【11】證書號數：I554780
【45】公告日： 中華民國 105 (2016) 年 10 月 21 日 【51】Int. Cl.： G02B1/11 (2015.01)
發明 全 8 頁 【54】名 稱：抗反射膜之製備方法
A METHOD FOR PRODUCING ANTI-REFLECTIVE FILM
【21】申請案號：104118332 【22】申請日： 中華民國 104 (2015) 年 06 月 05 日 【72】發 明 人： 詹正雄 (TW) JAN, JENG SHIUNG；李勇輪 (TW) LEE, YONG LUN
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG
UNIVERSITY 臺南市東區大學路 1 號 【74】代 理 人： 李世章；秦建譜 【56】參考文獻： TW 201026796A1 CN 103803812A WO 2012126365A1 TW 201500217A US 20020180337A1 審查人員：蔡偉隆 [57]申請專利範圍 1. 一種抗反射膜之製備方法，係包含：一基板提供步驟，係提供一基板；一高分子基膜形 成步驟，以一第一電荷高分子溶液於該基板之表面形成一第一電荷高分子膜，續以一第 二電荷高分子溶液於該第一電荷高分子膜之表面形成一第二電荷高分子膜，使該第一電 荷高分子膜及該第二電荷高分子膜共同形成一高分子基膜，其中該第一電荷高分子溶液 包含一第一電荷高分子及一第一溶劑，該第二電荷高分子溶液包含一第二電荷高分子及 一第二溶劑，該基板與該第一電荷高分子帶有相反之電荷，且該第一電荷高分子與該第 二電荷高分子帶有相反之電荷；一高分子基膜堆疊步驟，以該第一電荷高分子溶液於該 第二電荷高分子膜表面形成另一第一電荷高分子膜，續以該第二電荷高分子溶液於該另 一第一電荷高分子膜表面形成另一第二電荷高分子膜，以於該高分子基膜表面另堆疊形 成一高分子基膜；一重複步驟，係重複該高分子基膜堆疊步驟，直至數層該高分子基膜 於該基板表面共同形成一高分子膜，該高分子膜之厚度至少為 20nm；及一二氧化矽沉析 步驟，以一二氧化矽前驅液於該高分子膜中沉析二氧化矽。 2. 如申請專利範圍第 1 項所述之抗反射膜之製備方法，其中，另包含一高分子膜去除步 驟，係於該二氧化矽沉析步驟後，移除該高分子膜。 3. 如申請專利範圍第 1 或 2 項所述之抗反射膜之製備方法，其中，該第一電荷高分子具有 胺基基團、胍基基團或咪唑基團，該第二電荷高分子具有羧基基團、磷酸基團或硫酸基 團。 4. 如申請專利範圍第 3 項所述之抗反射膜之製備方法，其中，該第一電荷高分子係為接枝 烴基基團之高分子，或者該第一電荷高分子係為嵌段型高分子。 5. 如申請專利範圍第 4 項所述之抗反射膜之製備方法，其中，該第一電荷高分子為聚賴胺 酸接枝癸酸，該第一電荷高分子的接枝率為 0.2~0.4，且該第二電荷高分子為聚榖胺酸。 6. 如申請專利範圍第 4 項所述之抗反射膜之製備方法，其中，該第一電荷高分子為聚賴胺 酸-嵌段-聚苯乙烯，且該第二電荷高分子為聚榖胺酸。 4370
-7. 如申請專利範圍第 5 項所述之抗反射膜之製備方法，其中，該第一電荷高分子溶液之 pH 值為 4~7.5。 8. 如申請專利範圍第 1 或 2 項所述之抗反射膜之製備方法，其中，該基板為玻璃、聚甲基 丙烯酸甲酯、聚碳酸酯、氧化銦錫導電玻璃、聚對苯二甲酸乙二醇酯或氧化鋁。 9. 如申請專利範圍第 1 或 2 項所述之抗反射膜之製備方法，其中，該二氧化矽前趨液係包 含一二氧化矽前驅物，該二氧化矽前驅物係為具四氧矽基團化合物或具三氧矽基團化合 物。 10. 如申請專利範圍第 1 或 2 項所述之抗反射膜之製備方法，其中，由抗反射膜之製備方法 係獲得一抗反射膜，該抗反射膜之厚度為 80~160nm。 圖式簡單說明 第 1a 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜第 A1a~A5a 組之層數-厚度圖。 第 1b 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜第 A1b~A5b 組之層數-厚度圖。 第 2a 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜之 SEM 俯視圖。 第 2b 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜之 SEM 剖視圖。 第 3 圖係本發明抗反射膜之製備方法之高分子膜之 FTIR 光譜。 第 4 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜之 FTIR 光譜。 第 5 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜第 D1~D3 組及對照組之穿透光譜圖。 第 6 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜第 D3、D4 組及對照組之穿透光譜 圖。 第 7 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜第 D5、D6 組及對照組之穿透光譜 圖。 第 8 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜第 D1、D3、D6、D7、D8 組及對照 組之穿透光譜圖。 第 9 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜第 E1 組及對照組之穿透光譜圖。 第 10 圖係本發明抗反射膜之製備方法所得之抗反射膜之照片圖。 (2) 4371
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