HPSH [VSEPR 價殼層電子對互斥理論 ]

[VSEPR價殼層電子對互斥理論]

HPSH

高中化學

混成軌域的空間位向

電子 對數

軌域 幾何形狀 夾角

(度)

形狀

2 sp 180 直線

3 sp² 120 三角

4 sp³ 109.

5

正四 面體

中心原子價殼層的電子對應該儘可能彼此遠離

混成軌域的空間位向2

電子 對數

軌域 幾何形狀 夾角

(度)

形 狀

5 sp³d 120

90

雙 三 角 錐

6 sp³d² 90

正 八 面 體

中心原子價殼層的電子對應該儘可能彼此遠離

如何利用混成軌域判斷分子形狀？

學習 重點

V.S.E.P.R.

預測分子 形狀步驟 確定分子可

能的形狀

 分子形狀的預測： 理論，

（valence shell electron pair repulsion）

 簡稱為 理論。

 價殼層電子對互斥理論認為分子或離子內圍繞中心 原子之電子對，包括：

鍵結電子對（bonding electrons pair ，bp）及 孤對電子（lone-pair electrons，lp）

應盡量遠離，使電子間的斥力降至最低。

價殼層電子對互斥 VSEPR

價殼層電子對互斥理論與分子形狀

sp

混成軌域

（1p－1p）的斥力 （1p－bp）的斥力 （bp－bp）的斥力 電子對的斥力大小：

＞ ＞

預測分子形狀的步驟

先找出中心 原子：電負 度小的原子 為中心(H 例外）

算出參與混 成的價電子 總數，電子 對數。

利用參與混成 電子對，推出 混成軌域

將分子或離子 以通式

AX_mE_n表示 之：

求出分子形狀

 中心原子：

氫、鹵素提供

氧與硫提供

氮提供

3

參與混成原子的價電子數

 周圍原子：(B)

B： 個、C：

4

5

7

1 0 -1

 帶有電荷：(C)

一個負電 個電子

一個正電荷 個電子。

+1 -1

A Cl O

H N

 中心原子的價電子對= (A+B+C)÷2=混成軌域數。

AXmEn

X：與中心原子 A 鍵結之周圍原子數。

E：中心原子上之孤對電子數。

參與混成原子的價電子數

 混成軌域數：m＋n

 決定形狀：

混成軌域數確定混成軌域的形狀。

未鍵結電子對去除，即為分子的大略形狀 。

形成

鍵的軌域不參與混成

＝鍵結電子對（bp，

鍵）數＋孤對電子（1p）數

sp

混成軌域

混成軌域數=

CH

(4+1×4)÷ 𝟐 =4

AX

E

正四面體 三角錐 彎曲形

NH

(5+1×3)÷ 𝟐

AX

E

=4

H

O

(6+1×2)÷ 𝟐

AX

E

=4

VSEPR 理論

m＋n 2

3

VSEPR 理論 _m＋n=4

VSEPR 理論

m＋n 5

6

sp³d

sp³d²

重點 回顧

V.S.E.P.R.

預測分子 形狀步驟 確定分子可

能的形狀

• 先找出 中心原子：電負度小

• 步二算出參與混成的 電子對數

• 步三推出 混成軌域

• 步四將分子以通 式 AX

E

表示，

求出分子形狀

• 價殼層電子對 互斥理論

• 殼層電子對互斥理論認為分 子或離子內圍繞中心原子之 電子對應盡量遠離，使電子 間的斥力降至最低。

• sp

彎曲，sp3正四面體、角 錐、彎曲

• sp3d