【11】證書號數：I444507 【45】公告日： 中華民國 103 (2014) 年 07 月 11 日 【51】Int. Cl.： C25D11/12 B82B3/00 (2006.01) (2006.01) C25D11/24 (2006.01) 發明 全 8 頁 【54】名 稱：具有奈米孔洞之陽極氧化鋁模板之製造方法
METHOD FOR MAKING ANODIC ALUMINUM OXIDE FILM HAVING NANOPORE
【21】申請案號：098123108 【22】申請日： 中華民國 98 (2009) 年 07 月 08 日 【11】公開編號：201102460 【43】公開日期： 中華民國 100 (2011) 年 01 月 16 日 【72】發 明 人： 鍾震桂 (TW) CHUNG, CHEN KUEI；周潤祥 (ID) CHOU, R. X.；張維哲 (TW)
CHANG, W. T.；劉東育 (TW) LIU, T. Y.
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 臺南市東區大學路 1 號 【74】代 理 人： 蔡東賢 【56】參考文獻： JP 55-89500A JP 2007-154300A 審查人員：李明達 [57]申請專利範圍
1. 一種具有奈米孔洞之陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide,AAO)模板之製造方法，包括： (a)提供一鋁材；(b)浸置該鋁材於一第一電解液中；(c)施加一第一脈衝訊號於該鋁材，以 進行第一次陽極氧化，而形成複數個孔隙及一氧化層於該鋁材，其中該第一脈衝訊號係 為正負脈衝電壓，且該脈衝電壓之波形係為方波，其中正電壓之電壓值係大於負電壓之 電壓值；(d)浸置該鋁材於一蝕刻液中以移除其表面之該氧化層；(e)浸置該鋁材於一第二 電解液中；及(f)施加一第二脈衝訊號於該鋁材，以進行第二次陽極氧化，而使得該等孔 隙形成複數個奈米孔洞。 2. 如請求項 1 之方法，其中該步驟(a)中，該鋁材係為鋁箔或矽基鋁薄膜。 3. 如請求項 1 之方法，其中該步驟(a)中，該鋁材之純度係高於 99%。 4. 如請求項 1 之方法，其中該步驟(a)中，該鋁材具有一表面，該步驟(c)之該等孔隙及該步 驟(f)之該等奈米孔洞係位於該鋁材之表面。 5. 如請求項 1 之方法，其中該步驟(a)後，更包括一利用化學拋光方式拋光該鋁材之步驟。 6. 如請求項 1 之方法，其中該步驟(b)之該第一電解液及該步驟(e)之該第二電解液之溫度係 介於 0℃至 40℃。 7. 如請求項 1 之方法，其中該步驟(b)之該第一電解液及該步驟(e)之該第二電解液係為草 酸、硫酸、磷酸或鉻酸。 8. 如請求項 7 之方法，其中該第一電解液及該第二電解液係為草酸，且其濃度係介於 0.01M 至 1M。 9. 如請求項 1 之方法，其中該步驟(c)及該步驟(f)中，係於 20℃至 40℃下進行該第一次陽 極氧化及該第二次陽極氧化。 10. 如請求項 1 之方法，其中該步驟(d)中，該蝕刻液係為磷酸。 2545
-11. 如請求項 1 之方法，其中該步驟(f)中，該第二脈衝訊號係為脈衝電壓或脈衝電流。 12. 如請求項 11 之方法，其中該第二脈衝訊號係為脈衝電壓，其為正脈衝電壓或正負脈衝電 壓。 13. 如請求項 12 之方法，其中該脈衝電壓之波形係為三角波、弦波、鋸齒波或方波。 14. 如請求項 1 之方法，其中該步驟(f)中，該等奈米孔洞之直徑係為 30nm 至 200nm。 15. 如請求項 14 之方法，其中該等奈米孔洞之直徑係為 30nm 至 60nm。
16. 一種具有奈米孔洞之陽極氧化鋁(Anodic Aluminum Oxide,AAO)模板之製造方法，包括： (a)提供一鋁材； (b)浸置該鋁材於一第一電解液中；及(c)施加一第一脈衝訊號於該鋁 材，以進行第一次陽極氧化，而形成複數個奈米孔洞於該鋁材，其中該第一脈衝訊號係 為正負脈衝電壓，且該脈衝電壓之波形係為方波，其中正電壓之電壓值係大於負電壓之 電壓值。 17. 如請求項 16 之方法，其中該步驟(a)中，該鋁材係為鋁箔或矽基鋁薄膜。 18. 如請求項 16 之方法，其中該步驟(a)中，該鋁材之純度係高於 99%。 19. 如請求項 16 之方法，其中該步驟(a)中，該鋁材具有一表面，該步驟(c)之該等奈米孔洞 係位於該鋁材之表面。 20. 如請求項 16 之方法，其中該步驟(a)後，更包括一利用化學拋光方式拋光該鋁材之步驟。 21. 如請求項 16 之方法，其中該步驟(b)之該第一電解液之溫度係介於 0℃至 40℃。 22. 如請求項 16 之方法，其中該步驟(b)之該第一電解液係為草酸、硫酸、磷酸或鉻酸。 23. 如請求項 22 之方法，其中該第一電解液及該第二電解液係為草酸，且其濃度係介於 0.01M 至 1M。 24. 如請求項 16 之方法，其中該步驟(c)中，係於 20℃至 40℃下進行該第一次陽極氧化及該 第二次陽極氧化。 25. 如請求項 16 之方法，其中該步驟(c)中，更形成一氧化層於該鋁材。 圖式簡單說明 圖 1 顯示本發明具有奈米孔洞之陽極氧化鋁模板之製造方法之流程圖；及圖 2 至圖 11 顯 示本發明具有奈米孔洞之陽極氧化鋁模板之製造方法之示意圖。 (2) 2546
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