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雙極電晶體基本應用電路

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Academic year: 2022

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(1)

雙極電晶體基本應用電路

實驗目的

了解不同的雙極電晶體(bipolar junction transistor, BJT)放大電路之特性。

實驗儀器

電晶體 2N3904 一枚;電阻 數枚;電容數枚;示波器、訊號產生器及直流電源供應器。

預習問題

1. 做實驗程序<一> 電路的 PSPICE 模擬。

2. 做實驗程序<三> 電路的 PSPICE 模擬。

※記得用偏壓點分析以決定是否位於順向活性區。

相關知識

1. 雙極電晶體之放大電路;

2. 電晶體之飽和區與截止區;

一個 npn 雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor,BJT)BJT 偏壓調在順向活 性區(forward active)時,VBE 差不多維持在 0.7V 左右,變化不大,而且這時的 IC是 IB 的 β倍。我們還要注意,VCE 必須大於 0.2V。BJT 在順向活性區的簡單電路模型總結如下圖:

圖 7.1 簡易小訊號模型如下:分為 VCCS 和 CCCS 模型

圖 7.2 一、共射極放大器(Common-Emitter Amplifier)

下面我們利用這個簡單的 BJT 模型瞭解右圖電路的操作:

(2)

1. 靜態偏壓分析

這是一個標準的 four-resister bias circuit,R1

和 R2 將電晶體 Q1 偏壓在順向活化區,基極的靜態 偏壓約為 VB=VCC[R2/(R1+R2)],這裡假設 IB 很小,不 影響 VB 之偏壓值。射極的偏壓 VE 約為 VB-0.7V,射 極的靜態電流 IE=VE/RE,集極電流 IC=IE[β/(β +1)]≈IE(通常β>>1)。C1 為阻隔電容(blocking capacitor),使 Q1 基極偏壓不受輸入電壓 Vin 的直 流部份影響。

2. 功能分析

假如在 Vin 輸入交流訊號ΔV,而 C1 對ΔV 可視為短路,因此ΔVB=ΔV,又射極的電壓會隨 VB 變化,ΔVE=ΔVB=ΔV,若輸出訊號由射極接出,則此電路為一射極隨耦器(emitter follower),類似的電路在上個實驗已經測量過。

假如輸出是由集極接出呢? 這裡我們看一下ΔVC 多大。ΔIC≈ΔIE=ΔVE/RE=ΔV/RE,又 VC=VCC-ICRC,ΔVC=-RCΔIC,故

ΔVC=ΔV×(-RC/RE)…eq.7.1

因此這個電路可視做一個放大器( 稱做共射極放大器, common-emitter amplifier),放大 率 AV=-RC/RE,負號代表輸出訊號的相位和輸入差了 180°。

二、射極接地放大器(Grounded-Emitter Amplifier) 假如上面放大器電路中 RE=0,AV=-∞?不太可能吧?問 題出在推導 eq.7.1 時,我們假設電晶體在 forward active 時 VBE固定在 0.7V,不受 IC(或 IE)影響,即有ΔIC 但無ΔVBE。 事實上,由 Ebers-Moll 模型可知

I

C

I

S

e

V

BE

/ V

(在 forward active 時),

I

C

V

BE

V

I

S

eVBEV I

C

我們再定義 re≣ΔVBE/ΔIC,那麼 r

I

C

A

Ω …eq.7.2

現在來處理 RE=0 的情形。由上電路圖可知ΔVBE=ΔVB=ΔV,ΔIC=ΔVBE/re,ΔVC=-RCΔIC=-RCΔ VBE/re=ΔV(-RC/re),放大率 AV=ΔVC/ΔV=-RC/re。注意 re 是 IC 的函數,這樣會使得 AV 和輸出 訊號大小有關,導致非線性失真(nonlinear distortion)。

假如把 re 的效應考慮進去,前面共射極放大器的放大率 AV=-RC/(RE+re),RE 可使 re 所造成的 非線性失真減小,但同時|AV|也減小。同理射極隨耦器的 AV 不再是 1,而是 RE/(RE+re)。

三、共基極放大器(Common-Base Amplifier)

我們可以利用前面提到的 four-resistor bias circuit 設計共基極(CB)放大器的直 圖7.3

圖7.4

(3)

流偏壓,但在基極必須有一夠大的電容接地,確保在 AC 訊號的頻率範圍基極是接地的。放 大器的輸入是射極,輸出是集極。

假如不考慮輸入的負載效應,此類放大器的增益為

R

C

R

,不反相。

這種放大器的高頻頻率響應遠較共射極放大器好。

BJT 電晶體的射極輸入阻抗為r

I

C

A

Ω,相當的小。假如訊號源的輸出阻抗稍微大一點 的話,負載效應就相當嚴重,訊號會變成 re/(Rsource+re)倍。

四、電晶體的飽和與截止

電晶體除了作為線性放大之用外,亦可作為開關使用。如圖 7.5 電路為沒有偏壓的電晶 體放大電路。我們將 Vi逐漸調大以繪出電晶體的轉移曲線(Vi-Vo),則可得如圖 7.6 之曲線。

由圖上可看出,當 Vi<電晶體的切入電壓(VCUTIN)時 Ib=0,此時集極亦無電流,因此 VO=VCE=VCC, 此工作區稱為截止區,電晶體視為開路。

圖 7.5 圖 7.6

當 Vi>VCUTIN則 Ib逐漸加,IC亦比例增加,此工作區稱為作用區,電晶體作為放大器主要工作於 此區域。VO隨著 Vi增加而減少。當 Vi再增加則電晶體 IC不再因 Ib增加而變化,而 VO亦維持固 定在~0.2V左右,此時稱為電晶體進入了飽和區。

為了使電晶體進入飽和區,需要有足夠的基極電流,以圖 7.5 為例,飽和的集極電流為 I

C,SAT

V

CC

V

CE,SAT

R

C

因此,使電晶體飽和的最小基極電流為 I

B,SAT,MIN

I

C,SAT

β

為了避免因電晶體老化而使β值降低,因此實際的基極電流會比I

B,SAT,MIN

來的大,以確 保在其它因素影響下,仍可使電晶體飽和,一般我們設計電路會使 IB比I

B,SAT,MIN

大上 2-10 倍。另外由於電晶體的空乏區電荷效應,因此要電晶體能快速進入飽和區則需要有較大的基 極驅動電流。同樣的電晶體由飽和進入截止。由於電晶體空乏區的儲存電荷效應,因此限制 電晶體關閉時間,故電晶體高速開關動作,則需能快速將此積蓄的電荷移走。一般的電路通 常會在 RB再並聯一個電容解決上述的問題。

V

CE

CUT

ACT SAT

V

CC

OFF

V

CE ,SAT

V

CUTIN

V

i

+V

CC

I

C

R

C

V

i

Vo I

B

R

B

- +

(4)

實驗步驟

<一> 射極接地放大器(Grounded-Emitter Amplifier)

1. 線路圖如圖 7.7,接好後先檢查電晶體 E、B、C 三極之直流靜態偏壓的電壓值,推算 出電晶體各接腳的直流電流,確定電晶體是在 forward active。

2. Vin 用一個頻率為 10kHz 之三角波輸入,振幅調到使 Vout 之波形剛好不被削截,這時的 輸出波形式不是有些像“穀倉頂"或“拱窗",如下圖。請把你所得到的圖記錄下來。

圖 7.7 圖 7.8

※注意!Vin 的振幅可能會需要很小,假如你訊號產生器上的 AMPL 鈕轉到 MIN 還不夠小到讓 Vout 不產生削截的話,記得先將輸出衰減 20dB。

3. 現在將電路中的 C2(22μF)移去,將 Vin 之振幅增大(這時 AV小很多),觀察 Vout 之波形,

失真是不是小很多?記錄 Vin 和 Vout 振幅,計算增益大小(注意相位)。

4. 將 C2 接回去,將 Vin 之振幅調到最小(記得衰減 20dB),由 Vout 和 Vin 之振幅比求得 AV, 和你預測的值(-RC/re)一樣嗎?

<二>共射極放大器的輸入及輸出阻抗

1. 實驗程序<一> 的電路若沒有 C2,請你設計出一套方法測出此放大器的輸入(Zin)及輸出 阻抗(Zout)。

提示:

※圖 7.9,圖左為放大器的等效電路。圖中顯示在輸入端先串接一個大小適當的 RS,觀察 RS 所造成 Vout的衰減(V

A Z

V

V

S

R Z

S)即可得出 Zin。圖右顯示在輸出接一適當之電阻 RL(中 間必須串接一阻隔電容以免影響放大器之偏壓),觀察 RL 所造成 Vout 的衰減(V

A

V

V

S

R

L

Z R

L)即可得出 Zout

(5)

2. C2 加上去,測量在 10kHz 的輸入和輸出阻抗。

<三>共基極放大器(Common-Base Amplifier)

1. 這裡我們要測試一個單電源的共基極放大器,電路圖如圖 7.10 所示。電容找到接近的 值即可,注意極性。注意觀察一下,他偏壓的

方式就是典型的 four-resistor bias circuit。

檢查各極的直流偏壓,電晶體是不是在 forward active? IC是多大?

2. 為了避免輸入的負載效應,訊號在進入放大 器前,先加一個利用運算放大器 uA741 接成 的 buffer。訊號頻率用 100kHz,振幅調小到 輸出沒有明顯的失真(可以用三角波試試)。求 出放大率。

3. 利用程序<二>的方法,量出此放大器的輸入 和輸出阻抗。記得測輸入阻抗時,要利用 buffer。

<四>開關電路

1.測試電路如圖 7.5 所示,其中 VCC=5V,RB=47kΩ,RC=1kΩ。

2.令 Vi=0.5V 的直流電壓後測量 VO、之後 Vi每增加 0.5V 再量一次 VO直至 4.5V。畫出 Vi-VO

圖並標示出飽和區、作用區及截止區。

3. 將改為 Vi=2.5V,f=250Hz,DC offset=2.5V 的三角波,使用示波器分別使用雙訊號模式 及 X-Y 模式觀察 ViVo訊號及其轉移曲線。

4. 將 RB分別改為 4.7kΩ及 1kΩ,重複步驟 2(畫在同一張 Vi-VO圖)及步驟 3。

數據分析與思考問題

1. 在實驗<一>電路中:(a)計算 BJT 的靜態操作點,和你的實驗值比較。(b)解釋在步驟 2 所得之輸出波形。(c)為什麼將 C2 移去會使得失真減小?(d)計算有 C2 及沒有 C2 時之 AV,和實驗值比較。

2. 仔細說明你在實驗程序<二>測量輸入輸出阻抗的方法,還有結果。

3. 分析實驗程序<三> 的放大器,和你測量的結果是否一致?

圖7.10

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