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第㆕章 金字塔結構的探討及應用 4-1

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(1)

第㆕章 金字塔結構的探討及應用 4-1

金字塔的結構

除了之前我們所觀察到的金字塔結構,在更多的金字塔的成長事 件後,我們發現金字塔會隨著鎢表面結構的不同而有所改變。此㆒現 象使我們瞭解到,金字塔的成長會受到基底結構的影響,以㆘是在實 驗㆗所觀察到不同的金字塔結構。

(A)具單原子尖端的金字塔結構:

FIG.3-3 顯示出具單原子尖端的金字塔結構,最㆖層只有 1 顆原 子,第㆓層有 3 顆原子,而第㆔層有 7 顆或 10 顆的原子,根據先前 的討論,最㆖層的單原子雖不符合 bcc(111),但仍是穩定存在的結構。

在另㆒次的成長事件㆗,我們觀察到如FIG.4-1 所示,最㆖層同 樣具有單原子的尖端,第㆓層有 6 顆原子,第㆔層有 15 顆原子的金 字塔結構。這樣的原子排列情形,完全符合bcc(111)的堆疊方式,因 此我們可以瞭解,金字塔結構的成長仍是傾向於符合基底的結構,也 就是說,基底的結構決定了金字塔的形狀。FIG.4-2 顯示出此種金字 塔結構的硬球模型。

在這個符合(111)結構的金字塔再生過程㆗,我們發現金字塔會有 兩種結構互相轉換的現象,如 FIG.4-3 所示。FIG.4-3(a)顯示出利用 850℃,5 分鐘的再生過程得到的金字塔,其最㆖方的㆔層結構分別 3-10-21 顆原子所組成;在相同的加熱溫度㆘,只要將加熱的時間 提高到10 分鐘,便會回復成最㆖層結構為 1-6-15 顆原子的金字塔結 構,圖FIG.4-3(b)顯示出其㆗㆒次的再生情形。

我們可以從FIG.4-4 的硬球模型清楚的看出,這樣結構的轉換正 是缺少了白色黑點的原子。在較低的再生溫度或是較少的成長時間,

(2)

沒有辦法聚集到足夠的鈀原子數目,因此在結構㆖形成原子數目較少 的金字塔;而在足夠的成長溫度和加熱時間的情況㆘,更多的鈀原子 由鎢表面各處聚集過來,通過(112)平台容易擴散的通道到達金字塔的

㆖方,再生成完整的金字塔結構。此㆒結果,與 3-4 所討論的原子運 動過程,能夠互相印證。

FIG.4-1 單原子尖端的金字塔結構,(a)最㆖層有 1 顆原子,(b) 第㆓層有6 顆原子,(c)第㆔層有 15 顆原子,(d)金字塔的㆘層 結構。

d

a b

c

(3)

FIG.4-2 金字塔結構的硬球模型,其原子的排列方 式完全符合 bcc(111)的結構。

W(111)

(112) channel

(4)

FIG.4-4 符合 bcc(111)堆疊的金字塔模型,缺漏白色 黑點原子的金字塔結構,即 FIG.4-3(a);加㆖白色黑 FIG.4-3 再生的金字塔,(a)經過 850℃,5 分鐘的熱處理,得 到前㆔層結構有3-10-21 顆原子的金字塔,(b) 經過 850℃,

10 分鐘的熱處理,得到具有單原子尖端且符合(111)結構的金 字塔。

a

b

W(111)

(112) channel

(5)

(B)雙金字塔:

在實驗㆗我們有觀察到雙金字塔結構的形成,在鎢(111)面㆖方鄰 近的位置,形成了兩個金字塔的結構,如圖FIG.4-5 所示,但在最㆖

層並沒有單原子的尖端。當我們將㆖層原子場蒸發之後,露出的 W(111)面有明顯結構㆖的錯位(dislocation),也是因為結構㆖的錯位,

才會形成這樣的雙金字塔結構。

因此,我們可以瞭解在金字塔形成的過程,基底的影響佔了很重 要的因素。此㆒結果,提供了我們㆒個重要的資訊,如果我們可以有 效的控制基底的結構,便可以成長出金字塔的陣列,以發展場發射平 面顯示器,這方面的研究,也正在實驗的進行㆗。

FIG.4-5 雙金字塔結構,(a)㆖層的結構,最㆖層沒有單原 子結構,(b)㆒樣顯示出雙生的金字塔,可以看出各有 15 顆原子,(c)金字塔的㆘層結構,(d)回到鎢表面,可以明

a b

c d

(6)

4-2

單原子金字塔結構的運用

在掃描穿隧顯微鏡㆗,原子解析度的達成需要具有極尖細的尖 端,即單原子的尖端。而具有單原子尖端的探針,常需靠著不斷的改 變探針的偏壓,或是利用探針輕觸樣品而帶㆖㆒顆表面原子的修針過 程,不但不能保證㆒定能夠達成,也有可能使探針的尖端受損。因此,

Pd 在鎢針㆖成長的單原子金字塔,或許能是㆒個有利的 STM 掃描探 針。

由於 STM 的掃描過程不能有震動的干擾,因此用來當作掃描的 探針,常會選擇直徑 0.3〜0.5mm 的鎢線材來作蝕刻。而探針的製備 方式,又可以分為直流電和交流電蝕刻的方式,其裝置如 FIG2.2 所 示,分別可以得到不同形狀的針尖結構,我們將直流電蝕刻的針尖形 狀,稱為”突尖形”針尖,如 FIG.4-6 所示;而交流電蝕刻的針尖,稱 為”漸尖形”針尖,如 FIG.4-7 所示。

(A)漸尖形的鎢針:

㆒般在 FIM 樣品的製備,是使用 0.1mm 的鎢線材,2M 的 KOH(aq),4~8V 的交流電蝕刻,在這個實驗我們改用直徑 0.3mm 的鎢 線材來做蝕刻。由場離子影像形成時所需的電壓,約 3〜5kV,我們 可以知道 0.3mm 和 0.1mm 的鎢線材蝕刻後的尖細度是相同的,並且 都可以長出完美的單原子金字塔結構。FIG.4-1 便是利用 0.3mm 蝕刻 的鎢線材成功的成長金字塔結構。這樣的鎢針當成是 STM 的掃描探 針,其工作情況及穩定度仍在測試㆗,期能達到單原子金字塔尖端掃 描的階段。

(7)

0.1mm 0.025mm

FIG.4-6 利用 0.3mm 的鎢線材,直流電蝕刻 成”突尖形”的鎢針。

0.025mm

FIG.4-7 利用 0.3mm 的鎢線材,利用交流電蝕刻 成”漸尖形”的鎢針。

(8)

(B)突尖形的鎢針:

利用直流電蝕刻時,必須使用飽和的 KOH(aq),電壓約 2〜6V。

突尖形的鎢針成像時常需要較大的電壓約5~10KV,且其場離子影像 常有不完整的結構。需藉由多次約500℃的熱處理,才會有比較完整 的晶面結構,以㆘我們將分別利用多晶和單晶的鎢線材做成的突尖形 鎢針,來做研究。

(a)多晶的鎢線材:

FIG.4-8 是利用突尖形鎢針成長的金字塔,FIG.4-8(d)是成長前鎢 表面的場離子影像,在(111)面附近有㆔個(112)的結構,突尖形鎢針 FIM 的觀察㆗常出現類似(111)㆘方有不規則亮紋的情形。FIG.4-8(a) 顯示蒸鍍Pd 後,經過 800℃、5 分鐘的加熱之後,成長為單原子尖端 的金字塔。突尖形的鎢針,在成長金字塔結構時再生的特性較差,

FIG.4-8 是在約 10 次的再生事件㆗,唯㆒㆒次出現具單原子尖端的金 字塔。且在反覆的熱處理㆗,鎢針受損變鈍的情形比較嚴重,FIG.4-8(c) 的成像電壓已達到 10kV,且沒有明顯的原子場蒸發現象。

(b)(111)單晶鎢線材:

由於單原子尖端的金字塔結構,在突尖形鎢針表面的成長是可行 的,我們開始使用單晶的線材來做處理。單晶線材的優點,是能增加 (111)面出現在鎢針㆖方的機會,使得將來用在 STM 的掃描探針時,

能有更直接的效用。

FIG.4-9(a)是未經熱處理的鎢表面原子影像,沒有完整的結構。

經過熱處理後,我們可以得到較完整的結構,見 FIG.4-9(b),並且如 預期的,在針尖的前方出現(111)的晶面。FIG.4-9(c)顯示出成長的金 字塔,但尖端並沒有單原子的結構。FIG.4-9(d)為繼續場蒸發後露出

(9)

的結構。

在單晶的鎢針㆖成長金字塔,FIG.4-9 此樣品是第㆒次的嚐試,

雖然這個樣品並沒有成長出單原子的金字塔結構,但仍然有很大的進 展。

FIG.4-8 直流電蝕刻的多晶鎢針表面成長金字塔結構,(a) 最㆖層有 1 顆原子,(b)第㆓層的結構,㆗間 3 顆原子亮點 合成㆒個亮塊,(c)第㆔層結構,(d)開始成長的鎢表面,

㆗央為(111)結構。

a b

c d

(10)

FIG.4-9 直流電蝕刻的(111)單晶鎢針表面成長金字塔結 構,(a)未經熱楚理的鎢表面影像,(b)經過熱處理後,在 螢幕㆗央發現(111)面,(c)金字塔結構,最㆖層並沒有單 原子,(d)金字塔的㆘層結構。

a b

c d

參考文獻

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