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第一章 導論

1.2 論文組織

本篇論文所要實現是 24GHz FMCW 汽車防撞雷達電路,如圖(1.1)將 採用 CMOS 製程技術來設計 24GHz 降頻混波器(Mixer)與 24GHz 低雜訊 放大器(low noise amplifier ; LNA),第二章我們先對一些高頻參數 做介紹,第三章我們先討論一些混波器的原理與設計流程跟考量,第 四章我們在探討低雜訊放大器(LNA)的原理與設計的流程與考量,第 五章我們再對各個電路設計實作個總結。

圖(1.1) 24GHz FMCW 汽車防撞雷達電路, LPF 24

GHz LNA 24 GHz

Mixer

AGC

DSP

Linear ramp controller

24 GHz VCO

24

GHz PA

BPF

第二章

射頻參數介紹

2.1 射頻電路設計規格與需求

整個 RF 接收發機可以分成

前端(Front-end)

-switch ,duplexer.

接收機(Receiver)

- LNA , Mixer,Variable Gain Amplifier (VAG).

- Balun,SAW filter,baseband filter.

發射機(Transmitter)

-PA,Pre-amplifier,Mixer.

頻率合成器(Frequency synthesizer)

-Phase-locked loop (integer-N ,fraction-N).

-Phase/Frequency detector(PFD),VCO ,divider.

整個接收發機我們會考量特性如下

接收機(Receiver)考慮:

我們在來對接收機的考量做個簡單的介紹:

(1) Noise figure (2) Sensitivity

(3) Maximum received power (4) Dynamic Range

(5) Receiver Power Gain (6) AGC range

(7) RSSI range

(8) Image Rejection ratio (9) Selectivity

(10) Constellation Error , EVM

發射機(Transmitter)考慮:

(1) Output power (2) P1dB

(3) IP3

(4) Spurious Emission

(5) Constellation Error, EVM

(6) Two-Tone intermodulation Distortion (7) Phase noise

我們再對整個射頻電路元件所需考量特性參對做個介紹

濾波器(filter)

(1) 中心頻率(center frequency) (2) 回波損耗(return loss)

(3) 差入損耗(insertion loss)

(4) 3dB 頻寬(3dB band width) (5) 截止頻帶抑制(band rejection) (6) 波型因子(shape factor)

低雜訊放大器 (low noise amplifier ; LNA)

(1) 雜訊指數(noise figure ; NF)

(2) 增益(gain)

(3) 輸入與輸出回波損耗(input and output return loss) (4) 隔離度 (isolation)

(5) 輸入三階交叉點(Third - order Input Intercept Point ; IIP3) (6) 輸入 1dB 壓縮點 (input 1dB compression point ;IP1dB)

(7) 穩定係數 (stability factor;μ)

混頻器 (mixer)

(1) 轉換增益(conversion gain)

(2) 雜訊指數(NF) (3) 三階交叉點(

IP

3)

(4) 1dB 功率飽和點(P1dB

(5) 頻率與頻寬 (frequency and bandwidth):

(6) 本地振盪功率(LO power):

(7) 隔離度 (isolation)

(8) 鏡像消除 (image-rejection)

功率放大器(power amplifier)

(1) 輸出功率(output power) (2) 輸出 1dB 功率飽和點(OIP1dB) (3) 輸出三階交叉點(OIP3)

(4) 增益與增益平坦度(gain and gain flatness) (5) 功率增加效率(power added efficiency ; PAE)

(6) 鄰近通道功率比例(adjacent channel power ratio ; ACPR) (7) 錯誤向量幅度(error vector magnitude ; EVM)

(8) 頻寬(bandwidth ; BW)

(9) 穩定係數(stability factor; μ)

電壓控制振盪器(voltage control oscillator ;VCO)

(1) 相位雜訊(phase noise) (2) 輸出功率(output power)

(3) 功率消耗(power consumption)

(4) 頻率可調範圍(frequency turn range) (5) 品質因素(figure of merit ;FOM)

2.2 高頻重要參數

ㄧ個系統(system)處理的訊號不外乎訊號的擴大(amplification),

與頻率的轉換(frequency conversion),最主要的設計能夠處理大的 範圍,其中包含兩個重要的因素:

-失真(distortion):最大訊號的水平.

-靈敏度(sensitivity):最小可以檢測(detectable)的信號的水平.

重要因素分別分別包括在線性(linear)系統、非線性(nonlinear)的 系統線性度(linearity)產生失真(distortion)、雜訊(noise)靈敏度 及動態範圍(dynamic range)、交互調變(intermodulation)做描述。

2.2.1 線性度(linearity)

在一線性系統(linear system)輸出等比例對應到輸入,輸入關係如

示意圖如圖(2.1)所示。

圖(2.1) 非線性系統之輸出與輸入關係

幾乎所有的主動元件(active device)都是非線性的,而ㄧ個線性的 系統不足以表示電路小訊號跟大訊號的系統響應,觀察 BJT 或 CMOS 放 大器電路(amplifier circuit)中的大訊號分析,電路通常會顯示一 非線性輸入與輸出關係,如圖(2.2)所示,BJT 輸入電壓Vin對應輸出電 流Ic關係,如式子(2-2)Ic做泰勒級式(Taylor polynomial)展開。如 圖(2.3)所示 CMOS 輸入電壓Vin對轉導Gm(transcoductance)關係,如 式子(2-3)ID做泰勒級式展開。

( )

1

( )

2* ( )2 3( ) ( ) ...3 y t = ∗a x t +a x t +a t x t +

amplifier circuit

( ) x t

I c

V

in

in BQ s

V = V + v

log I

V

BE

BE T

V V

C CO

I = I e

圖(2.2) BJT 輸出電流對輸入電壓關係

圖(2.3) CMOS 轉導對輸入電壓關係 2.2.2 諧波(Harmonics)

在式子(2-1)中假設輸入x t

( )

=Acosωt,帶入(2-1)可得:

在(2-4)中的輸出訊號頻率包括ω、2ω及3ω。其中第一項稱作直流 項(DC term),ω項稱作基頻項(fundamental term),而2ω與3ω等高 階項稱作諧波項(harmonics terms)。ㄧ般來說諧波項通常小於基頻 項,如圖(2.4)所示,對信號的影響有限,但隨著輸入訊號的增強,也 相對增強了諧波訊號的振幅而間接影響到接收機接收訊號的能力,因 此,如何去抑制諧波訊號對系統所造成的影響是相當重要的。

圖(2.4) 信號經過非線性系統的輸出 2.2.3 1dB 增益壓縮點(1dB Gain Compression)

線性系統,電路的增益應為一固定值,也就是輸入功率與輸出功率 的曲線關係應為一直線,而接收機之非線性系統中,因為所有的主動 元件都是非線性,並非隨著輸入功率的增加,輸出功率而增加,而會 漸漸趨近飽和,使得輸出功率與輸入功率不再是固定的直線關係,而 有所改變,因此當輸入訊號振幅逐漸增加時,其系統增益將遭到抑制 或稱飽和此現象稱作增益抑制。為了瞭解增益抑制程度,因此當輸出

ω

3 3

3 4 a A

DC ω 2 ω 3 ω

A

Memoryless Nonlinearity

a A 1

0.5a A

2 2

0.5a A

0.25a A

3

0

小訊號電壓增益與線性輸出差1dB時輸入訊號大小,定義為1dB抑制 點(1dB compression point),其示意圖如圖(2.5)

圖(2.5) 1

dB

抑制點之示意圖

2.2.4 交互調變(Intermodulation;IMD)

當非線性系統之輸入訊號為兩不同頻率之弦波訊號時,則輸出訊號

( )

1cos 1 2cos 2 調變(third-order IMD)掉入我們想要頻帶(wanted band)內,假如有 一個很弱的通道訊號伴隨著很強的兩個干擾,經由一個非線性系統

(如低雜訊放大器),則經過交互調變之後可能產生不想要的第三階 乘 積 項 落 在 感 興 趣 的 頻 帶 上 。 如 此 具 爭 議 性 的 第 三 階 交 互 調 變 (third-order intermodulation,IMD3),會與基頻項相交於一點,在 此定義為第三階交叉點(third intercept point),也稱作IP3,示 意圖如圖(2.6)所示,如果在 low IF 或是寬頻的接收機架構下就要考

cos cos cos cos

cos cos

IP2(Second intercept point),那一項在也不是離我們想要的

-Second order IMD

-Third order IMD

比較IP1dB抑制點與IIP3之間的關係

2.3 雜訊指數(Noise Figure ;NF)

射頻訊號自天線接收時相當微弱,因此設計者必須謹慎地設計射頻 前置(RF front-end)電路,以將電路貢獻之雜訊降至最低。因此在 通訊系統中表達此雜訊程度的參數稱作雜訊指數(noise factor ;F) ,雜訊指數表示訊號雜訊比(signal-to-noise ratio;SNR),經過電路 降低的程度,如圖(2.8)所示。而雜訊指數定義為系統在輸出端總雜 訊功率與輸入訊號源在輸出端造成的雜訊功率比,表示如(2-17)

圖(2.9) 雜訊指數示意圖

(2-17) 2.4 靈敏度(Sensitivity)

系統的靈敏度定義為系統可偵測到的最小(輸入)訊號準位。最小 可偵測訊號(Minimum detectable signal)最小可偵測訊號功率可 表示成

N Total ouput noise power N G N N

N ouput noise power due to input source

= ≥ ⇒ =

其中PRS為訊號源阻抗貢獻之雜訊功率、NF為系統雜訊指數、B為訊

dBm Hz room temperature

= =

2.5 動態範圍(Dynamic Range)

動態範圍定義為電路提供合理訊號品質下,可容忍最大輸入準 位與系統可接受最小輸入訊號準位之比例。如圖(2.9)所示,對功率 放大器(PA)而言,功率的範圍限制最低在雜訊底層,最高到1dB 壓縮 點此範圍稱為線性動態範圍(linear dynamic range;LDR)。對低雜訊 放大器(LNA)與混波器(Mixer)而言,範圍限制最低到雜訊底層,最高 到最大的功率水平意指 IMD 點,IMD 點已經變的不可接受,此範圍稱為 無 雜 波 動 態 範 圍 (spurious free dynamic range;SFDR), 如 式 子

(2-21),示意圖如圖(2.9)所示:

2.6 串接系統(Cascaded Stages)

2.6.1 非線性之串接系統

(2-22)

第三章

24GHz 混頻器

3.1 簡介

混波器在接收機中,扮演一個很重要的角色。在本章節我們用 Marchand balun 產生雙端的訊號分別置於 LO 與 RF 端,ㄧ般而言,RF 與 LO 端 differential 輸入相位差 180 度,差動輸出很重要,這樣可以 抑制偶次項諧波(even order harmonic),而 Gilbert-cell 為雙平衡 混波器(doubly-balance Mixer),其優點具有轉換增益(conversion gain;CG),相較被動而言,需較低的 LO power,好的 RF 對 LO、LO 對 RF、

LO 對 IF 的隔離度(isolation),對混波器的隔離度會有相當的影響。

依據不同系統需求,需要好的線性度,採用被動(passive)混波器;如 需要的增益與隔離度,採用主動式(active)混頻器來分擔整體接收系 統上各級電路的增益負擔;LO 漏 RF 的訊號將經低雜訊放大器洩露至 天線(antenna)端,因而輻射(radiation)或是造成電路直流工作點的 偏移(DC offset),甚而反射回混頻器和 LO 訊號混頻造成自我混頻 (self-mixing);倘若 LO 對 IF 隔離度不佳,則 LO 洩漏訊號將後級的 電路推向飽和;所以本論文採用雙平衡式混頻器的架構以減少隔離度 所造成不良之影響且提高電路增益。另外,混頻器的雜訊指數並不是 很要求,因其前級為低雜訊放大器能有效降低整體系統雜訊指數。

3.2 主動混波器的原理 3.2.1 混頻(mixing)的原理

混波器為一種頻率轉換的的元件,利用輸出入訊號之間非線性關係

3.2.2 單端平衡混頻器(signal-balance mixer)

單端平衡式混波器因為乘法而產生混頻(frequency mixing)功能, 如圖(3.3)所示,使用開關(switch)實現乘法器

我們以 CMOS 單端平衡混頻器為例,如圖(3.4),電路末端電流源, 當做轉導級(transconducer stage),將VRF轉成IRF

,

轉導級可以用共 源級(Common Source;CS)或是共閘級(Common Gate;CG)放大器來實現, 如圖(3.5)。

於圖(3.4)中,M1為接收 LNA 的射頻訊號VRF

,乘上gm1 轉為電流信 conversion gain)可以表示為(3-2):

(3-2) 架構源級電阻Rsig (source resistance), 轉導 1

1

3.2.3 雙平衡混頻器(double-balance mixer)

雙平衡式混頻器可以視為兩個單平衡混頻器,如圖(3.7)所示,最底 下為一電流源(current source)為一驅動級(drive stage),目的穩定 輸入信號變化,因為 1 2

M M 為切換級(switching stage), 經交叉耦合至負載極差動輸 出,RL為輸出級(output stage) 將 RF 電流訊號轉成電壓降頻至中

雙平衡混波器混頻,如圖(3.7)所示,RF、LO端輸入都是平衡訊號假

忽略較高次項諧波,在式子(3-12)取想要中頻訊號(ωIFRF −ωLO), 可得:

4

cos( )

IF IF L m RF L RF LO

v I R g v R ω ω t

= ≈π × − (3-13)

由式子(3-13)可知其電壓轉換增益(voltage conversion gain)為:

2

m L

voltage CG g R

=

π

(3-14) 因此可知雙平衡混波器在IF 輸出端無LO 的頻率項存在,理想上雙 平衡混波器有良好的LO對RF、LO對IF隔離度。除此之外,雙平衡混波 器可抑制RF和LO訊號的偶次項諧波,奇次項諧波多兩倍。但電路較為 複雜,雜訊指數較單端平衡混波器略高,在相同的轉換增益下,功率 消耗是單端平衡混波器的兩倍。

3.3 24GHz CMOS Marchand balun 設計與實現

本電路設計利用本電路利用了TSMC 0.18μm CMOS 製程技術,實現 一個中心頻率在24GHz左右的吉伯特降頻混頻器。為了減少量測上的 不便,在混頻器的LO、RF均為單端輸入。在RF、LO 端採用下一節將 會提到的Marchand balun 來將不平衡信號轉為平衡式的訊號,而IF 端則應用source follower架構,把高阻抗拉到低阻抗,來當做一個輸 出緩衝(Buffer),將diffrenctial 訊號方式輸出,因為雙端取出電壓 訊號可以多兩倍(

6dB

),輸出power多2倍(

3dB

)。

3.3.1 Marchand balun 理論分析

Balun(unbalance to balanced),一相位分離成兩個不同的相位, 通常採單端訊號輸入,如圖(3.8)所示

圖(3.8) Balun示意圖

Bulun 可 分 成 主 動 (passive) 與 被 動 (active), 被 動 通 常 窄 頻 (narrowband)RC,LC 網 路 構 成 , 或 是 寬 頻 (wideband band) 微 帶 線 (microstrip line)形式:主動有單顆晶體(single transistor),共閘 (common-gate) 接 共 源 級 (common-source) 電 路 , 差 動 對 放 大 器 (differential-pair amplifier)。

如圖(3.8)所示,port2與port3對振幅(amplitude)與相位(phase)要 求:

(3-15) port1 輸 入 阻 抗 需 匹 配 ,port2 與 port3 需 要 好 的 輸 出 回 授 損 失 (output return loss)與需要匹配輸出阻抗(output impedance),隔 離度(isolation)。

Marchand Balun 構成由兩組耦合線構成,在中心頻長度為 4 λ ,線

跟線 之間有 著耦合 係數 (coupling coefficients ;C) 與傳輸係數 transmission coefficients;T),而兩者滿足(3-16):

( )

C T nonideal

⎧ + =

⎪⎨

+ ≤

⎪⎩ (3-16) 我們最在這是論文實作的Marchand balun ,架構是一個開路端 (open),兩個短路端(short) ,如圖(3.9)所示:

圖(3.9) Marchand Balun 架構圖

接著我們來討論各個 port 之間 S 參數與傳輸係數 T 和偶合係數 C 之

port port 3

2 2 2 2 2

圖(3.13) Marchand Balun S21分析

port port 3

open

圖(3.15) Marchand Balun S23分析

圖(3.16) Marchand Balun S32分析

由圖(3.15)(3.16)以上分析得知S23S32,兩個參數為隔離度,從數學 來看為互易(reciprocal)關係,與耦合係數 C 息息相關,我們希望 port 2 與 port 3 信號不要互相影響,這是我們應該做取捨。

port port 3

open

3.3.2 Marchand balun 模擬

設計Marchand balun 時,耦合線在中心頻長度為 4

λ ,因此,若以

微帶線式耦合線(Microstrip Line)、以edge couple方式來實現,以 螺旋型線圈式或變壓器(transformer)型式之耦合線來實現,除了能 夠縮小其面積,也能靠傳輸線間增加互相耦合以減少微帶線的長度。

這 是 設 計 將 以 Transformer 型 態 繞 轉 , 可 以 增 加 其 互 感 (mutual inductance)及互耦(mutual capacitance),在相同長度的微帶線,

以繞線圈型的共振頻率比直線型還低,故變壓器型態的架構擁有比較 小的尺寸。

圖(3.17) 變壓器形式 Marchand balun

λ/ 4 λ/ 4

1 Port

2

Port Port 3

open

1 Port

2

Port Port 3

Marchand Balun,其輸入阻抗為一電感性,因為要銜接於混頻器轉 導極 MOS 的閘極端,其輸入阻抗為一電容性,所以模擬時要做到比較 高頻,因為電容性,銜接之後,其共振頻率會往低頻移動;正確做法應

Marchand Balun,其輸入阻抗為一電感性,因為要銜接於混頻器轉 導極 MOS 的閘極端,其輸入阻抗為一電容性,所以模擬時要做到比較 高頻,因為電容性,銜接之後,其共振頻率會往低頻移動;正確做法應

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