第四章 結果與討論
4.4 光解產物之指派
4.4.1 ClSCS (x 組譜線
組譜線組譜線組譜線)在同位素取代實驗中顯示x (1479.5 cm-1)和 xb (1480.8 cm-1)包含兩 個不同S 和一個 C 的振動模,且吸收位置與 CS2的 ν3(C-S2不對稱伸 張模)接近,表示x 組譜線應是含 SCS 伸張振動的分子。由 4.3 節裡 可能形成的產物的理論計算振動波數,與x 組譜線最接近的是 ClSCS。
位於1479.5 cm-1的x 譜線在兩個34S 取代之光解實驗中位移比例為 0.9954,與 ClSCS 的 C-S2反對稱振動頻率之理論值0.9953 (0.9954)相 同;所列數值為用B3LYP 方法得到的結果,而括號內數值為 BPW91 之結果;在只有一個34S 取代之光解實驗中位移比例為 0.9981 和 0.9974,
與ClSCS 的 C-S2反對稱振動頻率之理論值0.9980 (0.9981)和 0.9974 (0.9974)相同;在13C 取代之光解實驗中位移比例為 0.9676,與 ClSCS 的C-S2反對稱振動頻率之理論值0.9669 (0.9670)差異不大,其結果整 理於表 4- 7。
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欲得到CS2(Cl)加成物,我們使用 340 nm 雷射光光解 Cl2形成Cl 原子後,這些Cl 原子再和鄰近 CS2形成CS2(Cl)加成物,另外也可藉由 回火過程,些微提升樣品間質溫度使 p-H2間質變柔軟,讓 Cl 原子可在
p-H
2間質中移動,和較遠的CS2靠近並鍵結,因此回火後CS2(Cl)加成 物譜線也會增加。實驗結果中,x、xa和xb在340 nm 光解後增加,回 火後發現只有x 和 xb會增加,其消長情形整理於表 4- 5(a)中。根據 Wine 研究組9對CS2(Cl)加成物做的近紫外光波長吸收光譜結果,CS2(Cl)加成物在 355 nm 光解後應會減少,而本實驗結果中 x 和 xb經 355 nm 光解會減少。x 譜線亦和 Romano 等人17在Ar 間質下觀測的 ClSCS 吸收譜線(1481.5 cm-1)以及Phillips 研究組16在CCl4溶液中觀 測的ClSCS 吸收譜線(1468.0 cm-1)相近,故將x 組指派為 ClSCS,
並將結果整理於表 4- 6。
x 譜線和 CS2Cl2複合物兩者吸收位置相近,且在回火後都增加,如 圖4- 8 (c),x 譜線有可能是此複合物的吸收;但 CS2Cl2複合物在 340 nm 光解後減少,如圖 4- 7 (a),可能是將 Cl2分子斷鍵或光解CS2
與Cl2間的鍵結,而x 譜線在 340 nm 光解後為增加,和 CS2Cl2複合物 的光解效應不同,表示x 並不為 CS2Cl2複合物。
xb譜線對不同雷射光及回火效應的消長情形和x 一樣,但 xb吸收 強度較低,且兩譜線吸收位置差異小(約1.3 cm-1),xb可能為間質中
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Cl 圍繞在 ClSCS 旁干擾的吸收。在較高濃度 Cl 間質中,xb/ x 的比例 提高,如表 4- 5(a),xb在340 nm 光解後與 x 的比例由 0.16 增加到 0.27。
4.4.2 CS (y 組譜線
組譜線組譜線) 組譜線位於1272.1 cm-1之yd譜線、1272.2 cm-1之y 譜線和 1272.8 cm-1之 ye譜線與Andrews 研究組3在Ar 間質下觀測的 CS 吸收譜線(1275.4 cm-1) 位置相近。圖 4- 21 中,yd、y 和 ye譜線在兩種34S 取代之光解實驗中 位移比例均為0.9921,與 Ar 間質中的實驗值 0.9918 大致符合,y 和 ye
譜線在13C 取代之光解實驗中位移比例均為 0.9719,和 Ar 間質中的實 驗值0.9718 相同,但 yd譜線位移比例為0.9711,與 Ar 間質中的實驗 值相差較大,故只有y 和 ye較有可能是CS 吸收譜線,將結果整理於 表 4- 20 中;表中可看到 Andrews 研究組3另外觀測到(CS)(1281.2 cm2 -1) 與CS site 的吸收譜線(1270.2 cm-1),並發現回火後CS 譜線減少,而 (CS)2譜線增加。實驗中可能的CS 譜線(y 和 ye)裡只有y 在回火後 減少,將y 指派為 CS 單體譜線。
而圖 4- 9 中的 ya、yb及 yc在同位素取代實驗中並未清楚觀測到對 應的位移譜線。
4.4.3 ClCS (z 組譜線
組譜線組譜線組譜線)圖4- 10 中的 z 產物位於 1193.9 cm-1,與我們在 p-H2間質中利用248
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nm 光解 Cl2CS 所得到的 ClCS 紅外吸收光譜位置一致,如表 4- 4 所示。
圖4- 22 中,ClCS 的 ν1振動模在兩種34S 取代之光解實驗中位移比例 為0.9944,與在 Ar 間質中的實驗值 0.9945 相近,在13C 取代之光解實 驗中位移比例均為0.9714,和在 Ar 間質中的實驗值 0.9718 大致符合;
且此譜線與Schallmoser 研究組13在Ar 間質下觀測的 ClCS 譜線(1189.3 cm-1)相近,因此將 z 產物指派為 ClCS。ν3振動模吸收強度較弱,在 低濃度Cl2(CS2/ Cl2/ p-H2=1/0.3/1000)時產生的 ClCS 少,因此未觀 測到此振動模的吸收。
ClCS 在 355 nm 光解並回火後才大量增加,可能是 355 nm 光解 ClSCS 後產生的 CS 再回火後與 Cl 反應形成 ClCS。
4.4.4 CS
2Cl
2(r 組與
組與組與組與 v 組譜線組譜線組譜線組譜線)圖 4- 23 中位於 1145.3 cm-1之r 譜線在兩個34S 取代之光解實驗中 波數比例為0.9948,與 trans-SC(Cl)SCl 的 ν1振動波數之理論值0.9942 (0.9944)差異不大,如表 4- 13;同位素理論值係使用 B3LYP 方法得到 的結果,而括號內數值為BPW91 之結果。在只有一個34S 取代之光解 實驗中波數比例為0.9958 和 0.9993,與 trans-SC(Cl)SCl 的 ν1振動頻率 之理論值0.9949 (0.9950)和 0.9994 (0.9993) 差異不大;在13C 取代之光 解實驗中波數比例為0.9714,與 trans-SC(Cl)SCl 的 ν1振動波數之理論 值0.9684 (0.9683)大致符合,將結果比較於表 4- 13。而 r 譜線亦和
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Romano 等人17在Ar 間質下觀測 trans-SC(Cl)SCl 的 ν1振動模吸收位置
(1145.5-1143.4 cm-1)相近,如表 4- 12,故將r 譜線指派為
trans-SC(Cl)SCl。由於此高解析度(Res. 0.1 cm
-1)並掃瞄400 次的實 驗光譜於700 cm-1到800 cm-1雜訊比(S/ N ratio)較大,不易觀察此光 區中吸收較弱的譜線,我們無法清楚觀測到r 譜線的 ν2振動模波數。位於1090.6 和 889.5 cm-1的v 譜線在以 308 nm 光解時產生,如圖 4- 12 和圖 4- 20 (c),在 355 nm 光解後會一起減少,如圖 4- 20 (d),故 推測此兩根譜線為同一組產物。圖 4- 20(c)中,v 譜線在兩個34S 取代 之光解實驗中波數位移比例為0.9943 和 0.9963,與 cis-SC(Cl)SCl 的 ν1
和 ν2振動頻率之理論值0.9940(0.9940)和 0.9963(0.9960)接近;同位素 理論值係使用B3LYP 方法得到的結果,而括號內數值為 BPW91 之結 果,並將結果列於表4- 11。且此譜線亦和 Romano 等人17在Ar 間質下 觀測 cis-SC(Cl)SCl 的 ν1和 ν2振動模位置(1088.5 和 889.4 cm-1)相近,
故將v 譜線指派為 cis-SC(Cl)SCl,並將結果列於表 4- 10。此低解析度
(Res. 0.5 cm-1)並掃瞄400 次的實驗光譜於低波數光區雜訊比較小,
因此觀察到此光區中吸收較弱的 ν2譜線。本實驗並未以308 nm 光解 Cl2和一個34S 及13C 取代之 CS2樣品,故沒有觀測到v 產物的同位素 取代波數位移。
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4.4.5 其他
其他其他其他光解產物光解產物光解產物光解產物在4.3 節中討論的可能光解產物但未觀測到分子有 ClCS2、ClCS2Cl、
CSCl、ClCSCl、C2S2和CS3。
實驗中尚未被指派的譜線為xa、ya、yb、yc及w。其中位於 943.0 cm-1 的w 譜線在同位素取代實驗顯示其包含兩個不同環境的 S 原子和一個 C 原子,如圖 4- 24(b)兩個34S 取代實驗中波數比例為 0.9973,圖(c)一 個34S 取代實驗中波數比例為 0.9989 和 0.9984,圖(d)的13C 取代實驗 中波數比例為0.9971。理論計算中最接近此振動波數位置的分子為 ClCS2,以B3LYP 和 BPW91 搭配 aug 圖 4- 11-cc-pVTZ 基底函數計算 的 ν2振動模波數分別為921.8 cm-1和890.9 cm-1,如表 4- 8。但 ClCS2 為對稱性分子,兩個S 原子處於相同環境,和 w 譜線並不符合。考慮 CS2的C 與其他光解產物鍵結可能形成的分子,如 ClS 的 S 接在 CS2
的C 形成 ClS-CS2,以B3LYP/ aug-cc-pVTZ 計算的 ν1振動模波數為 992.8 cm-1,其 13C 取代的同位素波數比例為 960.8/ 992.8=0.9678,和實 驗值(0.9971)差異頗大。w 譜線應為某分子與 CS2上的C 鍵結形成的產 物吸收譜線。