本章利用前述 Mori-Tanaka (MT)微觀力學模型與有限元素軟體 COMSOL Multiphysics 模擬壓電壓磁圓柱纖維複合材料之磁電耦合行為。其中壓電材料為 BaTiO
3
(BTO)、壓磁材料為 CoFe2
O4
(CFO),而其極化方向為沿著[
001 或是] [
100]
的方向。
3-1 模擬案例
本章使用 BTO 與 CFO 作為壓電壓磁纖維複合材料,並將材料之極化方向設 定為
[
001 或是] [
100 的方向。其中,當材料性質之局域座標的] x′ 3
軸與全域座標的x 3
軸同向時,此時的材料極化方向在全域座標下稱為[
001 ;當材料性質之局域]
座標的
x′ 3
軸與全域座標的x 軸同向時,此時的材料極化方向在全域座標下稱為1
[
100 。]
另外本文選擇正方形與正六邊形單位晶胞模擬複合材料行為,因此擁有不同 極化方向配置的模擬案例(圖 3-1)。其中有內含物與母材極化方向皆為
[
001 、內]
含物
[
100 與母材] [
001 、內含物] [
001 與母材] [
100 以及內含物與母材皆為] [
100 。]
另外,根據材料配置的方式,本文選擇BTO 與 CFO 作為討論對象,因此共分作 8 種模擬極化方向的案例(表 1);而 BTO 與 CFO 材料之性質如表 2 所示。
27
(a) 內含物[001]、母材[001]
(b) 內含物[100]、母材[001]
(c) 內含物[001]、母材[100]
(d) 內含物[100]、母材[100]
圖3-1 模型極化方向配置示意圖
28
表1 複合材料配置形式
案例 母材 內含物
Ⅰ CFO
[ ]
001 BTO[ ]
001Ⅱ CFO
[ ]
001 BTO[ ]
100Ⅲ CFO
[ ]
100 BTO[ ]
001Ⅳ CFO
[ ]
100 BTO[ ]
100Ⅴ BTO
[ ]
001 CFO[ ]
001Ⅵ BTO
[ ]
001 CFO[ ]
100Ⅶ BTO
[ ]
100 CFO[ ]
001Ⅷ BTO
[ ]
100 CFO[ ]
100表2 BTO 和 CFO 材料性質[1]
BTO CFO BTO CFO
) GPa
11 (
C 166 286 κ
11( C
2Nm
2) 11 . 2 × 10
−98 × 10
−11)
GPa
12 (
C 77 173 κ
33( C
2Nm
2) 12 . 6 × 10
−99 . 3 × 10
−11)
GPa
13
(
C 78 170 q
15( m A ) 0 550
) GPa
33
(
C 162 269 . 5 q
31( m A ) 0 580 . 3
) GPa
44 (
C 43 45 . 3 q
33( m A ) 0 699 . 7 )
m C
(
2e
1511 . 6 0 μ
11( Ns
2C
2) 5 × 10
−6590 × 10
−6)
m C
(
2e
31− 4 . 4 0 μ
33( Ns
2C
2) 10 × 10
−6157 × 10
−6)
m C
(
2e
3318 . 6 0
29
30
31
3-2 BaTiO 3
置入CoFe 2 O 4
之壓電壓磁複合材料3-2-1
BTO[ ]
001 置入CFO[ ]
001本節利用 Mori-Tanaka 微觀力學模型與有限元素法探討BTO
[
001]
置入[
001]
CFO 形式之複合材料(圖 3-3),並將其表示為BTO
[
001]
/CFO[
001]
,前者 代表內含物使用之材料和極化方向,後者代表母材使用之材料及其極化方向。其 中,因為Mori-Tanaka 可分析從無內含物到完全充滿內含物之複合材料行為,因 此當f = 0 與 f = 1 時,Mori-Tanaka 模擬所得之曲線可得到內含物與母材之材料 性質。例如本複合材料是以BTO 置入 CFO 的形式,所以當 f = 0 時代表材料還 未置入任何的BTO 而呈現完整的 CFO 性質。因此可取其等效材料性質並與材料 表之CFO 性質(表 2)相互驗證;當 f = 1 時,代表 BTO 完全取代 CFO 並呈現完 整的BTO 性質,此時可取等效材料性質並與材料表之 BTO 性質(表 2)相互驗證。根據材料的性質(表 2),BTO 之彈性係數、磁導率和壓磁耦合常數比 CFO 小。當 BTO 的體積比越大時,材料的等效彈性係數、等效磁導率與等效壓磁耦合常數 趨勢會逐漸變小;CFO 沒有壓電耦合常數且介電常數比 BTO 小,所以當 BTO 的體積比越大,等效壓電耦合常數與等效介電常數會逐漸增加。另外Mori-Tanaka 曲線並非線性狀態,其隨著內含物逐漸增加相對產生變化,此變化是因為複合材 料內壓電與壓磁材料相互耦合伴隨之效應。由材料晶格對稱性(圖 2-1)可知,e 等
15 *
於e 24 *
而e 等於31 *
e ;32 *
q 等於15 * q * 24
而q 等於31 *
q ;32 *
κ 等於11 *
κ ;* 22
μ 等於11 *
μ ;22 *
λ11 *
等於λ 。* 22
複合材料受到外加場產生磁電耦合效應得到等效磁電耦合常數
λ 與作為指 *
標參數的等效磁電電壓係數α * E
。由λ 之結果發現,當提供平均電場 * E 1
給予複 合材料時,BTO 中的e 15
項會參與耦合的行為,而CFO 材料中的q 15
項因應BTO 的耦合行為產生平均磁場H 1
,因此可以得到複合材料的λ ;如果提供平均電* 11
場E 2
,則BTO 中的e 項會參與耦合的行為,而 CFO 材料中的24
q 項會因應24
32
BTO 的耦合行為產生平均磁場
H 2
,因此會得到複合材料的λ ;如果提供平均* 22
電場E 3
,則BTO 中的e 31
、e 32
、e 33
項會參與耦合的行為,而CFO 材料中的q 31
、q 32
、q 33
項會因應BTO 的耦合行為產生平均磁場H 3
,因此會得到複合材料的*
λ 33
。另外指標參數等效磁電電壓係數
α * E
,其模擬結果(圖 3-4)發現當內含物的體 積比f = 0.34 時,在 MT 的曲線中得到α
E* , 11
的極值-0.0306V/cmOe,此時的α
E* , 33
為 0.7644V/cmOe。由於材料晶格對稱性的關係,λ* 22
會等於λ* 11
且κ22 *
會等於κ11 *
,所 以α *
E, 22
也會與α
E* , 11
同在f = 0.34 時有極值-0.0306V/cmOe;當 f = 0.06 時,MT 的 曲線找到α *
E, 33
的極值1.1494V/cmOe,而此時的α
E* , 11
為-0.0119V/cmOe。而λ 最 *
佳處會因為κ 關係,所以不會與 * α * E
一致。當f = 0.87 時,λ * 11
與λ 之極值達至* 22
-7.0038×10-12
Ns/VC。當 f = 0.44 時,λ * 33
之極值達至2.7891×10-12
Ns/VC。根據(2.17)式得知等效性質是由母材、內含物之材料性質、內含物體積比計 算得來。為了比較極化方向組成造成複合材料磁電耦合效應之影響,在此將內含 物體積比固定在BTO
[
001]
/CFO[
001]
產生最佳磁電電壓係數之體積比,藉以比 較極化方向之組合。33
Volume Fraction of Inclusion C
*(P a)
Volume Fraction of Inclusion e
*(C /m
2)
Volume Fraction of Inclusion κ
*(C
2/N m
2)
Volume Fraction of Inclusion q
*( N /A m )
Volume Fraction of Inclusion μ
*(N s
2/C
2)
Volume Fraction of Inclusion
λ
*(N s/ V C )
34
(a)
α * E , 11
、α * E , 22
(b)
α * E , 33
圖3-4 與 f 之關係
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
-0.035 -0.03 -0.025 -0.02 -0.015 -0.01 -0.005 0
Volume Fraction of Inclusion
α * E, 11 , α * E,2 2 (V /c m O e )
MT SQU HEX
BTO[001]/CFO[001]
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2 1.4
Volume Fraction of Inclusion
α * E, 33 (V /c m O e )
MT SQU HEX
BTO[001]/CFO[001]
*
α E
35
由模擬結果得知當 f =0.1、0.2 和 0.8 時有限元素法之正六邊形單位晶胞模擬
* 11 ,
α
E 的結果產生誤差外,其他體積比的模擬值皆和MT 曲線吻合,造成誤差的原 因乃因為當計算體積比過大或過小時,有限元素軟體運算時需耗大量之記憶體超 過本文儀器之極限,因此造成計算上之誤差;正方形單位晶胞的有限元素模型在 f =0.6 和 0.7 時有明顯的誤差,這是因為正方形單位晶胞本身不具有橫向等向性,由於材料的極化方向是沿著纖維
x 3
軸方向,代表複合物的晶面是以x 3
軸為對稱 中心,而α *
E, 11
是探討x 軸上的1
λ* 11
和κ11 *
的關係,所以不具橫向等向性的正方形單 位晶胞在探討垂直對稱軸的平面時容易產生誤差,且當內含物的體積比越大時,誤差越大。
另外當對複合材料施加
E 1
且f = 0.5 時,Mori-Tanaka 得到κ 為 2.3478×1011 * -10
C
2
/Nm2
、λ 為-5.2114×10* 11 -12
Ns/VC 與α E * , 11
為-0.0277V/cmOe。將其用於驗證有限 元素網格求解結果(圖 3-5),得知正方形單位晶胞所選用之網格,其求解結果相 互接近;正六邊形單位晶胞其網格求解結果顯示,較粗化(Coarser)網格之值明顯 離Mori-Tanaka 值很遠,而使用粗化(Coarse)、正常(Normal)與細化(Fine)等網格,求解之值則會接近Mori-Tanaka 值。另外由有限元素解與 Mori-Tanaka 之相對誤 差(表 3)得知,正方形單位晶胞各網格計算κ 、
11 *
λ 和* 11 α * E , 11
產生之誤差約為0.07%~2.85%。正六邊形單位晶胞扣除掉較粗化網格選項,其於網格計算κ 、
11 *
λ 和* 11
* 11 ,
α E
產生之誤差約為0.03%~2%。因此當數值誤差不明顯時,可添加時間因素於 模擬過程中,因此本文之正方形單位晶胞選擇了粗化網格,正六邊形單位晶胞選 擇了正常網格。最後由此案例結果得知有限元素法求解之等效性質和 MT 求得之等效性質 為一致,代表本文有限元素法操作步驟及細部設定是符合整體的基本假設,因此 之後其他複合材料模擬試驗可按照此模組之設定操作。
36
(a) κ
11 *
(b) λ
* 11
(c)
α E * , 11
圖3-5 MT 與有限元素網格之關係
Coarser Coarse Normal Fine
2.36 2.38 2.4 2.42 2.44 2.46 2.48 x 10
-10Predefined Mesh Size κ
* 11(C
2/N m
2)
MT SQU HEX
f = 0.5
Coarser Coarse Normal Fine
-5.4 -5.3 -5.2 -5.1 -5 -4.9 -4.8 -4.7 x 10
-12Predefined Mesh Size λ
* 11(N s/ V C )
MT SQU HEX
f = 0.5
Coarser -28 Coarse Normal Fine
-27 -26 -25 -24
Predefined Mesh Size α
* E,11(m V /c m O e)
MT SQU HEX
f = 0.5
37
表3 有限元素網格與 MT 之相對誤差 正方形單位晶胞與MT 之相對誤差 ( f = 0.5)
較粗化 粗化 正常 細化
元素數量 2627 4788 16747 32708 自由度數量 21045 36785 122615 235155 求解時間(秒/次) 9.01 14.81 143.81 468.91
*
κ 11
2.69% 2.76% 2.71% 2.81%*
λ 11
1.82% 1.61% 1.96% 1.84%* 11 ,
α E
0.84% 1.12% 0.74% 0.94%正六邊形單位晶胞與MT 之相對誤差 ( f = 0.5) 元素數量 1099 1978 5589 11490 自由度數量 9080 16425 43275 86110 求解時間(秒/次) 1.26 2.74 12.03 39.11
*
κ 11
2.41% 0.26% 0.57% 0.67%*
λ 11
8.34% 1.68% 0.07% 0.35%* 11 ,
α E
10.53% 1.93% 0.63% 0.26%38
3-2-2
BTO[ ]
100 置入CFO[ ]
001當BTO 之極化方向是
[
100 的方向而 CFO 之極化方向為] [
001 的時候,則] [
100]
BTO /CFO
[
001]
將得到新的耦合性質。從(3.4)式得知BTO[
100]
之材料性質,將其與BTO
[
001]
之性質相比可觀察出材料對稱性因極化方向改變而產生的變化,例如(3.4)式中的彈性係數C 、
11
C 、12 C 13
、C 33
、C 和44 C 66
會與(3.2)式中的C 33
、C 32
、C 31
、C 、11 C 66
和C 相等;(3.4)式中的壓電耦合常數44
e 、11
e 、12 e 13
、e 26
和e 35
會與(3.2)式中的e 33
、e 32
、e 31
、e 和24 e 15
相等;而(3.4)式中的κ 11
、κ33
、μ 11
和 μ33
會與(3.2)式中的κ33
、κ 11
、μ33
和μ 11
相等。其等效性質(圖 3-6)由
C 之結果可發現,當 f = 0 時呈現 *
CFO[
001]
之彈性係 數與BTO[
001]
/CFO[
001]
有著相同的等效彈性係數起始點,之後隨著內含物的 添加,BTO[
100]
之彈性係數逐漸顯現,所以等效彈性係數逐漸減小,當f = 1 時 完全呈現BTO[
100]
之彈性係數,所以C 11 *
之終點比C 小、33 *
C 之終點比66 * C 44 *
小。由
e *
之結果發現,當f = 0 時因為CFO[
001]
無壓電耦合常數與BTO[
001]
/[
001]
CFO 相同,所以等效壓電耦合常數之起始點為0,隨著內含物的添加
[
100]
BTO 之壓電耦合性質逐漸顯現,等效壓電耦合常數逐漸增加,當f = 1 時完 全呈現BTO
[
100]
之壓電耦合常數性質,且因為[
100 之對稱性關係所以] e 12 *
之曲 線與e 相等。由13 * κ 之結果發現,當 f = 0 時完全呈現 *
CFO[
001]
之介電性質,隨 著內含物增加,BTO[
100]
之介電性質逐漸顯現,等效介電常數逐漸增加,當f = 1 時完全呈現BTO[
100]
之介電性質,所以κ22 *
與κ 33 *
相等,κ11 *
比κ22 *
、κ 33 *
大。由q *
之結果發現,雖然此複合材料使用BTO[
100]
/CFO[
001]
與BTO[
001]
/[
001]
CFO 皆使用CFO
[
001]
,但因為BTO[
100]
/CFO[
001]
整體材料組合結構改 變造成q 與31 *
q 有些微差異。由* 32 μ *
之結果發現,當f = 0 時完全呈現CFO[
001]
之 磁導率性質,隨著內含物增加,等效磁導率隨之減少,當f = 1 呈現BTO[
100]
之 磁導率時,其μ22 *
與μ 33 *
相等,μ11 *
比μ* 22
、μ 33 *
大。39
另外由
λ *
之結果中得知,因為BTO[
100]
材料性質不同於BTO[
001]
,所以 當對複合材料提供平均電場E 1
,則BTO 中的e 、11
e 、12 e 13
項會參與耦合的行為,而從(3.3)式知道CFO
[
001]
材料性質中的q 31
、q 32
、q 33
項因應BTO 的耦合行為 產生平均磁場H 3
,因此得到複合材料的等效磁電耦合係數λ * 13
;如果提供平均 電場E 3
,則BTO 中的e 35
項會參與耦合的行為,而CFO 材料中的q 15
項會因應 BTO 的耦合行為產生平均磁場H 1
,因此會得到複合材料的等效磁電耦合係數*
λ 31
。由於模擬得到主對角線的λ 、
11 *
λ 、* 22 λ * 33
數值比λ * 13
與λ * 31
的千分之一小,因 此視其為0,相對主對角線上的α * E
為0 且κ 13 *
和κ 31 *
為0,所以α *
E, 13
和α *
E, 31
不存在。最後得到
λ 13 *
於f = 0.41 時,極值達至-4.0947×10-10
Ns/VC,λ * 31
於f = 0.88 時,極 值達至-1.5107×10-10
Ns/VC。40
Volume Fraction of Inclusion C
*(P a)
Volume Fraction of Inclusion e
*( C /m
2)
Volume Fraction of Inclusion κ
*(C
2/N m
2)
Volume Fraction of Inclusion q
*(N /A m )
Volume Fraction of Inclusion μ
*(N s
2/C
2)
Volume Fraction of Inclusion
λ
*(N s/ V C )
41
3-2-3
BTO[ ]
001 置入CFO[ ]
100當 CFO 之極化方向是
[
100 的方向而 BTO 之極化方向是] [
001 的時候,則] [
001]
BTO /CFO
[
100]
將得到新的耦合性質(圖 3-7)。從(3.5)式得知CFO[
100]
之 材料性質,將其與CFO[
001]
之性質相比可觀察出材料對稱性因極化方向改變而 產生的變化,在(3.5)式中的彈性係數C 、11
C 、12 C 13
、C 33
、C 和44 C 66
會與(3.3) 式中的C 33
、C 32
、C 31
、C 、11 C 66
和C 相等;在(3.5)式中的壓磁耦合常數44
q 、11
q 、12 q 13
、q 26
和q 35
會與(3.3)式中的q 33
、q 32
、q 31
、q 和24 q 15
相等;而(3.5)式中 的κ 11
、κ33
、μ 11
和μ33
也會與(3.3)式中的κ33
、κ 11
、μ33
和μ 11
。而等效性質(圖 3-7)從
C *
之結果可發現,CFO[
100]
與BTO[
001]
/CFO[
001]
之彈性係數已因為旋轉差異,所以當f = 0 時
C 11 *
比C 小、33 *
C 比66 * C 44 *
小,隨著內 含物增加等效彈性係數逐漸減小,而當f = 1 時,等效彈性係數為BTO[
001]
之彈 性係數且與BTO[
001]
/CFO[
001]
相同。由e *
之結果發現,此複合材料是[
001]
BTO /CFO
[
100]
,其等效壓電耦合常數與BTO[
001]
/CFO[
001]
之等效壓電 耦合常數相同,e 15 *
與e 相等、24 * e 31 *
與e * 32
相等。由κ 之結果發現, *
CFO[
100]
與[
001]
CFO 之介電性質有旋轉差異,當f = 0 時其κ
22 *
與κ 33 *
相等、κ11 *
比κ22 *
、κ 33 *
大,隨著內含物增加,等效介電常數跟著提升,當f = 1 時完全呈現BTO
[
001]
之介電 性質,此時的κ11 *
與κ22 *
相等、κ 33 *
比κ11 *
、κ22 *
大。由q *
之結果發現,CFO[
100]
與[
001]
CFO 之壓磁耦合性質有旋轉差異,當f = 0 時完全呈現CFO
[
100]
之性質,但是因為BTO
[
001]
/CFO[
100]
整體之材料性質組合結構改變,所以當內含物逐 漸增加時,其等效壓磁耦合常數並不像BTO[
001]
/CFO[
001]
之等效壓磁耦合常 數於模擬過程中某幾個元素可保持相等狀態,且等效壓磁耦合常數也逐漸減少,而當f = 1 時完全呈現BTO
[
001]
之性質,即等效壓磁耦合常數為0。由μ *
之結果 發現,當f = 0 時完全呈現CFO[
100]
之磁導率性質,即μ* 22
與μ 33 *
相等,μ11 *
比μ22 *
、*
μ 33
大,隨著內含物增加,等效磁導率隨之減少,當f = 1 則回復到BTO[
001]
之42
磁導率,其μ
11 *
與μ* 22
相等,μ 33 *
比μ11 *
、μ* 22
大。另外
λ *
之結果中得知,由於BTO[
001]
材料性質不同於CFO[
001]
,所以當 對複合材料提供平均磁場H 1
,則CFO 中的q 、11
q 、12 q 13
項會參與耦合的行為,而從(3.2)式知道 BTO 材料性質中的
e 31
、e 32
、e 33
項因應CFO 的耦合行為產生平 均電場E 3
,因此得到複合材料的等效磁電耦合係數λ * 31
;而提供平均磁場H 3
, 則CFO 中的q 35
項會參與耦合的行為,而BTO 材料中的e 15
項因應CFO 的耦合行 為產生平均電場E 1
,因此得到複合材料的等效磁電耦合係數λ 13 *
。由於模擬得到主對角線的λ 、
11 *
λ 、* 22 λ * 33
數值比λ * 13
與λ * 31
的千分之一小,因由於模擬得到主對角線的λ 、