6A 系統、設備及零件
6A001 聲學系統、設備與零組件如下：
a. 如下之海事聲學系統、設備及特別設計之零件：
1. 如下之主動(發射或收發)系統、設備及特別設計之零件：
註解：6A001.a.1.不管制下列各項設備：
a. 置於儀器垂直正下方操作之測深儀，但不包括超過±20°掃瞄功 能，且只限定於測量水深、水中或埋藏物體之距離或魚群搜尋；
b. 如下之聲學標識：
1. 聲學緊急標識；
2. 專為再定位或返回某一水下位置而設計之聲波發射器。
a. 聲學海底調查設備，如下：
1. 水面艦艇海底地形描測調查設備，且具有下列所有特性：
a. 設計用於測量偏離垂直方向超過20°以上；
b. 設計用於測量超過600公尺深度之海床地形；
c. ‘探測分辨率’小於2；及
d. 以下列所有補強方式’強化’深度之準確性：
1. 聲學運動感測器；
2. 在水中傳播由感測器到海床並返回感測器；及 3. 聲音速度感測器。
技術註解：
1. ‘探測解析度’是將探測帶寬度(度數)除以每個探測帶最高 探測次數。
2. ‘強化’包括透過外部方式來補償能力。
2.為海底地形描測而設計之調查設備，且具有下列所有特性：
a. 為在超過300公尺深度下操作而設計或改裝者；及 b. ‘探測率’超過3,800；
技術註解：
‘探測速率’指產品在感測器操作之最高速度(m/s)乘以每個探測帶 之最高探測次數。
3. 為海底影像而設計之側向掃瞄聲納(SSS)或合成孔徑聲納 (SAS)，具下列所有特性：
a. 為在超過300公尺深度下操作而設計或改裝者；及 b. 在’沿測線解析度’與’垂直測線解析度’小於15公分的操作
下，‘面積覆蓋率’大於570m2/s。
技術註解：
1. ‘面積覆蓋率’ (m2/s)為2倍於產品最大聲納範圍(m)乘以感測 器操作之最高速度(m/s)。
2. ‘沿測線解析度’ (cm)，僅適用於SSS，為產品方位角(水平) 的波束寬(度數)乘以最大聲納範圍(公尺)再乘以0,873。
3. ‘垂直測線解析度’ (cm)為75除以訊號頻寬(kHz)。
b. 具有下列任一特性之物體探測或定位系統：
1. 發射頻率低於10 kHz；
2. 設備操作頻率自10 kHz至24 kHz，其聲壓等級超過224 dB(在1 公尺深度以下1μPa為參考基準)；
3. 設備操作頻率自24 kHz至30 kHz，其聲壓等級超過235 dB(在1 公尺深度以下1μPa為參考基準)；
4. 於任一軸上形成小於1°之光束，且其運作頻率小於100 kHz；
5. 設計用於操作明確標示距離超過5,120公尺；或
6. 設計用於正常操作下，可抵抗超過1,000公尺之深度壓力，且 其轉換器具有下列任一功能：
a. 壓力的動態補強；或
b. 使用非鋯鈦酸鉛作為轉換元件；
c. 聲波投射器，包括轉換器，使用壓電、磁致伸縮、電致伸縮、
電動力或水力元件，並以單獨或設計組合的方式操作，且具下列 任一特性：
註解1：聲波投射器，包括轉換器，如係專為其他設備所設計，
則其管制狀況由該其他設備之管制狀況決定。
註解2： 6A001.a.1.c. 不列管只垂直導向聲波的電子聲源，或機 械聲源(如空氣槍或蒸汽衝擊槍)，或化學聲源(如炸藥)。
1. 操作頻率低於10 kHz之裝置，其瞬間幅射“聲波功率密度”高於 0.01 mW/mm2/Hz；
2. 操作頻率低於10 kHz之裝置，其連續幅射“聲波功率密度”高於 0.01 mW/mm2/Hz；或
技術註解：
聲能功率密度為聲能輸出功率除以幅射表面之面積，再除以操作 頻率。
3. 旁波帶抑制能力超過22 dB；
d. 設計作為水面艦艇或水底載具定位之聲學系統與配備，且具下 列所有特性，以及為其特別設計之零件：
1. 探測範圍超過1,000公尺；及
2. 探測範圍在1,000公尺內時，定位準確度低於10公尺的均方根 值(rms)；
註解：6A001.a.1.d.包括：
a. 在至少兩標幟與水面艦艇或水底載具內之水中聽音器單元 之間，可使用同步調進行〝訊號處理〞的設備；
b. 進行單點計算時，具備聲速傳播誤差之自動校正能力之設 備。
e. 特別設計或改裝之主動式個體聲納，用於偵測、定位，與對泳 客或潛水員自動分類，且具下列所有特性：
1. 探測範圍超過530公尺；
2. 探測範圍在530公尺內時，定位準確度低於15公尺的均方根值 (rms)；及
3. 傳送脈衝信號頻寬超過3kHz；
說明：
為軍事用途特別設計或改裝之潛水員探測系統，參照軍用貨品管 制。
註解：6A001.a.1.e.為各種環境而有多種偵測範圍，應使用其中之 最大偵測範圍。
2. 被動系統、設備及其特別設計之零件，如下：
a. 具有下列任一特性之水中聽音器：
註解：為其他設備而特別設計之水中聽音器之管制狀況，係由其 他設備之管制狀況來決定。
1. 由連續性可撓式感測元件組合而成；
2. 由分立式感測元件組合而成，元件之直徑或長度小於20mm，
且元件之間距小於20mm；
3. 有下列任何感測元件者：
a. 光纖；
b. 非聚偏二氟乙烯(PVDF)及其共聚物{(PVDF-TrFE)及 P(VDF-TFE) }之壓電聚合膜；或
c. 可撓式壓電複合材料；
4. 於任何深度且無加速補償下，靈敏度高於180 dB的水中聽音 器；
5. 當設計在水深超過35公尺下操作，且具有加速補償者；或 6. 設計在水深超過1,000公尺下操作；
技術註解：
1. 壓電聚合膜之感測元件是由伸展及依附在一個框架或線軸上 之極化聚合膜組成。
2. 可撓式壓電複合材料之感測元件是由壓電陶瓷粒子或電絕緣 之纖維、聲音可穿透之橡膠、聚合物或環氧樹脂化合物所組 成，而該化合物為感測元件之一部分。
3. 水中聽音器之靈敏度係指，將沒有前放大器的水中聽音器置 於壓力1μPa均方根值之平面聲場中測量時，以輸出電壓之均 方根(rms)值對1 V rms參考值之比值，取以10為底之對數值 後，再乘以20而得。例如：一個-160dB的水中聽音器會產生10-8
伏輸出電壓(其參考值為1V每1μPa)，而一個-180dB靈敏度的水 中聽音器僅輸出10-9伏電壓。因此，在此音場強度下的-160dB 比-180dB具有較佳靈敏度。
b. 拖曳式水中聽音器陣列，具有下列任一功能：
1. 水中聽音器群組間距小於12.5公尺，或可修改成小於12.5公 尺；
2. 設計或可修改成使用於水深35公尺以下；
技術註解：
6A001.a.2.b.1.及6A001.a.2.b.2.所述“可修改”係指，容許線路或 連接線變動的空間，以更改水中聽音器群組間距或操作之水深 極限，這些空間包括：線路數目中有超過10%的備用線路，水 中聽音器群組間距調整區塊或可調式內部水深極限裝置，或可 控制一組以上之水中聽音器群組。
3. 6A001.a.2.d.所述之迎面感測器；
4. 縱向增強之排列管；
5. 組合陣列之直徑在40mm以下；
6. 刪除；
7. 6A001.a.2.a.所述之水中聽音器特性；
c. 特別為拖曳式水中聽音器陣列設計之處理設備，具有”使用者可 程式化”及時域或頻域處理與關聯性建立，包含光譜分析、以傅 立葉或其他轉換或處理方式進行之數位濾波及波束之形成；
d. 迎面感測器，具有下列所有特性者：
1. 準確度優於±0.5°；及
2. 設計使用於水深35公尺以下或具有可調式或可拆卸式之深度 感測裝置，以便於在水深超過35公尺下操作；
e. 海底或海灣電纜系統，具下列任一項者：
1. 裝有6A001.a.2.a.所述之水中聽音器；或
2. 裝有多工式水中聽音器群組信號模組，具有下列所有特性者：
a. 設計於水深35公尺以上操作，或具有一可調式或可拆卸式
之水深感測器，以便於水深35公尺以上操作者；及 b. 能與拖曳式水中聽音器陣列模組交互操作者；
f. 特別為海底或海灣電纜而設計之處理設備，具有”使用者可程式 化”及時域或頻域處理與關聯性建立，包含光譜分析、以傅立葉 或其他轉換或處理方式進行之數位濾波及波束之形成；
註解：6A001.a.2.同時管制接收設備，無論其是否在一般應用中 與其他設備是否有關聯，及為其特別設計之零件。
b. 關聯速度聲納與都卜勒聲納記錄設備，其設計用於測量載具對海床 的相對水平速度如下：
1. 關聯速度聲納記錄設備具下列任一特性：
a. 為海床與載具間距離超過500公尺之操作設計；或 b. 具有優於速度1%的速度準確性；
2. 都卜勒聲納記錄設備具有優於速度1%的速度準確性；
註解1：6A001.b.不管制深度探測器其限於下列任一項目：
a. 測量水深；
b. 測量水中物體或埋藏物體的距離；或 c. 魚群探測。
註解2：6A001.b.不管制為裝置於水面船隻而特別設計之設備。
3. 刪除。
6A002 光感測器及其設備與零組件，如下：
說明：參照6A102。
a. 光感測器如下：
1. “太空級”固態偵測器如下：
a. “太空級”固態偵測器具有下列所有特性者：
註解：就6A002.a.1.，固態偵測器包括“焦面陣列”。
1. 尖峰反應在波長大於10nm，且小於300nm之間；及 2. 在波長大於400nm以上之尖峰反應低於0.1%之反應；
b. “太空級”固態偵測器，具有下列所有特性者：
1. 尖峰反應在波長大於900 nm，且小於1,200 nm之間；及 2. 反應“時間常數”不超過95奈秒(ns)；
c. 波長1,200 nm 至 30,000 nm 間有一尖峰反應的“太空級”固態 偵測器；
d. “太空級”“焦面陣列”，其每陣列具有超過2,048元件，且尖峰響應 波長範圍超過300nm但不超過900nm。
2. 下列影像增強管及其特製之零件：
註解：6A002.a.2.不管制非成像光電管，其在真空空間中具有電子 感應裝置，僅限於下：
a. 單一金屬陽極；或
b. 中心點到中心點距離超過500 µm的金屬陽極。
技術註釋：
‘電子倍增’為電子影像增強形式，定義為由碰撞電離子增益程序導 致電子載體產生。‘電子倍增’感測器可採取的形式為影像增強管、
固態偵測器或“焦面陣列”。
a. 具有下列所有特性的影像增強管：
1. 尖峰反應在波長大於400 nm，且小於1,050 nm之間；
2. 使用下列任一之電子影像放大：
a. 微通道板具有12µm或以下的間距(中心點至中心點距離)之 微通道板；或
b. 除微通道板外，為達‘電子倍增’特別設計或改裝之電子感測 裝置，其非合併像素間距為500µm或以下；及
3. 下列任一光陰極：
a. 多種鹼金屬性光陰極(例如：S-20, S-25)其感光靈敏度超過 350μA/lm；
b. 砷化鎵或砷化銦鎵光陰極；或 c. 其他III-V化合物半導體光陰極；
註解：6A002.a.2.a.3.c.不管制最大幅射靈敏度10 mA/W或以下 之化合物半導體光陰極。
b. 具有下述所有特性的影像增強管：
1. 尖峰反應在波長超過1,050 nm，但未超過1,800 nm；
2. 使用下列任一電子影像放大：
a. 微通道板具有12µm或以下的間距(中心點至中心點距離)之 微通道板；或
b. 除微通道板外，為達‘電子倍增’特別設計或改裝之電子感測 裝置，其非合併像素間距為500µm或以下；及
3. “III/V族化合物”半導體(例如：砷化鎵、砷銦化鎵)之光陰極與 電子束光陽極，其”最高輻射靈敏度”超過15 mA/W；
c. 特別設計之零件如下：
1.微通道板具有12µm或以下的間距(中心點至中心點距離)之微 通道板；
2. 除微通道板外，為達‘電子倍增’特別設計或改裝之電子感測裝 置，其非合併像素間距為500µm或以下；
3. “III/V族化合物”半導體(例如：砷化鎵或砷化鎵銦之光陰極與 電子束光陽極；
註解：6A002.a.2.c.3.不管制下述任一化合物半導體光陰極，其 設計用於達到”最高輻射靈敏度”：
a. 10 mA/W或尖峰反應在波長超過400 nm，但未超過 1,050 nm；或
b. 15 mA/W或尖峰反應在波長超過1,050 nm，但未超過 1,800 nm。
3. 非“太空級”之“焦面陣列”如下：
說明：‘微幅射熱測定器’非“太空級”之“焦面陣列”僅於6A002.a.3.f.
明訂。
技術註解：
線性或二維多元件偵測陣列稱為“焦面陣列”；