四技二專

【107】四技二專統一入學測驗 107～1

四技二專

統一入學測驗

電機與電子群專業科目(一)(二) 電子學、電子學實習

（本試題答案係依據統一入學測驗中心於107 年 5 月 7 日公布之標準答案）

試題分析

一、命題焦點：

電機類、資電類專業科目(一)─電子學：

命題平均分配於所有章節，其中以二極體之應用電路、電晶體直流偏壓電路、場效 電晶體放大電路、運算放大器及基本振盪電路為主。命題包含綜合觀念與理論計算，僅 第17 題計算過程繁瑣，整體而言，難度適中。

電機類專業科目(二)─電子學實習：

命題平均分配於所有章節，其中以電晶體直流偏壓電路實驗、運算放大器應用電路 實驗與基本振盪電路實驗為主。命題包含綜合觀念與理論計算，僅第 10 題計算過程繁 瑣，整體而言，難度中間偏易。

資電類專業科目(二)─電子學實習：

命題平均分配於所有章節，其中以二極體之特性及應用電路實驗、雙極性接面電晶 體之特性實驗與基本振盪電路實驗命題比例較高。命題以綜合觀念為主，僅第8 題需要 計算，整體而言，難度偏易。

二、配分比例表：

章 電機類、資電類

專業科目(一)電子學 題數 專業科目(二)電子學實習 電機類

題數

資電類 題數

1 概論 0 工場安全及衛生 2 0

2 二極體 2 二極體之特性及應用電路實驗 1 2 3 二極體之應用電路 3 截波及箝位電路實驗 1 1 4 雙極性接面電晶體 2 雙極性接面電晶體之特性實驗 0 2 5 電晶體直流偏壓電路 3 電晶體直流偏壓電路實驗 2 1 6 電晶體放大電路 2 電晶體放大電路實驗 1 1 7 串級放大電路 2 串級放大電路實驗 1 1 8 場效電晶體 2 場效電晶體之特性實驗 1 0 9 場效電晶體放大電路 3 場效電晶體放大器電路實驗 1 1 10 運算放大器 3 運算放大器應用電路實驗 2 1 11 基本振盪電路 3 基本振盪電路實驗 3 2

合計 25 合計 15 12

107 年

3510-X﹝K﹞夾入3510

107～2 【107】四技二專統一入學測驗

電機類、資電類專業科目(一)─電子學：

____ 1. 某矽製二極體之 PN 接面於 5C 時，其逆向飽和電流為 6nA，當此 PN 接面溫度上升至 35C 時，則其逆向飽和電流為何？ (A)60nA (B)48nA (C)40nA (D)32nA。 二極體 ____ 2. 如圖(一)所示之理想稽納(Zener)二極體電路，若

VS＝18V，則該電路之稽納二極體功率規格至少 應 為 何 ？ (A)225mW (B)180mW (C)168mW

(D)132mW。 二極體

____ 3. 有關輸入、輸出電壓與容量規格皆相同之理想二極體全波整流電路的 比較，下列敘述何者正確？ (A)橋式整流電路之二極體逆向耐壓需 求為中間抽頭式整流電路之 1/2 (B)中間抽頭式整流電路之變壓器 線圈僅半波動作，故變壓器容量可縮小約1/2 (C)橋式整流電路之輸 出電壓漣波值較中間抽頭式整流電路高 (D)中間抽頭式整流電路之 二極體電流規格可較橋式整流電路為小。 二極體之應用電路 ____ 4. 下列全波整流電路之接線，何者正確？ 二極體之應用電路

(A) (B) (C) (D) 。

____ 5. 某二極體電路實驗之示波器量測波形如圖(二)所 示，已知此實驗電路的輸入信號vin＝10sin(ωt)V，且 二極體視為理想，則此實驗電路可能為下列何者？

二極體之應用電路 (A) (B) (C) (D) 。 ____ 6. 下列有關雙極性接面電晶體(BJT)操作於順向主動(active)區之條件描

述，何者正確？ (A)NPN 電晶體操作條件為 B-E 接面順偏，B-C 接 面逆偏 (B)NPN 電晶體操作條件為 B-E 接面順偏，B-C 接面順偏 (C)PNP 電晶體操作條件為 B-E 接面逆偏，B-C 接面順偏 (D)PNP 電 晶體操作條件為B-E 接面逆偏，B-C 接面逆偏。 雙極性接面電晶體

1.(B) 2.(A) 3.(A) 4.(B) 5.(B) 6.(A)

圖(一)

圖(二)

【107】四技二專統一入學測驗 107～3

____ 7. 如圖(三)所示之 LED 驅動電路，若 VBB＝5V，VCC＝5V，電晶體之 β

＝50，LED 二極體流過之電流為 10mA 且順向電壓為 2V，電晶體工 作於飽和區且 VCE之飽和電壓視為零，則下列何者正確？ (A)RB＝ 30kΩ，RC＝300Ω (B)RB＝20kΩ，RC＝300Ω (C)RB＝30kΩ，RC＝ 200Ω (D)RB＝20kΩ，RC＝200Ω。 雙極性接面電晶體

圖(三) 圖(四) 圖(五) 圖(六)

____ 8. 下列有關 BJT 電晶體偏壓電路之敘述，何者正確？ (A)當電晶體未 飽和時，β 值會隨工作溫度上升而變小 (B)具射極電阻之分壓式偏 壓電路，工作點IC易隨 β 變動 (C)集極回授式偏壓電路之基極電阻 具正回授特性 (D)射極回授式偏壓電路之射極電阻具負回授特性。

電晶體直流偏壓電路 ____ 9. 如圖(四)所示之集極回授偏壓電路，VCC＝12V，VBE＝0.7V，電晶體

β ＝ 150 ， RC＝1kΩ ， 若 VCE＝6V ， 則 RB 約 為 何 ？ (A)45.5kΩ (B)78.5kΩ (C)133.4kΩ (D)160.4kΩ。 電晶體直流偏壓電路 ____ 10. 如圖(五)所示之電晶體電路，VBE＝0.7V，電晶體 β＝50，熱電壓

(thermal voltage)VT＝26mV。若正弦波輸入電壓 Vi的平均值為零，且 電 晶 體 操 作 於 主 動 區 ， 則 電 壓 Vo 的 平 均 值 為 何 ？ (A)13.58V (B)12.43V (C)10.58V (D)8.75V。 電晶體直流偏壓電路 ____ 11. 如圖(六)所示之電晶體電路，VBE＝0.7V，VT＝26mV，則此電路小信

號電壓增益 ^o

i

v

v 約為何？ (A)－100 (B)－80 (C)80 (D)100。

電晶體放大電路 ____ 12. 如圖(六)所示之電路，VBE＝0.7V，VT＝26mV，則此電路小信號電流

增益 ^o

i

i

i 約為何？ (A)1.2 (B)0.49 (C)0.31 (D)0.25。

電晶體放大電路

7.(B) 8.(D) 9.(C) 10.(A) 11.(D) 12.(B)

107～4 【107】四技二專統一入學測驗

____ 13. 某一串級放大電路之各級電壓增益值分別為 100、10 及 1 倍，若不考 慮 各 級 負 載 效 應 ， 則 其 總 電 壓 增 益 分 貝(dB)值為何？ (A)20dB (B)60dB (C)100dB (D)111dB。 串級放大電路 ____ 14. 有一個單級放大器，其低頻截止頻率為 fL＝1kHz，高頻截止頻率為

fH＝200kHz，若將兩相同之此種放大器串接成兩級放大器，則此串接 放大器的頻帶寬度約為何？（提示： 0.414 ≒0.64） (A)199kHz (B)156.25kHz (C)126.44kHz (D)105.62kHz。 串級放大電路 ____ 15. 如圖(七)所示之 JFET 電晶體電路，已知該電晶體截止電壓 VGS(off)＝

－5V，直流閘源極電壓 VGS＝－4V 時，ID＝0.5mA，則 R1/R2值為何？

(A)0.5 (B)1 (C)2 (D)4。 場效電晶體

圖(七) 圖(八) 圖(九) 圖(十)

____ 16. 如圖(八)所示之 MOSFET 電晶體電路，該電晶體之臨界電壓(threshold voltage)Vt＝4V，參數 K＝0.5mA/V²，電路操作於飽和區工作點之ID

＝2mA，則此工作點之 VGS為何？ (A)8V (B)6V (C)4V (D)2V。

場效電晶體 ____ 17. 某工作在夾止區的 N 通道 JFET 電晶體，直流工作點之閘源極電壓

VGS＝－2V，汲極電流 ID＝3mA 時，互導 gm＝3mA/V。若直流閘源 極電壓 VGS 變動至 0V 時，則其對應的互導為何？ (A)2mA/V (B)4mA/V (C)6mA/V (D)8mA/V。 場效電晶體放大電路 ____ 18. 如圖(九)所示之增強型 MOSFET 電晶體電路，其參數 K＝2mA/V²，

直流汲極電流 ID＝2mA。若汲極交流電阻 rd忽略不計，則小信號電 壓增益v / v 約為何？ (A)－2.22 (B)－4.32 (C)－5.18 _{o i}

(D)－6.03。 場效電晶體放大電路

____ 19. 如圖(十)所示之 N 通道 JFET 電晶體電路，其截止電壓 VGS(off)＝－3V，

直流工作點之 VGS＝－1V，汲極電流 ID＝8mA。若汲極交流電阻 rd

忽略不計，則小信號電壓增益 Av＝v / v 與輸入阻抗 R_{o i} i 為何？

(A)Av＝－24，Ri＝62.5Ω (B)Av＝－12，Ri＝50Ω (C)Av＝15，Ri

＝50Ω (D)Av＝16，Ri＝62.5Ω。 場效電晶體放大電路 13.(B) 14.(C) 15.(C) 16.(B) 17.(C) 18.(A) 19.(D)

【107】四技二專統一入學測驗 107～5

____ 20. 關於 μA741 運算放大器內部的輸入級與輸出級之電路結構，下列敘 述何者正確？ (A)輸入級為共集極放大器 (B)輸入級為二極體整 流電路 (C)輸出級為射極隨耦器 (D)輸出級為開集極輸出電路。

運算放大器 ____ 21. 如圖(十一)所示之理想運算放大器電路，其輸出電壓 Vo 為何？

(A)1.5V (B)2.5V (C)6.0V (D)9.0V。 運算放大器

圖(十一) 圖(十二) 圖(十三) 圖(十四) ____ 22. 如圖(十二)所示之理想運算放大器電路，若電阻 R1＝R2＝R3＝R4＝

100kΩ，RA＝10kΩ，若欲設計輸出電壓 Vo＝V1＋V2＋V3＋V4，則RB

為何？ (A)5kΩ (B)10kΩ (C)20kΩ (D)30kΩ。 運算放大器 ____ 23. 如圖(十三)所示之理想運算放大器 RC 相移振盪器，若此電路已工作

於振盪頻率1300Hz 且 Ri R，則下列何者正確？（提示： 6 ≒2.45）

(A)R＝500Ω，C＝0.01μF (B)R＝1kΩ，C＝0.05μF (C)R＝2kΩ，C

＝0.01μF (D)R＝2kΩ，C＝0.05μF。 基本振盪電路 ____ 24. 如圖(十四)所示之電路，在正常振盪情況下，Vo之週期約為何？（提

示：ln2≒0.7） (A)0.7RB1C1 (B)0.7RC1C2 (C)0.7(RC1C1＋RC2C2) (D)0.7(RB1C1＋RB2C2)。 基本振盪電路 ____ 25. 如圖(十五)所示之施密特(Schmitt)觸發電路，VCC 為電源電壓，OPA

輸出飽和電壓大小為Vsat，Vr為參考電壓，Vi為輸入電壓，則其遲滯 (hysteresis)電壓 Vh為何？

(A)2Vsat ² 1

(R )

R (B)2Vsat ¹ 2

(R ) R (C) ^{sat 2}

1 2

(2V R )

R R (D) ^{sat 1}

1 2

(2V R )

R R 。 基本振盪電路

20.(C) 21.(A) 22.(D) 23.(B) 24.(D) 25.(A) 圖(十五)

107～6 【107】四技二專統一入學測驗

電機類專業科目(二)─電子學實習：

____ 1. 使用中的馬達起火燃燒，屬於下列何種火災類別？ (A)A(甲)類火災 (B)B(乙)類火災 (C)C(丙)類火災 (D)D(丁)類火災。工場安全及衛生 ____ 2. 當示波器垂直軸刻度旋鈕(VOLTS／DIV)順時針轉動時，螢幕上觀察

到的波形會變大，則下列敘述何者正確？

(A)電壓量測值變大 (B)電壓量測值變小 (C)頻率量測值變大

(D)電壓量測值不變。 工場安全及衛生

____ 3. 如圖(一)所示之理想二極體電路，電阻 RL的色碼為（紅棕黃金），電 容C 外觀標示為 105，輸出電壓 vo的波形為何？

(A) (B) (C) (D) 。

二極體之特性及應用電路實驗 ____ 4. 下列哪一個電路之輸入電壓－輸出電壓(vi－vo)轉換曲線有通過原

點？ 截波及箝位電路實驗

(A) (B) (C) (D) 。

____ 5. 如圖(二)所示，A、B、C 為某電晶體的三個不同工作點，其靜態功率 消耗分別為PA、PB、PC，則下列敘述何者正確？

(A)PB＞PA＞PC (B)PA＞PC＞PB (C)PA＞PB＞PC (D)PC＞PB＞PA。 電晶體直流偏壓電路實驗

圖(一) 圖(二)

1.(C) 2.(D) 3.(B) 4.(B) 5.(A)

【107】四技二專統一入學測驗 107～7

____ 6. 如圖(三)(a)所示之電路，示波器顯示 vo波形如圖(三)(b)，示波器垂直 軸刻度旋鈕設定為1 VOLTS／DIV，電晶體的＝100，VBE＝0.7V，

RB＝465kΩ，則下列敘述何者正確？ (A)電晶體的工作點在負載線 中間 (B)電晶體的工作點靠近飽和區 (C)電晶體的工作點靠近截 止區 (D)vo與vi同相位。 電晶體直流偏壓電路實驗

(a) (b) (a) (b) 圖(三) 圖(四)

____ 7. 如圖(四)(a)所示之電路，輸入小信號 vi峰對峰值為20mV，示波器垂 直軸刻度旋鈕設定為0.5 VOLTS／DIV，其量測輸出電壓 vo波形如圖 ( 四 )(b) 所 示 ， 則 電 壓 增 益 為 何 ？ (A) － 100 (B) － 25 (C)25

(D)100。 電晶體放大電路實驗

____ 8. 下列有關 RC 耦合串級放大電路中的耦合電容之敘述，何者正確？

(A)使直流電流容易傳送到下一級 (B)使阻抗容易匹配 (C)使得低 頻響應差 (D)提升直流電流增益。 串級放大電路實驗 ____ 9. 如圖(五)所示之電路，JFET 之截止電壓 VGS(off)＝－4V，IDSS＝8mA，

若VGS＝－6V，則 VD為何？ (A)12V (B)8V (C)4V (D)0V。

場效電晶體之特性實驗 ____ 10. 如圖(六)所示之電路，JFET 之截止電壓 VGS(off)＝－4V，IDSS＝4mA，

rd＝∞；若 vi＝1.2sin(1000t)mV，則 vo約為何？

(A)－20.2sin(1000t)mV (B)－12.4sin(1000t)mV (C)－8.2sin(1000t)mV (D)－4.8sin(1000t)mV。 場效電晶體放大器電路實驗

圖(五) 圖(六)

6.(C) 7.(A) 8.(C) 9.(A) 10.(D)

107～8 【107】四技二專統一入學測驗

____ 11. 下列有關圖(七)所示的理想運算放大器電路之敘述，何者正確？

(A)RP可限制低頻電壓增益 (B)RP可提升輸出阻抗 (C)RP用來限制 高頻電壓增益 (D)RP使A 和 B 兩端點電壓不相等。

運算放大器應用電路實驗

圖(七) 圖(八) 圖(九)

____ 12. 如圖(八)所示之理想運算放大器電路，若 vi＝0.5sin(30t)mV，則 vo之 平均值約為何？ (A)－15V (B)－6V (C)4V (D)8V。

運算放大器應用電路實驗 ____ 13. 如圖(九)所示之振盪電路，若 C＝0.01F，Rf－R＝140kΩ， 6 ＝2.45，

若電路能正常振盪且電壓增益為29，則下列敘述何者正確？

(A)vo頻率約為7800Hz (B)vo頻率約為1300Hz (C)R＝10kΩ

(D)R＝15kΩ。 基本振盪電路實驗

____ 14. 下列有關圖(十)所示電路之敘述，何者正確？ (A)vo責任週期為50%

(B)vo 波形為三角波 (C)vo 頻率約為 476Hz (D)電路為雙穩態多諧

振盪器。 基本振盪電路實驗

____ 15. 如圖(十一)所示之電路，運算放大器之輸出正、負飽和電壓分別為

＋10V 和－10V，若 vi＝6sin(60t)V，則下列敘述何者正確？ (A)vo

為正弦波 (B)vo為餘弦波 (C)vo頻率為60Hz (D)vo頻率為30Hz。

基本振盪電路實驗

圖(十) 圖(十一)

11.(A) 12.(B) 13.(B) 14.(C) 15.(D)

【107】四技二專統一入學測驗 107～9

資電類專業科目(二)─電子學實習：

____ 1. 在振盪器的實驗中，下列何種電路的輸出信號波形為「弦波」？

(A)RC 相移振盪電路 (B)單穩態多諧振盪電路 (C)雙穩態多諧振盪 電路 (D)555 定時器振盪電路。 基本振盪電路實驗 ____ 2. 下列選項的圖中 RL為負載，何者為正確的全波整流電路？

二極體之特性及應用電路實驗

(A) (B) (C) (D) 。

____ 3. 雙極性接面電晶體(BJT)的接腳分別為集極(C)、基極(B)、射極(E)，

則下列敘述何者正確？ (A)放大器電路實驗中若要將 NPN 型電晶 體改換為PNP 型電晶體，只需將 NPN 型電晶體的 C、E 接腳對調即 可 (B)電晶體的電流放大率以 β 或 hFE表示，且hFE＝I I (C)判_{C E} 定電晶體為PNP 型或 NPN 型，可用三用電表之歐姆檔進行量測 (D) 以摻雜濃度而言，C＞B＞E。 雙極性接面電晶體之特性實驗 ____ 4. 共射極(Common Emitter)放大器特性測試實驗所得到的輸入特性曲

線與下列何者最為接近？ 雙極性接面電晶體之特性實驗

(A) (B) (C) (D) 。

____ 5. 如圖(一)所示，示波器顯示兩個相同頻率的電壓波形 A 與 B，則兩者 間的相位關係敘述何者正確？ (A)A 波形落後 B 波形 135 度 (B)A 波形落後B 波形 45 度 (C)A 波形超前 B 波形 135 度 (D)A 波形超

前B 波形 45 度。 電晶體放大電路實驗

____ 6. 有關串級放大器實驗的敘述，下列何者正確？ (A)直接耦合串級放 大器因前一級交流輸出信號透過電容器直接傳送至後一級，故後一級 偏壓工作點容易受前一級影響 (B)RC 耦合串級放大器可放大直流 信號，又稱直流放大器 (C)變壓器耦合串級放大器的體積雖大，但 有前、後級的直流工作點可獨立設計的好處 (D)變壓器耦合串級放 大器可放大直流信號，又稱直流放大器。 串級放大電路實驗 ____ 7. 下列運算放大器(OPA)的應用電路中，何者並未用到負回授架構？

(A)電壓隨耦器 (B)窗形比較器 (C)韋恩電橋振盪器 (D)積分器。

運算放大器應用電路實驗 1.(A) 2.(B) 3.(C) 4.(A) 5.(D) 6.(C) 7.(B)

107～10 【107】四技二專統一入學測驗

____ 8. 如圖(二)為一個施密特觸發器(Schmitt Trigger)，其中 R1：R2＝2：1，

若運算放大器 OPA 的輸出之最正與最負電壓分別為＋9V 及－9V，

則 此 電 路 的 遲 滯(Hysteresis) 電 壓 為 何 ？ (A)2V (B)4V (C)6V

(D)10V。 基本振盪電路實驗

____ 9. 下列有關截波電路與箝位電路之敘述何者錯誤？ (A)截波電路是將 輸入信號之部份電壓波形截除，讓特定電壓範圍的波形輸出 (B)箝 位電路可將輸入交流信號的直流電壓準位位移，且穩態後信號的週期 不變 (C)截波電路因具振幅限制功能，又稱限幅器 (D)箝位電路中 利用電感器儲存電荷來達到箝位電壓。 截波及箝位電路實驗 ____ 10. 一個 NPN 電晶體的偏壓電路如圖(三)所示，已知 VCC＝10V，RE＝

0.5kΩ，且流經 R1之電流大於10mA。當電晶體工作於順向主動區，

且其電流增益 β＝200 時，IC＝2.0mA。若該電晶體用另一顆 β＝150 的 NPN 電 晶 體 取 代 時 ， IC 約 為 何 ？ (A)1.0mA (B)1.5mA (C)2.0mA (D)2.5mA。 電晶體直流偏壓電路實驗

圖(一) 圖(二) 圖(三)

____ 11. 實驗時，將一個 10kΩ 可變電阻的三支接腳分別編號為 a、b、c，若 用三用電表量得a、b 兩腳間的電阻值為 4kΩ，則下列敘述何者錯誤？

(A)若 a、c 兩腳間的電阻值為 6kΩ，則 b、c 兩腳間的電阻值為 10kΩ (B)若轉動可變電阻的旋鈕時，a、b 兩腳間的電阻值增加，則 b、c 兩腳間的電阻值也會增加 (C)若 b、c 兩腳間的電阻值為 6kΩ，則 a、

c 兩腳間的電阻值為 10kΩ (D)若轉動可變電阻的旋鈕時，b、c 兩腳 間的電阻值增加，則a、c 兩腳間的電阻值不變。

二極體之特性及應用電路實驗 ____ 12. 下列有關場效電晶體(FET)的敘述何者錯誤？ (A)N 通道 JFET 操作

於飽和區時之大信號模型為一電流控制電壓源 (B)P通道增強型 MOSFET 操作於飽和區時之交流小信號模型為一電壓控制電流源 (C)應用於線性放大器設計時，靜態工作點必在直流負載線上 (D)應 用於線性放大器設計時，靜態工作點必在交流負載線上。

場效電晶體放大器電路實驗 8.(C) 9.(D) 10.(C) 11.(B) 12.(A)

【107】四技二專統一入學測驗 107～11

休息一下！看我一眼，茅塞頓開

析

電機類、資電類專業科目(一)─電子學：

1. IS(35C)＝

35 5

2 10



×IS(5C)＝2³×6nA＝48nA 2. I1＝^{V VS Z}

120

－ ＝^{18V 3V} 120

－ ＝ ^15V

120＝125mA IL＝ ^Z

L

V

R ＝ ^3V

60＝50mA

Iz＝I1－I2＝125mA－50mA＝75 mA Pz＝Iz×Vz＝75mA×3V＝225mW

3. (B)中間抽頭式整流電路之變壓器次級圈圈數應增加為 2 倍；

(C)橋式整流與中間抽頭式整流電路的漣波值相同；

(D)中間抽頭式整流電路之二極體電流規格可較橋式整流為大。

5. (A) (B) (C) (D)

故選(B)

7. (1)RC＝^{5V 2V 0V} 10mA

－ －

＝300

＝I^C

 ＝^10mA

50 ＝m R＝^{5V 0.7V} 0.2mA

－ ＝21.5k（最大值），故選(B)。

9. IRC＝^{12V 6V} 1k

－ ＝6mA，IB＝ I^RC

1＋＝^6mA

151 ≒39.7A IB＝ ^{CE BE}

B

V V R

－ 39.7A＝

B

6V 0.7V R

－ RB≒133.5k，故選(C)。

10. 求 Vo的平均值，即VCQ，故先直流分析 IB＝ ^{20V 0.7V}

400k 51 1k 

－

＋ ≒0.043mA，IC＝IB＝50×0.043mA≒2.14mA VCQ＝VCC－ICRC＝20V－2.14mA×3k≒13.58V，故選(A)。

11. 此電路為 CB 放大器

先直流分析：IE＝^{6V 0.7V} 2k

－ ＝2.65mA，re＝ ^26mV

2.65mA≒10

解

107～12 【107】四技二專統一入學測驗

＝

1





＋ ＝ ⁴⁹

1 49＋ ＝0.98≒1 交流分析：Av＝ ^{C L}

e

R R

 #r ≒ ^{C L}

e

R R r

# ≒^{2k 2k} 10

 



# ≒100，故選(D)。

12. 交流等效電路如下圖：

Ai＝ ^o

i

i

i ＝ ^{e c o}

i e c

i i i

i i i ＝－ ^2k 2k 10



＋ ×× ^2k 2k 2k



 

－

＋ ≒0.98×¹

2＝0.49 14. 單級放大器之 BW＝fH－fL＝200kHz－1kHz＝199kHz

兩級放大器之BW(2)=BW

1

22－ ≒199kHz×0.64≒127.4kHz，故選(C)。 1 15. VGS＝VG－VS－4V＝VG－IDRS－4V＝VG－0.5mA×20k

－4V＝VG－10VVG＝6V 又VG＝18V× ²

1 2

R

R＋R ＝6V ∴ ¹

2

R 2

R ＝1，故選(C)。

16. V_GS＝ － ＝V_G V_S V_DS，又V_DS＝V_DD－I R_{D D}＝12V 2mA 3k－  ＝6V

∴VGS＝VDS＝6V，故選(B)。

17. ∵ _m ^{DSS GS}

P P

2I V

g (1 )

V V

＝ － ，∴ ^DSS

P P

2I 2

3m mA / V (1 )

V V

＝ －－ ……

令

P

1 2 x V

－－ ＝ ，則V_P ²

＝x 1

－ ，又 _{D DSS} ^{GS 2}

P

I I (1 V )

＝ －V 3mA I＝ _DSSx²

∴IDSS＝^3mA₂

x 代入式

3m mA / V＝ ² 2 3mA

2x x 1



－

×x，則 x＝¹

2∴VP＝ ²

x 1－ ＝ 2 1 1 2－

＝－4V

∵IDSS＝^3mA₂ x ＝

2

3mA ( )1

2

＝12mA，∴gmo＝ ^DSS

P

2I

V ＝2 12mA 4



－ ＝6m mA / V

【107】四技二專統一入學測驗 107～13

18. 本電路為 CS 放大器：

先直流分析：VGS＝VG－VS＝24V× ^300k 600k 300k



＋ －2mA×2k＝4V ID＝K(VGS－VT)²  2mA＝2mA/V²(4－VT)² VT＝3V VT＝5V（不合）

g_m＝2k(V_GS－V ) 2 2mA / V (4V 3V) 4m mA / V_T ＝  ²   交流分析： _v ^{m D}

m S

g R A 1 g R

＝－ 

＋ ＝－ ^{4m 5k} 1 4m 2k





＋ ＝－2.22，故選(A)。

19. (1)因為 VP＝－3V，VGS＝－1V，ID＝8mA

_{D DSS} ^{GS 2} _DSS ² _DSS

P

V 1V

I I (1 ) 8mA I (1 ) I 18mA

V  －3V 

＝ － ＝ － ＝

－ (2) _m ^{DSS GS}

P P

2I V 2 18mA 1

g 1 1 8m mA / V

V V 3V 3V

 －

＝ ( － )＝ ( － )＝

－ (3) _{i S S}

m

R R 1 R 125

g 

＝ # ＝ # ，因RS未知，故無法求得Ri

若 RS＝125，則R 125_i＝ _#125＝62.5 (4)A_v＝g R_{m D}＝8m 2k ＝16

21. (1)OPA V+的電壓為V 3V ^1k 0.5V 5k 1k

 

 

＋＝ ＝

＋

(2)OPA Vo的電壓為V_o 1 ^4k 0.5V 1.5V 2k 

＝( ＋ ) ＝ 22. (1)OPA V+的電壓為

1 2 3 4

1 2 3 4

V V V V

100k 100k 100k 100k 1

V (V V V V )

1 1 1 1 4

100k 100k 100k 100k

   

   

＋

＋ ＋ ＋

＝ ＝ ＋ ＋ ＋

＋ ＋ ＋

(2)OPA Vo的電壓為 _o ^{B B} _{1 2 3 4}

A

R R 1

V 1 V =(1+ ) (V +V +V +V )

R 10k 4

＋ 

＝( ＋ )

又V_o＝V +V +V +V_{1 2 3 4}，故R_B＝30k，故選(D)。

23. 當R 1k＝ ，C＝0.05F 時，RC 相移振盪器輸出頻率 f 為

1 1

f 1300Hz

2 3.14 2.45 1k 0.05 F 2 6RC      

＝ ＝ ＝ ，故選(B)。

107～14 【107】四技二專統一入學測驗

24. 此電路為無穩態多諧振盪器

(1)Vo輸出高電位的時間，即電晶體Q1截止的時間t1，t 0.7R C₁＝ _{B1 1} (2)Vo輸出低電位的時間，即電晶體Q2截止的時間t2，t₂＝0.7R C_{B2 2} (3)Vo的週期為T t＝ ＋ ＝₁ t₂ 0.7(R C_{B1 1}＋R C )_{B2 2}

25. (1)上限電壓 _U ^{1 2} _r ² _sat

1 1

R R R

V V ( V )

R R

＝ ＋ ＋ ＋ ，下限電壓 _D ^{1 2} _r ² _sat

1 1

R R R

V V ( V )

R R

＝ ＋ － ＋

(2)遲滯電壓 _{H U D} ² _sat

1

V V V 2R ( V )

＝ － ＝ R ＋ ，故選(A)。

電機類專業科目(二)─電子學實習

2. 示波器垂直軸刻度旋鈕順時針轉動時，單位刻度的電壓變小，導致觀測的波 形振幅變大，而電壓量測值不變。

3. 此電路為中心抽頭全波整流濾波電路，故漣波頻率為 120Hz，週期為 8.33ms，漣波波形應為(B)選項。

4. 輸入電壓－輸出電壓轉換曲線如下，僅選項(B)轉換曲線通過原點，故選(B)。

(A) (B) (C) (D)

5. 三個工作點靜態消耗功率為：P＝VCE×IC

工作點 IC VCE 消耗功率

A 1.2mA 0.2V PA＝0.24mW B 0.8mA 0.6V PB＝0.48mW

C 0mA 5V PC＝0W

故PB＞PA＞PC，故選(A)。

6. (1)I_B ^{10V 0.7V} 0.02mA 465k

  

 I^C   I^B 2mA (2) V_CE V_CCI R_{C C} 10V 2mA 1k   8V

(3) 因負載線中間V_CE 5V，而8V 5V ，工作點靠近截止區，故選(C)。

7. (1)V_{i( p p)} 20mV，V_{o( p p)} 4Div 0.5V / Div 2V   _v ^{o( p p)}

i( p p)

V 2V

A 100

V 20mV





  

(2) 因電路為共射極放大電路，輸出信號與輸入信號反相，所以電壓增益應 為100，故選(A)。

9. 當V_GS V_GS(OFF)時，ID＝0，所以 VD＝＋12V，故選(A)。

【107】四技二專統一入學測驗 107～15

10. (1)V_GSV_GV_S 2I_D

(2) _{D DSS} ^{GS 2} _D ^{D 2}

GS(OFF)

V 2I

I I (1 ) I 4mA (1 )

V 4V

     



解上述方程式得I_D 1mA or 4mA（不合），故V_GS 2V。 (3) _m ^{DSS GS}

GS(OFF) GS(OFF)

2I V 2 4mA 2V

g (1 ) (1 ) 1m mA / V

V 4V 4V

V

 

     

 

(4) A_v  g R_{m D} 1m mA / V 4k    4

(5) V_o A_v   V_i 4 1.2sin(1000t)mV 4.8sin(1000t)mV

11. (1) 當輸入信號 Vi為低頻時，電容器0.1μF 的阻抗很大，與 RP並聯，可以 忽略電容器的阻抗，此時電路為一反相放大器，由 RP 控制電壓增益，

v P

A R

 10k

－ 。

(2) 當輸入信號 Vi為中高頻時，電容器0.1μF 的阻抗變小，與 RP並聯，可以 忽略RP電阻，此時電路為一積分器，故選(A)。

12. V_o ( 2V ^12k 3V ^12k 0.5sin(30t)mV ^12k )

4k 3k 2k

  

       

  

( 6V 12V 3sin(30t)mV)

      6V 3sin(30t)mV 平均值為6V，故選(B)。

13. A_v ^Rf 29 R_f 29R

 R    R_f  R 140k    R 5k

1 1

f 1300Hz

2 2.45 5k 0.01 F 2 6RC

 

     

 ^ ，故選(B)。

14. (A)輸出波形Vo的T_H 0.693 20k   0.1 F 1.4ms

TL 0.693 10k   0.1 F 0.7ms ；T_H T_L，故工作週期不為50%

(B) 輸出波形 Vo為脈波 (C) 輸出波形 Vo的頻率

H L

f 1 476Hz T T

 



(D) 此電路為無穩態多諧振盪器。

15. 此電路為非反相施密特觸發電路，輸出為脈波，因輸入信號 Vi 6sin(60 t)V ，且  2 f，故頻率f ⁶⁰ 30Hz

2

  

 ，故選(D)。

107～16 【107】四技二專統一入學測驗

資電類專業科目(二)─電子學實習

3. (A)放大器中 NPN 電晶體換為 PNP 電晶體，不能只將 NPN 電晶體 C、E 接 腳對調；(B) _FE ^C

B

h I

 I ；(D)摻雜濃度，E B C  ，故選(C)。

7. 窗型比較器如下圖所示，並未使用負回授架構，故選(B)。

8. (1) 上限電壓 _U ^{1 2}

1 2 1 2

R R

V (3V) (9V)

R R R R

   

 

下限電壓 _D ^{1 2}

1 2 1 2

R R

V (3V) ( 9V)

R R R R

    

 

(2) 遲滯電壓 _{H U D} ²

1 2

V V V 2R (9V) R R

   

 因為R₁2R₂，所以 _H ²

2

V 2R 9V 6V

3R   ，故選(C)。

9. (D)箝位電路是利用電容器儲存電荷來達到箝位電壓，故選(D)。

10. 此電路的直流偏壓為分壓式偏壓電路，當R_E 10R₂（或I_B ^{IR 2}

 10 ）時，可 用近似解，此時I 電流與電晶體的_C 值無關，故I 維持 2mA，選(C)。 _C 11. (A)若可變電阻 a，b，c 接腳如下圖，若 a、b 間電阻值R_ab  ，且 a、c 4k

間電阻值R_ac   ，則6k R_bc R_abR_ac     4k 6k 10k

(B)若可變電阻 a，b，c 接腳如下圖，則 a、b 間電阻值增加，則 b、c 間電阻 值會減少。∵R_ac R_abR_bc

(C)同(B)圖R_ac R_abR_bc     4k 6k 10k

(D)同(B)圖，若轉動可變電阻時 b、c 兩腳間的電阻值增加，則 a、b 兩腳間 的電阻值減少，R 不變。 _ac