第三章 實驗儀器設備與基本原理
3-1 全頻光譜儀
本 論 文 在 遠 紅 外 光 區 (far infrared) 至 中 紅 外 光 區 (middle infrared) 的光譜範圍內(頻率從 30 至 6000 cm-1),使用傅立葉轉換 紅 外 線 光 譜 儀 (Fourier transform infrared spectrometer , FTIR spectrometer),來量測樣品的反射及穿透光譜。在近紅外光區 (near infrared)、可見光區 (visible)、紫外光區 (ultraviolet) 的高頻光譜範圍 內(頻率從 3900 至 52000 cm-1),則使用光柵式分光光譜儀。
本實驗室所使用的 FTIR 光譜儀型號為 Bruker IFS 66v/S,如圖 3.1.1 所示,基本裝置如下[26]。
1. 光源:包括熾棒光源 (Globar source) 及汞弧燈 (Mercury arc)兩 種。熾棒光源為量測中紅外光區所使用之燈源,為一碳化矽棒,
以電加熱至 1300~ 1700 K,其中加熱之電源使用 40 ~ 60 V 交流 電源,因內部為正電阻係數的關係,當量測時間增長而導致內部 電阻增加,需以水冷卻接觸點以避免弧光放電 (arcing)。汞弧燈為 量測遠紅外光區光譜之光源,此裝置由內部含有壓力大於一大氣 壓的汞蒸氣之一石英夾套試管組成。當電經過汞蒸氣時,會形成 一內電漿源,提供遠紅外光區所需的連續輻射。
2. 偵測器:包括氘化三甘胺酸硫酸鹽 (DTGS) 焦熱電偵測器及矽熱
輻射偵測器 (Si Bolometer) 兩種。DTGS 焦熱電偵測器為量測中 紅外光區光譜所使用之偵測器,室溫下可偵測的頻率範圍大約在 400 ~ 6000 cm-1;矽熱輻射偵測器為量測遠紅外光區光譜所使用的 偵測器,當遠紅外光照射矽電阻時,電阻會產生巨大變化,藉此 偵測輻射出之能量。在使用矽熱輻射偵測器時,需以液態氦降溫 後才能使用,可偵測範圍大約在 30 ~ 650 cm-1。
3. 工作原理:傅立葉轉換紅外線光譜儀的主要工作原理為 Michelson 干涉現象。
本 實 驗 室 所 使 用 的 光 柵 式 分 光 光 譜 儀 的 型 號 為 Perkin Elmer Lambda 900,如圖 3.1.2 所示,基本裝置如下。
1. 光源:包括鎢絲燈及氘燈兩種。鎢絲燈是可見光和近紅外光輻射 最常見的光源,適用的波長範圍在 350 ~ 2600 nm。此種光源的能 量分佈與能量有關,實驗進行時,鎢絲燈的溫度約為 2870 K,其 能譜近似於黑體輻射,包覆鎢絲的玻璃封蓋限制其短波長輻射的 範圍。氘燈為量測紫外光區光譜實驗之光源,氘燈產生連續光譜 的機制是先形成氘激發分子物種,接著由激發分子解離成兩個原 子物種及紫外光光子。
2. 偵測器:包括光導電度偵測器及光電倍增管兩種。光導電度偵測 器是可見光與近紅外光區光譜所使用的偵測器,並且我們使用硫
化鉛為材料,其優點是可在室溫下使用。光電倍增管為量測紫外 光區光譜的偵測器。
3. 光路:當光由光源處發出後,先經由兩單色儀分光,以增大角色 散提高系統的解析度,再由分光鏡分成兩束光,其中的一束光不 經過樣品,作為校正之用。另一束光則經過樣品進行反射或穿透 的光譜實驗,最後的兩束光再經由凹面鏡和平面鏡導入偵測器 中。在作反射光譜實驗時,光束以與樣品法線方向夾 6 ˚角入射至 樣品,並且利用鋁鏡 (紅外光譜則用金鏡),作為背景校正標準,
再量測樣品反射光的強度,同時採用標準鋁鏡光譜數據作為修 正,最後求得正確的反射光譜。
此外,我們可透過額外加裝的降溫裝置,透過灌入液氦將量測環 境降至 10 K 的低溫,可藉此進行 10 K ~ 340 K 的遠中紅外光光譜 量測,儀器構造如圖 3.1.3 所示。
3-2 介電函數之簡單模型
1.基本模型:
介電函數模型簡單可分為居德模型和羅倫茲模型兩種[26]。
(і) 居德模型-1990 年,居德提出此模型來解釋簡單金屬 (如鋰、鈉、
鉀等金屬) 之電導率及熱導率。假設物質中的電子在以正離子為背景 並且固定的環境之間運動,其運動行為只考慮彈性碰撞而忽略電子與
電子的交互作用。
可寫下在交流電場中,電子的運動方程式為
2 2
md x 1 dx
m eE
dt +τ dt = − , (3.2.1)
其中 τ 為電子平均自由碰撞時間,
設 E ≅ E0 e-iwt 及 x ≅ x0 e-iwt,代入計算可推得
2
0 0 0
mω x iω1mx eE
− − τ = − , (3.2.2) 則 0 0
( )
x eE
mω ω i τ
=
+
, (3.2.3)
其中電偶極矩 P0= −nex0
又 P0 =χeE0,χe為電感應率,對應可得
2
( )
e
ne m i χ
ω ω τ
= −
+
, (3.2.4)
利用 1 4 ( ) 1 4 2
( )
e
ne m i ε πχ ω π
ω ω τ
= + = −
+
, (3.2.5)
引入電漿頻率 P2 4 ne2
m
ω = π ,比較介電係數 ε =ε1+iε2
得 1( ) 1 2ωP2 2 ε ω
ω γ
= −
+ ,
2
2( ) 2 2
( )
γωP
ε ω
ω ω γ
=
+ , (3.2.6)
其中 γ 1 τ
= 為電子碰撞頻率 (scattering rate)。
(іі) 羅倫茲模型:若考慮電子對光的響應為阻尼諧振子系統在入射光 作用下的受激振盪,而 ω0 為共振頻率,則運動方程式可寫成
md x22 dx 02
γm x eE
dt + dt +ω = − , (3.2.7) 假設E ≅ E0 e-iwt 及 x ≅ x0 e-iwt,代入計算可推得
0 2 2
0
1
( )
eE
m i
χ
ω ω γω
=
− + , (3.2.8)
則
2 2 2
0
1 2 2 2 2
0
( )
( ) 1
( )
ωp ω ω ε ω
ω ω γ ω
−
= +
− + ;
2
2 2 2 2 2
0
( ) ( )
ω γωp
ε ω
ω ω γ ω
=
− + , (3.2.9) 當 ω=0 則 εLorentzian =εDrude。
3-3 掃描探針顯微鏡
自 1934 年,Emst Ruska 發明以電子束為光源的電子顯微鏡,
其影像解析度為 2 nm。1980 年初期,掃描穿隧顯微鏡 (Scanning tunneling microscopy) 的發明,使顯微鏡的解析到達原子等級。1985 年 ,Binng, Quate 和 Gerber 發 明 了 原 子 力 式 顯 微 鏡 (Atomic force microscope),使其可在液相、氣相中操作,且樣品不需繁複處理過。
1990年後,由於電腦運算與控制技術的提升,凡利用探針掃描樣品表 面得知材料表面特性者,統稱為掃描式探針顯微鏡(scanning probe
microscopy, SPM)。
3-3-1 儀器基本介紹
SPM主要裝置可分探針(probe)、壓電掃描器(piezo scanner)、懸桿 位移光檢測系統(Optical system for cantilever deflections detection)三 個部分。圖3.3.1為主要裝置之圖解[27]。
1.探針:包括一個懸桿、針尖和基底。尖銳的探針位於懸桿的自由端,
而懸桿另一端固定在基底上;基底夾在調節台的探針夾具中。針尖尖 端曲率半徑一般小於 10 nm,針尖長度在 3 ~ 15 μm 範圍。懸桿的 重要參數是彈性力常數(剛度)和共振頻率。力常數的值由幾何尺寸 和懸臂梁的材料決定,一般在 0.01 ~ 100 N/m 的範圍。
2.壓電掃描器:掃描器控制樣品相對於探針的兩個獨立的運動,一個 是樣品表面(XY 平面內)的掃描,另一個是垂直於表面的運動(沿 Z 方向);掃描器是由壓電晶體陶瓷所製成,根據其上所加電壓的正 負產生膨脹和壓縮。
3.懸桿位移光檢測系統:探測系統包括光源(半導體雷射器,波長為 670 nm,功率為0.9 mW)、四象限探測器(四個光電二極體)和光學 系統,光路系統包括一個聚焦透鏡和懸臂梁的反射鏡面。
3-3-2 磁力顯微術
磁力顯微術 (magnetic force microscopy,MFM) 的操作原理是在 原子力顯微術所使用的探針針尖上,鍍上一層磁性薄膜,當磁性樣品 與探針的距離接近至數十奈米時,兩者之間的磁交互作用力會造成懸 臂樑的偏移,藉此偏移量來得到樣品表面的磁區分布情形。由於磁的 作用力屬於長距離的作用力,當我們利用磁力量測樣品的磁區時,為 了避免材料表面的高低起伏,和探針間作用的凡得瓦力對磁力造成干 擾,一般都會使用所謂二次轉換 (second pass technique) 或舉起模式 (lift mode) 的技術,如圖3.3.3 所示。此技術對樣品會做兩次掃描,
第一次掃描乃是以敲擊模式,探測樣品的表面形貌,並將形貌輪廓記 錄在記憶體中,當進行第二次掃描時,探針被提高 ∆Z (預設值為 1000 Å) 的距離,使超過凡得瓦力的作用範圍,並停止系統的回饋功 能,再以非接觸模式的掃描方式,依照記憶體中樣品的輪廓形貌行 進,讓探針與樣品表面一直保持固定的距離,並偵測磁力對探針的 振幅、頻率或相位造成的變化,以得到樣品表面的磁區分布[28]。
圖3.1.1 傅立葉轉換紅外線光譜儀裝置圖。其中 S:光源,A:光圈,D1 及D2:光偵測器,DX 可外接 Si Bolometer。
Control electronic devices Interferometer
Sample space
Beam splitter
A S
D1 D2
DX
圖 3.1.2 光柵式分光光譜儀裝置圖。
Common beam
Monochromator
Attenuator
Detectors Lamps
圖 3.1.3 可外加在光譜測量儀器上的降溫裝置圖。
圖 3.3.1 SPM 主要裝置作用圖解[27]。
圖 3.3.2 懸臂樑位移光學檢測系統構造圖[27]。
圖 3.3.3 二次路徑掃描作用方式示意圖。