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能源國家型科技計畫太陽能(有機+無機)子項推動及管理計畫(III)

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Academic year: 2021

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(1)

行政院國家科學委員會專題研究計畫 期末報告

能源國家型科技計畫太陽能(有機+無機)子項推動及管理計

畫(III)

計 畫 類 別 : 個別型 計 畫 編 號 : NSC 101-3113-P-009-003- 執 行 期 間 : 101 年 04 月 01 日至 102 年 03 月 31 日 執 行 單 位 : 國立交通大學光電工程學系(所) 計 畫 主 持 人 : 蔡娟娟 計畫參與人員: 碩士級-專任助理人員:陳玠潾 公 開 資 訊 : 本計畫可公開查詢

中 華 民 國 102 年 06 月 18 日

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中 文 摘 要 : 太陽電能(有機與無機)的規劃分為半導體太陽電池與有機太 陽電池,以模組與零組件為技術目標。本計畫期望透過堅強 的產學合作平台,結合產學研之能量,加強與國外技術合 作,研發我國自主技術,致力於太陽光電產業核心技術之研 發。考量我國科技獨特特色,規劃重點研究課題,加強基礎 研究,培育產業科技人才與進行專利智權佈局。 中文關鍵詞: 無機太陽電池、有機太陽電池、半導體太陽電池、高聚光太 陽光發電系統、聚焦型太陽熱發電系統、矽晶太陽電池、矽 基薄膜太陽電池、環保型 (Cd-free) 高效率 CIGS (CIS) 薄 膜太陽能電池

英 文 摘 要 : The planning for the National Science and Technology Program on Energy is divided into semiconductor solar cell and organic solar cell. The target is to develop module and component technology for practical solar cell applications. The project expects to integrate the resources of industry, academy and research institute through the platform of cooperative research. It is also going to collaborate oversea countries to develop our own technologies.

Considering our specialty of technologies, the scheme will focus on the planning of major topics, reinforce fundamental research, training talents in industrial and proceeding IP overall arrangement.

英文關鍵詞: Semiconductor Solar Cell, Organic Solar Cell, High Concentration Photovoltaic (HCPV), Concentration Solar Power (CSP), Crystalline Silicon Solar Cell, Silicon Based Thin-Film Solar Cell, Cd-Free CIGS

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行政院國家科學委員會補助專題研究計畫

□期中進度報告

■期末報告

能源國家型科技計畫太陽能(有機+無機)子項推動及管理計畫(III)

計畫類別:■個別型計畫 □整合型計畫

計畫編號:NSC 101-3113-P-009-003

執行期間: 101 年 4 月 1 日至 102 年 3 月 31 日

執行機構及系所:國立交通大學

計畫主持人:蔡娟娟 教授

共同主持人:

計畫參與人員:

本計畫除繳交成果報告外,另含下列出國報告,共 ___ 份:

□移地研究心得報告

□出席國際學術會議心得報告

□國際合作研究計畫國外研究報告

處理方式:除列管計畫及下列情形者外,得立即公開查詢

□涉及專利或其他智慧財產權,□一年□二年後可公開查詢

中 華 民 國 102 年 6 月 18 日

(4)

目錄

目錄……… I

中英文摘要及關鍵詞………II

報告內容……… 1

壹、 基本資料:……… 1

貳、 計畫目的、計畫架構與主要內容……… 1

參、 計畫已獲得之主要成果與重大突破就計畫預期目標及KPI來作重點說明

(含質化與量化成果outputs)……….18

肆、 主要成就與成果所產生之價值與影響 (outcomes)………19

伍、 本年計畫經費與人力執行情形………21

陸、 與相關計畫(包含分項下其他計畫)之配合……….24

柒、 後續工作構想之重點………27

捌、 檢討與展望………27

計畫成果自評………29

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中英文摘要及關鍵詞

中文關鍵詞 (限 200 個中文字,包含 空白) 無機太陽電池、有機太陽電池、半導體太陽電池、高聚光太陽光發 電系統、聚焦型太陽熱發電系統、矽晶太陽電池、矽基薄膜太陽電 池、環保型 (Cd-free) 高效率 CIGS (CIS) 薄膜太陽能電池

中文摘要 (限 1200 個中文字,包含 空白) 太陽電能(有機與無機)的規劃分為半導體太陽電池與有機太陽電 池,以模組與零組件為技術目標。本計畫期望透過堅強的產學合作 平台,結合產學研之能量,加強與國外技術合作,研發我國自主技 術,致力於太陽光電產業核心技術之研發。考量我國科技獨特特 色,規劃重點研究課題,加強基礎研究,培育產業科技人才與進行 專利智權佈局。 英文關鍵詞 (限 400 字元,包含空白)

Semiconductor Solar Cell, Organic Solar Cell, High Concentration Photovoltaic (HCPV), Concentration Solar Power (CSP), Crystalline Silicon Solar Cell, Silicon Based Thin-Film Solar Cell, Cd-Free CIGS 英文摘要

(限 2000 字元,包含空白)

The planning for the National Science and Technology Program on Energy is divided into semiconductor solar cell and organic solar cell. The target is to develop module and component technology for practical solar cell applications. The project expects to integrate the resources of industry, academy and research institute through the platform of cooperative research. It is also going to collaborate oversea countries to develop our own technologies. Considering our specialty of technologies, the scheme will focus on the planning of major topics, reinforce fundamental research, training talents in industrial and proceeding IP overall arrangement.

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報告內容

壹、 基本資料:

計畫名稱:能源國家型科技計畫太陽能(有機+無機)子項推動及管理計畫(III)

主 持 人: 蔡娟娟 教授

審議編號: NSC 101-3113-P-009 -003 -

計畫期間(全程):101 年 4 月 1 日至 102 年 3 月 31 日

計畫目前執行:101 年 4 月 1 日至 102 年 3 月 31 日

年度經費: 905 千元 全程經費規劃: 905 千元

執行單位: 國立交通大學

貳、 計畫目的、計畫架構與主要內容

一、 計畫目的與預期成效:

(1) 計畫依據與內容摘要 全球人口與 GDP 持續朝正成長的方向發展下,對能源的需求量亦隨之快速成長。再加上全球石化 原料蘊藏量有限,導致能源價格高漲及地球暖化等議題,使得再生能源的需求與利用比重的提昇受到 重視。台灣之能源自給率低,現階段大多數的能源必須靠國外進口,隨著國際能源價格節節高漲,我 國不論是在民生需求、自然環境、經濟產業、國家安全等各層面皆面臨重大的挑戰。為與國際能源趨 勢接軌,台灣目前必須積極投入綠色能源開發與綠色能源產業等建設。目前而言,各種再生能源中僅 太陽能電池為一種將太陽光直接轉換為電能(太陽電能)之光電元件,一旦當石油枯竭,最直接能夠應用 在一般日常生活所需的能源,也因此太陽光電的使用最受矚目,這也是歐盟持續注重太陽光電研究之 理由。 能源國家型科技計畫之太陽光電子項是以推動台灣太陽光電技術提升、提高產業競爭力的重要推 動計畫。以模組與零組件為技術目標,並依據不同的太陽電池技術內容,可區分為半導體太陽電池與 有機太陽電池兩部份,半導體太陽電池涵蓋:矽晶、矽薄膜、CIGS(CIS)薄膜、化合物(III-V 族)太陽電 池技術;有機太陽能電池則包括染料敏化與高分子太陽電池技術。 本計畫期望透過堅強的產學合作平台,結合產學研之能量,加強與國外技術合作,研發我國自主 技術,致力於太陽光電產業核心技術之研發。考量我國科技獨特特色,以實際對產業貢獻為考量,規 劃重點研究課題,加強基礎研究,培育產業科技人才與進行專利智權佈局,並促進技術移轉與廠商投 資。 (2) 計畫全程之具體目標 1. 完成 101 年度能源國家型科技計畫各季季報之收集與彙整。記錄發表之學術研究成果,包括國內 外期刊與研討會論文,並統計非學術性成就與效益,包括:a.博碩士研究生參與研究計畫之情形、 獲得之國內外專利。b.產業推動方面,廠商之技術轉移、獲得之授權金與促進廠商之投資規模。 此季報所之最終彙整結果,送立法院與監察院等機關備查。 2. 完成期中、期末評估與彙整:配合國科會與能源國家型計畫辦公室作業,於國科會場舉辦期中與 期末審查,並於審查會議中對各計畫主持人提供意見與交流。

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3. 針對國內太陽光電產業之發展,提出能源國家型科技前瞻-太陽光電之缺口項目,公告構想書徵求 並召集委員審查。 4. 向國科會提出 102 年度推薦之計畫,再由國科會進行進一步的計劃書審查與核定作業。 5. 參與能源國家型科技計畫各季工作小組會議,於會議中提報計畫執行現況。 6. 提供季報收取及彙整經驗,並協助能源國家型科技計畫內部資料庫建立之規劃,使未來計畫資料 的收集及彙整能夠更加有效率。 7. 建置計畫清單。 8. 配合進行能源國家型計畫辦公室參加台灣國際綠色產業展之參展籌備與邀請相關事宜。

二、 計畫實際達成度與預期目標之差異

(1) 推動管理性計畫實際達成之成效 1. 進行 101 年度一~四季季報之彙整工作。 2. 完成 101 年度之期中、期末評估與彙整:配合國科會與能源國家型計畫辦公室作業,於 101 年 9 月舉辦期中審查、102 年 2 月舉辦期末審查,並於審查會議中對各計畫主持人提供意見與交流。 3. 針對國內太陽光電產業之發展,提出能源國家型科技前瞻-太陽光電之缺口項目,於向國科會提出 102 年度推薦之計畫,再由國科會進行進一步的計劃書審查與核定作業。 4. 101 年度台灣國際綠色產業展太陽光電子項之參展籌備。 5. 協助參與 101 年度各季工作小組會議,包含投影片經費核對之部分。 6. 協助總辦定期更新計畫資料。 7. 太陽電池轉換效率目標:  矽晶太陽電池:研發高轉換效率、低成本矽晶太陽電池與模組技術。目標 2013 年轉換效率達 多晶矽 18%、單晶矽 20%。  矽薄膜太陽電池:研發多接面之高轉換效率矽薄膜太陽電池、開發高沉積速率之微晶矽以達 到低成本之要求等。目標 2013 年轉換效率達 14%。

 環保型 (Cd-free) 高效率 CIGS (CIS) 薄膜太陽能電池:開發具量產性之環保型(Cd-free)技術。 目標 2013 年轉換效率達 15%。  新概念或新材料太陽光電之前瞻性研究:如奈米結構、量子點等之新結構或新材料太陽電池。  聚光型高效率Ⅲ-V 族太陽電池:目標 2013 年 III-V 族多接面太陽電池效率達 40%。 (2) 有機太陽光電子項之計畫成果 項目 年度目標 年度衡量指標 實際達成度 高 效 率 染 料 敏 化 太 陽 能 電 池 之 整 合 研究 期刊論文 11 篇 期刊論文 11 篇 100% 專利 8 件 專利 8 件 100% 碩博士培育 25 位 碩博士培育 25 位 100% 高 效 能 第 三 代 太 陽 能 電 池的開發 論文 21 篇 論文 21 篇 100% 專利 1 個 專利 1 個 100% 技轉 1 件 技轉 1 件 100% 技術創新 1 項 技術創新 1 項 100% 與分項計畫依合作 1 篇 與分項計畫依合作 1 篇 100% 高 效 率 高 分 子 太 陽 能 電

發表 SCI 論文 5-10 篇 發表 SCI 論文 5-10 篇 發表 SCI 論文 18 篇

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池:分子設計 合成、奈米結 構 控 制 及 元 件工程 元件效率大於 8 % 元件效率大於 8 % 目前元件效率 7 %,製作出可撓曲式 有機太陽能電池效率可達 6% 有 機 無 機 混 成 薄 膜 太 陽 能電池 混成太陽能電池之創新 材料研究 效率達 6% 轉換效率超過效率達 6.12%之有機 太陽能電池 SCI 論文 5 篇 SCI 論文 13 篇 專利 2 件 申請專利 2 件,獲得 6 件 訓練碩士 10 位,博士 5 位 訓練碩士 9 位,博士 5 位 三明治結構混成薄膜太 陽能電池之創新研究 達 成 轉 換 效 率 超 過 10%有機導電材料與矽 奈米線異質接面太陽能 電池。 達成轉換效率超過 10%有機導電材 料與矽奈米線異質接面太陽能電池。 已開發的元件即使不經 封裝也可在大氣下存放 超過 17500 小時並效率 維 持 其 原 本 的 95% 以 上。 已開發的元件即使不經封裝也可在 大氣下存放超過 17500 小時並效率 維持其原本的 95%以上。 蒸鍍電洞傳輸層製程轉 化為溶液旋鍍製程,且 元件轉換效率超過 4%。 蒸鍍電洞傳輸層製程轉化為溶液旋 鍍製程,且元件轉換效率超過 4%。 成長氧化鋅奈米柱在有 機 高 分 子 系 統 中 達 到 7.05%光電轉換效率。 成長氧化鋅奈米柱在有機高分子系 統中達到 7.05%光電轉換效率。 SCI 論文 9 篇 SCI 論文 9 篇 促進太陽能電池介面研 究發展,包含倒置結構 開發以及新穎主動層材 料、電子傳輸層材料研 究 分析元件退火機制 成功分析得到元件退火機制 開發碳酸銫倒置結構元 件 成功開發碳酸銫及氧化鋅倒置結構 元件 新穎主動層材料元件製 作 成功使用新穎主動層材料製作元件 電子傳輸層材料研究 研究分析十幾種電子及電洞傳輸材 料,並研發取代 PEDOT:PSS 層之方 法。 SCI 論文 5 篇 SCI 論文 5 篇 製備高可見光穿透率與 低 水 氧 穿 透 率 之 封 裝 膜,並搭配有機太陽能 電池進行封裝 混成封裝膜可見光平均 穿透率> 90% 混 成 封 裝 膜 可 見 光 平 均 穿 透 率 > 90% 混 成 封 裝 膜 水 滲 透 率 WVTR <10-5 g/m2-day 混 成 封 裝 膜 水 滲 透 率 WVTR =3.6x10-6 g/m2-day. 以混成封裝膜對倒置型 有機太陽能電池進行封 裝,電池儲存壽命大於 1500 小時。 以混成封裝膜對倒置型有機太陽能 電池進行封裝,封裝後的電池在經 3000 小時後,效率並無任何衰減。 發表 SCI 或 EI 論文 1 篇 發表 SCI 論文 4 篇;國際研討會論文 4 篇 高 效 率 串 座 有 機 太 陽 能 電池:新穎性 計畫無提供 計畫無提供 計畫無提供

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材料、元件及 模 擬 模 型 開 發之研究 再 生 能 源 產 業 產 品 標 準、檢測技術 及 驗 證 平 台 計畫-太陽光 電 系 統 子 項 (含太陽光電 模組校正) 建立太陽光電系統檢測 驗證環境,以滿足國內 太陽光電產業在檢測驗 證、品質量測追溯與校 正之需求,並解決業者 須將產品送往國外測試 之窘境,以降低業界產 品驗證之時間與成本, 協 助 提 早 產 品 上 市 時 程,進而促進太陽光產 業之發展。 太陽光電檢測技術相關 論文發表 1 篇 太陽光電檢測技術相關論文發表 3 篇 研究團隊養成 研究團隊養成 1 組 博碩士培育 1 人 博碩士培育 1 人 研究報告 1 份 研究報告 1 份 舉辦太陽光電檢測技術 相關之研討會 1 場 舉辦太陽光電檢測技術相關之研討 會 1 場 提供太陽光電校正、檢 測及驗證服務 20 案 提供太陽光電校正、檢測及驗證服務 48 案 辦理太陽光電能力比對 試驗 1 場 辦理太陽光電能力比對試驗 1 場 取得實驗室認證 1 件 取得實驗室認證 1 件 參與國際太陽光電標準 會議及相關活動 3 場 參與國際太陽光電標準會議及相關 活動 3 場 完成 3 份太陽光電國家 標準草案之研擬/修訂 完成 7 份太陽光電國家標準草案之 研擬/修訂 太 陽 光 發 電 系 統 技 術 發 展 開發變形(metamorphic) 磊晶技術,應用於三接 面太陽電池磊晶結構生 長,並完成太陽電池製 作。 聚光型Ⅲ-V 族太陽電池 之 能 量 轉 換 效 率 達 41%。 完成 InGaAs 漸變層磊晶生長結構與 磊 晶 生 長 製 程 之 開 發 , 以 及 GaInAs/Ge 雙接面太陽電池元件製 作;所完成的 GaInAs/Ge 雙接面太陽 電池在無抗反射層(ARC)及 63 個太 陽照光條件下,Voc=1.16V,Jsc=1.8 A/cm2 , 填 充 因 子 =0.81 , 效 率 =26.7%。另一方面,由實驗結果發 現中層 InGaAs 子電池的 In 含量增加 後,InGaAs/Ge 雙接面太陽電池受到 高 In 含量的 InGaAs 材料內部缺陷密 度增加的影響,造成 InGaAs/Ge 雙接 面太陽電池的填充因子(fill factor)快 速下降。目前已完成 InGaP 子電池與 metamorphic InGaAs/Ge 磊晶結構整 合之三接面太陽電池磊晶生長,並積 極進行太陽電池元件製作與驗證太 陽電池特性,以及後續之磊晶參數調 整,以獲得最佳的三接面太陽電池能 量轉換效率,達成本年度計畫目標。 精進聚光系統、太陽電 池接收器設計能力與製 程技術,並完成聚光比 1000 倍模組之製作。 聚光比 1000 倍模組之光 電轉換效率達 29%。 完成 1000 倍聚光型太陽電池模組之 設計與製作,於戶外實地測試,光電 轉換效率達 30.78%,以太陽光模擬 器 測 試 結 果 , 光 電 轉 換 效 率 達 31.70%。 完成影像式太陽位置感 測器實驗平台建置,及 影像式太陽位置感測器 設計與原型製作。 影像式太陽位置感測器 之 實 驗 平 台 追 蹤 精 度 <±0.1 度。 完成影像式太陽位置感測器及太陽 影像追蹤控制器原型製作,並建置影 像式太陽位置感測器實驗平台。以此 實驗平台測試其影像式太陽位置感

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測器及太陽影像追蹤控制器,可達追 蹤精度±0.04 度。 採 用 多 工 多 執 行 緒 方 式,在同網域採用非連 線式 UDP 傳輸協定,完 成線上診斷偵錯軟體程 式。 完成線上診斷偵錯軟體 程式,藉由線上診斷偵 錯系統輔助迅速判斷問 題,並完成線上診斷偵 錯程式設計文件。 採用多工多執行緒方式,完成中央監 測與控制系統 UDP 傳輸協定功能設 計。 完成線上診斷偵錯系統發電、氣象、 追蹤器等相關資訊擷取功能設計測 試。 完成線上診斷偵錯系統人機畫面設 計。 驗證線上診斷偵錯系統資料綜合分 析判斷功能設計。 完成線上診斷偵錯程式設計文件。 完成 CPV 參考模組建 置,與通過驗證實驗室 認可稽核。 模組驗證實驗室獲得全 國 認 證 基 金 會 (TAF) 認 可展延及北京鑒衡認證 中心(CGC)金太陽認可。 建置 16 Cell 玻璃透鏡式 CPV 參考模 組,完成太陽電池模組驗證實驗室能 力試驗參與計畫及執行程序,評估將 每年執行南/北實驗室模組電性量測 比對,於實驗室展延評鑑前,與電信 技術中心(TTC)合作,執行能力試驗 比對活動。 模組驗證實驗室已完成 TAF 實驗室 認可展延稽核作業,並於 5 月份取得 實驗展延認可證書。此外完成 CGC 金太陽實驗室品質文件與技術領域 稽核程序,並取得實驗室認可證書。 利用大面積超音波噴塗 技術,結合噴墨印刷技 術、電極佈線技術,開 發建立大面積高分子太 陽電池製備能力。 大面積(4cm2 以上)高分 子太陽電池之光電轉換 效率達 3-4%。 進行 P3HT/PC(60)BM 之高分子太陽 電池大面積製作技術及開發,嘗試以 CB 對主動層進行修飾,噴塗能力為 面積大於 4cm2,製備之太陽電池效 率達 3.73%。 使用新型低能隙導電高 分子製備,並精進高分 子太陽電池元件結構設 計及最佳化。 使用新型低能隙導電高 分子之太陽電池光電轉 換效率達 6~8%。 進 行 新 穎 低 能 隙 導 電 高 分 子 PBDTTT 混掺 PCBM(C70)太陽電池 製備,使用 DIO 為添加劑,其能量 轉換效率最高為 6.42%。另使用 OPV 10 主動層溶液製作之高分子太陽電 池,效率最高為 7.7%;使用 PV2000 主 動 層 溶 液 製 作 之 高 分 子 太 陽 電 池,效率最高為 8.2%。 利用 PECVD,開發矽基 太陽電池前表面與塊體 氫鈍化製程技術。 開發矽基太陽電池前表 面與塊體氫鈍化製程技 術,及同時具有正電場 ( 正 電 荷 數 目 大 於 11012cm-2) 效應鈍 化 之 氮化矽薄膜結構。 完成以電漿輔助化學氣相沉積系統 (PECVD)製備具有表面與塊材鈍化 特性之高品質氮化矽薄膜,其表面之 固定正電荷密度達 2.3×1012cm-2。 利用磁控濺鍍機,開發 矽基太陽電池背表面鈍 化製程技術。 開發矽基太陽電池背表 面鈍化製程技術,及同 時 具 有 負 電 場 ( 負 電 荷 數目大於 11012cm-2)效 完成以磁控濺鍍機在矽基板上濺鍍 氧化鋁薄膜(厚度約 15~30nm),此氧 化鋁薄膜可以對矽基板表面進行化 學鈍化以及電場鈍化,其表面之固定

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應鈍化之氧化鋁薄膜結 構。 負電荷密度達 2.2×1012 cm-2。 以 5N 純度多晶矽材料 為基板,開發薄膜磊晶 矽太陽電池技術。 薄膜磊晶矽/提純冶金級 矽太陽電池之能量轉換 效率為 12~13%,電池面 積為 4040mm2。 利用常壓化學氣相沉積系統在面積 16 cm2 之提純冶金級矽基板上進行 磊晶矽薄膜沉積,再進行電漿蝕刻表 面結構化製程,得到磊晶矽薄膜太陽 電池元件之開路電壓為 598 mV,短 路電流為 30.62 mA/cm2,填充因子 (fill factor)為 0.77,效率為 14.07%。 開發 CZTS 太陽電池材 料 製 備 與 元 件 製 程 技 術。 太陽電池之能量轉換效 率達 3~4%。 完成非真空製程(溶膠-凝膠法)與真 空製程(濺鍍方法與 E-gun 蒸鍍方 法)CZTS 吸收層實驗設備與製作技 術之建立,完成之 CZTS 太陽電池, 太陽光模擬器測試結果元件光電轉 換效率最佳達 3.09%。 染 料 敏 化 太 陽 電 池 產 業 化技術開發 強化染料敏化太陽電池 次模組製程,並藉著提 昇封裝技術及次模組穩 定 性 , 邁 向 產 業 化 目 標;同時積極投入軟性 染 料 敏 化 太 陽 電 池 開 發,進一步提昇軟性染 敏電池和次模組的效率 以及耐久性。 開發高效率軟性染料敏 化 太 陽 電 池 , 效 率 ³7.5%、cell 面積為直徑 5mm 的圓形面積。 利用氧化法處理鈦基板表面,於基板 形成溝槽狀界面層,此溝槽狀界面層 可減少暗電流,排列整齊溝槽結構可 增加光利用率,優化界面層厚度與光 學特性,配合低溫噴塗對電極技術, 軟 性 染 料 敏 化 太 陽 電 池 效 率 達 7.56%。 開發軟性染料敏化太陽 電 池 模 組 技 術 , 效 率 5.5%、電池面積 5×10 cm2。 5 × 10 cm2軟性染料敏化太陽電池模 組,經過低溫對電極技術、工作電極 表面處理技術、工作電極調整、電解 質調整及電極間距調整,達成電池光 電轉換效率 7.1%。 軟性染料敏化太陽電池 光老化測試 700 小時效 率 衰 退 不 超 過 原 始 的 40% 5 × 10 cm2軟性染料敏化太陽電池模 組,藉由高效模組開發技術的轉移, 並進行 UV 阻隔,完成光照強度 1000 W/m2環境溫度 60o C 下 1000 小時測 試,於 700 小時時其效率仍高於起始 值 10%。 進行無溶劑型電解質離 子液體分子設計,並完 成每一批次產量 5g,且 離 子 液 體 染 敏 電 池 ( 直 徑 5mm)效率≧相同條 件下溶劑型染敏電池效 率之 40%。 利用 DMII/PMII 搭配低黏度離子液 體 EMITCB 所調配的離子液體型電 解質所製作的染料敏化太陽電池的 效率為 4.79%,為有機溶劑型電解質 (6.48%)的 74%。 紫外光固化型染料敏化 太 陽 電 池 用 封 裝 材 料 (60℃下浸泡電解液 72 小 時 , 重 量 損 失 小 於 2%)。 紫外光固化型染料敏化太陽電池用 封裝材料,浸泡 60o C 下電解液 72 小 時,重量改變為 1.09%。 玻 璃 基 板 模 組 ( 面 積 100cm2)效率達8.5%。 玻璃基板 100 cm2次模組電池,效率 達成為 8.81%,Jsc = 17.23 mA/cm2, Voc = 0.69V , FF = 0.69 , Pmax =

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625mW。 提升染料敏化太陽電池 的耐久性,大面積玻璃 基板電池(面積 100cm2 ) 光老化測試(JIS C8938 A-5)2,000 小時,效率衰 退不超過原本的 20%。 大面積玻璃基板電池(11cm  11cm) 進 行 光 老 化 測 試 (one sun light soaking test) (JIS C8938 A-5) 2000 小 時,效率衰退為原本的 19.9%。 開發染料敏化太陽電池 系統技術:(a)小電流(≦ 1mA)蓄積轉換技術 -小 電 流 蓄 積 於 緩 衝 器 ;(b) 脈衝式充電技:轉移緩衝 器中電能至二次電池, 飽和容量≧90%。 完成電力轉換模組設計與製作,轉換 效率達 80%,模組可供超電容、鋰電 池、鹼性充電電池等儲能裝置充電之 用。 配合展覽示範應用,完成將染敏電池 電力轉換模組結合噴霧產品之自供 電應用。 完成室內光源自供電無線溫濕度感 測網路節點,可於 500 Lux 照度下達 到 100%自供電。 在六月底前辦理成果說 明會。 於 101 年 3 月 20 日辦理工業技術研 究院能源計畫業界合作說明會廣邀 有興趣的廠商一同共襄盛舉,計有 56 人出席。 於 101 年 6 月 19 日參與台北國際光 電週-台灣太陽光電展之參展,集結 國內光電大廠、學界與研究單位共同 參與並交流新技術,發表工研院染料 敏化太陽電池新技術、製程及應用, 並以「未來辦公室」為主題將染料敏 化太陽電池的實際應用展現出來,頗 受好評。 於 101 年 10 月 5 日參與 PV Taiwan 展 覽 期 間 辦 理 一 場 創 新 技 術 發 表 會,共 79 人次參與。 以分子建構 含石墨烯電 極之高分子 太陽能電池 之界面與形 態

發表 SCI 論文 25 篇 發表 SCI 論文 32 篇 發表 SCI 論文 32 篇 獲得專利 2 項 專利獲得 6 項 專利獲得 6 項 申請專利 3 項 申請專利 3 項 申請專利 3 項 總體計畫預計開發出高 效率高分子太陽能電池 並達到 7%以上的光電 轉換效率,並且在結合 石墨烯電極之高分子太 陽能電池預計把光電轉 換效率拉到 2%以上的 範疇。 總體計畫成功開發出高 效率高分子太陽能電池 並達到 7.3%的光電轉換 效率,並且在結合石墨 烯電極之高分子太陽能 電池預計把光電轉換效 率拉到 2.7%的範疇。並 且發表多篇論文在 Adv. Mater., ACS Nano, Small 等期刊論文。

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(3) 無機太陽光電子項之計畫成果 項目 年度目標 年度衡量指標 實際達成度 新 型 高 效 綠 能 薄 膜 矽 鍺 太 陽 電 池 之 研發 開發 TCO,以改善堆疊 型矽薄膜太陽能電池之 效率 以自行開發 TCO,並進 行 太 陽 能 電 池 效 率 驗 證。 自製 TCO 擁有高 haze、高穿透、高 導電性與成本低廉的特性。可運用於 薄膜太陽能電池。 針對 TCO 薄膜島狀結 構,利用 FDTD 模擬軟 體分析入射光散射後電 場強度分佈。 模擬結果可與實驗數據 比較,藉此修正模擬參 數。 現階段進行模擬參數效正 新型高效綠能薄膜矽太 陽電池製作 成長高品質矽薄膜,並 以元件效率做為薄膜品 質定量的指標。 開發吸收層厚度<600nm 之單層矽鍺 薄膜太陽能電池,其效率接近 6%。 新穎薄膜成長與特性之 研究 TCO 基板以整體光學以 及電性做為指標。 矽薄膜以光/暗電導與點 池效率為指標 開發島狀絨化結構 TCO 基板,平均 穿透度>80% (400~1100nm),片電阻 <8Ω/sq( 厚 度 1μm) , haze>35% (@550nm) 元件測量及材料特性的 分析 元件與薄膜量測分析結 果回饋於 子計畫 2 與 3,以利於製程參數優化 元件及材料分析達成度高 新 型 高 效 率 銅 銦 鎵 硒 薄 膜 型 太 陽 電 池 之 設 計 模 擬、製備與特 性分析 電激發光量測系統分析 CIGS 膜層缺陷。 解析度>5μm。 已 經 成 功 量 測 不 同 樣 品 之 電 激 發 光,將進一步改善其解析度。 CIGS 太陽能電池戶外 量 測 系 統 的 自 動 化 設 計。 電腦自動化量測。 100%。 改質型 CIGS 之能隙能 量。 >1.1eV。 100%。 P type 及 N type CIGS 薄

膜晶相純度。 >99%。 100%。 N 型 Zn:CIGS 晶粒大小。 >1μm。 100%。 直 徑 4 吋 的 SiO2 或 Al2O3 薄膜的膜厚均勻 度。 均勻度<1.5%。 100%。 直 徑 4 吋 的 MgxZn1-xO:In 緩衝層的 膜厚均勻度<1.5%。 均勻度<1.5%。 100%。 MgxZn1-xO:In 緩衝層之 能隙能量。 >3.6eV。 可控制於 3.58 eV - 3.6 eV,達成 100%預期目標。 MgxZn1-xO:In 緩衝層之 電子濃度。 1×1020cm-3。 目前已成功製備 Mgx Zn1-xO:In 緩 衝 層 並 提 升 載 子 濃 度 為 1.08×1020cm-3 >1×1020cm-3。 TCO 膜層之可見光平均 穿透率。 所 開 發 之 新 TCO (AMZO 及 GMZO)膜層 可見光平均穿透率超過 90%。 100%。 TCO/MZO/CIGS 抗反射 膜層堆疊結構之太陽光 平 均 穿 透 率 >70%。 目前已可成功模擬並計算新型 TCO 堆疊之狀 況並達 成穿 透度 >75%, 100%達成預期目標。

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(400-1200nm)。 CIGS 太陽電池開路電 壓(Voc)、短路電流(Jsc) 與填充因子(FF)。 Voc > 0.6 eV FF > 70 % 目前 Voc 約 0.54 V FF 約 64 % CIGS 太陽電池光電轉 化效率(η)。 η > 16 %。 目前η 約 12.4%。 專利。 3 篇。 3 篇。 學術期刊論文。 8 篇。 10 篇。 低 成 本 薄 膜 太 陽 能 電 池 的 技 術 研 發 與平台建置 開發低成本薄膜太陽能 電池的技術研發並提供 服務平台,其低成本技 術可吸引廠商投資,並 促進國際合作。 促進廠商投資:一項 促進廠商投資:一項 100 萬/年 平台服務:9% solar cell platform.

平台服務: 9% solar cell platform. 國際合作:一項 國際合作:一項(與香港科技大學合

作開發 3-D a-Si solar cell) 開發獨特矽鍺碳光伏薄 膜元件,並進行論文發 表、 博碩士培育及專利 申請。 論文發表:國際會議:2 篇。SCI paper:2 篇。 論文發表:國內會議 2 篇。國際會議:4 篇。SCI paper:1 篇。 博碩士培育:1 博 4 碩 博碩士培育:1 博 4 碩 專利獲得:國外 2 篇 專利獲得:國外 2 篇 開發先進奈米抗反射技 術並與太陽能電池進行 整 合 , 並 進 行 論 文 發 表、 博碩士培育。 博碩士培育:1 博 2 碩 博碩士培育:1 博 2 碩 發表 1 篇 SCI 國際重點 期刊,2 篇國外研討會論 文 發表 1 篇 SCI 國際重點期刊,2 篇國 外研討會論文 發 展 第 一 原 理 光 伏 技 術,以理論輔助原建之 製程,加速實驗進行, 並進行論文發表、 博碩 士培育。 博碩士培育:1 碩 博碩士培育:1 碩 CIGS 薄膜太 陽 電 池 之 創 新 量 產 製 程 開發及應用 計畫未提供 計畫未提供 計畫未提供 寬 能 域 雙 接 面 異 質 結 構 矽 晶 太 陽 能 電池 藉 由 對 p-GaN/InGaN/n-GaN/Al N/n-Si (111) 及 p-GaN/n-GaN/AlN/n-Si (111)之結構電池做元件 製成,並且得到轉換效 率 的 提 升 。 其 中 矽 基 InGaN 太陽能電池扣除 柵線面積的所得之轉換 效率為 2.30%,而矽基 GaN 太陽能電池扣除柵 線面積的所得之轉換效 率為 3.20%。(矽基板厚 度為500μm) 藉 由 對 p-GaN/InGaN/n-GaN/Al N/n-Si (111) 及 p-GaN/n-GaN/AlN/n-Si (111)之結構電池做元件 製成,並且得到轉換效 率 的 提 升 。 其 中 矽 基 InGaN 太陽能電池扣除 柵線面積的所得之轉換 效率為 2.30%,而矽基 GaN 太陽能電池扣除柵 線面積的所得之轉換效 率為 3.20%。(矽基板厚 度為500μm) 藉 由 對 p-GaN/InGaN/n-GaN/AlN/n-Si (111) 及 p-GaN/n-GaN/AlN/n-Si (111)之結 構電池做元件製成,並且得到轉換效 率的提升。其中矽基 InGaN 太陽能 電池扣除柵線面積的所得之轉換效 率為 2.30%,而矽基 GaN 太陽能電 池扣除柵線面積的所得之轉換效率 為 3.20%。(矽基板厚度為 500μm) 藉由基板磨薄的技術於 矽基 GaN 太陽能電池, 當矽基板厚度為 500μm 減為420μm 時,扣除柵 藉由基板磨薄的技術於 矽基 GaN 太陽能電池, 當矽基板厚度為 500μm 減為420μm 時,扣除柵 藉由基板磨薄的技術於矽基 GaN 太 陽能電池,當矽基板厚度為 500μm 減為 420μm 時,扣除柵線面積的所 得 之 轉 換 效 率 由 3.20% 成 長 至

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線面積的所得之轉換效 率 由 3.20% 成 長 至 5.16% , 且 FF 提 升 至 68%。 線面積的所得之轉換效 率 由 3.20% 成 長 至 5.16% , 且 FF 提 升 至 68%。 5.16%,且 FF 提升至 68%。 利 用 Metal Modulation Epitaxy 的方式藉由電漿 輔助分子束磊晶系統成 長 InGaN 薄膜,其結果 似乎沒有相分離的現象 產生,利用此種磊晶方 式做成長 InGaN 太陽能 電池完整結構的成長, 期望減少相分離的同時 可以提高其光電轉換效 率。 利 用 Metal Modulation Epitaxy 的方式藉由電漿 輔助分子束磊晶系統成 長 InGaN 薄膜,其結果 似乎沒有相分離的現象 產生,利用此種磊晶方 式做成長 InGaN 太陽能 電池完整結構的成長, 期望減少相分離的同時 可以提高其光電轉換效 率。

利用 Metal Modulation Epitaxy 的方 式藉由電漿輔助分子束磊晶系統成 長 InGaN 薄膜,其結果似乎沒有相 分離的現象產生,利用此種磊晶方式 做成長 InGaN 太陽能電池完整結構 的成長,期望減少相分離的同時可以 提高其光電轉換效率。 藉由矽基板之非晶相原 生氧化層清除以達更好 之薄膜品質,接著成長 金屬氧化緩衝層精進薄 膜品質。最後在矽基板 上成長氧化鋅磊晶,藉 此形成 p-n junction 之結 構以應用於光伏元件。 藉由矽基板之非晶相原 生氧化層清除以達更好 之薄膜品質,接著成長 金屬氧化緩衝層精進薄 膜品質。最後在矽基板 上成長氧化鋅磊晶,藉 此形成 p-n junction 之結 構以應用於光伏元件。 矽基板經 RCA 程序與 HF 蝕刻後, 濺鍍一層金屬薄膜後高溫退火,可藉 由金屬較強之電子親和力還原氧化 矽,進而消除此非晶型氧化層對薄膜 品質之不良影響。 處理後之金屬氧化層再經高溫退火 可形成有晶相之金屬氧化物薄膜,以 此做為緩衝層成長氧化鋅薄膜。 我 們 利 用 不 同 方 向 的 LiGaO2 (LGO)基板與氨 氣 (NH3) 在 高 溫 下 進 行 氮化及擴散反應,而形 成極性與非極性的多孔 隙 GaN,是目前國際上 唯一可藉由擴散方式而 生 成 多 孔 氮 化 鎵 的 單 位。 我 們 利 用 不 同 方 向 的 LiGaO2 (LGO)基板與氨 氣 (NH3) 在 高 溫 下 進 行 氮化及擴散反應,而形 成極性與非極性的多孔 隙 GaN,是目前國際上 唯一可藉由擴散方式而 生 成 多 孔 氮 化 鎵 的 單 位。 我們利用不同方向的 LiGaO2 (LGO) 基板與氨氣(NH3)在高溫下進行氮化 及擴散反應,而形成極性與非極性的 多孔隙 GaN,是目前國際上唯一可 藉由擴散方式而生成多孔氮化鎵的 單位。 我們已成功利用 HVPE 方 法 生 長 不 同 方 向 的 InN 晶體在 LGO 基板。 我們已成功利用 HVPE 方 法 生 長 不 同 方 向 的 InN 晶體在 LGO 基板。 我們已成功利用 HVPE 方法生長不 同方向的 InN 晶體在 LGO 基板。 建 立 n-InGaN/p-InGaN 單接面太陽能電池完整 物理模型,包括參雜濃 度、銦濃度、電池厚度、 電池效率等重要參數。 建 立 n-InGaN/p-InGaN 單接面太陽能電池完整 物理模型,包括參雜濃 度、銦濃度、電池厚度、 電池效率等重要參數。 建立 n-InGaN/p-InGaN 單接面太陽能 電池完整物理模型,包括參雜濃度、 銦濃度、電池厚度、電池效率等重要 參數。 了 解 p-InGaN/i-InGaN/ n-InGaN 單接面太陽能 電池之參雜濃度、銦濃 度、電池厚度、電池效 率最佳化條件。 了 解 p-InGaN/i-InGaN/ n-InGaN 單接面太陽能 電池之參雜濃度、銦濃 度、電池厚度、電池效 率最佳化條件。 了解 p-InGaN/i-InGaN/ n-InGaN 單接 面太陽能電池之參雜濃度、銦濃度、 電池厚度、電池效率最佳化條件。 利用模擬結果,研究太 陽能電池之操作機制, 進行氮化銦鎵太陽能電 利用模擬結果,研究太 陽能電池之操作機制, 進行氮化銦鎵太陽能電 利用模擬結果,研究太陽能電池之操 作機制,進行氮化銦鎵太陽能電池元 件設計。

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池元件設計。 池元件設計。 高 效 率 無 鎘 CIGS 太 陽 能 電 池 先 進 製 程 技 術 之 研發 計畫未提供 計畫未提供 計畫未提供 大 面 積 (20*20 cm2) 高 效 率 a-Si/uc-Si/uc-SiGe 三接面 疊 層 薄 膜 太 陽 電 池 模 組 全 製 程 技 術 開 發 與 量 產 先期評估 SCI 論文 2 篇。 國外 SCI 論文 7 篇。 100 % 3 篇 conference 論文。 國外研討會論文 3 篇。 國內研討會論文 8 篇。 專利 2 件。 專利 2 件。 a-Si/μc-Si/μc-SiGe 三接 面疊層薄膜太陽製程技 術,效率>12 % a-Si/μc-Si/μc-SiGe 三 接 面疊層薄膜太陽製程技 術效率 12.4 %。 全波長高 Haze 效果之 TCO 玻 璃 成 本 為 目 前 TCO 玻璃的 1/5 價格 已完成低成本 TCO 玻璃 達到計畫查核點。 完成能隙調變工程之製 程技術 已完成寬窄能隙材料製 備並可利用不同參數調 變所需能隙。 以熱燈絲 CVD 沉積系 統取代 PECVD 完成太 陽 電 池 製 作 , 效 率 >7 % 熱燈絲 CVD 製作薄膜 太陽電池元件,效率已 可達 7.3 %。 控制電漿技術,膜厚均 勻度±3 %,提升良率 以 OES 量測訊號檢測電 漿解離氣體密度並回授 控制電漿,膜厚均勻度 可控制在±2.8 %。 建立三接面疊層薄膜太 陽電池 3D 模擬模組 完成三接面模組建立。 積 體 化 量 子 點 中 間 帶 吸 收 結 構 之 多 接 面 太 陽 能 電池 計畫未提供 計畫未提供 計畫未提供 切 割 矽 泥 回 收 與 應 用 之 關 鍵 技 術 開 發 完成利用離心法進行矽 材提濃試驗,以及輔以 磁場作用於離心單元一 併進行金屬去除,評估 進料固含量、磁場作用 等對矽材提濃、金屬去 除的影響,並能達處理 數公斤的規模,金屬殘 餘量達 100 ppm 以下。 實際成果已達成預期成果(矽粉產出 的規模、金屬 Fe<100 ppm)。 處理規模數公斤,增加 單向凝固之去疵及誘導 攣生晶界之方法,減少 偏析係數較小之金屬, 而使晶體總雜質含量更 低,小於數十 ppmw。電 池效率目標為 14 %,光 衰在 7 %以內。 目前能處理的矽泥規模已達預期,且 由 GDMS 之結果可知金屬含量也達 到目標。但磷含量仍在 2 ppmw 左右。 目前已測試好 G1 爐子,處理的矽泥 量可達 10-20 kg。 用矽鋁共熔法來移除矽泥中的磷,可 降低磷在矽的偏析係數。 利用快速熱處理,可將矽先聚集至約 1 mm,蒐集後足夠的量再長晶,此

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想法可以大幅減少耗能。

建立 EDS mapping 與 linescan 能了解 快速熱處理後金屬雜質分布。 矽/碳散佈方式的研究, 探討分佈方式、能量與 時間對矽/碳分散均勻性 與活性的影響,並進行 測試。 進行組裝半電池,測試 其 cycle life。 已經可由子計畫一所分離出之微米 級矽粉,製作並組成半電池材料。再 經半電池充放電測試,最佳之 cycle number 為 70cycles。 高 效 能 聚 光 型 太 陽 能 光 發 電 系 統 關 鍵 模 組 與 整 合技術研究 學術成就 論文與期刊數量達 3 篇 論文數量為 2 篇,期刊數量為 5 篇 博碩士培育達 20 人 博碩士培育為 20 人 技術創新 專利申請達 3 項 專利申請為 3 項 技術轉移 1 項 技術轉移 1 項 適 用 於 疊 層 ( 多 重 接 面 ) 矽 薄 膜 太 陽 電池的 TCO 玻 璃 製 作 技 術 開 發 暨 試 產評估(20 × 20 cm2) 建立 TCO 玻璃加非晶矽 薄膜模擬並與實驗謀合 與修正 完成與實驗狀況做比較 完成與實驗狀況做比較 完成 TCO+ 矽薄膜之模 擬模式 完成 TCO+ 矽薄膜之模擬模式,算 出在標準太陽光譜下的光電流及光 電轉換效率 完成 TCO 玻璃材料參數 設定與光學特性的對應 模式 完成 TCO 玻璃材料參數設定與光學 特性的對應模式 完成對應到元件 EQE 特 性模擬的模式建立 完成對應到元件 EQE 特性模擬的模 式建立與模擬結果 完成與實驗謀合及評估 參數敏感度的模式建立 增修模擬模型與實驗謀合並評估敏 感度 進行散射粒子的液相分 散及固定化的濕式製程 最適化 散 射 玻 璃 霧 度 (haze) 增 加 在 550 nm 處 多 出 20%,在 700 nm 處多出 20% 已達成 建立分散層導電率提升 的模式 TCO 層厚度在 1000nm 以 下 須 達 片 電 阻 <10 Ω/□ 已達成 TCO 玻璃的總透光度達 82%以上 如左標準 已達成 TCO 層 LPCVD 大面積 鍍膜 完成 20 × 20 cm2玻璃面 積鍍膜 已達成 非晶矽鍺薄膜光電導 >1×10-5S/cm 非晶矽鍺薄膜暗電導 <5×10-8S/cm 如左標準 已達成 完成面積 5cm×5cm 之電 池製作 如左標準 已達成 完成 TCO 玻璃設計與薄 膜電池光電轉換效率的 回饋模式 a-Si:H 單一接面薄膜太 陽電池的 Jsc 增加理論 值 10%,Voc 及 FF 下降 幅度<5% 已達成

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能 源 科 技 研 究 中 心 推 動 計畫-太陽光 電 科 技 研 究 中心 計畫未提供 計畫未提供 計畫未提供 CIGS 太陽電 池 關 鍵 技 術 開發計畫 論文 國內 24 篇、國外 10 篇 國內 35 篇、國外 24 篇 研究報告 63 篇 80 篇 專利申請 27 件 31 件 專利獲得 7 件 10 件 專利應用 4 件/1,700 千元 4 件/1,600 千元 技術移轉 20 件/17,360 千元 27 件/13,646 千元 委託及工業服務 23 件/ 6,900 千元 26 件/ 14,868 千元 衍生/支援科專計畫 業界 5 件/45,000 千元 業界 5 件/21,900 千元 促成廠商或產業團體投 資 13 件/投資 206,500 千元 20 件/投資 328,000 千元 促成產業聯盟 1 件/3 廠家 0 件/0 廠家 增加就業 29 人次 53 人次 媒體曝光 1 件 2 件 高效能太陽 光電系統技 術開發計畫 太陽光電國際推廣合作 參與日本 AIST 主導之 亞太地區太陽光電計畫 (APPVP) 一次及二次 基 準太陽電池校正能力試 驗,與日本 AIST 或中國 IEE 進行各式樣一次基 準太陽電池校正能力試 驗比對。 十二月進行 APPVP(PT005)一次與二 次基準太陽電池校正能力試驗,共計 有 5 國 8 單位參加。 系統標準化機制制定與 推動 完成 1 款符合臺灣住宅 型 式 ( 系 統 容 量 約 為 5kWp)標準化系統規格 1 份 住宅型 PV 系統規格標準化與標準化 設置流程制訂與推動方面,進行國 內、外相關規範之研讀與分析,包括 屋內線路裝置規則及增訂的太陽光 電專章、NEC690 規範、日本太陽光 電協會(JPEA)編撰之太陽光電系統 設置導引手冊(含設計與施工)、設備 補 助 時 期 所 訂 定 的 相 關 施 工 準 則 等,以作為系統標準化機制研擬之基 礎。共舉辦 3 場專家學者座談會,討 論系統標準化機制制定與推動的方 向與作法,獲得的結論為:系統標準 化之制定應以訂定系統共通性之設 置準則(Guidelines)為主,並以安全為 最主要考量,其次為效率之提升與成 本之降低,研擬上可參酌國內、外相 關規範,並再補充不足之處;設置流 程上應盡量簡化,以利 PV 設置推動 及建立國內良好 PV 系統設置環境。 完成住宅型標準化設置 流程草案 1 份。 經專家學者建議後,朝向以訂定系統 共通性設置準則為目標,首先針對台 灣常見住宅型式進行調查,並研析國

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際規範以及國內相關法規措施,及邀 請太陽光電、建築、電力工程等相關 領域之專家學者共同討論,配合太陽 光電系統設計準則與系統元件規格 特性,完成住宅型合理化系統規格草 案 1 份及住宅型共通性設置準則參 考手冊草案 1 份。 完成 1 套北中南系統發 電量網路平臺及其發電 量資料庫建立。 完成 1 套北中南系統發電量網路平 臺 開 發 建 置 及 其 發 電 量 資 料 庫 建 立。網路平臺可接收並顯示各監測點 交流發電資訊、直流發電資訊,包括 PV 系統輸出電壓、電流、功率與累 積發電量。符合查核點目標。 完成 10 處 PV 系統即時交流發電監 測設備安裝,地址分別為台北市大湖 國小、苗栗縣畜試所、台中市愛心家 園、彰化縣芳苑國小、雲林縣環球科 大、嘉義縣番路鄉公所、高雄市大樹 鄉公所、屏東縣屏北高中、宜蘭縣岳 明國小、花蓮縣光復鄉公所。監測數 據每分鐘至少送出 1 筆發電資料至 發電量網路平台。符合查核點目標。 完成 101 年度 10 月 15 日至 11 月 30 日台灣北中南 10 套電腦監測系統發 電量資料統計。 產業分析與推動 國內外市場產業資訊彙 整 與 評 析 ( 雙 週 回 報 1 次)。 完成國內外產業資訊及評析報告 4 份,針對國內外太陽光電相關產業與 市場動態蒐集整理與評析。 太陽光電產業技術人才 訓練(每季 1 次)。 完成太陽光電人才培訓課程 4 場 次,培訓產業所需人才共計 130 人。 辦理太陽光電產業合作 或技術交流座談會議至 少 2 場次 完成辦理太陽光電產業合作或技術 交流座談會議 3 場次。太陽光電產業 座談會議 1 場次,國內上中下游業者 總計 14 家出席,就各項產業關注議 題進行意見整合與溝通。辦理「高雄 市建築物設置太陽光電推動計畫補 助說明會」1 場次,有效率的引導民 眾 於 建 築 物 屋 頂 設 置 太 陽 光 電 設 施。完成辦理「陽光電城-農業大棚 宣導及媒合座談會」1 場次,對南部 地區民眾與業者解說宣導太陽光電 結合農業設施。 完成至少 2 案(含)以上 太陽光電模組產業廠商 技術診斷及協助進行技 術改善工作。 完成 2 案技術診斷與改善工作,協助 國內太陽光電模組產業廠商頂晶、英 懋達,診斷前模組功率損失達 5~7% 左右,針對模組製程中常見問題如 Cell 效率量測、Ribbon 電阻、玻璃、 EVA 透光率與 BACKSHEET 反射率

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等進行改善,選用最佳材料後,降低 功率損失為 3.5%左右,相對增加模 組 2.5%功率。 薄型太陽電池技術開發 厚度≦150µm、面積≧ 10cm×10cm、矽材用量 ≦6.5g/W、電池效率≧ 18%。 厚 度 ≦ 150µm 、 面 積 ≧ 12.5cm×2.5cm、電池效率 18.9%、矽 材用量≦5.3g/W。 太陽電池低溫製程技術 開發 面積≧10cm×10cm、能 源回收時間≦2 年、電池 效率≧18.2%。 面積≧12.5cm×2.5cm、電池效率≧ 19.2%。能源回收時間 1.95 年(日照 條件 1700kWh/m2/year)。 標準電池性能評價技術 開發 與國際一級認證實驗室 評價誤差≦±2.5%,一次 基準太陽電池校正不確 定度<1%。 完成一次基準太陽電池校正技術建 立 , 不 確 定 度 0.95%<1% , 與 Fraunhofer ISE 進行單多晶太陽電池 評價比對,誤差約為 0.5%<2.5%。 電池及模組缺陷評價技 術開發 建立缺陷物理特性與影 像判讀準則,開發串聯 電阻影像技術,以標準 試片在太陽光模擬器之 量測值做為比對基準, 電池轉換效率評價誤差 ≦±15%。 完成三種接面崩潰影像的非破壞性 缺陷分類與檢測方法,以二值化影像 處理方法建立影像判別準則,串聯電 阻影像空間解析度達 5.6×10-4 cm2, 解析度 10-3Ωcm2,對照 I-V 量測的整 體串聯電阻誤差為 7.18%。 模組品質與壽命提升技 術開發 建立封裝材料與矽晶、 薄膜模組衰退率預測模 型。以多重環境應力組 合 縮 短 ≧ 30% 測 試 時 程。 完成 EVA 封裝品質分析與其材料體 積電阻率>1.0x1014(Ω.cm)及吸水率 <0.1%規格,封裝材料與矽晶、薄膜 模組衰退率測試與分析,依據 IEC 61215 及 IEC 62804 Ed. 1.0 為基準, 完成開發系統電壓極化測試方法,縮 短測試時程 50%。 可見光至近紅外光頻譜 範圍廣域吸收太陽電池 技術開發 提高矽薄膜太陽電池電 流密度≧24mA/cm2,發 電功率提高 5% 提高矽薄膜太陽電池電流密度最高 至 25.3mA/cm2 (≧24mA/cm2),發電 功率提高 13%(以發電功率 6mW 為 比較基準,電池面積 1cm2 高透明度導電膜技術開 發 鍍率>120nm/min,薄膜 厚度<1.5μm,膜厚度不 均勻性<10%,散射度 >10%,片電阻值<10 歐姆/sq,透明度 80%以 上。 建立霧化及加熱模組熱、流場之模 型,完成霧化及加熱模組熱、流場模 擬分析報告與設計藍圖,並建置霧化 及 加 熱 模 組 硬 體 , 使 薄 膜 鍍 率 達 166nm/min、厚度約 1.5μm 時,其霧 度為 20.9%(波長 550nm)>10%,片 電阻值<10 歐姆/sq,透明度 80%以 上(波長 400~800nm)。

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三、 計畫架構(含樹狀圖):

(1) 推動管理性計畫之架構圖 太陽光電子項包含有機和無機,被分纇在能源國家型科技計畫中,能源技術分項下,如下圖。 註:韋光華教授於民國 98 年到 100 年期間,為太陽光電子項(有機)召集人。 之後 101 年到 102 年期間由蔡娟娟教授為太陽光電子項(有機和無機)召集人。 (2) 有機太陽光電子項之計畫 計畫名稱 執行單位 總主持 人 技術分 類 國 科 會 計 畫 有機無機混成薄膜太陽能電池 台灣大學 林清富 organic 高效率染料敏化太陽能電池之整合研究 清華大學 季昀 organic 高效能第三代太陽能電池的開發 中央大學 吳春桂 姚學麟 organic 高效率高分子太陽能電池:分子設計合成奈米 結構控制及元件工程 交通大學 許千樹 organic 高效率串座有機太陽能電池:新穎性材料、元 件及模擬模型開發之研究 中央研究院 陳錦地 organic 以分子建構含石墨烯電極之高分子太陽能電池 之界面與形態 國立交通大學 韋光華 organic 部 會 署 計 畫 再生能源產業產品標準、檢測技術及驗證平台 計畫-太陽光電系統子項(含太陽光電模組校正) 台灣大電力 試驗中心 賴森林 organic 染料敏化太陽電池產業化技術開發 工研院 童永樑 organic 太陽光發電系統技術發展 核能研究所 郭成聰 organic 註:交通大學韋光華教授主持之計畫,由奈米國家型科技計畫於 101 年轉入能源國家型科技計,該計 畫第一年執行期間為 100 年 8 月 1 日至 101 年 7 月 31 日。

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(3) 無機太陽光電子項之計畫 計畫名稱 執行單位 總主持 人 技術分 類 國 科 會 計 畫 新型高效綠能薄膜矽鍺太陽電池之研發 交通大學 張俊彥 Si-based thin film 新型高效率銅銦鎵硒薄膜型太陽電池之設計模 擬、製備與特性分析 台灣大學 呂宗昕 CIGS 低成本薄膜太陽能電池的技術研發與平台建置 國家奈米元件 實驗室 謝嘉民 Si-based thin film CIGS 薄膜太陽電池之創新量產製程開發及應 用 中山大學 曾百亨 CIGS 寬能域雙接面異質結構矽晶太陽能電池 中山大學 杜立偉 III-V 積體化量子點中間帶吸收結構之多接面太陽能 電池 中興大學 賴聰賢 Si-based thin film 切割矽泥回收與應用之關鍵技術開發 台灣大學 藍崇文 c-Si 高效能聚光型太陽能光發電系統關鍵模組與整 合技術研究 交通大學 成維華 III-V 高效率無鎘 CIGS 太陽能電池先進製程技術之 研發 長庚大學 馮武雄 CIGS 大面積高效率 a-Si/uc-Si/uc-SiGe 三接面疊層薄 膜太陽電池模組全製程技術開發與量產先期評 估 明道大學 汪大永 Si-based thin film 適用於疊層(多重接面)矽薄膜太陽電池的 TCO 玻璃製作技術開發暨試產評估 台灣科技大學 洪儒生 Si-based thin film 部 會 署 計 畫 CIGS 太陽電池關鍵技術開發計畫 工研院 劉振邦 CIGS 能源科技研究中心推動計畫-太陽光電科技研 究中心 成功大學 李清庭 Si-based thin film 高效能太陽光電系統技術開發 工研院 童遷祥 Si-based thin film

(23)

參、 計畫已獲得之主要成果與重大突破就計畫預期目標及 KPI 來作重點說

明(含質化與量化成果 outputs)

1. 請就本計畫涉及之□(1)非研究類成就、□(2)其他效益方面說明重要之成果及重大之

突破,

凡勾選(可複選)之項目請以文字方式分列說明。

2. 請依本計畫(涉及)設定之成果項目以量化績效指標方式填寫主要之量化成果(如非研

究類成就培育人才情形之人數與內容,含量化與質化部分)。

下表填報請參考下列「量化績效指標表」,填寫說明如下表之表格內容,請選擇合適

計畫評估之項目填寫初級產出、效益及重大突破,擇其相關成果填報,

未使用之指標

和文字說明請務必刪除。

屬性 績效指標 初級產出量化值 效益說明 重大突破 非 研 究 類 成 就 國 際 合 作 2.學術活動互動 (研討會、專題討 論…等) 參加國際會議  2012 Material Research Society - Spring Meeting  參加 2013 International Ecotronics Symposium and APAM Topical

Meeting on Electronics, Energy and Environment

 落實並強化研究與國 際接軌的目的  學習效法並創新,提升 國內太陽能電池的光 電轉換效率  對於台灣企業開拓市 場,定位未來國際市場 將有非常大的助益 非 研 究 類 成 就 推 動 輔 導 4.其他  各季季報之收集與彙整  期中、期末評估與彙整  參與能源國家型科技計畫 各季工作小組會議  提供季報及彙整經 驗,並協助資料庫建立 之規劃  協助國家政策之推動

(24)

肆、 主要成就與成果所產生之價值與影響 (outcomes)

請依前述重要成果及重大突破所勾選之內容說明其價值與貢獻度。

例如:有非研究類成就下人才培育請說明 A 學程、教材設計,知識平台建立、B 培育人才情形,含人 數及內容、C 研討會(學術活動)、D 人才出路(就業去向)、E 證照及競賽獲獎、其他等。主要成就之 各項權重總和應為 100%...其他請以此類推。 重要成就與重大突破項目 權重(%) 原計畫設定 一、非研究類成就(人才培育、法規制度、國際合作、推動輔導) 100 二、其它效益(科技政策管理及其它) 0 總計 100%

請依上述擇定之重要成果及重大突破內容說明其價值與貢獻度:

一、

非研究類成就(人才培育、法規制度、國際合作、推動輔導)

(一)

人才培育

(二)

法規制度

(三)

國際合作

參加 2012 Material Research Society - Spring Meeting

由Materials Research Society 舉辦的春季會議於 2012 年 4 月 09 至 13 日在美國舊金山舉行。MRS 為國際間材料科學研究最重要的會議之一,每年分春季與秋季會議共舉辦兩次,其規模包含42 種的材 料相關技術討論、9 個專業領域課程、並超過 100 個攤位的展示場。本次 MRS 會議中發表了十數篇抑 制光反射、增添奈米結構材料、高分子鍍膜、或以多層堆疊等新穎技術,其目的皆以提升太陽能電池 的光電轉換效率為終極目標。在國內薄膜太陽能電池發展技術上,這些想法確實是非常值得我們學習 效法並創新之。

參加2013 International Ecotronics Symposium and APAM Topical Meeting on Electronics, Energy and Environment

此次研討會共有論文發表 17 篇,其論文內容包括了矽基、有機、CIGS、CZTS 等不同材料太陽 能電池的研究、發展以及light trapping 技術、風力發電、電子線路設計、LED 新技術等與電子、能源 以及環境相關的論文演說。本人報告時間為 1/29 上午的 10:00 至 10:30,發表題目為 High Efficiency Multi-Junction Si-Based Thin-Film Solar Cells Utilizing Novel Absorbers and Light-Management Structure。 在會後的討論與多名學者進行學術交流並得到許多寶貴的建議,此建議對日後的教學以及研究方向上 有實質的幫助。 本次研討會旨在發展 Ecotronics 技術來解決目前全球所面臨能源短缺的問題。Ecotronics 是由 Ecology 以及 Electronics 結合而成,意即以顧及生態環境所發展出的電子能源為主要目標。研討會所 發表之論文皆與潔淨能源以及低耗能材料開發有關,如太陽能電池、LED。此二元件之研發符合 Ecotronics 技術目標,也是現階段解決目前所面臨能源短缺問題的方法。在兩天的會議中,亦參觀香 港科技大學電機系的實驗環境,包含了無塵室以及元件製作、材料分析等設備。該校實驗設備充足且 資源完善,其設備管理以及對研究上的支持皆值得我國學習。在研討會的最後有Panel discussion 的討 論,討論主題為 Ecotronics 的推動以及發展。在與多國與會人士討論交流後,了解各國對電子、能源 以及環境發展的策略以及政策,此些策略以及政策皆為我國應學習的目標。

(25)

(四)

推動輔導

1. 完成 101 年度能源國家型科技計畫一~四季季報之收集與彙整:追蹤子項計畫下各計畫每季之成果 與研究進度。101 年度一~四季中,在學術研究方面共發表了 508 篇國內外期刊與研討會論文,並 栽培411 位博碩士研究生參與研究計畫。專利方面則獲得了 65 項國內外專利,另外有 102 篇專利 正在申請中。產業推動方面,共有 51 案的技術轉移案,獲得授權金 47,506 千元,並促進廠商投 資達新台幣654,840 千元之規模。各季季報所之最終彙整結果,送立法院與監察院等機關備查。 2. 完成期中末評估與彙整:配合國科會與能源國家型計畫辦公室作業,分別於 101 年 7~8 月與 102 年1~2 月間舉辦期中與期末評估審查,並於審查會議中對各計畫主持人提供意見與交流。 3. 101 年 1 月參與國科會企劃處主辦的 102 年度中綱計畫經費協調會議,並對國科會提出 102 年度 中綱計畫經費建議。 4. 分別於 101 年 3、6、9、12 月參與能源國家型科技計畫各季工作小組會議,於會議中提報計畫執 行現況並對與會之國科會主管提出建言,針對產學合作計畫提到會遇到之困難。 5. 提供各季季報收取及彙整經驗,並協助能源國家型科技計畫內部成果資料庫建立之規劃。 6. 協助計畫辦公室「台灣國際綠色產業展」籌備工作:協助計畫辦公室於 101 年 10/9 至 10/12 於南 港展覽館參展參加的「台灣國際綠色產業展」。推薦子項下執行成果傑出之計畫參與成果展之成 果發表會,豐富展覽內容。 7. 101 年 9 月~11 月協助計畫辦公室太陽光電計畫成果手冊製作,與各計畫確認內容,並經兩次校正, 此手冊在「台灣國際綠色產業展」中發放,評價良好。 8. 101 年 12 月協助計畫辦公室太陽光電計畫歷年來專利收集,計畫辦公室需印製「能源國家型科技 計畫百大專利介紹」手冊。 9. 102 年 2 月協助計畫辦公室太陽光電計畫歷年來論文收集,計畫辦公室需印製「能源國家型科技 計畫兩百大重要發表論文摘要」手冊。 10. 102 年 1 月參與國科會企劃處主辦的 103 年度中綱計畫經費協調會議,並對國科會提出 103 年度 中綱計畫經費建議。 11. 前提規劃及撰寫太陽光電主軸規劃構想書。

(26)

伍、 本年計畫經費與人力執行情形

一、 計畫經費執行情形:(以下列表格表達)

(ㄧ) 計畫結構與經費

研究計畫

主持人

執行機關

備註

經費

(仟元)

名稱

905

能源國家型科技計畫太陽能(有機+ 無機)子項推動及管理計畫(III) 蔡娟娟 國立交通大學

(二)經資門經費表

(欄位的金額請填兩個數字:「預算數/(執行數)」) 單位:(仟元)

經費項目

主管機關預算 (委託、補助) 自籌款 合計 備註 金額 % 人事費 748.3(748.3) - 748.3(748.3) 100 業 務 研究設備費 - - - - 材料與雜費 86 (86) - 86 (86) 100 管理費 70.7(70.7) - 70.7 (70.7) 100

與原核定計畫差異說明:

(三)整體計畫經費運用情形

核定數(仟元)

實支數(仟元)

執行率(%)

905

905

100

(27)

(四)計畫人力

計畫名稱

執行

情形

總人力

(人月)

研究員級

研究員級

助理

研究員級

助理

能 源 國 家 型 科 技 計 畫 太 陽能(有機+ 無 機 ) 子 項 推 動 及 管 理 計畫(III) 原訂 24 12 - - 12 實際 24 12 - - 12 差異 0 0 - - 0

(五)主要人力投入情形(助理以上)

姓名 計畫職稱 投入主要工作及人 月數 學、經歷及專長 蔡娟娟 總計畫主持人 投入人月數:12 工作重點:指導研究生 進行研究,與共同主持 人一同引領研究方 向,廣泛涉獵國際相關 研究以確立本研究之 重要性、新穎性,研發 新技術,探討基礎機 制,提出專利以及論 文。 學 歷 美國芝加哥大學博士 經 歷 2000-2006 廣輝電子資深副總經理 1997-2000 全球技術策略及市場總監,AKT, an Applied Materials Company

1996-1997 Program Manager, DpiX, a Xerox Company

1978-1996 Research Staff,Xerox Palo Alto Research Center 專 長 非晶半導體材料與元件(Amorphous Semiconductors) 平面顯示器技術(Display Technology) 太陽能電池( Solar Cell ) 陳玠潾 計畫助理 投入人月數:12 學 歷 國立台灣師範大學 光電科技研究所 經 歷 - 專 長 -

與原核定計畫差異說明:

(28)

(六) 101 年度能源國家型科技計畫分項/子項/主軸工作內容一覽表

製表日期: (人力相對應之工作項目,請以「◎」填上欄位中) 工作項目 推動總體規 劃計畫相關 工作 季報編 纂 召開工作 會議 綱要計畫審查 相關作業 資料蒐集、統計、分 析、資料庫與網站之 維運 國際合作推動 及出國互訪計 畫 期中、期末 成果發表展 示會 年度績效 (初)評估 其他* 經費合計(年)(千 元) 經費項目 業務費小計: 834.3(834.3) (千元)(A+B) 人事費小計: 748.3(748.3) (千元)(A) 計畫總主持人 蔡娟娟 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 計畫助理 陳玠潾 ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ ◎ 其他人力 臨時工資 其他費用小計:86(86) (千元)(B) 耗材、物品費 國外學者訪台、研討會費用 研究設備費小計: 0(千元)(C) 研究設備費 差旅費小計: 0(千元)(D) 國外或大陸地區 管理費小計: 70.7(70.7) (千元)(E) 總計=(A)+(B)+(C)+(D)+(E)=905(905) 註:「其他」工作包括帳務核銷

(29)

陸、 與相關計畫(包含分項下其他計畫)之配合

(1) 推動管理性計畫 本子項計畫中除了由國科會主管的「能源前瞻科技研究」綱要計畫項目下共 17 件學術研究計畫之 外,另外還包括由經濟部能源局、工業局、標檢局、技術處等單位主導的其他綱要計畫中,6 件分別 由工研院、核研所、台灣大電力試驗中心、成功大學等單位執行的部會型綱要計畫。101 年度本子項 計畫執行期間,承蒙上述執行單位的協助與配合,順利的分別於 101 年 4 月、7 月、10 月、102 年 1 月完成一~四季的成果資料收集與彙整,並於 101 年 9 月完成期中的考核評估、102 年 2 月完成期末的 考核評估。 (2) 有機太陽光電子項之計畫 高效率高分子太陽能電池 分子設計合成奈米結構控制及元件工程:

1. 本團隊與美國華盛頓大學材料研究中心 Prof. Alex K. Y. Jen 有合作關係,未來將持續與該團隊進行 合作。

有機無機混成薄膜太陽能電池:

1. 與美國加州聖他巴巴拉大學分校以及國家實驗室(Argonne National Laboratory)共同進行高分子太 陽能電池之前瞻研究正在申請中。 2. 將子計畫四所開發之有機無機混成封裝膜應用於子計畫一所研發之有機無機混成太陽能電池,進 行封裝測試。 高效率串座有機太陽能電池:新穎性材料、元件及模擬模型開發之研究: 1. 目前實驗室內部設備是利用國科會自然處計畫(NSC 98-2119-M-001-026)所提供的經費設置而成, 本年度計畫將會採購電漿清洗機並安裝於該設備上達到系統整合目的,同時提升設備功能性。 太陽光發電系統技術發展: 1. UL 研發技術部與核能研究所合作,執行太陽電池模組戶外長期曝曬測試,評估平板與聚光型太陽 電池模組於台灣沿海區域遭受之局部區域環境衝擊,進行太陽光發電系統局部區域架設之模組可 靠度分析,用以建立太陽能發電系統安全規範標準修定重要參考依據,評估參數涵蓋戶外日照強 度、照度時數、環境溫/濕度、風速狀態及鹽霧腐蝕等。目前評估測試場地計有高雄路竹示範場及 驗證實驗室與台東大學合作建置之 HCPV 耐久測試平台,預計採用每個模組接上 Smart Box,連結 匯集到 Inverter,再併網輸出,上述兩處試驗場地有助於測試樣品管理維護與測試資料整合傳輸。 此太陽電池模組可靠度評估分析研究計畫預計整體將執行五年期,總經費為 630 萬元。本委託技 術服務合作計畫將有助於台灣區域太陽光發電系統建置評估,及太陽電池模組可靠度與壽期分析, 可推動太陽光電產業發展與行銷。 2. 日本東京大學岡田教授團隊 2012 年 3 月製成效率 20.3%的量子點單接面太陽電池,核研所應用已 建立之模組製程技術,並以技術服務方式協助該團隊進行量子點太陽電池聚光模組特性驗證,本 項訊息業經日經產業新聞報導,有助於本所能見度之提升。 染料敏化太陽電池產業化技術開發: 1. 與台塑公司持續進行技術先期參與以及技術服務,並促成台塑公司持續投入染料敏化太陽電池研 究。並協助該公司與其他應用商品廠商合作,進行聯合業界科專申請,強化整個電池技術的應用, 目前已成功找到應用方向,業科計劃書也已初審通過,更可激勵相關產業持續投入。 2. 與台塑公司一般技術授權。 3. 與國際設備大廠 TEL(東京威力)合作,進行製程封裝的評估,由基本染料敏化太陽電池推廣到各 種太陽電池模組封裝,開發專有的評估流程,使之最接近電池模組實際應用,在不用實際做成模 組,就能評估材料的優劣,以此擴展雙方合作的深度。

(30)

4. 與交通大學謝宗庸教授持續合作「封裝膠的優化」,將工研院本身配方進行深入探討,使得封裝在 染料敏化太陽電池技術,獲得更紮實的技術能力。 5. 與台大何國川教授合作,新穎對電極的開發,做為前瞻的材料研發;同時我們將已建立完善的小 面積染敏電池製作技術持續分享給有意願進行新穎材料評估的學術單位,利用這穩定測試平台, 來加速台灣在染料敏化太陽電池技術的研發腳步 6. 目前共計有清華大學、交通大學、台北科技大學、長庚大學、中央大學以及明新科技大學等,使 用工研院所發展的小面積染敏電池製作平台進行學術研究,大大縮短了預計要跨入此領域的學者 對於電池製作的摸索階段,更有利於本身缺乏電池製作機台的材料合成實驗室進入染料敏化太陽 電池領域。 以分子建構含石墨烯電極之高分子太陽能電池之界面與形態: 1. 於 101 年 3 月邀請與本團隊有國際合作之美國華盛頓大學材料系任廣禹教授來台會面,針對計畫 執行進行交換意見與互動;10 月本人拜訪任廣禹教授討論有機太陽能電池之發展及雙方可以合作 之項目,經過多次考慮後決定進行串聯式有機太陽能電池這方面之合作,並談到些合作之人選。 2. 與美國加州大學洛杉磯分校材料系楊陽教授有國際合作關係,並且與該團隊共同執行研究台美國 合計畫。邀請楊陽教授於 100 年 2 月來台演講,101 年 6 月來討討論計畫研究內容及進度。 (3) 無機太陽光電子項之計畫 寬能域雙接面質結構矽晶太陽能電池: 1. 目前發表的太陽能電池模擬論文,已經獲得業界興趣,旺能光電已經洽談合作,預計要進行模擬 工作,如果模擬結果有所成效,可以將此參數導入產線並實際做成成品,藉由實際的量測相互驗 證,如此將會讓更多人肯定模擬的功效。

2. 已與德國 Max Planck Institute, Stuttgart 及 Clausthal Technical 大學交換訪問學者,自 2012 年起將藉 由交換博士生及共同發表論文來進行更深入的交流。 3. 培育博士生參與日本暑期研究交流計畫,藉由暑期兩個月的短期訪問 Yoshikawa 團隊,達到三族 氮化物光電元件磊晶技術的精進,並讓學生開拓國際視野。 切割矽泥回收與應用之關鍵技術開發: 1. 目前與中美矽晶公司合作處理矽泥廢渣,並可快速回收矽泥中的切割液以及磨粒;同時簽訂了相 關廢料處理的技術轉移合約。 2. 與德國 Silicor Materials 公司簽定合作備忘錄,合作進行矽泥中除雜質的研究。 低成本薄膜太陽能電池的技術研發與平台建置: 1. 四月份在新竹市科學工業園區奈米電子研究大樓國際會議廳舉行,於太陽能電池元件部份,邀請 台灣大學、清華大學、成功大學三位太陽能電池相關領域的知名教授進行演講,並與數十位工程 師和碩博士研究生共同參與會議,以促進太陽能電池元件技術相關學界、業界人士在各方面的交 流。 2. 促成一項廠商投資,與友達開發"光感測器光電二極體(PIN)元件",投資金額達 100 萬。

3. 與香港科技大學 Prof. Zhiyong Fan 進行國際合作。香港科技大學 Prof. Zhiyong Fan 與美國 Berkeley university Prof. Ali Javey 合作關係密切,其技術卓越,共發表近十篇國際知名期刊 Nano Letter。目 前本團隊與香港科技大學 Prof. Zhiyong Fan 合作開發 3-D a-Si solar cell,其初步轉換效率達 8.5%。 新型高效綠能薄膜矽鍺太陽電池之研發:

1. 與聯相光電公司合作高效能非晶矽太陽能電池開發,製程導入本研究自製開發 TCO 基板。 高效率無鎘 CIGS 太陽能電池先進製程技術之研發:

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