【19】中華民國 【12】專利公報 （B）
【11】證書號數：I413177
【45】公告日： 中華民國 102 (2013) 年 10 月 21 日
【51】Int. Cl.： H01L21/306 (2006.01) B82B1/00 (2006.01)
發明 全 4 頁
【54】名 稱：三維形狀微奈米結構之製造方法
MANUFACTURING METHOD OF 3-D MICRO/NANO STRUCTURE
【21】申請案號：099128143 【22】申請日： 中華民國 99 (2010) 年 08 月 23 日
【11】公開編號：201209905 【43】公開日期： 中華民國 101 (2012) 年 03 月 01 日
【72】發 明 人： 李永春 (TW) LEE, YUNG CHUN；邱正宇 (TW) CHIU, CHENG YU
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
臺南市東區大學路 1 號
【74】代 理 人： 劉正格
【56】參考文獻：
TW I257964B CN 1718535A
US 2009/0253248A1
TW I308552
US 2008/0160190A1 審查人員：李景松
[57]申請專利範圍
1. 一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板，該基板設有至少一第一蝕刻材料 層及一第二蝕刻材料層，該第二蝕刻材料層位於該基板與該第一蝕刻材料層之間，包 含：一轉印步驟，藉由一模仁將一轉印材料層轉印至該基板之該第一蝕刻材料層；一第 一蝕刻步驟，係以該基板上之該轉印材料層作為遮罩，對該第一蝕刻材料層及該第二蝕 刻材料層進行蝕刻；以及一第二蝕刻步驟，對該第一蝕刻材料層及該第二蝕刻材料層進 行蝕刻，且使該第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率，該第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻 率，該第一蝕刻率與該第二蝕刻率之比值小於 30，而使該第一蝕刻材料層完全蝕刻完，
而留下已蝕刻之該第二蝕刻材料層。
2. 一種三維形狀微奈米結構之製造方法係應用於一基板，該基板設有至少一第一蝕刻材料 層及一第二蝕刻材料層，該第二蝕刻材料層位於該基板與該第一蝕刻材料層之間，包 含：一轉印步驟，藉由一模仁將一轉印材料層轉印至該基板之該第一蝕刻材料層；一第 一蝕刻步驟，係以該基板上之該轉印材料層作為遮罩，對該第一蝕刻材料層及該第二蝕 刻材料層進 行蝕刻；以及一第二蝕刻步驟，對該第一蝕刻材料層及該第二蝕刻材料層進 行蝕刻，且使該第一蝕刻材料層具有一第一蝕刻率，該第二蝕刻材料層具有一第二蝕刻 率，該第一蝕刻率與該第二蝕刻率之比值小於 30，而使該第一蝕刻材料層及該第二蝕刻 材料層僅蝕刻部分。
3. 如申請專利範圍第 1 項或第 2 項所述之三維形狀微奈米結構之製造方法，其中該第一蝕 刻材料層與該第二蝕刻材料層之晶格排列不同。
4. 如申請專利範圍第 1 項或第 2 項所述之三維形狀微奈米結構之製造方法，其中該第一蝕 刻材料層與該第二蝕刻材料層之材料不同。
5. 如申請專利範圍第 1 項或第 2 項所述之三維形狀微奈米結構之製造方法，其中該第一蝕 刻材料層與該第二蝕刻材料層之厚度不同。
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6. 如申請專利範圍第 1 項或第 2 項所述之三維形狀微奈米結構之製造方法，其中該第二蝕 刻步驟包含一乾式蝕刻或一溼式蝕刻。
圖式簡單說明
圖 1 為本發明較佳實施例之一種三維形狀微奈米結構之製造方法的步驟流程圖；
圖 2A 至圖 2E 為本發明第一實施例之一種三維形狀微奈米結構之製造方法的示意圖；
圖 2F 為本發明第二實施例之三維形狀微奈米結構之製造方法所產生之三維形狀微奈米結 構的示意圖；以及
圖 3 及圖 4 分別為本發明不同態樣之三維形狀微奈米結構的示意圖。
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