第一章 緒論
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第一章 緒論
磁光記憶體因為其具有儲存資料的高容量與速度,特別是可攜帶性,所以 是目前大家極欲研究的對象,隨著科技的進步,利用鐵磁性物質來紀錄與儲存 資料的技術不斷的被研究,特別是超高真空的發展,使的薄膜製造的技術更進 一步,也讓磁光記體體在發展上可以朝向輕薄短小的方向。
磁光記憶體可被當作紀錄的材料,是因為其具有垂直磁異向性,這個特性 可使入射光與反射光的偏極化方向改變,利用磁光柯爾效應的原理我們可以儲 存磁光記憶體上的數位訊號,也就是利用雷射光加熱磁光記憶體至其居禮溫 度,再外加一磁場就可以寫入資料,降溫後利用磁光柯爾效應原理讀取材料上 的數位訊號。許多研究發現在 Co/Pt
[1]、Co/Pd
[1]、Co/Au
[2]、Co/Cu
[3]和 Fe/Ag
[4]
等多層膜,具有垂直方向的磁異向性,這些發現使得磁光記憶體的發展可以 更進一步朝向更多元的方向。目前在紅光雷射的光學系統(λ= 632.8 nm),磁 光記憶體的記錄密度可達 20 Gb / in
2,若未來開發藍光雷射,則記錄密度可達 50 Gb / in
2,甚至可達到 100 Gb / in
2。
從前面的說明,我們知道一個磁光記憶體若要被應用,那麼其居禮溫度必 須在我們雷射光加熱可到達的範圍,如此才能儲存資料,但是在使用磁光記憶 體時,我們又不希望因為熱效應,使得記憶體上磁矩排列混亂,而破壞了儲存 的資料,因此一個好的磁光記憶材料是目前大家研發的課題。
我們實驗室對於 1 ML Co / Pt (111)、 2 ML Co / Pt (111)、1 ML Co / 1ML Ni
/ Pt (111)、1 ML Ni 1 ML / Co / Pt (111)這四種樣品的結構與磁性已經做過許多探
討,包括其結構與磁性如何隨溫度的改變等等…,而我的實驗系統,則是要利
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