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杯芳烴薄膜之氣體感測性質研究

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Academic year: 2021

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(1)

行政院國家科學委員會專題研究計畫 成果報告

杯芳烴薄膜之氣體感測性質研究

計畫類別: 個別型計畫

計畫編號: NSC91-2214-E-011-020-

執行期間: 91 年 08 月 01 日至 92 年 09 月 30 日 執行單位: 國立臺灣科技大學化學工程系

計畫主持人: 劉進興

計畫參與人員: 王士豪

報告類型: 精簡報告

處理方式: 本計畫可公開查詢

中 華 民 國 92 年 10 月 16 日

(2)

Calix[4]arenes 之氣體感測特性研究

Studies on the Gas Sensing Properties of Calix[4]arenes

計畫編號:NSC 91-2214-E-011- 022 執行期限91 年 8 月 1 日至 92 年 7 月 31 日

王士豪 劉進興

國立台灣科技大學化學工程研究所

主持人:劉進興 執行機構:臺灣科技大學 單位名稱:化工系

1. 摘要

本研究採用不同取代基之calix[4]arenes 為感測材料,並以 QCM 方式探討 VOCs 感測性質。結果顯示,取代基不但影響杯形中空大小,更能改變氣體的選 擇性。上緣取代基為-tert-butyl 及-H 時,吸附量皆以-tert-butyl 者較大;偶氮取代 基則對胺類有很好選擇性;benzoyl 取代基因分子堆疊疏鬆與 π 電子作用力影響,

而對苯類有很好的選擇性。此外由理論計算發現calix[4]arenes 結構越對稱者,越 容易形成杯形結構,而有利於氣體分子的吸附。

2. 前言

化學感測器可說是人類的嗅覺與味覺的延伸,甚至還能超越危險環境及遠 距偵測的限制。人類的嗅覺與味覺最後必須轉化為腦波信號,而化學感測器則須 將化學分子之信息轉換成可記錄的信號。壓電型晶體感測器的應用即是一例。藉 著壓電晶體,對表面壓力的靈敏度而達到偵測的目的。因此,當物質吸附至振盪 中的壓電晶體表面時,會引起振盪頻率的下降。此振盪頻率變化與被吸附物質之 質量符合以下的Sauerbrey's 關係式[1]

) ( 10 3 .

2 6 02 A f M f = ×

………..(1)

其中, f 表示因應於質量 M (g)之振盪頻率變化,f 表示基頻(10 MH0 Z,A 為電極的表面積(cm2

Calix[4]arenes 由於其杯形中空結構,而 與各種不同大小、形狀的分子之間形成有趣

的主客(host-guest)作用,我們也在文獻上發現其應用在化學感測器的研究,如 Chaabane[2]等以calixarene 為 ISFETs 的感測材料,並探討薄膜表面型態與離子感 測行為及選擇性的關係。Schierbaum[3]等人將calixarene 運用於 CO2CO、NO2 Cl2C=CHCl、Cl2C=CCl2、C8H18等氣體之感測,發現靈敏度隨薄膜厚度而增高。

若干研究者針對 self-assembled calix[n]arene 薄膜,探討其化學感測性質[4] Dermody[5]等人探討calixarene 結構上緣取代基對與氣體作用力之影響。

本研究之目的是以合成之calix[4]arenes 為材料,以 QCM 方式進行 VOCs

(3)

的感測,探討calix[4]arenes 不同取代基對 VOCs 氣體之影響。

3. 研究方法

石英晶體塗佈

所使用的石英壓電晶體為AT-Cut 10MHZ(購至Tai Then electric Co.,Ltd),

電極為銀電極雙面覆蓋,電極直徑為 0.44 公分。實驗針對 10 種不同取代基之 calix[4]arene(表 1),以旋轉塗佈法在石英壓電晶體表面製成薄膜。

實驗裝置

感測系統採用批式,訊號處理系統(SB01B, Smart Biotechnology)及實驗 裝置如圖1 所示。偵測室體積為 1.5L,偵測前先以氮氣(純度 99.99%)通過偵 測室,使內部

的壓電晶體振盪達到一穩態狀態同時除濕並排除空氣中之雜質。再以微量注射器 注射1-20 mmol/L 的被偵測有機溶劑於偵測室內,待其自然揮發後進行感測,並 將振盪頻率轉換成數據輸出至電腦。感測溫度為30℃。

定義吸附度(adsorptivity)Acv如下:

的莫爾數 吸附的莫爾數

ene calix[4]ar Coated

= VOCs Acv

4. 結果討論

2 以理論計算方法,在 HF/STO-3G 的計算層級下,比較 calix[4]arenes 衍 生物的中空結構,發現若杯緣取代的基團過大,例如-tert-butyl 及 benzoyl 取代 基,則分子與分子間會產生排斥力,導致杯口向外擴張,但由於phenol 為平面 結構,倘若一端杯口擴大,則另端必然杯口向內收縮,以達斥力最小的安定結構,

因此取代基的會影響杯形中空大小,進而改變吸附行為。

2 為(A)系列材料吸附圖形,主要是探討非極性取代基之影響。我們發 現材料中具benzoyl 者對於苯類氣體有高靈敏度,是因為 benzoyl 取代基與苯類 氣體間容易造成π電子共振,而加強彼此間吸引力,也增加凡得瓦吸引力。而上 緣取代基-tert-butyl 的吸附量均較-H 為大,因為上緣-tert-butyl 取代基可提供較大 凡得瓦吸引力和CH-π作用力[5]所致。

3 發現對甲苯吸附大小為 TDB>HDB>TDE>HDE,其中下緣具 benzoyl 取代基吸附量優於ethyl,而上緣為-tert-butyl 取代基吸附量大於-H。

4 是(B)系列材料吸附圖形,吸附量為 DQ-3>TQ-3> H-CA[4],而且對 於胺類有很好選擇性,主要是偶氮取代基影響,因為此取代基可提供較多作用位 置,如由N 原子提供未共用電子對(lone-pair electrons)可形成氫鍵,而苯環可 提供π電子作用力及凡得瓦吸引力與VOCs 作用。此外,具偶氮取代基之 DQ-3 TQ-3 感測胺類時,材料會由橙色轉變成暗紅色,可運用在光學感測器上。

5 為(C)系列材料吸附圖形,對於苯及胺類值得討論。對苯類而言,下 緣取代三個benzoyl 之 TQ-0 吸附趨勢與其他不同,主要是 benzoyl 取代基的影 響,由於苯環間斥力過大,造成結構翻轉,而破壞杯形中空,妨礙吸附情形。對

(4)

胺類而言,以H-CA[4]為最佳,因其下緣具有完整的-OH 基能形成氫鍵鍵結,相 對地,DQ-0 與 TQ-0 之-OH 基被取代,則作用位置減少,對胺類之吸附能力下 降。

6 為具偶氮取代基之 TQ-3 吸附正丁胺之 UV-VIS 光譜圖,發現吸附胺類 後,波峰明顯往長波長移動,產生紅移現象,顏色改變;而加熱脫附後,波峰回 至原波長,且回復原始材料顏色。

5. 結論

Calix[4]arenes 分子結構為一個上寬下窄之疏水性杯形中空,但因杯形底端 有-OH 基存在,使其具有親水性的區域。當改變取代基時,不但可直接影響杯形 中空,還可提供不同的作用點與作用力,有助吸附VOCs,提高氣體的吸附性與 選擇性。

6. 參考文獻

[1]G. Sauerbrey, Z.Phys., 155(1959) 206

[2]R. B. Chaabane, Sens. Actuators. B., 31 (1996) 41 [3]K.D. Schierbaum, Sens. Actuators. A., 31(1992) 130 [4]K. D. Schierbaum, Science, 265(1994) 1413

[5] M. D. Klaus, Chem. Rev. 100 (2000)143

7. 致謝

感謝文化大學應化所林立錦老師提供材料。

感謝台科大化工所江自強老師量子模擬上的指導與建議。

1、實驗所用之 calix[4]arenes 衍生物

(5)

PC*為 Partial Cone

PC

QCM Analyzer N2

Chambe r Waste Ga s

VOC Injection

Thin film coated on 10MHz AT-cut quartz crystal using Spin-coating Gas

Purifier

Flowermeter

(6)

1、實驗裝置圖

2、實驗所用之 calix[4]arenes 衍生物杯形 中空結構

單位:Å

圖 2、(A)系列材 料吸附圖形

衍生物 R r D

H-CA[4] 10.12 3.41 4.19 t-CA[4] 10.71 3.41 5.03

HDE 9.43 3.91 4.76 TDE 9.95 3.89 5.16 HDB 9.41 3.94 4.78 TDB 9.92 3.92 5.17 DQ-3 10.38 3.40 3.97 TQ-3 10.12 3.40 4.43 DQ-0 9.23 3.92 4.91 TQ-0 8.41 4.49 5.36

仿

H -C A [4 ] t-C A [4 ]

H D EH D BT D ET D B 0

0 .1 0 .2 0 .3

A c v

r R

D

(7)

仿

H-CA[4]

DQ-3 0

0.2 0.4 0.6 0.8

Acv

圖 3、HDE、TDE、HDB TDB 對甲苯吸附比較

5、(B)系列材料吸附圖形

5、(C)系列材 料吸附圖形

6、TQ-3 吸附正丁胺與 150℃脫附後之 UV-VIS 光譜吸收 變化

苯 甲

仿

H -CA [4]D Q-0TQ-0 0

0.1 0.2 0.3

A cv

下緣為 C2H5

下緣為 CH2ψ

0 500 1000 1500 2000 2500

0.00 0.04 0.08 0.12 0.16 0.20

-H -H

-tert-butyl -tert-butyl HDE

TDE HDB TDB

Acv

Concentration(ppm)

300 400 500 600 700 800

-0.1 0.0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8

TQ-3

TQ-3+n-Butylamine Desorption at 150oC

Abs

Wavelength(nm)

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參考文獻

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