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使用金屬閘極及高介電常數介電質在絕緣層上有鍺電晶體之研究

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Academic year: 2021

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(1)國 立 交 通 大 學 電子工程學系電子研究所. 博 士 論 文. 使用金屬閘極及高介電常數介電質在絕緣層上有 鍺電晶體之研究 The Investigation of GOI MOSFETs using Metal-gate electrodes and High-κ gate-dielectrics. 研 究 生 :于殿聖 指導教授 :荊鳳德 博士. 中華民國九十四年六月.

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