第一章 緒論
1.1 類核黃素之應用研究
電化學偵測器(Electrochemical sensor)是生化感測與臨床檢驗的 利噐之一,而修飾於電極表面的酵素則是所依賴的探測元。由於酵素 的電子傳遞中心(Redox center)多無法與電極直接接觸,因此必須 仰賴電子傳遞媒介(Mediator)協助電子傳遞,不僅可加速電荷傳遞 速率,亦可降低生化物質在電極表面進行氧化還原時的過電壓,有效 提升偵測效率。目前常用的生化感測媒介有:Phenoxazine、
Phenothiazine 與 Phenozine,可與生化物質如菸鹼醯胺腺嘌呤雙核苷 酸(Nicotinamide adenine dinucleotide,簡稱 NADH)進行電子交換。
(1)
在 1984 年 Gorton 將 Meldola blue 修飾於石墨片上,發現 Meldola blue
(簡稱 MB,Phenoxazine 衍生物)可與 NADH 進行反應:
(2~3)MB
++ NADH [MB
+-NADH] 式 1-1 [MB
+-NADH] NAD
++ MBH 式 1-2 MBH MB
++ 2e
-+ H
+式 1-3 由於此一結果,他成功藉由上述反應機制與葡萄糖去氫酶對葡萄糖進 行偵測。關於 Phenothiazine 的應用研究,Ye 和 Baldwin 於 1988 年將 Methylene blue 吸附於石墨片上,藉以探討其與肌紅蛋白(Myoglobin)
與血紅素(Hemoglobin)中的 Cofactor 間之交互作用,藉以探討肌紅
蛋白、血紅素儲存與運送氧氣機制
(4)。在 1990 年,Persson 也藉由 3- β-naphthoyl-Toluidine blue O 與 Toluidine blue O 探討其與 NADH 間 的交互作用。
(5)對於 Phenazine 之應用研究,Gorton 也於 1985 年利用 Dip coating
方式將 N-methylphenazinium ion 修飾於電極表面,再結合葡萄糖氧化
酶偵測葡萄糖。
(6)從 1984 年起,Phenoxazine、Phenothiazine 與
Phenozine 這三類結構類似物也逐漸被應用於生化燃料電池中作為電
子傳遞媒介,藉以探討研發新能源。
(7)1.2 NADH 與 NAD
+簡介
菸鹼醯胺腺嘌呤雙核苷酸(Nicotinamide adenine dinucleotide,簡稱 NADH)與其氧化還原,NAD
+,是維生素菸鹼酸(Nicotinic acid)的衍 生物,結構式如圖 1-1 所示。在 1937 年,NAD
+首度被發現為去氫酶 的輔酶。從 1970 年起,科學家逐步了解 NAD
+在生化環境中可媒介 去氫酶進行下述反應
(8):
A. L-Lactate Pyruvate
B. L-Malate Oxaloacetate
C. Ethanol Aldehyde
D. Glyceraldehyde
3-phosphate 1,3-Diphosphoglyceric acid
L-Lactate dehydrogenase
L-Malate dehydrogenase
Alcohol dehydrogenase
Glyceraldehyde 3-phosphate dehydrogenase
1978 年 Tse 和 Kuwana 等人證實:NAD
+經由酵素轉化後所生成的產 物與以電化學方法製得的產物相同
(9)。兩年後,Moiroux 和 Elving 指 出:NADH 可以碳電極(glassy carbon)在電位 0.56 V vs. SCE 氧化,但 與理論值差異極大,顯示 NADH 在無酵素環境下,其氧化反應存在 極大的過電壓,因此維生素 C 或尿酸會對 NADH 的氧化造成干擾,
因此也提出修飾電極概念,試圖在電極表面利用電子傳遞媒介以降低
其氧化過電壓。
N N N
N
NH2
O
H OH
H H
H H
O P O-
O
N H
O OH OH
H H
H H
O P O-
O
O
O NH2
N
O NH2
R
H H
2e- 2H+
or
N
O NH2
R
H H
NAD+
NADH +
圖 1-1 NAD
+與 NADH 之結構示意圖。
1.3 分子探針
原子力顯微鏡(Atomic force microscope 簡稱 AFM)係利用奈米尺
度探針以探測樣品表面,雖然如此,未經特殊修飾,多無法辨識所探
測之物種,例如: AFM 可探測線狀或螺旋 DNA 分子的形貌,然而僅
能依據分子大小而呈現相似形貌。在 2004 年,文獻指出
(10),若將探
針修飾上抗體,可藉由抗體與抗原間之專一性,使探針與修飾有抗原
之表面產生作用力而辨識分子。此一方法之提出,對於細胞組成了解
以及特定藥物合成研發極具啟發性。
1.4 顯微鏡發展史
虎克在 17 世紀利用人類第一部光學顯微鏡(Optical
microscope),觀察到植物細胞的構造。之後,在電腦與壓電掃描器製 作技術的逐步突破下,共軛焦顯微鏡(Confocal microscope)於焉誕 生,提升了光學顯微鏡在Z軸上的解析度。共軛焦顯微鏡可配合螢光 染色技術,對細胞膜或胞內的分子做定性與定量分析,但其解析度仍 受到 Abbe 障礙(Ernst Abbe, 1840~1905, 解析度為觀測光源波長之半) 的限制只能達到 0.2 µm。為突破此一極限,Ruska 在 1934 年發明了 以電子束為光源的電子顯微鏡(Scanning electron microscope 簡稱 SEM),可將影像解析度提高至 2 nm。雖然如此,SEM 仍無法看到原 子排列。
到 1980 年初期,掃描式穿隧電流顯微鏡(Scanning tunneling microscopy 簡稱 STM)被發明,可將顯微鏡的解析度提高到原子等 級,但需在真空下始能達到目的。在 1982 年,任職 IBM 的 Binnig 和 Rohrer 利用探針與導體間的穿隧電流作為呈像訊號,使得 STM 可 在一般環境下獲得原子級的解析度。但因 STM 的應用是藉由穿隧電 流,故所分析之樣本必須是導體。目前 STM 已廣泛應用在電化學各 領域的研究,如金屬或導電高分子的電沈積、電極表面的吸附現象、
電極表面的氧化還原、材料的溶解、腐蝕及蝕刻等
(11~14)。
在 1985 年,Binnig、Quate 和 Gerber 發明了原子力顯微鏡,其原
理是利用一柔軟懸稈探針,藉由其與試片間微小原子力(Van der Waals 力,約為數個 nN)作為呈像訊號,致使非導體也可利用 AFM 觀測其 表面影像。由於 AFM 可在液相、氣相中操作,且樣本不需複雜之前 處理,其應用性比 STM 更具普遍性,可量測軟組織或分子間的力學 特性。上述四種顯微鏡的特性列於表 1-1 中。
表 1-1 四種主要顯微鏡的特性比較。
Resolution
X,Y Resolution
Z Circumstance Pretreatment required Optical
Microscope 0.2 µm 1 µm air,liquid none Confocal
Microscope 170 nm 500 nm air,liquid none SEM 2 nm N/A vacuum Hard,
drying,
coating AFM 0.1 nm 0.01 nm air,liquid,
vacuum none
1.5 AFM 原理
(1)接觸式(Contact mode 簡稱 C mode)
進行 AFM 圖像掃描時,當針尖與樣品表面輕觸,原子間產生微 弱排斥力,(當探針與試片的距離約為數個 Å 時,如 3 Å,兩原子的 電子雲產生互斥現象),致使探針偏移。此時若將反饋力設為定值,
便可獲得探針掃描各點時的位置變化,從而得到樣品表面形貌的圖 像。
由於探針與樣本是彼此接觸,其影樣解析力最好,適合做原子級 的觀測,但對較軟的樣本(如生物樣本或高分子) ,則須選擇較軟的 懸桿與較小的接觸力,否則會有刮傷樣本之慮。
(2)非接觸式(Noncontact mode 簡稱 NC mode)
非接觸式掃瞄主要利用原子間遠距吸引力─凡得瓦力(探針與試 片的距離約為數十個到數百個 Å)來進行檢測。NC-AFM 操作模式是 對黏附於懸桿上的壓電晶體施予一交變電壓,使懸桿受一力作用產生 一微小振幅擺動,此懸桿的振幅與頻率會隨探針與樣本間的作用力不 同而改變,可透過監測振幅的變化量來得知樣本的表面輪廓。
由於探針並未和樣品實際接觸,因此對於軟性樣品表面所造成刮
傷可大大降低,探針受損的情形也可減少;但由於探針和樣品並未接
觸,因此非接觸模式的呈像術之空間解析度較差,為其主要缺點。
(3)敲擊模式(Tapping mode)
使懸桿上下擺動輕拍於樣本表面,並藉振幅的改變而呈像,由於 受到吸力與斥力的交互作用,也稱為間歇式的接觸式模式
(Intermittent-contact mode)或半接觸模式(Semi-contact mode)。敲擊模 式與非接觸模式的操作方式類似,但探針懸臂振動的振幅較大,而探 針和樣品間的距離也比非接觸式來得大。在掃描過程中,探針會接觸 到樣品表面,其解析度也較非接觸模式的解析度來得高。但此種探針 和樣品的接觸只是輕敲樣品表面,故對樣品表面的刮傷可減到最低,
對於柔軟性較好的試片,如生物樣本,使用敲擊模式觀察表面輪廓
時,可在不損傷試片下,得到較佳的呈像結果,在氣相下可避免樣本
上自然水層的干擾。
1.6 STM 原理
掃描式穿隧顯微鏡是利用量子力學的穿隧效應,即在導電探針與 導電樣品間施加一偏壓,在二者靠近到某一程度距離時,電子越過針 尖和樣品的能量障壁而產生穿隧電流,其中穿隧電流(I)與探針和樣品 間的距離z呈指數關係:
式 1-4 其中ϕ 為位能障礙的高度(Tunneling gap),與樣品和材料有關;V 為所 施加的電位;Z 為探針與樣本間的距離。當 Z 小於 1 Å 時,I 的變化可 增加約 10 倍,對距離變化非常靈敏,極適合用於小尺寸下的表面量 測。
一般而言,掃描穿隧顯微鏡可依取像方式分為三類:
A.定電流取像法:
定電流取像法(Constant current mode)是令探針持有固定的電流 值,故探針會隨樣品表面起伏而調整其高度。此方法的好處是可容忍 較大的表面高低變化,但由於必須以回饋信號來調整探針位置,因此 掃描速度較慢,容易受低頻雜訊的干擾。
B.定高度取像法:
定高度取像法(Constant high mode)是令探針以固定的設定高
( ( A ( V ) * Z )
I ∝ e − ϕ − 2
度,直接以穿隧電流值的變化來作為表面呈像依據。特點是可快速掃 描,捕捉表面動態,適合觀察表面起伏較小的樣品,但其弱點為:若 掃描範圍內的樣品表面起伏太大,易損壞探針。
C.電流密度取像法:
由於穿隧電流的大小除了和探針及樣品的間距有關外,也和探針
所在位置的表面電子密度有關。此法結合上述兩種方法,以偏壓調變
為取像變數,即進行掃瞄時,探針與樣品距離設為定值,在每一個掃
瞄點停留數百微秒,改變偏壓大小,紀錄不同電壓下所對應的穿遂電
流,獲得各點電流-電壓分佈圖,屆時再將各點在某固定偏壓下的電
流作圖,即可得到表面電流密度分佈。
1.7 EC-STM 原理
電化學測量中,多以三極式組態,即工作電極(Working electrode)、
輔助電極(Counter electrode)與參考電極(Reference electrode),對分析 物進行伏安法分析。若利用STM進行臨場電化學測量時,STM的探針 可視為第四電極,其電壓可透過雙電位儀加以控制。在電化學系統 中,探針除有穿隧電流通過之外,同時探針也會感應到充電電流 (Charging current)與法拉第電流(Faradic current)。由於此二電流大於 穿隧電流,因此探針必須適當絕緣,使充電電流與法拉第電流的電流 值降至最低。
A.充電電流:固相電極與液相電解質間存在電雙層(Electrical double layer),因此進行電位掃瞄(Voltage ramp)時,會產生如下電流:
Ic = ACd dE
dt
式 1-5
其中,A 是探針表面積,C
d是電雙層的電容,E 是施加的電位。由於 充電電流幾乎保持定值,故其對穿遂電流之影響遠小於法拉第電流。
B. 法拉第電流:進行 EC STM 測量時,在基材 (即工作電極) 表面 無可避免會發生氧化還原反應,此時所產生的電流即為法拉第電流。
此時,STM 探針與工作電極間的穿遂電流,便無可避免地會受到法
拉第電流的干擾
(15)。因此,必須藉由適當絕緣將法拉第電流降低,始
能獲得清晰影像。
1.8 螢光淬熄
分子受光激發後,可循輻射形式(Radiation) ,如螢光或磷光放射,
將能量釋出,亦可循非輻射形式(Non-radiation),如放熱,將能量釋 出。然而激態分子是具潛力的氧化劑或還原劑,因此若在電子授與者 或接受者存在時,二者間便可發生光誘發電子轉移或是能量轉移反應
(16~21)
,而將激發態分子之能量經由淬熄反應(Quenching)釋出,其
中淬熄反應可能來自於:
I、靜態淬熄(Steady-state quenching):基態發光團(A)與淬熄劑(Q) 間的反應;
II、激態淬熄(Dynamic quenching):發光團受激發後(A*)與 Q 間 的反應;
III、靜態與動態淬熄:基態與激態 A 均與 Q 進行反應。
若螢光淬熄涉及機制 I,即:
A hv A* , kA 式1-6
A* A + heat , k
nr 式1-7A* A + hv , k
f 式1-8 A + Q complex , K 式1-9則[A*]是 k
A、k
f與 k
n的函數,其中 k
A、k
f與 k
nr分別為 A 吸收光的反
應速率常數、輻射的反應速率常數以及非輻射的反應速率常數,而 K
d[A*]/dt = k
A[A] - k
f[A*] - k
nr[A*] = 0 式 1-10 [A*] = k
A[A]/(k
f+ k
nr) 式 1-11 假設螢光量子效率(Φ
F)與[A*]呈正比關係,即:
Φ
F= f[A*]
Φ
F= f k
A[A]/(k
f+ k
nr) 式 1-12 又因 A 與 complex 須滿足物質守恆:
C
A0= [A] + [complex] 式 1-13 K = [complex]/{[A][Q]} 式 1-14 [A] = C
A0/(1 + K[Q]) 式 1-15 所以,Φ
F= f k
AC
A0/{(k
f+ k
nr)(1 + K[Q])} 式 1-16 當 [Q] = 0,Φ
F存在最大值,Φ
F 0,
Φ
F 0= f k
AC
A0/(k
f+ k
nr) 式 1-16-1 因此
Φ
F 0/Φ
F= 1 + K[Q] 式 1-17 在 Steady-sate 狀態下,Φ
F與螢光強度(F)成正比,
Φ
F 0/Φ
F= F
0/F
其中 F
0為最大螢光強度,因此,若以(F
0/F)對[Q]作圖,即可求得 K 值。
若螢光淬熄涉及機制 II,即:
A hv A* , k
AA* A + heat , knr A* A + hv' , kf
A* + Q A + Q + heat , kq 式1-18
則根據 steady state approximation:
d[A*]/d t = k
A[A] - k
f[A*] - k
nr[A*]- k
q[A*][Q] = 0 式 1-19 所以 [A*] = k
A[A]/(k
f+ k
nr+ k
q[Q]) 式 1-20 因為 Φ = f[A*]
所以 Φ = fk
A[A]/(k
f+ k
nr+ k
q[Q]) 式 1-21 若無 Q,則Φ存在最大值Φ
0Φ
0= f k
A[A]/(k
f+ k
nr) 式 1-22 因此,Φ
0/Φ = 1 + k
q[Q]/(k
f+ k
nr)
或 F
0/F = 1 + K
SV[Q] 式 1-23 其中 K
sv定義為 k
q/(k
f+ k
nr)。若以(F
0/F)對[Q]作圖,即可求得 K
SV值。
此外,因 Q 會將 A*的能量轉移成熱能,因此 A*的生命期(τ)會隨 Q 添加而變小。若定義 A*的生命期為(k
f+ k
nr+ k
q[Q])的倒數:
τ = (k
f+ k
nr+ k
q[Q])
-1式 1-24 則 τ
ο= (k
f+ k
nr)
-1式 1-25
τ
ο/τ = (k
f+ k
nr+ k
q[Q])/(k
f+ k
nr) = 1 + k
q[Q]/(k
f+ k
nr)
= 1 + k
qτ
ο[Q] 式 1-26
作圖,不僅可得到與以(F
0/F)對[Q]作圖之結果,更可求出 k
q以及判辨 否涉及 Dynamic quenching。
若螢光淬熄涉及機制 II 與機制三,即:
A hv A* , kA
A* A + heat , knr A* A + hv' , kf
A* + Q A + Q + heat
A + Q complex , K