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~N&K光學薄膜測厚儀~
基本操作手冊
湯淵富 2009.2.19
大綱
一、N&K光學薄膜測厚儀使用規範
二、N&K光學薄膜測厚儀的實際操作
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一、 N&K光學薄膜測厚儀使用規範
01.欲操作N&K光學薄膜測厚儀之研究生或同仁均須通過考核。
02.欲考核下列南科NDL機台(1)破片光阻塗佈機 (2)自動化光族塗佈與顯影系統(Track) (3)高溫及低壓水平爐管(4)PECVD，需一併接受n&k薄膜測厚儀之考核。
03.使用N&K光學薄膜測厚儀須確實填寫使用紀錄簿。
04.厚度量測有其極限，大約為100Å~25um。
05.無法量測金屬，因無法透光。
06.無法直接量測Poly-Silicon薄膜，需先成長一層氧化層(約1000Å)於矽晶圓上，再沉積多 晶矽薄膜於氧化層上，方可量得多晶矽薄膜之厚度。
07.光源使用前需先暖機20分鐘以上，確定不再使用後再將光源關閉。(避免經常性開開關關) 08.合格使用人員若將機台使用卡外借他人使用，取消使用資格三個月。
二、N&K光學薄膜測厚儀的實際操作
前置作業1
打開燈源確定燈源亮起 並暖機20分鐘以上 a.待量測試片位置 b.量測區域需大於
光源1x1cm以上
c.欲量測之晶圓正面朝上
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前置作業2
點選滑鼠左鍵2下
前置作業3
點選Baseline
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前置作業4
1. 先將Bare Silicon放在光源平台上
2.確定Autoscale integration有勾選
3.點選OK
前置作業5
1. 先將Bare Silicon移離光源平台
2.點選OK
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1.先將量測片擺放於光源平台上
2.點選Edit Structure
Case1:Silicon/SiO2薄膜(單層)
選取欲量測薄膜 1.輸入估計之厚度
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Goodness of fit 越接近1 表示fitting越好
厚度準度越高 點選Measure 得厚度值7604.9Å
可得量測多點 時之統計結果
7 4
6 2 1 3 8 5
9
薄膜均勻性(Uniformity%)
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點選Add Layer增加 一層欲量測之材料
Case2:Silicon/SiO2/Poly Si薄膜(雙層)
試片結構為 由下往上
只能勾選一種欲量測薄膜之厚度 另一膜層厚度需視為已知值(不要勾選)
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點選略過 若曲線吻合度不佳時 需再重新作過Baseline
量測AZ4620&AZ5214 所用之database
Case3:Silicon/Photoresist(單層)
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當量測曲線於450nm之前 有明顯不吻合之現象 可修改波長之量測範圍
可使曲線吻合度更佳 (最多由500nm量測起)
點選Options
當量測曲線吻合度不佳時
Calculation(紅色) 由450nm量起
(Goodness of fit變佳)
