專業科目 1：電子學

【圖 21】

【請接續背面】

-

臺灣菸酒股份有限公司 101 年從業評價職位人員甄試試題

甄試類別【代碼】 ：電氣技術員【C9908】、電子電機人員【C9911】

專業科目 1：電子學

＊請填寫入場通知書編號：________________

注意：•作答前須檢查答案卡、入場通知書編號、桌角號碼、應試類別是否相符，如有不同應立即請監試人 員處理，否則不予計分。

‚本試卷一張雙面共 40 題，每題 2.5 分，限用 2B 鉛筆在「答案卡」上作答，請選出最適當答案，答 錯不倒扣；未作答者，不予計分。

ƒ應考人得自備簡易型電子計算機，但不得發出聲響，且不具財務、工程及儲存程式功能。應考人於 測驗時將不符規定之電子計算機放置於桌面或使用，經勸阻無效，仍執意使用者，該科扣 10 分；

計算機並由監試人員保管至該節測驗結束後歸還。

„答案卡務必繳回，違反者該科成績以零分計算。

【4】1. PN 二極體空乏區內 P 型半導體具有下列何者？

•電洞 ‚電子 ƒ正離子 „負離子

【1】2.有關「電子伏特」之敘述，下列何者正確？

•為能量單位 ‚為電壓單位 ƒ為電流單位 „為功率單位

【3】3.半導體之本質為n ，電子濃度為_i n，電洞濃度為 p ，則下列敘述何者正確？

•n_i

=

p

+

n ‚n_i

=

p

−

n ƒn_i² = p×n „n_i

=

(p

×

n)²

【2】4.二極體之順向直流工作點電壓及電流分別為 0.7V 及 2mA，熱當電壓為 25mV，其交流動態電阻為何？

• 0O ‚ 12.5O ƒ 28O „ 350O

【1】5.如【圖 5】所示之理想二極體電路，I 為何？

• -2mA ‚ -1mA

ƒ 1mA „ 2mA

【3】6.若 BJT 工作於順向主動區，則下列敘述何者正確？

•基射極接面逆向偏壓且基集極接面逆向偏壓

‚基射極接面逆向偏壓且基集極接面順向偏壓 ƒ基射極接面順向偏壓且基集極接面逆向偏壓

„基射極接面順向偏壓且基集極接面順向偏壓

【1】7. BJT 工作於作用區且α =0.98，基極電流為 0.06mA，則射極電流為何？

• 3mA ‚ 5mA ƒ 7mA „ 8mA

【2】8.下列何者為 BJT 射極隨耦器之特性？

•電流增益約為 1 ‚電壓增益約為 1 ƒ輸出阻抗甚高 „輸入阻抗甚低

【4】9.如【圖 9】所示之電路，BJT 之β = 100，

切入電壓為 0.7V，則V 約為何？ _CE

• 9.5V

‚ 8.2V ƒ 5.8V

„ 4.3V

【2】10.如【圖 10】所示之電路，BJT 之

β = 100，

切入電壓為 0.7 V，則V 約為何？ _CE

• 2.2V ‚ 3.52V

ƒ 5.62V „ 6.4V

【3】11.有關共集極放大電路之敘述，下列何者正確？

•電壓增益甚高 ‚輸入阻抗甚低 ƒ輸出端為射極 „又稱為集極隨耦器

【1】12. BJT 共射極放大電路中，與射極回授電阻並聯的旁路電容器，其功用為何？

•提昇電壓增益 ‚阻隔直流電流 ƒ濾波 „防止短路

【4】13. JFET 在歐姆區工作模式時，若汲源極電壓 V_DS很小，則其通道電阻為何？

j 0 ‚

∞

ƒ為非線性電阻特性 „為線性電阻特性

【1】14.下列敘述何者正確？

•空乏型 MOSFET 可具有增強型特性 ‚空乏型 MOSFET 沒有預置通道

ƒ增強型 MOSFET 有預置通道 „增強型 N 通道 MOSFET 之閘源極電壓為負才能控制電流

【4】15.如【圖 15】所示之電路，JFET 之 I_DSS = 4 mA，V_GS(OFF) = -4 V，則 I_D約為何？

• 0A ‚ 2mA

ƒ 3mA „ 4mA

【3】16.某放大電路之電壓增益為 100，電流增益為 10，則其功率增益為何？

• 10 dB ‚ 20 dB ƒ 30 dB „ 60 dB

【1】17.有關達靈頓放大電路之敘述，下列何者錯誤？

•電流增益約為 1 ‚輸出阻抗很小

ƒ可用來作阻抗匹配 „輸入與輸出同相位

【2】18.積體電路中，常用的串級放大電路耦合型態為何？

•變壓器耦合 ‚直接耦合 ƒ電容耦合 „電感耦合

【1】19.如【圖 19】所示之電路，V 為何？ _o

j -4 V k -2 V

l 2 V m 4 V

【1】20.如【圖 20】所示，此為何種電路？

•施密特觸發電路

‚減法器電路 ƒ非反相放大電路

„反相放大電路

【題組 21-22】

如【圖 21】所示的電路，二極體 D 為理想二極體，請回答 21-22 題：

【3】21.若要使二極體導通，電壓源 E 至少需要多大？

• IR₁ ‚ IR₂

ƒ 2IR₁ „ 2IR₂

【2】22. I=2mA，E=15V，R₁=5kΩ，R2=5kΩ，則流經 R1的電流有多大？

• 1mA ‚ 2mA

ƒ 3mA „ 4mA

【題組 23-24】

如【圖 23】所示的電路，各二極體均為理想二極體，請回答 23-24 題：

【4】23.本題之電流 I 為多大？

• 0 ‚ 1.7mA

ƒ 2mA „ 2.5mA

【2】24.本題之電路是正邏輯的何種閘電路？

•及(AND)閘 ‚或(OR)閘

ƒ反及(NAND)閘 „反或(NOR)閘

9

N:

9 9

, 2kO

【圖 5】

− +

【圖 9】

− +

【圖 10】

【圖 15】

Ω k 10 Ω

k 6V 10

Vo

2V 10kΩ

12V 12V - Ω k 10

【圖 19】

R1

Vo

Vi

1V

R2

【圖 20】

【圖 23】

-

【3】25.如【圖 25】所示的電路，為由齊納二極體(Zener Diode)所構成的齊納穩壓器。

若齊納二極體的 V_Z=5V，電源 V=10V，R=1k

Ω

，R_L=2.5kΩ，則流經齊納二極 體的電流 I_Z大約為多大？

• 0 ‚ 2mA

ƒ 3mA „ 5mA

【題組 26-28】

有一雙極性接面電晶體(BJT)，操作於主動模式(active mode)。請回答 26-28 題：

（提示：26-28 題有關 BJT 之各題，當涉及熱電壓 V_T時，取 V_T=25mV）

【2】26.若其集極電流 I_C=1mA，則其跨導 g_m值約為多大？

• 1mA/V ‚ 40mA/V

ƒ 1A/V „ 40A/V

【4】27.若其β=100，當集極電流 IC=1mA 時，其小訊號 r_π 值約為多大？

• 0.1kΩ ‚ 0.25kΩ ƒ 1k

Ω

„ 2.5kΩ

【3】28.若其爾利電壓(Early Voltage)為 30V，當集極電流 I_C=1mA，其輸出電阻 r_o 值約為多大？

• 10kΩ ‚ 20k

Ω

ƒ 30k

Ω

„ ∞

【題組 29-30】

【3】29.如【圖 29】的電路，設電晶體操作在主動模式(active mode)，其 I_C=0.5mA，R_C=10kΩ，R_L=10kΩ， R_E=0.2kΩ，CE及 C_C均極大。此電路之小訊號電壓增益 A_v=V_o/V_i大約為多大？

• -20V/V

‚ -40V/V ƒ -100V/V

„ -200V/V

【3】30.承上題，若電晶體的β=100，則此電路的小訊號輸入電阻 Rin 約為多大？

• 50Ω

‚ 250Ω ƒ 5kΩ

„ 25k

Ω

【4】31.在【圖 31】的電路，電晶體操作在主動模式(active mode)，其 V_BE=0.7V，

β

=100。設電流源 I=5mA，

R_B=50kΩ，RC=2kΩ，則 VE約為多大？

• -0.7V

‚ -1.8V ƒ -2.5V

„ -3.2V

【3】32.一個 NMOSFET，其臨界電壓(Threshold Voltage)V_t=1V。輸入端的電壓，V_GS=2V 時，其汲極飽和電 流 I_D=1mA。則當 V_GS增至 3V 而電晶體仍處於飽和模式(Saturation mode)之 I_D值約為多大？

• 1mA ‚ 2mA ƒ 4mA „ 9mA

【1】33.一個 NMOSFET，其臨界電壓(Threshold Voltage)V_t=1V。當輸出端的電壓 V_DS=2V 時，其汲極飽和 電流 I_D=1mA。則當 V_DS增至 4V 時，其汲極飽和電流 I_D值約為多大？

• 1mA ‚ 2mA ƒ 4mA „ 9mA

【3】34.在【圖 34】的電路，NMOS 電晶體的臨界電壓(Threshold voltage)V_t=1V。電流源 I=1mA，V_DD=5V，

若要使該電晶體操作在飽和模式(Saturation mode)，則 R_D的最大值為多大？

• 4kΩ

‚ 5kΩ ƒ 6kΩ

„無限制

【2】35.在【圖 35】的共源(CS)放大器，設 NMOS 電晶體操作在飽和模式（偏壓電路略去未顯示），其臨 界電壓(Threshold voltage)V_t=1V，爾利電壓(Early Voltage)V_A=

∞

，R_D=10kΩ，若輸入電壓之直流成分 V_I=2V 時，汲極電流之直流成分 I_D=1mA。此共源放大器的小訊號電壓增益約為多大？

• -10V/V

‚ -20V/V ƒ -40V/V

„ -

∞

【1】36.在【圖 36】的電路為一疊接(Cascode)放大器，其偏壓電路略去未顯示。電晶體 Q₁、Q₂之跨導分別 為 g_m1、g_m2，輸出電阻 r_o1、r_o2均為

∞

。此疊接放大器之小訊號電壓增益 A_v=v_o/v_i為何？

• -g_m1R_D

‚ +g_m1R_D ƒ -g_m2R_D

„ +g_m2R_D

【1】37.以 MOSFET 構成的各種放大器組態中，具有較低頻寬的是哪一種組態？

•共源(CS)組態 ‚共閘(CG)組態 ƒ共汲(CD)組態 „疊接(Cascode)組態

【2】38.在共源(CS)放大器的各級閘電容中，以何者的米勒效應(Miller’s Effect)最為明顯？

• C_gs ‚ C_gd ƒ C_db „ C_sb

【2】39.藉由何種組態的負回授，可以構成一電流放大器(Current Amplifer)？

•並聯-並聯(Shunt-shunt) ‚並聯-串聯(Shunt-series) ƒ串聯-並聯(Series-shunt) „串聯-串聯(Series-series)

【4】40.藉由何種組態的負回授，可同時提高一個回授放大器的輸入電阻及輸出電阻？

•並聯-並聯(Shunt-shunt) ‚並聯-串聯(Shunt-series) ƒ串聯-並聯(Series-shunt) „串聯-串聯(Series-series)

【圖 25】

【圖 29】

【圖 31】

【圖 36】

【圖 35】

【圖 34】