二極體小訊號電路分析
小訊號模型(small-signal model)
先考慮任意一種單埠元件的I-V特性(如圖)
i
Aυ
AI
QV
Qυ
ai
a考慮在固定的直流
I
Q (或VQ )上加一個微小的變 化訊號i
a(或υ
a) ---通常是交流的,計算
i
a-υ
a關係,所得之模型即稱為小訊號模型A
i
A = IQ + iaυ
A=VQ+υ
a+
⋅ +
⋅ +
=
+
=
2 2
2
2 ) 1
(
) (
) (
a A
A a
V A A Q
A
a Q
A A
A
d i d d
V di i
V i i
Q
υ
υ υ υ
υ
υ
高次項g(V
Q)a Q
a Q
A A
A
i V g I i
i ( υ ) = ( ) + ⋅ υ = +
a
a
g
i = ⋅ υ
Q-point
Slope=g=1/r
i
aυ
aA
g=1/r
Q Q
A
V I
i ( ) =
大訊號
直流偏壓點
小訊號
二極體的小訊號等效電路
考慮一二極體被偏壓在直流電壓(bias voltage)VD或直流電流(bias current)ID
直流電壓上再加上一時變小訊號
υ
d,產 生之電流變化為id。(
/− 1 )
=
S VD nVTD
I e
I
( )
d D
D
d D
D
nV S
D
V
i I
i
e I
i
D Tυ υ
υ
+
=
+
=
−
=
/1
要求
i
d與υ
d的關係( )
( ) ( )
( 1 ) ( )
1 )
( 1
1 1
2 /
/ /
2 /
/ /
/
d nV
V S T
nV d V
S nV
V S
d T
nV d V
S
nV nV
V S
nV V
S d
D D
O e
nV I e
I e
I
nV O e
I
e e
I e
I i
I i
T D
T D
T D
T D
T d
T D
T d
D
υ υ υ υ
υ υ
+ +
−
=
−
+ +
=
−
=
−
= +
=
+高次項
I
D+ISg
dυ
dI
DS D
T d
T S D
d
d d d
I I
r nV
nV I g I
g i
= +
= +
= υ
逆向偏壓
V
D<<-nVT= − + =
d→ ∞
T S S
d
r
nV I
g I 0
順向偏壓
V
D>>nVTD T d
T D
d
I
r nV nV
g ≈ I ≈
g
dr
ddiffusion small-signal incremental
conductance resistance
例題
計算一二極體在室溫(300K)時,順向電流為10mA,1mA,0.1mA及0.01mA 時之等效小訊號電阻。假設二極體的理想因子為1。Ω
=
≈ [ in mA ] 6
2
D D
T
d
I I
r V
I
D10mA 1mA 0.1mA 0.01mA
r
d2.6Ω 26Ω 260Ω 2600Ω
例題
利用四個二極體設計的小訊號開關控制脈衝訊號
高頻訊號
R D1
D2
Vin Vout
VD+
D3
D4 R
C C
VD-
+1
-1
R rd1
Vin Vout
VD+
R
C C
VD- rd2
rd3
rd4
開啟時之等效電路
為何關閉時仍有小部分訊號可以通過?
二極體的高頻小訊號等效電路
包括電容的模型
二極體在高頻操作時,他的電容不能忽略。他的電容在逆向偏壓時主要是前 面提過的接面電容;順向偏壓除了接面電容外,尚有一個少數載體在中性區 儲存造成的擴散電容
(diffusion capacitance)。
pn接面的接面電容可以寫為:
m
bi R j j
V V C C
+
= 1
0
在逆向偏壓
V
R時在順向偏壓時
2
j0j
C
C =
下面開始說明順向偏壓時的擴散電容
擴散電容(diffusion capacitance)
由理想二極體方程式的推導過程中得到
p p n
n D
Q Q
i = τ + τ
(
/1 )
0
−
=
p n q kTp
e
Dp AqL
Q
υ(
/1 )
0
−
=
n p q kTn
e
Dn AqL
Q
υQ
p、Q
n分別為在n型區及p型區接近空乏區累積的多出少數載體,均為偏壓電壓的 函數。即改變偏壓,即有電荷儲存量的改變,故有擴散電容。E
CE
V 中性區 空乏區 中性區q(V
bi- υ
D)電子流
電洞流
p n
和注入之電洞 復合
注入p型區之電子流
和注入之電子 復合
注入p型區之電洞流
增加
υ
d所增加 的Q
n增加
υ
d所增加 的Qp假設二極體被偏壓在(ID, VD)
p p p
n n n
p n
p p n
n
D
Q Q I I Q I Q I
I τ τ
τ
τ + = + = =
=
定義一平均傳輸時間(transit time)
τ
Tn p
T
I Q Q Q
Q = τ = +
小訊號擴散電容可以寫為:
D T T T
D T
D
d
I
g V d
dI d
C dQ τ τ
τ υ
υ = ≈ =
=
包含電容的二極體小訊號模型
若要應用到微波電路,模型中還要加上接線或接腳所造成的電感。
高頻模型的原則:
導電部分有面積則有電容(至少對基板或電路板)
有電荷分離則有電容
改變電壓需要時間或電流則有電容 有導線則有電感
改變電流需要時間或電壓則有電感
包括小訊號電路模型的分析 步驟如下:
1. 先令小訊號為0,解出靜態偏壓點(quiescent point或操作點)
Q
。 2. 根據Q
點,計算出元件小訊號模型參數。3. 畫出電路之小訊號模型。電路中獨立直流電壓源改為短路,獨立直流電流源 改為開路,其餘不變。很高頻時,電容為短路,電感為開路;很低頻時電容為 開路,電感為短路。
4. 解小訊號電路模型。
1.令
υ
s=0,解ID和V
D2.計算rd 3.畫出小訊號模型電路
4.解小訊號模型電路
s d d
d