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第四章 實驗內容

4.1 化學藥品清單

表4-1 實驗藥品

藥品 縮寫 廠商

30% Hydrogen peroxide H2O2 Showa Tetraethyl orthosilicate TEOS Fluka

40% Tetrapropylammonium hydroxide TPAOH

Tritech Catalyst &

Intermediate PVT LTD.

37% Hydrochloric acid HCl 久廣化學 Cetyl-trimethyl-ammonium bromide CTAB Alfa Aerosil-R972 R972 Evonik Diaminomethanal Urea SHOWA Isopropyl alcohol IPA ECHO

4.2 實驗分析儀器

4.2.1 X 光粉末繞射儀 (X-ray powder diffractometer, XRD)

當 X 光照射於一物體晶格,會產生反射各層結晶面反射光,路徑距 離不同,當隔層路徑差 CB-BD 距離(見圖 3-1)恰好符合布拉格繞射現象 產生建設性繞射即會觀測到X-ray 繞射圖譜。布拉格繞射公式如下式:

nλ= 2d sin θ

其中n = 1;λ:入射光波長;d:晶格距;θ:入射角。此外,亦可使

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用Scherrer 方程式 θ D= (Kλ)/ (βcos),求得樣品平均粒徑。其中 D:平均 粒徑;K:常數 0.89;β:主峰半高寬;θ:特徵峰所在的角度。

圖 4-1 XRD 射線在結晶面間的繞射示意圖

在本研究中是採用Rigaku X-光粉末繞射儀,是以 CuKα1(λ = 1.5406 Å), Ni 濾波器,DS = 0.5°, SS =1.0° , 0.5°, RS = 0.15 mm,電壓 40.0 kV,

電流 30.0 mA 之操作條件,將基材平放於載玻片上後,將其固定在機臺 上進行測量。實驗條件是連續掃瞄,D-MFI 掃瞄範圍為 2θ = 5~50°,掃瞄 速度為3°/min,每 0.02°取一點。S-MFI 掃瞄範圍為 2θ = 1.5~70°,掃瞄速 度為3°/min,每 0.02°取一點。

4.2.2 電化學分析(Electrochemical Analysis)

在本研究中,吾人利用CHI 627D 此種型號儀器之 Tafel plot 來進行 電化學分析,分析條件為分析範圍-2.0V 到 2.0V,掃描速率為 5 mV/s,

分析面積為直徑1 公分之圓與分析溶液接觸,分析溶液為 0.1 M NaOH,

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設備裝置如下圖。

圖4-2 電化學裝置示意圖

4.2.2.1 塔弗極化曲線測試法 (tafel polarization curces)

常用的抗腐蝕量測方法有鹽霧實驗與極化曲線測量方法(簡稱 Tafel plot)等,其中 Tafel plot 方法係在電化學中將電極電位偏離平衡值的現象 稱為電極極化,分別針對陰極極化曲線(Cathodic polarization)與陽極極化 曲線 (Anodic polarization)進行分析,陰極極化曲線代表的是氫離子的還 原反應;陽極極化曲線則是金屬基材的氧化反應,兩曲線在最相近的點 稱為腐蝕電位,如圖 4-3 所示,其反應如下:

陰極:2H+ + 2e-→H2

陽極:M →Mn+ + ne-

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圖4-3 Tafel plot 示意圖[25]

塔弗外插法(Tafel extrapolation)是在腐蝕電位± 50 mv 區域附近,分 別在陰極及陽極曲線上得到一線性區域,稱為塔弗直線區(Tafel region)8, (η= a + b log i),陰極與陽極極化曲線的塔弗直線曲求得斜率 βa與 βc切 線,兩條切線相交於一點,此點對應於X 軸之數值,即為腐蝕電流(Icorr),

可代表腐蝕速率,同時可藉由βa、βc及Icorr求得極化電阻(Rp)。

鍍層的抗腐蝕能力,主要是由腐蝕電位(Ecorr)、腐蝕電流(Icorr)及極化 電阻(Rp)三方面數值進行判斷。腐蝕電位的大小代表金屬發生離子化的化 學反應能力,腐蝕電位越偏正值代表較難以被腐蝕,金屬氧化的速率越 慢,腐蝕電位越偏負值則反之。腐蝕電流的大小代表腐蝕反應的快慢,腐 蝕電流越低,反應越慢,抗腐蝕能力越好,而電流越高則反之。其中電流 密度與極化電阻則是呈現反比的關係。

在一般的腐蝕情況下,根據電化學反應動力學如式:

I = I0 e(2.3(E-E0)/β)

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I 為此反應所得之電流,I0為反應常數,稱為交換電流,E 為電極電 位,E0為平衡電位(隨反應不同而不同),β 為反應塔弗常數(隨反應不同而 不同)。上列式為一半反應方程式,在腐蝕系統中,有兩個相反的半反應,

分別是陽極(anodic)半反應以及陰極(cathodic)半反應,將兩個半反應結合 可以得到式:

I = Ia + Ic = Icorr(e(2.3(E-Eoc)/βa) - e(2.3(E-Eoc)/βc) )

I 為量測電流,Icorr為腐蝕電流,E 為電極電位,Eoc為腐蝕電位,而 βa及βc則為陽極、陰極的 Tafel 常數。可以預期當 E 等於 Eoc時,電流為 0;而在越接近 Eoc時,電流為兩指數之總和;與 Eoc差距愈大時,其中一 項指數則可以忽略。E 接近 Eoc時,此公式的電流與電壓曲線接近於直線,

此直線之斜率的單位為歐姆(ohm),所以斜率又稱為極化電阻(Rp),Rp可 以結合Tafel 常數求得估計的腐蝕電流。將式展開後,可以得到式:

Icorr = (βaβc ) / (2.3Rpac))

在低電流時,電壓與電流的對數有塔弗公式的線性關係,而在電流 更低時,大約在腐蝕電位± 10 mv 的範圍內,外加電壓與電流密度也會呈 現性關係,由此可求得腐蝕電流(Icorr)。

而將電化學公式:電壓 = 電流×電阻,代入可得到式:

Rp = △E/△I = (βaβc ) / (2.3Icorrac)) 腐蝕速率可以從Faraday's Law 求得:

Q = nFM

Q 為反應物參與反應的總電荷量,n 為每個分子參與反應的電子數,

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F 為 Faraday's 常數,M 為反應物反應的莫耳數。假設反應了 W 重量,反 應物之原子量為m,即可將 M = W/m 代入式,

W = Qm / nF

同時,Q = IT,I 為電流,T 是時間,可以得到此式:

CR = (Icorr × K × m) / (d × A × n)

CR 為腐蝕速率,K 為定義 CR 單位之常數,d 為密度,A 為反應面 積。

4.2.3 電化學阻抗分析(Electrochemical Impedance Spectroscopy)

Bard [26]以及 Macdonald et al.[27]論文中解釋電化學交流阻抗分析 (EIS)的意義,金屬在溶液中的化學腐蝕反應為非均相的反應,我們把化 學性質與物理性質的物質組成、系統的其他部分有界面相隔,叫為”相”,

如果系種有兩個相組成,其中一個是電子導體為電子導體相,另一個為 離子導體就為離子導體相,並且在它們互相接觸的界面上有電荷幫助這 兩個相間的轉移,這個系統就為電極系統。

當一個電極系統的電位與電流流經電極系統產生變化時,這種情況 就如同一個電路受到電壓或電流擾動的信號而產生相應的變化一樣,在 實驗中的測試為在一固定的頻率下以電壓為控制變因,對系統待測物輸 入偵測的電壓訊號,施加一個小振幅的正弦波電壓△V(t)於原先的電位 V0(或施加正弦波電流△I (t) 疊加於原先的電流 I0),再由偵測儀器接收電 流訊號。其為一小振幅電壓正弦波訊號V(t)= V 0 sin ùt,偵測儀器回覆 訊號為電流訊號I(t)=I0 sin (ùt+θ),當中的θ就為偏轉相位角。經由所偵

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測的電壓與儀器回饋電流可以將阻抗(Impedance)定義為 : Z(ù) = V(t) / I(t)

其中ù 為角速度,ù=2 ðf,其中 f 為頻率因為阻抗,Z 是一個複數,

所以阻抗Z 可以表示成極座標:

Z(ù) = Z'+ j Z"

其中Z'為實部阻抗,Z"為虛部阻抗

在座標中,Z 被表示為 Z(ù) =∣Z∣exp(jθ) ,經由 Euler 函數 exp(j θ)= cos(θ)+jsin(θ),將函數 Z(ù)轉換成 Z(ù) = ︱Z︱ (cos(θ)+

jsin(θ)),也就為 Z(ù) = Z'+j Z"的形式。從圖 4-4 看出實部與虛部阻 抗所表示出的總阻抗與相角(phase angle)關係。

實部Re(Z) = Z' =∣Z∣ cos(θ) 虛部Im(Z)= Z'' = ∣Z∣ sin(θ)

實部的Re(Z) = Z'以及虛部 Im(Z)= Z 也可以呈現為相角(θ)與總阻抗

∣Z∣的函數關係。

θ= tan-1 ( Z'' / Z' )

∣Z∣ =

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電化學分析交流電阻抗(EIS)所測得金屬材料或是薄膜塗層的電阻現 象可以用 log∣Z∣、θ、Z'、Z''以及掃描頻率繪製成 EIS 的解析圖(一種 為 Nyquist (圖 4-4),一種為 Bode 圖),利用圖示來表達電極系統所測得 之腐蝕以及材料的電阻現象,當需要了解薄膜及金屬的腐蝕破壞結構情 形,所以需要求得電阻、電容等的參數隨時間頻率的變化,再利用等效電 路圖(Equivalent Circuit)模擬薄膜與金屬基材之關係。

圖 4-4 阻抗以實部阻抗與虛部阻抗繪製成的 Nyquist 圖

基本上訊號的處理流程如圖4-5,過程中的數學分析為快速傅立葉轉 換法((Fast Fourier Transform-FFT);當給予特定頻率( f ),頻譜儀器分析 電流的訊號再經由積分運算後,取平均值所得到的實阻抗值( Z' ) 與虛阻 抗值( Z'' ),系統再由繪圖軟體所得到所輸入的電壓與回應的電流訊號之

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相角θ及所測系統之總阻抗∣Z∣,組成了交流電阻抗圖譜((Bode 及 Nyquist 圖)。

圖4-5 電化學分析儀訊號運算流程

4.2.3.1 等校電路圖之電子元件與阻抗特性

Otieno-Aleg et al.[28]與 Amirudin et al.[29]論文內容針對阻抗之特性與 電路進行了詳細的討論,電流中的電子在金屬或導體中移動,所受到的 阻 力 稱 之 為 阻 抗(Impedance), 通常分之為 電阻 (Resistance)以 及 電 抗

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(Reactance),當中的電阻只與導體性質有關,無論外加的電流能量大小,

被導體所抵消的電阻值為固定值;而電抗中,是會因為外加能量大小有 關,電子在流動之變化會伴隨電場與磁場的影響,系統會傾向於抵抗電 廠與磁場的變化,所以外加能量效果越強,電抗則越強,而在此的電子元 件包括電容 (Capacitance)與電感(Inductance),目前實驗就僅限於腐蝕效 果反應的阻抗之等效電路之元件作為討論:

沸石薄膜可以視為一個電路系統,以塗層電路圖4-6 表示,電路圖中 的電子元件代表金屬與塗層系統的意義[27],其中組成電子元件包括溶液 電阻(Rs)、薄膜塗層電阻(Rc)、薄膜塗層電容(Cc)、界面電阻(Ri)、界面電 容(Ci)。

(a) Solution Resistance 溶液電阻(Rs):

Rs 為在工作電極(Working)及參考電極(Reference)之間的阻抗,通常 就是為溶液或是電解溶液的離子電阻值,如果溶液的濃度越高,則離子 越多,溶液傳導能力也越大,所以Rs 隨著溶液的導電性增加而減小。[12]

(b) Coating Resistance 薄膜塗層電阻(Rc):

電解腐蝕溶液在沸石薄膜層中滲透會促使塗層破壞,使得薄膜產生 孔洞或通道,而游離電子在孔洞中游離至金屬界面進行電荷轉換的腐蝕 效果所受限的路徑阻抗。

(c) Coating Capacitance 薄膜塗層電容(Cc):

在初始的沸石薄膜在量測時,阻抗圖通常會呈現所謂的電容性質。

一般的Cc 與面積成正比,而與厚度成反比,其公式為:

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Cc = åå0A/d

其中 å 為塗層的介電常數值(dielectric constant),å0為真空介電常數 (permittivity of vacuum,約為 8.86×10 -14F/cm),A 為塗層面積,d 為塗層 厚度。純水的介電常數值為 80,故整體介電常數的增加可明顯地當作水 滲透的指標。塗層電容與塗層吸水量的關係式如下:

Xv = log( )/log 80

關係式中的 Xv 為水滲透在薄膜內的體積分率,C0 為未浸泡溶液前 的薄膜電容值,Cc 為浸泡後的電容值。

(d) Interfacial Resistance 金屬與塗層界面價電子轉移電阻(Ri):

Ri 表示為金屬基材與與溶液中離子進行腐蝕反應的難易程度,即金 屬由元素態不帶電情況轉變成帶電荷的離子態的阻抗能力。

(e) Interfacial Capacitance 金屬與塗層界面層電容(Ci):

Ci 代表電荷累積在金屬與塗層界面的能力,通常比 Cc 來得大。

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圖4-6 塗層電路圖示意圖

4.2.3.2 EIS 基本解析圖

實驗進行所收集到的電流訊號,可以 EIS 的基本解析圖分析系統腐 蝕變化情形,直接由圖上讀出所需的數據資料,如總阻抗∣Z∣、相角θ 及時間常數(time constant)的數目。一般,基本解析圖分為三種,分別是 Nyquist plot(Z” vs. Z’)、Bode magnitude plot(log|Z|vs. log f )及 Bode phase angle plot(θvs. log f),依據這三種圖形可判讀塗層及金屬的破壞情 形。

(a) Nyquist plot:

虛阻抗 Z”對實阻抗 Z’作圖所得的圖形,利用等效電路模擬分析時,

可由此圖去推敲出適當的等效電路圖,再從所模擬出的等效電路中,讀 出阻抗參數。

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圖4-7 塗層之 Nyquist 圖

在圖 4-7 中,顯示塗層起始受到電解液滲透的弧形半圓,高頻區與 橫軸交點即為溶液電阻 (Rs),低頻區與橫軸交點即是系統電阻與溶液電 阻之和(Rs + Rp),扣除 Rs 即為塗層電阻(Rp)。而在圖 4-8 中,出現兩個 半圓,顯示電解液滲透塗層後,於金屬/塗層介面發生價電子轉換的腐蝕 現象。同樣的,第二個半圓與橫軸焦點是系統電阻與溶液電阻之和(Rs + Rp + Rct),扣除第一個半圓與橫軸交點(Rs + Rp)即可得價電子轉移電阻 (Rct)。然而真實情況圖形未必是呈現半圓,這時就需以等效電路模擬個 別的參數,而無法直接從圖形上判讀。

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圖 4-8 金屬與塗層介面之 Nyquist 圖

(b) Bode magnitude plot

利用∣Z∣與 f 分別取對數作圖。針對一個時間常數,電解液滲透塗

利用∣Z∣與 f 分別取對數作圖。針對一個時間常數,電解液滲透塗

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