像素電路

(1)

【11】證書號數：I371736

【45】公告日：中華民國 101 (2012) 年 09 月 01 日

【51】Int. Cl.： G09G3/30 (2006.01)

發明　　　　　全 12 頁　

【54】名　　稱：像素電路

【21】申請案號：096128204 【22】申請日：中華民國 96 (2007) 年 08 月 01 日

【11】公開編號：200907894 【43】公開日期：中華民國 98 (2009) 年 02 月 16 日

【72】發明人：林志隆 (TW) ；周冠汶 (TW)

【71】申請人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY

臺南市東區大學路 1 號

【74】代理人：惲軼群；陳文郎

【56】參考文獻：

TW 538552

US 2002/0195968A1

TW I229542

US 2003/0107565A1 審查人員：吳傳瑞

[57]申請專利範圍

1.　一種像素電路，包含：一第一電晶體及一第二電晶體，每一電晶體具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端；一開關；一電容；及一有機發光二極體；其中，該第一電晶體的控制端及該電容的一端電連接，該第一電晶體的第一端、該第二電晶體的第二端及該電容的另一端電連接，該第一電晶體的第二端及該有機發光二極體的陽極電連接，該有機發光二極體的陰極接收一掃描信號，該第二電晶體的控制端接收一參考電壓，該第二電晶體的第一端接收一電源信號，該開關接收一資料電壓，並受該電源信號控制，以決定是否輸出該資料電壓到該第一電晶體的控制端。

2.　依據申請專利範圍第 1 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 P 型薄膜電晶體。

3.　依據申請專利範圍第 1 項所述之像素電路，其中，該開關包括一第三電晶體，該第三電晶體具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端，該第三電晶體的控制端接收該電源信號，該第三電晶體的第一端接收該資料電壓，該第三電晶體的第二端電連接到該第一電晶體的控制端。

4.　依據申請專利範圍第 3 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體皆是 P 型薄膜電晶體。

5.　依據申請專利範圍第 1 項所述之像素電路，其中，該第二電晶體及該開關一次只有一個導通，且在該第一電晶體沒有產生電流來驅動該有機發光二極體時，該開關才導通。

6.　依據申請專利範圍第 5 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 P 型薄膜電晶體。

7.　依據申請專利範圍第 5 項所述之像素電路，其中，該開關包括一第三電晶體，該第三電晶體具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端，該第三電晶體的控制端接收該電源信號，該第三電晶體的第一端接收該資料電壓，該第三電晶體的第二端電連接到該第一電晶體的控制端。

(2)

8.　依據申請專利範圍第 7 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體皆是 P 型薄膜電晶體。

9.　一種像素電路，包含：一第一電晶體及一第二電晶體，每一電晶體具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端；一開關；一電容；及一發光元件，具有一陽極及一陰極；其中，該第一電晶體的控制端及該電容的一端電連接，該第一電晶體的第一端、該第二電晶體的第二端及該電容的另一端電連接，該第一電晶體的第二端及該發光元件的陽極電連接，該發光元件的陰極接收一掃描信號，該第二電晶體的控制端接收一參考電壓，該第二電晶體的第一端接收一電源信號，該開關接收一資料電壓，並受該電源信號控制，以決定是否輸出該資料電壓到該第一電晶體的控制端。

10. 依據申請專利範圍第 9 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 P 型薄膜電晶體。

11. 依據申請專利範圍第 9 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 P 型金屬氧化物半導體。

12. 依據申請專利範圍第 9 項所述之像素電路，其中，該開關包括一第三電晶體，該第三電晶體具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端，該第三電晶體的控制端接收該電源信號，該第三電晶體的第一端接收該資料電壓，該第三電晶體的第二端電連接到該第一電晶體的控制端。

13. 依據申請專利範圍第 12 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體皆是 P 型薄膜電晶體。

14. 依據申請專利範圍第 12 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體皆是 P 型金屬氧化物半導體。

15. 依據申請專利範圍第 9 項所述之像素電路，其中，該第二電晶體及該開關一次只有一個導通，且在該第一電晶體沒有產生電流來驅動該發光元件時，該開關才導通。

16. 依據申請專利範圍第 15 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 P 型薄膜電晶體。

17. 依據申請專利範圍第 15 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 P 型金屬氧化物半導體。

19. 依據申請專利範圍第 18 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體皆是 P 型薄膜電晶體。

20. 依據申請專利範圍第 18 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體、該第二電晶體及該第三電晶體皆是 P 型金屬氧化物半導體。

21. 一種像素電路，包含：一第一電晶體及一第二電晶體，每一電晶體具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端；一開關；一電容；及一有機發光二極體；其中，該第一電晶體的控制端及該電容的一端電連接，該第一電晶體的第一端接收一電源信號，該第一電晶體的第二端、該第二電晶體的第一端及該電容的另一端電連接，該第二電晶體的控制端接收一參考電壓，該第二電晶體的第二端及該有機發光二極體的陽極電連接，該有機發光二極體的陰極接收一掃描信號，該開關接收一資料電壓，並受該電源信號控制，以決定是否輸出該資料電壓到該第一電晶體的控制端。

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22. 依據申請專利範圍第 21 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 N 型薄膜電晶體。

24. 依據申請專利範圍第 23 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 N 型薄膜電晶體，而該第三電晶體是 P 型薄膜電晶體。

25. 依據申請專利範圍第 21 項所述之像素電路，其中，該第二電晶體及該開關不會同時不導通，且在該開關不導通時，該第一電晶體才產生電流來驅動該有機發光二極體。

29. 一種像素電路，包含：一第一電晶體及一第二電晶體，每一電晶體具有一第一端、一第二端及一決定該第一端及該第二端是否導通的控制端；一開關；一電容；及一發光元件，具有一陽極及一陰極；其中，該第一電晶體的控制端及該電容的一端電連接，該第一電晶體的第一端接收一電源信號，該第一電晶體的第二端、該第二電晶體的第一端及該電容的另一端電連接，該第二電晶體的控制端接收一參考電壓，該第二電晶體的第二端及該發光元件的陽極電連接，該發光元件的陰極接收一掃描信號，該開關接收一資料電壓，並受該電源信號控制，以決定是否輸出該資料電壓到該第一電晶體的控制端。

31. 依據申請專利範圍第 29 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 N 型金屬氧化物半導體。

34. 依據申請專利範圍第 32 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 N 型金屬氧化物半導體，而該第三電晶體是 P 型金屬氧化物半導體。

35. 依據申請專利範圍第 29 項所述之像素電路，其中，該第二電晶體及該開關不會同時不導通，且在該開關不導通時，該第一電晶體才產生電流來驅動該發光元件。

37. 依據申請專利範圍第 35 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 N 型金屬氧化物半導體。

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40. 依據申請專利範圍第 38 項所述之像素電路，其中，該第一電晶體及該第二電晶體皆是 N 型金屬氧化物半導體，而該第三電晶體是 P 型金屬氧化物半導體。

圖式簡單說明

圖 1 是一種習知的像素電路之電路圖；圖 2 是圖 1 的像素電路之時序圖；圖 3 是另一種習知的像素電路之電路圖；圖 4 是圖 3 的像素電路之時序圖；圖 5 是又一種習知的像素電路之電路圖；圖 6 是圖 5 的像素電路之時序圖；圖 7 是本發明像素電路的第一較佳實施例之電路圖；圖 8 是該第一較佳實施例之時序圖；圖 9 是該第一較佳實施例之模擬圖；圖 10 是本發明的第二較佳實施例之電路圖；及圖 11 是該第二較佳實施例之時序圖。

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