100-5 電機與電子群 專業科目(一) 共 2 頁 第 1 頁
100 學年四技二專第五次聯合模擬考試
電機與電子群 專業科目(一) 詳解
100-5-03-4 100-5-04-4 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 B A D C B C A C D C A D C B C C A B C A D D B B B 26 27 28 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 B C C A A D D C B A D B A D C B A B D C C D B A D 第一部份:基本電學 1. (1) Vth =24V+4×3=36V Ω = 3 Rth (2) I>4,才會輸出電流 ∴ 4 R 3 V 36 > + ,3+R<9,R< 6 2. 4A) (3//3) 18V 3 V 24 ( VA= Ω + × = ,18V÷3Ω=6A 3. 40V 4 2 4 V 60 Va = + × = V 50 40 10 Vb = + = 4. 50 40V 3 6 3 30 VC=− × + + = 5. (1) E=5r+10V,E=3r+18V Ω = 4 r ,E=30V (2) I=30V÷(4+8)=2.5A 6. Rab=r=4Ω 7. R=10G=10×109=1010 =1013 mΩ 8. )(12//6//3//4) 72 12 120 4 120 6 120 ( VA= + + = A 8 6 72 120 I1 = Ω − = 9. P=−5×2=−10W 10. 金屬 溫度↑電阻↑,∴R1>R2 溫度↑α↓,∴α1<α2 11. 串聯互消6+4−2×2=6H 12. 4A 6 V 24 I = Ω = , 5m 4 40m 0.04j 2 1 W= × × 2= = 13. 2 n 1 nc n c = ÷ 15. IL =100V÷(10+40)=2A 16. VL =−2×40=−80V 17. 正弦波一週平均值=0 18. 同頻率之弦波相加,頻率不變 19. 1102+602 =125.3 20. 2 j 1 j 1 ) j ( 1 j Z = + − + = 21. C↑ XC↓,Z↓,I↑, C X R tanθ= ,XC↓ ↑ θ tan ,θ cos↑ θ↓ 22. ) 5 2 10 ( 3 ) 2 10 ( Z I R I S P Pmax = + = 2 + 2 = 2× + 2× W 400 = 23. 0.8 10 8 I I cosθ= R = = 24. 1500W 20 ) 3 300 ( R V P 2 2 = Ω = = 25. Y 型:線電壓超前相電壓 30°且VL = 3VP 第二部份:電子學 26. 空乏區形成障壁電位會制止擴散電流 27. = =50Ω mA 2 mV 100 rZ ,VZ=6.8+50Ω×8m=7.2 28. 設D2ON,D1ON 的條件為 ) k 1 // k 2 )( k 1 V 5 k 2 V 2 ( Vi ≥ + ,Vi ≥ 4 29. 8mA k 1 ) 5 ( 3 I= − − = 31. 7.07A 40 2 200 Im= = 32. ∵D1OFF,∴Vo =−5~5 33. 120 1 m 40 80 Vr(p−p)× μ= × ,Vr(p−p)=4.2V ∴Vdc=50−2.1≅48V 34. 基極寬度變窄,IB↓, B C I I = β ,β ↑ 35. ∵斜率 負載電阻 1 − = ,∴斜率和VCC無關 36. VB−VE >0,VB−VC>0 37. IE=IB+IC =10.2mA100-5 電機與電子群 專業科目(一) 共 2 頁 第 2 頁 38. P 閘接逆向,∴VGS< 0 39. 2 P DSS ) V 5 . 1 1 ( I mA 9 = −− , 2 P DSS ) V 5 . 4 1 ( I mA 1 = −− 6 VP =− ⇒ ,IDSS=16mA 40. 因V 沒接o R ,無法放電,故L f = 0 41. (1) Vs=1.3V(直流),IB =0.1m,Vo(dc)=4V (2) 7 40 k 1 k 6 k 4 . 0 AV + =− × β = , ( 0.35) 2 7 40 Vo(ac) =− × ± =± ∴Vo =4±2=2~6 42. 直接交連,低頻響應好 43. ∵ICBO、VBE、β 會受溫度影響 44. N 閘極加逆向,∴VGS> ,故在第一象限 0 45. )(4k//2k) 6V k 2 V 3 k 4 12 ( VH = + = + V 2 ) k 2 // k 4 )( k 2 V 3 k 4 V 12 ( VH + =− − = − 46. Vi=−3<VH−,∴Vo =+12 47. 巴克豪森準則AB= 為正弦波振盪器 1 48. 矽的障壁電壓為 0 V(電中性) 49. Av = ,1 20log1=0dB 50. Vo =9V−3m×2k+1V=4V