在機械加工過程中,相對於其它軸修改其中心線角 度位置之工具夾轉軸。

“時間常數”(第 6 類)係指應用光刺激使電流增加額達到 1-1/e 乘以最終值(即最終 值之 63%)所需之時間。

“葉尖覆環”(第 9 類)這是種附著在引擎渦輪機殻內壁上或裝置於渦輪葉片外端點 上之靜態環組件(屬固態或分段形態),其主要為提供靜態組件與旋轉組件間之氣 密作用。

“飛行完全控制”(第 7 類)係指自動控制“航空器”之狀態變數與飛行路徑,對有關 目標、危險或其它“航空器”之資料即時改變作出反應,以達到任務之目標。

“總數位傳輸率”(第 5 類)係指在每單位時間內通過數位傳輸系統中相應設備間之 位元數,包括線編碼、附加負擔等。

說明:參照“數位傳輸率”。

“纖維束”(第 1 類)係指一束“單絲”,通常排列大致平行。

“毒素”(第 1、2 類)係指刻意分離之配製或混合物型態之毒素,無論其如何製造,

(29)

但由其它物質的污染物呈現之毒素除外,該其它物質如病理標本、農作物、食品 或“微生物”之儲存種子。

“移轉雷射”(第 6 類)係指具雷射發光性能之原子或分子碰撞不具雷射發光性能之 原子或分子,產生之能量移轉而激發的一種“雷射”。

“可調式”(第 6 類)係指“雷射”在數個“雷射”轉變範圍內,具有產生連續輸出所有 波長之能力者。一可選譜線之“雷射”在一個“雷射”轉變範圍內產生分立波長,則 不視為“可調式”。

“無人駕駛飛行載具”(“UAV”)(第 9 類)係指無人在場而可啟動飛行及維持控制之 飛行及導航之任何航空器。

“濃縮鈾-233 或鈾-235”(第 0 類)係指鈾含同位素 233 或 235 或二者皆含者,其同 位素數量總和與同位素 238 之比率,超過同位素 235 與同位素 238 存在於自然界 之比率(同位素比率 0.71%)。

“使用”(一般技術註解、核能技術註解及全部)係指操作、安裝(包括現場安裝),

保養(檢查)、維修、拆修、翻新等。

“使用者可程式化”(第 6 類)係指允許使用者插入、修改或更換“程式”之設施,不 包括下列方法:

a. 以佈線或互連改變實體;或 b. 功能控制設定,包括輸入參數。

“疫苗”(第 1 類)係指一種醫藥產品,其製藥配方有製造國家或使用國家授權之許 可執照、市場行銷或臨床實驗,其目的在刺激人體或動物之防護免疫系統而產生 之反應,以使注射疫苗者預防疾病之發生。

“真空霧化”(第 1 類)係指迅速釋放溶解之氣體,使其暴露於真空裝置中,而將熔 融流動之金屬變為 500 微米或更小之粒狀熔滴之處理程序。

“可變幾何機翼”(第 7 類)係指使用後緣襟翼或調整片、前緣襟翼或軸鼻翼,其位 置在飛行中可受控制。

“紗線”(第 1 類)係指一束絞合之“線束”。

說明:“線束”係指一束“單絲”(通常超過 200 單絲),並排列大致平行。

(30)

第0類

核能物質、設施及設備

(31)

0A 系統、設備及零件

0A001 “核子反應器”及其特別設計或製備之設備及零件如下:

a. “核子反應器爐”,可維持一可控制之自續核分裂連鎖反應之運轉;

b. 金屬槽或其工廠製造組裝之主要元件,包括反應爐壓力槽之頂蓋,其 特別設計或製備為容納“核子反應器”之爐心者;

c. 操控設備,特別設計或製備用於“核子反應器”燃料之裝填或取出;

d. 控制棒及其支撐或懸吊之結構、驅動裝置與導管,特別設計或製備用 於控制“核子反應器”中之核分裂過程;

e. 壓力管,特別設計或製備使用在裝有燃料元件與主要冷卻劑之“核子 反應器”內;其操作壓力超過5.1MPa;

f. 鋯金屬與合金之管或管束組合,特別設計或製備用於“核子反應器”之 內,其鉿與鋯之重量比少於1:500;

g. 冷卻劑泵,特別設計或製備用於“核子反應器”內主冷卻劑之循環;

h. ‘核子反應器內部組件’,特別設計或製備用於“核子反應器”之內,包括 爐心支撐柱、燃料通道、熱防護罩、擋板、爐心柵格板與擴散器板;

說明:在0A001.h.中,‘核子反應器內部零件’係指在反應爐槽中之任何主 要結構,具有一或多種功能,例如支撐爐心、維持燃料調準、引導 主冷卻劑之流向、提供反應爐槽輻射防護罩,與指引爐心內儀錶等。

i. 為用於“核子反應器”中主冷卻劑循環而特別設計或製備之熱交換器 (蒸汽產生器);

j. 為用於測定“核子反應器”爐心中之中子通量程度而特別設計或製備之 中子偵測與量測儀器。

0B 測試、檢驗及生產設備

0B001 工廠及特別設計或製備之設備及零件,用於分離“天然鈾”、 “耗乏鈾”

及“特別可分裂物質”內所含之同位素,如下列:

a. 分離工廠,特別設計用於分離”天然鈾”、”耗乏鈾”及“特別可分裂物 質”內所含之同位素,如下列:

(32)

1. 氣體離心分離工廠;

2. 氣體擴散分離工廠;

3. 空氣動力分離工廠;

4.化學交換分離工廠;

5.離子交換分離工廠;

6.原子蒸氣”雷射”同位素分離(AVLIS)工廠;

7.分子”雷射”同位素分離(MLIS)工廠;

8.電漿分離工廠;

9.電磁分離工廠;

b. 氣體離心機、組件及零件,特別設計或製備用於氣體離心分離製程,

如下列:

說明:在0B001.b.‘高強度-密度比材料’係指下列任一者:

a. 極限抗拉強度等於或大於2,050MPa之麻時效鋼;

b. 極限抗拉強度等於或大於460MPa之鋁合金;或

c. “纖維狀或絲狀材料”其“比模數”大於3.18 × 106公尺及 “比抗拉強 度”大於76.2 × 103公尺;

1. 氣體離心機;

2. 完整之轉子組件;

3. 由‘高強度-密度比材料’製成之轉子圓柱管,其壁厚度為12mm或以 下,直徑介於75mm至400mm之間;

4. 由‘高強度-密度比材料’製成之環圈或風箱,設計用於支撐轉子管 或連結物件,其壁厚度為3mm或以下,直徑介於75mm至400mm之 間;

5. 由‘高強度-密度比材料’製成之檔板,直徑介於75mm至400mm之 間,安裝於轉子管內部;

6. 由‘高強度-密度比材料’製成之頂蓋或底蓋,直徑在75mm至400mm 之間,其尺寸適合轉子管之末端;

7. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之機殼,其內部懸掛環狀磁鐵構成

(33)

之磁浮軸承,該機殼包含阻尼媒介,且具有適合轉子頂蓋之磁耦合 電極片或第二磁鐵;

8. 特別製備之軸承,包含裝置於阻尼器上之樞軸杯組件;

9. 由圓柱體組成之分子泵,具有內部機械製成或擠壓成型之螺旋溝 槽及內部機械鑽成之孔洞;

10. 多相交流磁滯(或磁阻)馬達之環狀馬達定子,用於頻率範圍600 至2,000 Hz及功率範圍50至1,000 Volt-Amps時之真空中同步操作;

11. 離心機之機殼/接納容器包含氣體離心機之轉子管組件,由堅固圓 筒構成,其壁厚度達30mm,由”抗UF6腐蝕材料”製造或保護,並以 機械精密加工而成;

12. 由內部直徑達12mm之管子構成的杓斗,由”抗UF6腐蝕材料”製造 或保護,透過皮托管作用,由離心機轉子管內部抽取UF6氣體;

13. 特別設計或製備之頻率轉變器(轉換器或反向轉流器),俾供馬達 定子進行同位素濃縮,具有下列特性及特別設計之零件:

a. 600至2,000Hz之多相輸出;

b. 頻率控制優於0.1%;

c. 諧波失真低於2%;及 d. sn效能高於80%;

14. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之風箱閥,其直徑介於10mm至 160mm之間;

c. 設備及零件,特別設計或製備用於氣體擴散分離製程,如下列:

1. 由多孔性金屬、聚合物或陶瓷等“抗UF6腐蝕材料”製造之氣體擴散 膜,其孔徑介於10至100nm之間,厚度為5mm或低於5mm;若為管 狀者,其直徑為25mm或低於25mm;

2. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之氣體擴散機殼;

3. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之壓縮機(主動移位、離心式與軸流 式)或氣體鼓風機,其UF6之每分鐘吸入容積為1立方公尺(m3)或更 高,排放壓力高達666.7kPa者;

4. 旋轉軸密封用於0B001.c.3所指之壓縮機或鼓風機,及設計用於緩 衝裝置,其氣體滲漏率低於1,000cm3/min;

(34)

5. 由鋁、銅、鎳或含鎳超過60%合金製造之熱交換器,或結合上述金 屬之包覆管,設計用於次大氣壓力下操作者,在壓力差為100kPa情 況下,其滲漏率使其壓力上升限制在每小時低於10Pa;

6. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之風箱閥門,其直徑介於40mm至 1,500mm之間者;

d. 設備及零件,特別設計或製備用於空氣動力分離製程,如下列:

1. 由裂縫狀彎曲通道構成之分離噴嘴,其通道曲率半徑小於1mm,

可抗UF6腐蝕,噴嘴內有刀緣式分隔,使通過噴嘴之氣體分離為兩 道氣流;

2. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之正切氣流入口,為氣流驅動之圓 筒或圓錐管(渦流管),其直徑介於0.5cm至4cm之間,且其長度及直 徑之比率為20:1或更低,並有1個或更多之正切氣流入口;

3. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之壓縮機(主動移位、離心式與軸流 式)或氣體鼓風機,其每分鐘之吸入容積為2立方公尺或更高;包括 其旋轉軸之密封;

4. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之熱交換器;

5. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之空氣動力分離單元機殼,包含渦 流管或分離噴嘴;

6. 由“抗UF6腐蝕材料”製造或保護之風箱閥,其直徑介於40mm至 1,500mm之間者;

7. 由承載氣體(氫氣或氦氣)中分離UF6至含量小於1ppm之處理系 統,包括:

a. 低溫熱交換器與低溫分離器,溫度可至153K(-120℃)或更低者;

b. 低溫冷凍單元,其溫度可至153K(-120℃)或更低者;

c. 用於由承載氣體中分離UF6之分離噴嘴或渦流管單元;

d. 溫度可至253K(-20℃)或更低之UF6冷阱;

e. 設備與零件,特別設計或製備用於化學交換分離製程,如下列:

1. 快速液體-液體脈衝交換柱,其階段滯留時間為30秒或更低者,並 可抗濃鹽酸者(例如由適合之塑膠材料如氟碳聚合物或玻璃製造或 保護者);

(35)

2. 快速液體-液體脈衝離心接觸器;其階段滯留時間為30秒或更低 者,並可抗濃鹽酸者(例如由適合之塑膠材料如氟碳聚合物或玻璃製 造或保護者);

3. 抗濃鹽酸溶液之電化學還原電池,用於將鈾由一價狀態還原至其 它狀態;

4. 可自有機流中取得U+4之電化學還原電池進料設備,及與製程流體 接觸之零件,由適合之材料(例如玻璃、氟碳聚合物、聚苯硫酸酯、

聚醚碸與浸潤樹脂石墨)製造或保護者;

5. 為生產高純度氯化鈾溶液之進料製備系統,包括溶解、溶劑萃取,

及/或用於純化離子交換設備;以及將鈾U+6或U+4還原成為U+3之電 解電池;

6. 將U+3氧化為U+4之鈾氧化系統;

f. 設備及零件,特別設計或製備用於離子交換分離之製程,如下列:

1. 快速反應型離子交換樹脂、薄膜或多孔大網狀樹脂,其化學活性 交換群被限制在非活性多孔載體結構及其他合適之組合結構之表 面塗層,該結構包括顆粒或纖維,其直徑為0.2mm或更小者,可抗 濃鹽酸,設計具有交換速率之半數時間低於10秒,並可於

373K(100℃)至473K(200℃)之溫度下操作;

2. 離子交換柱(圓筒狀)其直徑大於1,000mm者,由抗濃鹽酸之材料製 造或保護(例如鈦金屬或氟碳塑膠),具有在373K(100℃)至

473K(200℃)之溫度及0.7Mpa以上之壓力下操作能力;

3. 離子交換回流系統(化學或電化學氧化或還原系統),用於離子交換 濃縮串級組中之化學還原劑或氧化劑之再生;

g. 設備及零件,特別設計或製備用於原子蒸氣“雷射”同位素分離 (AVLIS)之製程,如下列:

1. 高功率條子或掃瞄電子光束槍用於鈾蒸氣化系統,其傳輸功率大 於2.5kW/cm者;

2. 用於熔融態鈾或鈾合金之液體鈾金屬處理系統,包含由合適之抗 腐蝕及抗熱材料(例如鉭、氧化釔包覆之石墨、包覆其它稀土金屬 氧化物或其混合物之石墨)製造或保護之坩堝,及其冷卻設備;

說明:參照2A225。

3. 由抗鈾金屬蒸氣或液體之高熱與腐蝕之材料,如氧化釔包覆之石 墨或鉭,所製造或作為內襯之產品與後端收集系統;

參考文獻

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