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(四) 價值網絡 (Value Network)
事業模式的第四個要素為價值網絡，一般而言，許多攸關公司成敗的資源，
都不在公司的直接控制下，在不具有優勢的領域尋求與他人合作與策略聯盟，形 成產業內的價值網絡關係，才能彌補及放大企業現有的資源。價值網絡包含：供 應商、合夥人及結盟。內容分別說明如下：
1. 供應商
從生產者的角度來看，供應商位於價值鏈的上游。享有和供應商極為密切的 關係或擁有某些特權，是建立新事業模式的要素之一。
2. 合夥人
在價值網絡中，合夥人的關係是彼此互補的角色，合夥人與生產者的關係以 水平居多，不像供應商和生產者為垂直的關係。
3. 聯盟
一個企業要有事業觀念創新，為了共同擴大市場規模與競爭優勢，通常需要 和其他有類似想法的業者結盟，結盟是建構價值網絡的重要手段與策略。結 盟者不只是合夥人，在產業革命中，結盟者直接承擔風險，也直接分享成功 的報酬。
第二節 真空濺鍍之概述
一、 真空鍍膜技術
真空鍍膜技術主要可分為物理氣相沉積(Physical Vapor Deposition)簡稱
（PVD）與化學氣相沉積(Chemical Vapor Deposition)簡稱(CVD)兩大技術分類：
(一) 真空鍍膜成膜的過程可分為三個階段:
階段 1-氣相狀態之產生：指將材料由固態轉化為氣相原子或分子狀態，其轉 換方式有加熱式蒸發、外界提供動能產生離子撞擊、化學蒸氣與氣體 導入等。
階段 2-轉換傳輸方式：指將鍍膜材料源頭移轉至欲鍍物的路程。包括其路
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徑、動能供給方式，以及反應的機制等。
階段 3-成膜方式：指將鍍膜材料在欲鍍物上沉積的過程。包括成核、成膜、
加熱，分子遷移、化合、解離反應、離子轟擊、偏壓加速等方式。
(二) 物理氣相沉積(PVD)技術 1. 真空濺鍍技術
以離子轟擊材料表面將材料粒子濺射出，附著在待鍍表面沉積成膜。 以此法 所製程之膜層結構緻密性好，附著力佳；雖然鍍膜速率較低，多層膜產品量 產困難度高，但是穩定度高，目前台灣連續式濺鍍設備廠商已開始朝向多層 膜產品發展。
2. 真空蒸鍍技術
國內真空蒸鍍技術發展的比較早，尤以塑膠或玻璃眼鏡鏡片等產業應用技術 已非常成熟。其成膜方式是以熱能將材料形成蒸汽分子蒸發至待鍍物表面凝 結成膜。此法鍍膜雖然鍍膜速率快，多層膜產品製作容易；但因膜層分子能 量低結構鬆散，附著力差，所以大量量產較不具經濟效益。
3. 現行 PVD 技術的優點 (1)鍍膜材料選擇性廣泛。
(2)可任意附著在金屬、合金、陶瓷與有機材料。
(3)基板加工溫度可以隨製程任意調整、其膜層結構可以改變。
(4)可獲高純度膜層。
(5)可使蒸發物質與通入氣體反應形成良好之反應式膜層。
(6)附著力佳。
(7)膜層較具平滑性。
(8)鍍膜製程的穩定度高。
(9)完全符合環保要求。
4. PVD 製程之缺點是：對於形狀複雜的物體不亦形成膜厚均勻的薄膜，需設計
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特殊的夾治具或旋轉機構。
(三) 化學氣相沉積(CVD)技術
化學氣相沉積(CVD)技術是指將原始材料以氣相方式導入真空腔體內，經化 學反應後由氣相析出固相物質，於真空製程中沉積於被鍍物表面成膜，但因化學 氣相沉積所使用之氣體原料常具有毒性，所以對工廠之公安較具疑慮考量，且其 氣體來源較不易取得。
二、 真空濺鍍技術介紹
真空濺鍍法(Sputtering)係一種能量之轉換，經由入射高能量的粒子撞擊靶 材，使靶材表面的原子或分子被濺射出來。利用濺射出來的原子沉積於載體表面 而形成覆膜。藉由控制濺鍍功率、濺鍍壓力、氧氣分壓及基材溫度等參數，即可 得到不同的觸媒薄膜。
真空濺鍍法之優點包括易控制操作參數、具薄膜結構特性、不需高溫鍛燒 等，缺點則為整體設備成本高、龐大及技術門檻高等。
吳怡貞(2007) 主張物理氣相沈積(PVD)為在氣相中，製備沈積元素進行薄膜 沈積，泛指以蒸發、昇華或濺射等方法將固體源氣化並凝固於基材表面而形成薄 膜的過程，且於成膜過程中僅涉及物理變化之謂。而利用電漿獨特的離子轟擊，
以動量轉換的原理，稱之為濺鍍(Sputtering Deposition)。濺鍍最早採用直流放電 法，這種放電現象係在一具有相對兩電極的真空室中施以低壓氣體(約在 0.1 Torr~1.0 Torr 之間)，而後在兩極間加上高電壓。
電漿則是內部存在部分離子化的氣體，包含了帶電荷的電子和離子、不帶電 的分子和原子團，整體來看電漿是呈電中性的，故被稱為物質的第四態。電漿中 的這些粒子彼此間產生彈性及非彈性碰撞，能量經由碰撞產生互相轉移的現象。
藉由能量的轉移，產生激發(Excitation)、離子化(Ionization)、弛緩 (Relaxation) 和 再結合(Recombination)等猶如雪崩(Avalanche Effect)的連鎖反應，使低壓氣體內 產生大量的離子和電子，而形成電漿態。由激發態原子或分子產生的弛緩作用，
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使得電漿發出不同的波長的光。
一般常用來產生電漿的工作氣體為氬氣，又因為中性氣體自然背景輻射的關 係，本來就具有少量的電子與離子作為引發電漿的游離種子，當游離電子被施以 高電位加速撞擊到氬氣時，就產生了氬離子。藉著在兩個相對應的金屬電極板 (Electrodes)上施以電壓，假如電極板間的氣體分子濃度在某一特定的區間，電極 板表面因離子轟擊(Ion Bombardment)所產生的二次電子(Secondary Electrons)，在 電極板所提供的電場下，將獲得足夠的能量，而與電極板間的氣體分子因撞擊而 進行所謂的解離、離子化、激發…等反應，而產生離子、原子、原子團及更多的 電子， 脫離電漿的帶正電荷離子，在暗區的電場加速下，將獲得極高的能量。
當離子與陰電極產生轟擊之後，基於動量轉換(Momentum Transfer)的原理，離子 轟擊除了會產生二次電子以外，還會把電極板表面的原子給“打擊”出來，稱之為
“濺擊(Sputtering)”，這些被擊出的電極板原子將進入電漿裡，然後利用擴散 (Diffusion)等的方式，最後傳遞到試片的表面，並因而沈積。物理氣相沉積(PVD) 為單純利用原子的衝擊力量堆疊在素材表面，並未與素材有任何的化學反應，所 以稱為物理性鍍膜。並依照各種成膜方式不同，PVD 可分為三大類 ，真空蒸鍍 (Evaporation)、真空濺鍍(Sputtering)、離子鍍(Ion Plating)。由於真空濺鍍可以同 時達到極佳的沈積效率、大尺寸的沈積厚度控制、精確的成膜控制及較低的製造 成本 (王啟宏，2011)。