五、 量測結果討論與分析 …
5.2 微米捲管殘留應變討論與估算
分子束磊晶技術成長晶格不匹配(如:InGaAs 和 GaAs)的材料薄膜於基板 上,薄膜會受到些微的壓縮或拉張的應變量,我們利用微型拉曼光譜(μ-Raman spectroscopy)系統,量測不同材料應變鬆弛前後的聲子位移(Stain-induced phonon shifts)情形,而換算出微米捲管內的應變分佈,並與理論模擬的結果分析比較。
分析半導體捲管內晶格結構與應變分佈有許多種方法,例如:穿透式電子顯 微鏡(Transmission Electron Microscopy,TEM)、光子激發光(Photoluminescence,
PL)、X 光繞射儀(X-ray micro-diffraction)等,但 μ-Raman 光譜儀量測的優勢在於 快速、靈敏和無破壞性,也就是當微米捲管成形後,不需要做任何額外的處理,
即可立即量測,因此選擇它。
5.2.1 不同外觀與圈數微米捲管之室溫 μ-Raman 分析
使用樣品Lm4892,雙層應變薄膜為 10nm In0.2Ga0.8As 和 20nm GaAs,製作 方式為二道光學微影的方向性微米捲管製程,起使窗口的寬度為100μm,詳細的 製程流程請參考第四章。
於此製程條件下,同一試片上,我們得到了二種不同外觀的微米捲管,推測 原因可能為In0.2Ga0.8As 薄膜本身的磊晶成長特性,就難以確保各處皆是均勻的,
導致選擇性淺層蝕刻(蝕刻液為 NH4ON/H2O2) 時,各處的蝕刻 mesa 邊界不一 致,影響了捲管的形成模式。
一是邊緣沿著微影圖案而撕開捲起的捲管,捲管的邊緣切齊,表面光滑平 整,整根外觀類似於傳統的蛋捲,別稱為「蛋捲形微米捲管」,此類捲管的圈數 大約10 圈,如圖 5.2.1.1(c)和(d)的光學顯微鏡和 SEM 影像;二是邊緣不沿著微 影圖案,卻斜向鋸齒狀撕開薄膜而捲起的捲管,捲管邊緣呈現週期性鋸齒狀撕開 的痕跡,整根外觀類似於中空的法國可頌,稱為「中空可頌形微米捲管」,此類
捲管的圈數能達到大約20 圈,如圖 5.2.1.2(c)和(d)的光學顯微鏡和 SEM 影像。
首先該釐清的是,使用拉曼光譜儀推算捲管內應變的深度分佈情形,與使用 何種波長的雷射的光穿透深度密切相關,本研究皆使用632.8nm 氦氖雷射,對於 波長為632.8nm 的雷射光,其拉曼探測深度也就是光穿透深度的一半,對於 GaAs 材料約為130nm;對於 InGaAs 材料約為 80nm,至於樣品的應變薄膜約為 30nm,
而且雷射光進入材料後,強度呈指數衰減,因此拉曼光譜主要的訊號來源為最外 面管壁。若捲管的半徑不同,理當其應變鬆弛的程度也會不同,所以分別對二種 不同外觀的微米捲管作
μ-Raman 光譜儀量測,並分析其不同的應變鬆弛程度,
因為捲的圈數相異,最外層的管徑也相異。
圖 5.2.1.1 為蛋捲形微米捲管之拉曼光譜,發現應變鬆弛前與捲管形成後的 拉曼光譜有顯著的差別,因[001]方向後向散射選擇率的緣故,圖中主要的峰值 為GaAs-like LO-phonon modes。對於未應變鬆弛區,主峰值為 290
cm 來自於上
−1 層 的 GaAs 薄 膜 , 至 於 240~270cm 間 的 寬 峰 為 DATO (Disorder-activated
−1 transverse optical modes)- InGaAs 訊號,來自於化學與結構的不均勻,若峰值愈 強表示均勻度愈差,另外AlAs 犧牲層的訊號,可能因為太薄而未被探測到。形成後的微米捲管,其最外層 In0.2Ga0.8As 薄膜,當雷射光聚焦於管壁時,
主峰值紅移至286.5nm,此峰值的來源應該有二,其一為 In0.2Ga0.8As 層貢獻較強 大的訊號,二為GaAs 層也應當有訊號的貢獻,曲線擬合出二個峰值結果為 285.4 nm 和 288.3 nm,分別為 In0.2Ga0.8As 層和 GaAs 層的訊號。
由圖 5.2.1.1(b)歸一化後的拉曼光譜,能更清楚地判別應變鬆弛前後主峰值 的紅移,此結果是我們所預期的,藉由式(2.15)和(2.16)能算出徑向和靜水應變分 量,使用到的材料參數參考表5.2.1.2。由蛋捲形微米捲管的拉曼光譜量測結果,
計算得到徑向和靜水應變分量的結果,如表5.2.1.1。
表5.2.1.1 蛋捲形微米捲管之拉曼光譜與應變分析結果 Strained
LO ( ) ω
0(unreleased) (cm-1
)
On-tube
( ) ω
0220 240 260 280 300 320
0.0
Raman Intensity (arb. u.)
Raman shift (cm-1)
DATO-InGaAs LO
Complete mesa
<normalized>
μ-Raman {10mW, RT}
unreleased area on-tube
220 240 260 280 300 320
0 500 1000 1500
Raman Intensity (arb. u.)
Raman shift (cm
-1)
μ -Raman {10mW, RT}
unreleased area on-tube
on-tube_fitting
Complete mesa
表5.2.1.2 GaAs、In0.2Ga0.8As、Al0.4Ga0.6As 材料參數(室溫) [23]
( ) ω
0LO
為 LO 聲子頻率、 ~11K 和 K ~
12為半導體的聲子形變勢(Phonon deformation potential)( ) ω
0LO ( ) cm
−1K
~11K ~
12GaAs 292 -1.7 -2.4
In0.2Ga0.8As 282.2 -1.54 -2.48 Al0.4Ga0.6As --- -1.7 -2.4
圖 5.2.1.2 為中空可頌形微米捲管之拉曼光譜,同樣發現應變鬆弛前後的拉 曼光譜有所的差別。對於未應變鬆弛區的拉曼頻譜,與圖5.2.1.1 幾乎是重疊的,
因為這是同一試片上的不同根捲管,GaAs 薄膜所貢獻的訊號同樣為 290
cm ,
−1 於240~270cm 間仍存在 DATO-InGaAs 訊號。
−1中空可頌形微米捲管形成後的拉曼光譜,主峰值位移至287.5nm,與蛋捲形 微米捲管(286.5nm) 相較下位移量減少,因為中空可頌形捲管總圈數約 20 圈,
蛋捲形捲管共約捲了10 圈,一根捲管中,愈外圈的管徑愈大,又拉曼量測主要 訊號來自於最外圈。我們知道不同的管徑,其雙層應變薄膜的鬆弛程度不一,導 致拉曼頻譜中不同的聲子頻率位移,當捲管直徑愈大,聲子的紅移量就愈大。
主峰 287.5nm 曲線擬合後的二個峰值為 285.5 nm 和 288.7 nm,分別為 In0.2Ga0.8As 層和 GaAs 層的訊號。同理,由實驗結果能計算出徑向和靜水應變分 量,如表5.2.1.3。
表5.2.1.3 中空可頌形微米捲管之拉曼光譜與應變分析結果 Strained
LO ( ) ω
0(unreleased) (cm-1
)
On-tube
( ) ω
0220 240 260 280 300 320
50
R a man Intensity (arb. u.)
Raman shift (cm
-1)
μ -Raman {10mW, RT}
unreleased area on-tube
on-tube_fitting
290
220 240 260 280 300 320
0.0
Raman Intensity (arb. u.)
Raman shift (cm-1)
μ-Raman {10mW, RT}
unreleased area on-tube
DATO-InGaAs
LO
圖5.2.1.3 為分別就表 5.2.1.1 和表 5.2.1.3 的數據分析結果,與第二章理論模 擬結果(式(2.10)和式(2.11)) 作比較,下方為樣品的應變薄膜結構。線段是理論模 擬的各應變分量對深度分佈關係,粉紅色為軸向分量;藍色為切線方向分量;紅 色為徑向分量,綠色靜水應變分量。方形實點為蛋捲形微米捲管的拉曼量測結 果,圓形實點為中空可頌形微米捲管的拉曼量測結果。實驗量測和理論模擬的結 果挺符合的,只存在些微的差距,應該是實驗數據是多層管壁的平均應變量,而 且每圈曲率又有些微差距,理論計算則是一圈捲管的應變量,而造成彼此無法完 全地吻合。
à
à à
à
0 5 10 15 20 25 30
0.00 0.01 0.02 0.03
y H nm L
Str a in
ε hydro
ε x
ε z ε y
GaAs 20nm In
0.2Ga
0.8As
10nm
圖5.2.1.3 蛋捲形(■) 與中空可頌形(●) 微米捲管【樣品 Lm4892】
各應變分量對深度的分佈模擬關係(線段)、量測值(點)
5.2.2 量子井微米捲管之室溫 μ-Raman 分析
使 用 樣 品 Lm4951 , 應 變 薄 膜 為 10nm In0.2Ga0.8As 與 量 子 井 GaAs/Al0.4Ga0.6As,上層總厚度為 26nm,製作方式為方向性微米捲管製程,起使 窗口的寬度為100μm,詳細的製程流程請參考第四章。
量測同一試片上不同根微米捲管的拉曼光譜,分別是捲2 圈、12 圈和 20 圈 的微米捲管,量測結果參照圖 5.2.2.1,未應變鬆弛區的主峰值為 GaAs-like LO-phonon 290
cm
−1,訊號來自GaAs 材料;寬峰 260cm
−1、270cm
−1與380cm
−1為 Al0.4Ga0.6As 材料的訊號,因為材料本身的不均勻造成寬胖峰,其中峰值 380cm
−1 於AlAs-like LO-phonon 範圍。量子井微米捲管拉曼光譜的峰值呈現紅移,287.5
cm
−1為In0.2Ga0.8As 和 GaAs LOmodes 的疊加,利用曲線擬合找出二個峰值為 287.1cm
−1和 290.5cm
−1,而得 到二種材料應變鬆弛前後的聲子位移量分別為+4.9cm
−1和-0.5cm
−1。273.5cm
−1與 377.5cm
−1源於Al0.4Ga0.6As 材料,由峰值 377.5cm
−1與未應變鬆弛前的380cm
−1比 較,得到聲子紅移了-2.5cm
−1。分別將各材料的聲子位移量代入式(2.15)和 (2.16),算出個別的徑向和靜水應變分量,拉曼光譜的分析結果於表 5.2.2.1,使 用的材料參數如表5.2.1.2。表5.2.2.1 量子井微米捲管之拉曼光譜與應變分析結果 Strained
LO ( ) ω
0(unreleased) (cm-1
)
On-tube
( ) ω
0250 300 350 400
500 1000 1500
380
Raman Intensity (arb. u.)
Raman Shift (cm
-1)
GaAs substrate
unreleased area
on-tube_2 turns
on-tube_12 turns
on-tube_20 turns
273.5
結合表5.2.2.1 與第二章各應變分量分佈的理論模擬(式(2.10)和式(2.11))得到 圖5.2.2.2,圖下方為量子井樣品的結構。線段是理論模擬的各應變分量對深度分 佈關係,圓點為量子井微米捲管的拉曼量測計算結果。實驗和理論結果非常符合 的,理論計算的是一圈捲管的應變量,實驗數據則是各材料平均的應變量,推測 是因為此樣品的應變薄膜厚度較厚,最主要拉曼訊號的貢獻只於最外層管壁,所 以得到理論值和實驗值非常吻合的好結果。
0 5 10 15 20 25 30 35
0.00 0.01 0.02 0.03
y H nm L
St ra in
GaAs 6nm In
0.2Ga
0.8As
10nm
Al
0.4Ga
0.6As 9nm
Al
0.4Ga
0.6As 9nm
ε hydro
ε x
ε z ε y
圖 5.2.2.2 量子井多層微米捲管【樣品 Lm4915】內,各應變分量對深度的分 佈模擬關係(線段)、量測值(圓點●)
5.2.3 微米捲管熱效應 — 室溫微型拉曼 (μ-Raman) 變功率分析
100 150 200 250 300
0
Raman Intensity (arb. u.)
Raman shift (cm
-1)
以 2mW 雷射光(藍虛線) 量測微米捲管上的拉曼頻譜,得到 GaAs-like LO phonon 峰值為 285
cm
−1,換以5mW 雷射光(紅點線) 量測同一微米捲管,則主峰 值位移至 282cm
−1,不同功率雷射造成的位移量為 -3cm
−1,推算得到溫度差約 171K。若再次提高雷射光功率至 10mW,拉曼光譜上出現三根峰值,其中峰值 276cm
−1應該是GaAs-like LO phonon 頻率,隨雷射功率增大,峰值愈寬,與 2mW 雷射功率作比較,峰值位移量為9cm
−1,推算溫度差為514K。峰值 238cm
−1應該 是DATO 訊號,推測來自於結構的極度不均勻,因為此時於 CCD 即時照相機影 像看見捲管已經燒破一個洞,如圖 5.2.3.1(c),表示捲管量測區域已被氧化,其 結構和材料組成已改變,其中140cm
−1至200cm
−1間有許多寬胖峰推測就是GaAs 氧化物的訊號。雷射光於微米捲管上局部加熱的效應顯著,間接確認了微米捲管極差的導熱 率,不過這也是半導體微米捲管優於其他材料和結構的一樣特點,我們善用此特 性來量測其光電和熱電效應,皆有非常意想不到的的成果,於之後立即見曉。