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Ru

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(twinned truncated octahedral Ru

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)上的斷鍵反應

§3-1 前言

氨是目前世界第二大產量的化學製品,全球的產量大部分用來生 產肥料,因為氨是生產尿素的原料,其他的用途尚有製造硝酸、尼龍、

木漿等。現今氨的製造方法是由德國化學家哈柏所開發完成的,以氮 氣、氫氣為原料,以鐵作為催化劑在高溫高壓下化合成氨,當初發展 的目的是找出可靠的氮肥的來源。目前這個方法依然被認為是二十世 紀以來最偉大的發明之一。現代製氨工廠所用的氫,是由天然氣或較 高級的烴類在蒸汽重組器裏產生,由甲烷在高溫下和蒸汽在鎳上面反 應,產生氫、一氧化碳、二氧化碳的混合氣。氮的來源就直接取自空 氣,同時也引進氧氣把一氧化碳氧化成二氧化碳,二氧化碳隨後被吸 收,留下氮、氫流至裝有鐵觸媒的合成塔生成氨,若有殘留氣體則被 循環導入合成塔。

長久以來,在合成氨的反應機構中,氮氣的分解無庸置疑地被認 為是最關鍵的一個步驟1-3,氮氣雖然在空氣中含量豐富,但兩個氮原 子之間的三鍵使得氮氣分子非常穩定,因此一般將氮氣分子解離反應 視為整個合成氨反應機構中的速率決定步驟4-6。傳統上針對此反應均

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利用鐵金屬觸媒進行催化,然而利用鐵觸媒反應時所需的反應溫度較 高近年來科學家們改良使用釕金屬觸媒 8, 9或者鐵釕合金材料 10作為 催化劑催化此反應。除此之外,為了提升氮氣分子活化的催化活性近 年來利用”階梯狀(stepped)”的釕金屬表面催化氮氣斷鍵的實驗以及理 論計算文獻亦相當多 11-19,例如利用階梯狀的 Ru(0001)表面 20 或者 Ru(1121)表面21,研究指出相較於平整的表面而言,在這些階梯狀表 面上的階梯狀構型具備能夠使氮氣分子解離的解離能降低的高活性 達到更有效的氨氣合成反應效率。

隨著奈米科技的蓬勃發展,奈米團簇在近年來相當受到關注,由 於它們不論在光學性質,電子結構,磁性,催化能力等各方面和塊材 結構的金屬都有很大的不同,因此針對奈米團簇的研究探討也是個重 要的研究課題之一 22-26。常見的奈米團簇一般介於 1~2 奈米之間,原 子顆數約為 55 顆至 116 顆,相較純金屬表面而言這種奈米團簇具備 相對高活性與高催化性:例如 Rutger A. van Santen 教授與他的團隊針 對”階梯狀”的 Ru(1121)表面與具”階梯狀”構造的 Ru 1.5 奈米團簇 27 進行 NO 斷鍵的理論計算研究與比較,發現在奈米團簇上的斷鍵活性 能比在表面上的還要小,此外他們團隊亦發現利用 55 顆原子的 Rh 團簇 (Rh55)上能夠將 Rh(111)表面無法催化斷鍵的 CO 分子活化並使 CO 分子在 Rh55團簇上進行斷鍵反應 28。在一般的奈米團簇中常見的

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除了 55 顆原子與 116 顆原子的結構外,79 顆原子組成的奈米團簇也 是一常見的結構,其又能依排列情形再細分為兩種不同的異構物:截 角八面體形(truncated octahedral, 簡寫為 TO)以及雙截角八面體形 (twinned truncated octahedral, 簡寫為 t-TO)。經由 Doye 和 Wales 的理 論計算研究結果29以及 Philippot 和 Chaudret 針對 RuPt 雙金屬團簇進 行 high-resolution electron microscope (HREM)實驗觀察發現 30,雙截 角八面體具備類似”階梯狀”的”類山谷(valley-like)”結構,表示雙截角 八面體可能具備類似”階梯狀”表面的催化特形並且可用其進行相關 的催化反應。

另一方面近年來在微型奈米團簇(sub-nano cluster, 一般小於 20 顆 原子組成)的研究發展上隨著奈米技術越發精進亦逐步開始發展

31-35,在眾多微型奈米團簇的不同構型中,19 顆原子組成的雙二十面

體結構(double-icosahedral, 簡寫為 DI)是為一穩定存在的結構,在一 份理論與實驗研究 36 (研究範圍包含鹼金屬、貴重金屬以及過渡金屬) 的手冊中也指出 19 顆原子雙二十面體的結構能夠被視為是大型奈米 晶體的成長單元。因此無論在計算或者實驗上皆有相關研究 19 顆原 子雙二十面體結構的文獻:例如 Yang 等人利用理論計算的方法研究 雙二十面體的 Pd19奈米團簇活化 O2分子的斷鍵反應37;Blom 等人則 是在實驗上利用 trapped-ion electron diffraction (TIED)技術能夠觀察

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到雙二十面體的 Ag19奈米團簇 38。透過上述文獻的研究結果發現,

雙二十面體的結構亦具備一”類山谷(valley-like)”的結構,並且在某些 理論計算的研究中也證實這個 19 顆雙二十面體的”類山谷”結構確實 能夠更活性地催化一些反應例如前述的 O2分子在 Pd19上的斷鍵反應 以及 Li 等人在 Ru19上催化 CO2斷鍵的反應 39

對於氮氣分子吸附與斷鍵這個氨氣合成中重要的反應機構而 言,在現有的文獻上已經有些許利用釩、鉭以及鋁金屬等微型金屬團 簇進行氮氣分解反應的理論計算研究 40-42。此外 Kerpal 等人43也利用 IR-MPD 光譜探討氮氣在微型中性釕金屬團簇(Run, n=5-16)上的吸附 研究,表示在實驗上亦能夠觀察到此類微小奈米團簇的情形。因此在 本篇研究中,我們將利用第一原理理論計算探討高活性的 19 顆雙二 十面體釕金屬團簇以及 79 顆雙截角八面體釕金屬團簇針對氮氣分子 的吸附與斷鍵進行研究與比較。

§3-2 計算方法

本篇文章中所有分子與金屬團簇的計算皆是使用 Vienna ab initio simulation program(VASP) 44-47計算軟體來進行,而本章計算之高速電 腦除了本實驗室的機房外也使用由國家高速網路與計算中心(NCHC) 所 提 供之 御風 者平 台 。計 算方 法是 採 用密 度泛 函數 理 論 (density

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functional theory, DFT)方法,並搭配以 Perdew-Wang 1991 (PW91) 48 修正過的廣義梯度近似(generalized gradient approximation, GGA)做為 系統之交換關連函數(exchange correlation functional)。為描述系統中 電子的平面波基底函數(plane-waves basis set),我們亦利用 Blochl 等 學者發展之投影綴加波(projector augmented wave, PAW) 49, 50方法來 做系統分子之計算,PAW 是一種全電子(all-electron)的計算方法。計 算過程中為求各個結構能量嚴謹收斂,我們將截止能量(cutoff energy) 設定為 400 eV 做為收斂條件。除此之外布里淵區(Brillouin-zone)則是

利用

Γ-POINTS

51 之設定作為取樣並將分子與金屬團簇放置於一

20×20×20Å3的盒子中,模型中包含三方向皆有大於 10 Å 厚度的真空 層,確保團簇之間無交互作用的干擾。另外,吸附能的計算如下:

E

ads = E[cluster + adsorbate] – (E[cluster] + E[adsorbate])

其中 E[cluster + adsorbate]指的是氣態分子吸附在金屬團簇時系統的 總能;E[cluster] 為金屬團簇的能量;E[adsorbate] 為氣態分子的能量。

在文章中斷鍵反應之過渡狀態的吸附結構和能量是利用 Nudged Elastic Band (NEB) 52-54方法求得。這是一種在不同路徑中尋找出最小 能量路徑(minimum energy path)的方法,示意圖見圖 3-1。過渡狀態的 計算上,我們是利用從反應物結構到產物結構的可能反應位向中,線

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性的插入多個映像(images),在計算此映像時則是將牽涉到反應位向 的原子座標固定住,其餘原子鬆開來做計算。而我們所要的過渡態 (transition state),即是這些映像中能量最高者。根據過渡態理論,此 過渡態與反應物之能量差距,即是所謂的反應活化能。另外,除了找 出能量的最高點外,我們還計算了過渡狀態的頻率,正確的過渡態結 構,其所有振動頻率中只能擁有一個虛頻(imaginary frequency),且振 動方向經過確認,這樣的方法可以確保我們所計算的路徑無誤。

reactant

product transition state

圖 3-1. NEB 模擬斷鍵過渡狀態示意圖。事先得知反應物(reactant)與產物(product) 的結構,並在路徑中沿線創造出數個映像,鎖住欲斷鍵的兩個原子,計算出每個 映像的能量,找到能量最高點後,利用計算虛頻的方式來確認此路徑的正確性。

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§3-3 氮 氣 分 子 在 19 顆 雙 二 十 面 體 釕 金 屬 奈 米 團 簇 (Double- icosahedral Ru19, DI-Ru19) 上的斷鍵反應研究

§3-3-1:氮氣分子在 19 顆雙二十面體釕金屬奈米團簇的吸附探討 首先在雙二十面體釕金屬奈米團簇的結構組成部分,如圖 3-2 所 示,整個團簇中心是由兩個釕原子作為團簇的核部分(core)以及 17 個 釕原子包圍在外作為團簇的殼部分(shell)。此外如圖 3-2 (a)所示其外 部的釕原子依照不同排列與配位數能夠再細分為三種不同環境: (A) 頭尾兩個坐落於圓椎軸的頂點位置的釕原子、(B) 兩個分別由 5 個釕 原子所組成的對稱五圓環結構以及(C) 由五個釕原子組成,並與兩個 (B)位置的五圓環呈現交錯(anti)的結構使得整個雙二十面體的結構中 間具有一個凹陷型菱形的結構(或稱”類山谷(valley-like)”結構),其中 每個 BCBC 之間的二面角為 156.8o。圖 3-2 (b)更進一步地顯示在雙二 十面體釕金屬奈米團簇上的吸附位置分析,若是吸附物吸附於 A、B 與 C 的頂點上定義為 T1,T2與 T3位置(單配位);T1和 T2中間橋架的 位置定義為 B1(雙配位),依此類推 B2和 B3位置則分別是 T2—T2和 T2—T3之間的橋架位置,T3—T3之間的橋架位置由於在較深的內側因 此不利於吸附;若是吸附物吸附於由三個原子構成的 Hollow 位置(三 配位)則依照不同的排列位置可依序定義為 H1、H2及 H3等吸附位置。

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圖 3-2. (a) 雙二十面體釕金屬奈米團簇(double icosahedral Ru19 cluster (DI-Ru19)) 的側視圖, A、B 與 C 分別代表結構中不同層數的原子。(b) 團簇上各種不同可

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在,其吸附能分別為-0.82 eV 和-0.61 eV,鍵長則都是 1.15 Å ,吸 附於 B3的吸附結構會不穩定因而在結構計算優化後會轉移吸附到 T3

位置;同樣地氮氣分子若是吸附在 H1、H2以及 H3位置時亦會因不穩 定最終轉移吸附至 T1、T2以及 T3位置,詳細的吸附數據則記錄於表 3-1 中。

圖 3-3 氮氣分子以直立吸附(end-on)方式吸附於雙二十面體釕金屬奈米團簇的吸 附結構圖,分別是在(a) T1,(b) T2,(c) T3,(d) B1以及(e) B2等位置上。

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在氮氣分子利用橫躺吸附在雙二十面體釕金屬奈米團簇上的吸 附結構則可以依照五種不同位置的吸附來探討,分別是 TBT、Top、

THB、HH 以及 BHB 等位置。圖 3-4 (a)-(f)分別是為 N2以橫躺吸附吸 附於 TBT 和 Top 的結構圖,(g)-(m)則是吸附於 THB、HH 以及 BHB 位置的結構圖。其中 TBT 代表 N2分子橫躺時以兩端的氮各接觸釕金 屬團簇上的兩個不同的釕原子而整個 N2分子是躺在 Bridge 位置上,

依照 N2接觸的釕原子不同可再細分為 TBT1(T1-B1-T1)、TBT2(T2-B2-T2) 以及 TBT3(T2-B3-T3)三種結構,吸附能分別是為-1.08 eV、-1.09 eV 和-0.85 eV,N2鍵長則被更為活化至 1.19 Å -1.20 Å。 N2利用 side-on 方式吸附於 T1、T2以及 T3位置的吸附能分別為-0.81 eV、-0.44 eV 與-0.41 eV,相較於 N2以 end-on 方式吸附的情況以 side-on 吸附於

依照 N2接觸的釕原子不同可再細分為 TBT1(T1-B1-T1)、TBT2(T2-B2-T2) 以及 TBT3(T2-B3-T3)三種結構,吸附能分別是為-1.08 eV、-1.09 eV 和-0.85 eV,N2鍵長則被更為活化至 1.19 Å -1.20 Å。 N2利用 side-on 方式吸附於 T1、T2以及 T3位置的吸附能分別為-0.81 eV、-0.44 eV 與-0.41 eV,相較於 N2以 end-on 方式吸附的情況以 side-on 吸附於