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gi ⋅= 二極體小訊號電路分析

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Academic year: 2021

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全文

(1)

二極體小訊號電路分析

小訊號模型(small-signal model)

先考慮任意一種單埠元件的I-V特性(如圖)

i

A

υ

A

I

Q

V

Q

υ

a

i

a

考慮在固定的直流

I

Q (或VQ )上加一個微小的變 化訊號

i

a(或

υ

a) ---通常是交流的,

計算

i

a-

υ

a關係,所得之模型即稱為小訊號模型

A

i

A = IQ + ia

υ

A=VQ+

υ

a

+ 

⋅ +

⋅ +

=

+

=

2 2

2

2 ) 1

(

) (

) (

a A

A a

V A A Q

A

a Q

A A

A

d i d d

V di i

V i i

Q

υ

υ υ υ

υ

υ

高次項

g(V

Q)

a Q

a Q

A A

A

i V g I i

i ( υ ) = ( ) + ⋅ υ = +

a

a

g

i = ⋅ υ

Q-point

Slope=g

=1/r

i

a

υ

a

A

g=1/r

Q Q

A

V I

i ( ) =

大訊號

直流偏壓點

小訊號

(2)

二極體的小訊號等效電路

考慮一二極體被偏壓在直流電壓(bias voltage)VD或直流電流(bias current)ID

直流電壓上再加上一時變小訊號

υ

d,產 生之電流變化為id

(

/

1 )

=

S VD nVT

D

I e

I

( )

d D

D

d D

D

nV S

D

V

i I

i

e I

i

D T

υ υ

υ

+

=

+

=

=

/

1

要求

i

d

υ

d的關係

(3)

( )

( ) ( )

( 1 ) ( )

1 )

( 1

1 1

2 /

/ /

2 /

/ /

/

d nV

V S T

nV d V

S nV

V S

d T

nV d V

S

nV nV

V S

nV V

S d

D D

O e

nV I e

I e

I

nV O e

I

e e

I e

I i

I i

T D

T D

T D

T D

T d

T D

T d

D

υ υ υ υ

υ υ

+ +

=

 

 

  −

 

 + +

=

=

= +

=

+

高次項

I

D+IS

g

d

υ

d

I

D

S D

T d

T S D

d

d d d

I I

r nV

nV I g I

g i

= +

= +

= υ

逆向偏壓

V

D<<-nVT

= − + =

d

→ ∞

T S S

d

r

nV I

g I 0

順向偏壓

V

D>>nVT

D T d

T D

d

I

r nV nV

gI

(4)

g

d

r

d

diffusion small-signal incremental

conductance resistance

例題

計算一二極體在室溫(300K)時,順向電流為10mA,1mA,0.1mA及0.01mA 時之等效小訊號電阻。假設二極體的理想因子為1。

=

≈ [ in mA ] 6

2

D D

T

d

I I

r V

I

D

10mA 1mA 0.1mA 0.01mA

r

d

2.6Ω 26Ω 260Ω 2600Ω

(5)

例題

利用四個二極體設計的小訊號開關

控制脈衝訊號

高頻訊號

R D1

D2

Vin Vout

VD+

D3

D4 R

C C

VD-

+1

-1

R rd1

Vin Vout

VD+

R

C C

VD- rd2

rd3

rd4

開啟時之等效電路

為何關閉時仍有小部分訊號可以通過?

(6)

二極體的高頻小訊號等效電路

包括電容的模型

二極體在高頻操作時,他的電容不能忽略。他的電容在逆向偏壓時主要是前 面提過的接面電容;順向偏壓除了接面電容外,尚有一個少數載體在中性區 儲存造成的擴散電容

(diffusion capacitance)。

pn接面的接面電容可以寫為:

m

bi R j j

V V C C

 

 

 +

= 1

0

在逆向偏壓

V

R

在順向偏壓時

2

j0

j

C

C =

下面開始說明順向偏壓時的擴散電容

(7)

擴散電容(diffusion capacitance)

由理想二極體方程式的推導過程中得到

p p n

n D

Q Q

i = τ + τ

(

/

1 )

0

=

p n q kT

p

e

D

p AqL

Q

υ

(

/

1 )

0

=

n p q kT

n

e

D

n AqL

Q

υ

Q

p

Q

n分別為在n型區及p型區接近空乏區累積的多出少數載體,均為偏壓電壓的 函數。即改變偏壓,即有電荷儲存量的改變,故有擴散電容。

E

C

E

V 中性區 空乏區 中性區

q(V

bi

- υ

D)

電子流

電洞流

p n

和注入之電洞 復合

注入p型區之電子流

和注入之電子 復合

注入p型區之電洞流

增加

υ

d所增加 的

Q

n

增加

υ

d所增加 的Qp

(8)

假設二極體被偏壓在(ID, VD)

p p p

n n n

p n

p p n

n

D

Q Q I I Q I Q I

I τ τ

τ

τ + = + = =

=

定義一平均傳輸時間(transit time)

τ

T

n p

T

I Q Q Q

Q = τ = +

小訊號擴散電容可以寫為:

D T T T

D T

D

d

I

g V d

dI d

C dQ τ τ

τ υ

υ = =

=

(9)

包含電容的二極體小訊號模型

若要應用到微波電路,模型中還要加上接線或接腳所造成的電感。

高頻模型的原則:

導電部分有面積則有電容(至少對基板或電路板)

有電荷分離則有電容

改變電壓需要時間或電流則有電容 有導線則有電感

改變電流需要時間或電壓則有電感

(10)

包括小訊號電路模型的分析 步驟如下:

1. 先令小訊號為0,解出靜態偏壓點(quiescent point或操作點)

Q

。 2. 根據

Q

點,計算出元件小訊號模型參數。

3. 畫出電路之小訊號模型。電路中獨立直流電壓源改為短路,獨立直流電流源 改為開路,其餘不變。很高頻時,電容為短路,電感為開路;很低頻時電容為 開路,電感為短路。

4. 解小訊號電路模型。

1.令

υ

s=0,解ID

V

D

2.計算rd 3.畫出小訊號模型電路

4.解小訊號模型電路

s d d

d

R r

r υ

υ = +

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