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新穎高介電常數低溫共燒陶瓷- Nd2O3-TiO2-SiO2玻璃陶瓷之結晶行為及介電性質之研究

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Academic year: 2021

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成大研發快訊 第二十三卷 第八期 - 2013年四月十二日 [ http://research.ncku.edu.tw/re/articles/c/20130412/1.html ]

新穎高介電常數低溫共燒陶瓷- Nd

2

O

3

-TiO

2

-SiO

2

玻璃

陶瓷之結晶行為及介電性質之研究

向性一

*

、梅立人、廖文章、顏富士

國立成功大學工學院資源工程學系 [email protected]

Journal of the American Ceramic Society, (2010) DOI: 10.1111/j.1551-2916.2010.03655.x

研究利用熱差分析儀、熱機械分析儀、X光繞射儀、掃描式及穿透式電子顯 微鏡分析Nd2O3-TiO2-SiO2玻璃陶瓷之結晶作用及燒結行為。結果顯示Nd 2O3-TiO2-SiO2玻璃陶瓷在燒結過程中開始收縮之溫度發生在玻璃轉換溫度(Tg =708˚C) 附近,而第一結晶相- Nd2Ti4O11則於775˚C附近開始結晶。Nd2O3-TiO2-SiO2玻璃 可在第二結晶相(Nd0.66TiO3)析出前(約在850˚C)以黏性流方式達到緻密化。經 900˚C燒結後之Nd2O3-TiO2-SiO2玻璃陶瓷具有高介電常數(23),及優異之品質因 子(約600),因而可作為商業用之低溫共燒陶瓷材料。 1. 前言 近年射頻元件不斷往高頻化、積體化、模組化趨勢發展,由於低溫共燒陶瓷可在低溫與具高導電度之內電 極(Ag,Cu)共燒,同時具有較高之Q 值,並可多層化,而被廣泛使用於各類無線通訊零組件中1,2。LTCC 材 料介電常數之高低會影響元件的體積大小,藉由高介電常數材料之開發,可使射頻元件體積縮小。但低溫 燒結之微波介電材料之研究多集中在低介電常數LTCC 材料上3-5。有關介電常數大於20 的LTCC 材料文獻 中鮮少報導6,7。因此本研究以Nd2O3-TiO2-SiO2玻璃陶瓷為基礎開發出具有高介電常數及優異品質因子之 LTCC 材料,同時探討其結晶、燒結行為及其介電性質。 2. 實驗方法:

Nd2O3-TiO2-SiO2玻璃之製備是將試藥級原料以3.5 mol% CaO, 6 mol% SrO, 20 mol% BaO, 9.5mol% Nd2O3 , 20 mol% ZnO, 24 mol% TiO2, 5 mol% B2O3, 12 mol% SiO2比例混合,經1550˚C熔煉6小時及快速水淬後, 再球磨12小時,製得Nd2O3-TiO2-SiO2玻璃。其平均粒徑約4.4 μm。取玻璃粉末0.3g 施以約200MPa 之壓力 製成直徑8mm,厚度約2.5mm 之試片(生胚相對密度56~58%),接著將此試片做不同溫度及時間的熱處理。 研究中使用熱差分析儀分析玻璃之結晶行為及玻璃轉換溫度,並利用熱機械分析儀對樣品進行燒結收縮測 試。燒結體之體密度是以阿基米德法量測。以Siemens D5000型X光繞射分析儀 (x-ray diffraction meter),進 行粉末及燒結體之相鑑定。燒結體之顯微結構則使用 Hitachi S4100 掃描式電子顯微鏡 (SEM) 進行觀察。 使用LCR meter(YHP 4291A, YHP Co. Ltd.)量測樣品在頻率1MHz之介電常數及Q值。

3. 結果與討論:

圖1為NdTiSi玻璃之DTA分析結果。顯示NdTiSi玻璃之玻璃轉化溫度為708℃,放熱峰溫度(結晶溫度)分別 約為780、890℃左右。圖2為不同溫度熱處理持溫一小時樣品之X 光繞射圖。在10℃/min 升溫速率下,玻 璃在708℃開始軟化,在775℃左右第一結晶相(Nd2Ti4O11)結晶開始漸漸析出,並在800℃時第二結晶相

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(Nd0.66TiO3)開始些微析出。 圖3為不同燒結溫度對第一及第二結晶相析出量之影響,可發現第一結晶(Nd2Ti4O11)在750~825℃時,隨溫 度增高而增加。第二結晶相(Nd0.66TiO3)結晶量在825~950℃時,隨Nd2Ti4O11結晶量的減少而增加。這顯示 第二結晶(Nd0.66TiO3)應為第一結晶(Nd2Ti4O11)與殘留玻璃反應而生成。 在進行等溫燒結時,為消除壓製試片時生胚密度對試片燒結後密度的影響,定義緻密化因子(DF) 8: DF = (Dt – Dg/Dth - Dg) (1) 其中Dt 為經過燒結時間t分鐘後的密度; Dg 為試片的生胚密度; Dth 為理論密度。 以液相燒結動力學研究玻璃陶瓷系統的緻密行為,緻密化因子與燒結溫度及時間之關係式為: DF=Kt/T (2) 其中t 為時間,T 為 對溫度,K 為速率常數。 速率常數與溫度間遵循Arrhenius 方程式: K=K0 exp (-Q/RT) (3) 其中Q 為燒結活化能,R 為氣體常數。將方程式(2)與(3)整理可得: ln〔T d(DF)/dt〕= ln K0 - Q/RT (4) 在DF 為定值下,以ln〔T d(DF)/dt〕對1/T作圖可得一線性關係,利用其斜率可求得緻密活化能9。 圖4 為在不同溫度(725、737.5、750、762.5℃)下DF 與持溫時間的關係圖。在取固定DF=(0.45、0.5、0.55) 下,將ln〔T d(DF)/dt〕對1/T 作圖可得一線性關係圖9,如圖5。由斜率求得玻璃的燒結緻密活化能約為 305、397、438KJ/mole。並以XRD證實在此條件下系統尚未有結晶的產生。然而BSG 與HSG 等玻璃黏滯 性流動的活化能約在200~400 kJ/mole 9,此玻璃的緻密活化能又落在此範圍內,顯示此玻璃系統的緻密化 機制主要是靠黏滯性流動。 圖6為NdTiSi玻璃之熱收縮曲線圖。可觀察到NdTiSi玻璃開始收縮溫度為771℃,即為玻璃軟化溫度,而約 在857℃時停止收縮,其收縮量約為20%。圖7 為NdTiSi玻璃之熱收縮速率曲線圖。在790、850℃時有兩個 最大尖峰,代表最大收縮速率,亦接近玻璃之結晶溫度,(790℃左右有Nd2Ti4O11 結晶開始析出; 850~860℃左右Nd0.66TiO3結晶開始析出),其中在850℃時坏體收縮量已達20% ,表示在第二結晶相 (Nd0.66TiO3)析出溫度之前玻璃即以黏性流方式達到緻密化。這是因為當玻璃開始軟化時,造成坏體開始收 縮,在790℃達到最大收縮速率時,因第一結晶相漸析出後,造成收縮速率趨緩,而後剩餘玻璃因成分的 改變,其玻璃軟化溫度亦提高,在達到剩餘玻璃軟化溫度時,坏體再次開始收縮直到850℃達到最大收縮 速率,隨即因第二結晶相的析出而收縮趨緩。 圖8為NdTiSi玻璃之介電常數及Q值隨燒結溫度變化之曲線。介電常數隨燒結溫度增高而增加,而Q值在 725-950˚C燒結溫度區間出現兩個峰值。由於K 值之變化主要受到緻密化程度、結晶相及結晶量的影響。當 燒結溫度由750℃升高至825℃時,由於燒結密度增高及Nd2Ti4O11 結晶量增大,進而使得K 值增高。而當 燒結溫度升高至825℃以上時,此時由於Nd 析出量增多,因而使得K值增高。圖9 為不同燒結溫度

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其具有較高之Q值。 4. 結論: 本研究分析Nd2O3-TiO2-SiO2玻璃陶瓷之結晶作用及燒結行為。Nd2O3-TiO2-SiO2玻璃陶瓷在燒結過程中開 始收縮之溫度發生在玻璃轉換溫度附近,而第一結晶相- Nd2Ti4O11則於775˚C附近開始結晶。Nd 2O3-TiO2-SiO2玻璃陶瓷可在第二結晶相(Nd0.66TiO3)析出前以黏性流方式達到緻密化。介電常數及Q值會隨著結晶相 析出量之增多而增高。本研究成功的開發出可應用於低溫共燒陶瓷上,且具有高介電常數及Q值約在600之 NdTiSi玻璃陶瓷材料。 參考文獻:

1 A. Baker, M. Lanagan, C. Randall, E. Semouchkina, G. Semouchkin, K.Z. Rajah, R.

Eitel, K.Z. Rajab, R. Mittra, S. Rhee, “Integration Concepts for the Fabrication of LTCC Structures,” Int. J. Appl. Ceram. Technol. 2, 514 (2005).

2 Y.S. Lin, C.C. Liu, K.M. Li, C.H. Chen, “Design of an LTCC Tri-Band Transceiver Module for GPRS Mobile

Applications,” IEEE Trans. Micro Theory Technol. 52, 2718 (2004).

3 C.R. Chang, J.H. Jean, “Crystallization Kinetics and Mechanism of Low-Dielectric, Low –Temperature,

Cofirable CaO-B2O3-SiO2 Glass-Ceramics,” J. Am. Ceram. Soc., 82 [7] 1725-32 (1999).

4 C.L. Lo, J.G. Duh, B.S. Chiou, W.H. Lee, “Low-Temperature Sintering and Microwave Dielectric Properties of

Anorthite-Based Glass-Ceramics,” J. Am. Ceram. Soc., 85 [9] 2230-35 (2002).

5 T. Takada, K. Kageyama, “Synthesis and Microwave Dielectric Properties of La2O3-xB2O3-Based Melt Mixtures

for Low-Temperature Cofired Ceramics,” Jpn. J. Appl. Phys., 44 [9A] 6629-35 (2005).

6 B. Rangarajan, B. Jones, T. Shrout, M. Lanagan, “Barium/Lead-Rich High Permittivity Glass-Ceramics for

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7 B. Rangarajan, T. Shrout, M. Lanagan, “Crystallization Kinetics and Dielectric Properties of Fresnoite BaO-TiO

2-SiO2 Glass-Ceramics,” J. Am. Ceram. Soc., DOI: 10.1111/j.1551-2916.2009.03255.x.

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Res., 9 [3] 771-780 (1994).

9 J.H. Jean, S.C. Lin, “Effects of Borosilicate Glass on Densification and Properties of Borosilicate Glass + TiO2

Ceramics,” J. Mater. Res., 14 [4] 1359-63 (1999).

10 G. H. Chen, X.Y. Liu, “Low-Temperature-Sintering and Characterization of Glass-Ceramic Composites,” J.

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圖1 NdTiSi玻璃之DTA分析結果。

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圖3 不同燒結溫度對第一及第二結晶相析出量之影響(I1/IT、I2/IT分別為第一及第二結晶相X光繞射強度與內

標準金紅石X光繞射強度之比值)。

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圖5 ln〔T d(DF)/dt〕對1/T 作圖所得之線性關係圖。

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圖8 NdTiSi玻璃之介電常數及Q值隨燒結溫度變化之曲線。

參考文獻

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