第六章 結論與展望

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第六章 結論與展望

我們對基板傾斜上所生成的量子點進行光調制反射實驗與光致螢光 實驗。在光調制反射實驗中，譜圖顯示出砷化鎵基板與砷化銦濕層的訊 號，但是未觀察到明顯的量子點訊號。在光致螢光實驗內，我們藉由改 變對樣品的激發功率，來辨識樣品上的量子點形態，當中也看到因量子 點的分立能階特性所產生的能態填充效應。利用螢光譜峰能量與理論模 型的比對，可以得到對應螢光譜峰的量子點基底長度。在變溫光致螢光 實驗方面，螢光譜峰隨溫度升高呈現紅移、強度降低以及半高寬縮減的 現象，我們認為主要原因是載子在不同尺寸的量子點群之間的轉換所造 成。載子因溫度逐漸升高而熱活化脫離小尺寸量子點並躍遷至濕層或砷 化鎵層，載子有可能橫向移動被具有較低能態的大尺寸量子點捕獲。

從各個基板傾斜樣品的高斯擬合的結果中，發現基板傾斜角度變大 時，基態螢光譜峰能量呈現藍移且強度也相對增強，顯示傾斜基板上量 子點生成尺寸變小且密度也相對提高。由螢光光譜和 AFM 的結果可知，

基板傾斜上的階梯結構能夠有效控制量子點尺寸和密度。

對光激螢光實驗和光調制反射實驗的討論與分析中，使我們更加瞭解 量子點的能帶結構與光學性質，希望能以此為基礎，利用外加電場的光 譜實驗，更進一步探討量子點的電光性質。