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第二章 文獻回顧

2.1 熱電原理與材料發展

熱電材料最早於西元 1821 年,由物理學家 T.J.Seebeck 發現將兩種不同 金屬之端點連接成一條封閉迴路,當兩端點間有溫差時,就會有電位差產生,

並且於材料之間產生電流,此現象即為 Seebeack Effect。於西元 1834 年,由 J.C. Peltier 發現將此封閉迴路通上電流,產生出一端接點會有放熱現象,而 另一端接點則會吸熱現象,也就是日後常被應用的熱電致冷工作原理。於西 元 1851 年,由物理學家 William Thomson 推倒出 Seebeck coefficient 與 Peltier coefficient 兩者之間的關係,並且預測第三種熱電現象 Thomson effect 的存 在。當一導體材料兩端有溫度差與電流通過時,於兩端點會產生吸熱與放熱

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2.1.1 基本原理

目前各溫段的複合式熱電材料 ZT 值如圖 2-1 所示【6】。而熱電材料轉 換優劣,主要是以材料的 ZT 熱電優值(figure of merit),可由公式(2-1)所表 示;σ 為導電率(electric conductivity);S = ΔV/ΔT 為 Seebeck 係數;T 為絕對 溫度 K;λ 為熱傳導係率(thermal conductivity)。當熱電材料有較高 ZT 值時,

就能獲得較高熱電轉換效率。由公式(2-1)可得知,愈得到高的 ZT 值,熱電 材料相對地頇提高 Seebeck 係數 (S) 、導電率 (σ) 及降低熱傳導係率 (λ) 。 另外也可發現 Seebeck 係數對於整體熱電轉換效應的重要性,以及較高導電 率能夠使電流通過迴路時,不會產生過大電阻值而造成轉換功率的損耗,而 較低熱傳導率則是能保持熱電材料冷熱兩端的溫度差,以確保熱電元件不會 受到熱傳導值影響,造成發電或致冷的功能無法發揮。

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(2-1)

圖 2-1 複合式熱電材料 ZT 值【6】

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2.1.2 熱電優值提升之研究

在早期與近期研究中,多數學者均偏向於熱電優值 ZT 的高低進行改善,

所以從古到今,使用 PbTe-based 進行結構上變化或由塊材轉變為奈米薄膜 的研究漸漸變多。例如 Hicks 等人【13】,針對 α2n 係數對於塊材 PbTe 與 多種寬度之超晶格量子井 PbTe,在假設 λ 熱傳導係數不變的條件下分別進 行量測,研究的量子井寬與相對應載子濃度數據如圖 2-2 所示。使用 PbTe 作為量子井和 Pb1-xEuxTe 作為阻障材料,利用 BaF2(111)當作基板結構,於基 板上方沉積 Pb1-xEuxTe 緩衝區,並且已 100 至 150 的週期成長多重量子井結 構 PbTe/Pb1-xEuxTe,PbTe 量子井寬度於 15 至 55 Å 之間變化,而 Pb1-xEuxTe 阻障材料厚度為 450 Å,其研究結果得到量子井結構 ZT 值較塊材結構高出 5 倍,於 300K 時 ZT=2.0。

圖 2-2 (a)量子井寬度與功率因子之關係圖;(b)不同量子井寬度與功率因子 ,以及載子濃度三者關係【13】

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而另一團隊的學者 Beyer 與 Roch【14】等人,使用 PbTe based 摻雜超 晶格(SLs)與 PbTe/PbSe0.20Te0.80 超晶格結構去組合成熱電塊材,利用這結構 來降低帄行面層的熱傳導率,以此達到提高熱電優值(ZT)的效果。他們的研 究過程中,PbTe/PbSe0.20Te0.80系統分別使用 4.2 與 6.7 nm 厚度週期的超晶格 如圖 2-3 所示,其中 4.2 nm 週期於溫度 570K 時獲得的 ZT 值為 1.25,而 PbTe based 摻雜超晶格(SLs)是使用 5.7 nm 週期,於溫度 500 K 時獲得的 ZT 值為 1.2。

圖 2-3 熱電優值(ZT)與不同厚度週期超晶格結構於不同溫度下之變化【14】

此外,有研究於 PbTe 基材上沉積 Ag2Te 約 50-200 nm 較大的奈米級尺 寸,並對 PbTe-Ag2Te 材料摻雜 La 元素來提高載子濃度。於(Pb1− yLa yTe)1−x (Ag2Te)x不同原子百分比下沉積與 La 摻雜,發現當溫度高於 650 K 以上有 較高 ZT 值,並且此奈米複合材料之奈米粒子(100-200 nm)具有適當密度,

當奈米粒此小於 20 nm 時,在許多系統中沒有出現非常低的晶格熱傳導率現 象。其研究結果,最好熱電性質於 775 K 時,呈現出的 ZT 值為 1.6,如圖 2-4 所示【15】。

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圖 2-4 (PbTe)1− x (Ag2Te)x於不同比例下摻雜 La,所測量出溫度與:

(a)Seebeck 值;(b)導電率;(c)功率因子的關係圖【15】

於塊材研究中,Heremans 等人【16】使用在中溫範圍有良好熱電材料 性質的 PbTe 作為摻雜第三元素之基材。實驗中摻雜了不同重量百分比的 Tl 與 Na 作為比較,其中以摻雜 2 % wt 的 Tl 樣品,獲得所有樣品中較高的 ZT 值為 1.5,如圖 2-5 所示。

圖 2-5 PbTe 分別摻雜 1-2 %Tl 與 Na,所量測出溫度與 ZT 值之關係圖【16】

於此小節探討中,會發現研究學者均向熱電材料的載子濃度和材料結構 等性質去作改變,這會影響到熱電優值 ZT 公式中的導電率與熱傳導率等性 質。然而,目前研究均之 ZT 值均為 1.5 左右,於後續熱電材料研究目標中,

期望達到 ZT 值為 2,其轉換效率即可達到 15 %左右。

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2.2 熱電元件模組與應用