【11】證書號數：I527271
【45】公告日： 中華民國 105 (2016) 年 03 月 21 日 【51】Int. Cl.： H01L33/48 (2010.01)
發明 全 14 頁 【54】名 稱：發光二極體晶粒模組、其封裝方法及其移取治具
LED CHIP MODULES, METHOD FOR PACKAGING THE LED CHIP MODULES, AND MOVING FIXTURE THEREOF
【21】申請案號：100125235 【22】申請日： 中華民國 100 (2011) 年 07 月 15 日 【11】公開編號：201212294 【43】公開日期： 中華民國 101 (2012) 年 03 月 16 日
【30】優 先 權： 2010/09/07 中華民國 099130225
【72】發 明 人： 洪瑞華 (TW) HORNG, RAY HUA；洪志欣 (TW) HONG, JHIH SIN；邵世豐 (TW) SHAO, SHIH FENG；劉恆 (US) LIU, HENG
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG
UNIVERSITY 臺南市東區大學路 1 號 【74】代 理 人： 范國華 【56】參考文獻： TW 396478 TW 200715504A US 2009/0176324A1 TW 200536142A TW 200921933A 審查人員：王世賢 [57]申請專利範圍 1. 一種發光二極體晶粒模組的封裝方法，適於量產多個發光二極體晶粒模組，每一發光二 極體晶粒模組包括至少一發光二極體晶粒，該封裝方法包括：一配置犧牲層步驟：在一 基板上，配置一第一犧牲層；一同步配置晶粒步驟：在該第一犧牲層尚未固化前，同步 配置該些發光二極體晶粒於該第一犧牲層中；一定義成型步驟：在固化的該第一犧牲層 上，以一第一材料、一第二犧牲層以及一第二材料形成一支撐基層，其中該第二犧牲層 定義一模組圖像，該支撐基層包括該第一材料及該第二材料；以及一蝕刻步驟：移除該 第一犧牲層及該模組圖像，以得到該些發光二極體晶粒模組，其中每一發光二極體晶粒 模組包括對應的該支撐基層。 2. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中在該塗佈犧牲層步 驟中，該第一犧牲層的厚度不大於該些發光二極體晶粒的高度。 3. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中在該同步配置晶粒 步驟之前，該封裝方法更包括：一排置晶粒步驟：將該些發光二極體晶粒置入一移取治 具之一承載盤中對應的容放位置；以及一移取晶粒步驟：同步且對應地移取置放於該承 載盤中的該些發光二極體晶粒。 4. 如申請專利範圍第 3 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中在該排置晶粒步驟 中，係以真空吸附、黏性貼 附、磁性貼附、夾取或卡合方式，逐粒將每一發光二極體晶 粒自一貼附在藍膠上且包括該些發光二極體晶粒的晶圓上取下，並依序且一對一地將該 些發光二極體晶粒置入該承載盤中呈陣列排列的容放位置。 10112
-5. 如申請專利範圍第 3 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中該移取治具包括多 個吸頭，在該移取晶粒步驟中，藉由該移取治具之該些吸頭，以真空吸取方式，同步且 一對一地吸取置放於該承載盤中的該些發光二極體晶粒。 6. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中在該同步配置晶粒 步驟之後，該封裝方法更包括：一固著晶粒步驟：令該第一犧牲層固化，以使該些發光 二極體晶粒固著。 7. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中該定義成型步驟包 括：在固化的該第一犧牲層上，以該第一材料形成一反射鏡膜；以該第二犧牲層在該反 射鏡膜上定義該模組圖像，形成多個獨立且裸露區域；以及以該第二材料分別在該些獨 立且裸露區域上形成一基底，其中每一基底所對應的該反射鏡膜之區域為一反射鏡，該 些反射鏡與該些基底共同形成該支撐基層。 8. 如申請專利範圍第 7 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中每一發光二極體晶 粒模組包括由對應的該支撐基層之一預定區塊所構成的一光杯座，以及位於該光杯座 中，一預定數目的該些發光二極體晶粒。 9. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中該定義成型步驟包 括：在固化的該第一犧牲層上，以該第二犧牲層定義該模組圖像，形成多個獨立且裸露 區域；以及依序以該第一材料與該第二材料分別在該些獨立且裸露區域上形成一反射鏡 和一基底，其中該些反射鏡與該些基底共同形成該支撐基層。 10. 如申請專利範圍第 9 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中每一發光二極體晶 粒模組包括由對應的該支撐基層之一預定區塊所構成的一光杯座，以及位於該光杯座 中，一預定數目的該些發光二極體晶粒。 11. 如申請專利範圍第 9 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中每一發光二極體晶 粒模組之該反射鏡包含一封閉溝槽或一封閉凸緣(flange)環繞該至少一發光二極體晶粒。 12. 如申請專利範圍第 11 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中每一個發光二極體 晶粒模組更包括同步執行下列步驟：形成一絕緣層於該封閉溝槽或該封閉凸緣上；形成 二導電層於該絕緣層上；分別連接二導線於對應之該導電層與該至少一發光二極體之 間；以及形成一封膠於該至少一發光二極體晶粒上，其中該封閉溝槽或該封閉凸緣限制 該封膠之形成範圍，並且該二導線分別經由對應之該導電層向該封膠外部延伸。 13. 如申請專利範圍第 11 項所述之發光二極體晶粒模組 的封裝方法，其中該第二犧牲層更 定義一犧牲凸緣，之後該反射鏡即會因此形成該封閉溝槽。 14. 如申請專利範圍第 11 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中該定義成型步驟更 包含該第一犧牲層定義一犧牲溝槽，之後該反射鏡即會因此形成該封閉凸緣。 15. 如申請專利範圍第 8 項或第 10 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中該發光二 極體晶粒具有至少一個凹狀結構，以使得該光杯座具有對應之凸狀結構。 16. 如申請專利範圍第 1 項所述之發光二極體晶粒模組的封裝方法，其中該第一犧牲層及該 第二犧牲層各為一光阻層。 17. 一種移取治具，適於同步移取多個發光二極體晶粒，該移取治具包括：一上模板，具有 一真空室；一下模板，具有多個穿孔，該些穿孔貫穿該下模板之板體並與該真空室連 通；以及一承載盤，具有多個容放位置，置放該些發光二極體晶粒，其中該移取治具以 真空吸取方式同步吸取置放於該承載盤中的該些發光二極體晶粒。 18. 如申請專利範圍第 17 項所述之移取治具，更包括一真空封圈，該真空封圈夾置於該第一 模板及該第二模板之間，其中該上模板的該真空室位於該真空封圈的圈圍範圍內。 19. 如申請專利範圍第 18 項所述之移取治具，其中該真空室與一真空管路連接。 (2) 10113
-20. 如申請專利範圍第 17 項所述之移取治具，其中該承載盤包括至少一第一定位件。 21. 如申請專利範圍第 20 項所述之移取治具，其中該下模板包括至少一第二定位件，該第二 定位件配合該第一定位件，以使該下模板與該承載盤彼此直角定位。 22. 如申請專利範圍第 17 項所述之移取治具，更包括：多個吸頭，該些吸頭分別對應地與該 些穿孔連通，並自該下模板之板體表面向外凸伸，其中該移取治具藉由該些吸頭以真空 吸取方式同步吸取置放於該承載盤中的該些發光二極體晶粒。 23. 如申請專利範圍第 22 項所述之移取治具，其中該些吸頭及該承載盤的該些容放位置係以 對應的陣列方式排列。 圖式簡單說明 圖 1 為習知的發光二極體晶粒模組之剖視圖。 圖 2 為本發明一實施例之量產發光二極體晶粒模組的封裝方法之流程圖。 圖 3 為圖 2 之量產發光二極體晶粒模組的封裝方法所產製的發光二極體晶粒模組之上視 示意圖。 圖 4 為沿著圖 3 中 V-V 剖面之示意圖。 圖 5 為本發明一實施例量產發光二極體晶粒模組的封裝方法的塗佈光阻步驟。 圖 6 為本發明一實施例量產發光二極體晶粒模組的封裝方法的排置晶粒步驟。 圖 7 為本發明一實施例量產發光二極體晶粒模組的封裝方法的治具吸取晶粒步驟。 圖 8 為實施治具吸取晶粒步驟時的治具結構。 圖 9 為本發明一實施例量產發光二極體晶粒模組的封裝方法的同步壓置晶粒步驟。 圖 10 為本發明一實施例量產發光二極體晶粒模組的封裝方法的定義成型步驟。 圖 11 為本發明另一實施例量產發光二極體晶粒模組的封裝方法的定義成型步驟。 圖 12 為本發明一實施例量產發光二極體晶粒模組的封裝方法的封閉溝槽形成步驟。 圖 13 為本發明一實施例量產發光二極體晶粒模組的封裝方法的封閉凸緣形成步驟。 圖 14 為本發明一實施例量產發光二極體晶粒模組的封裝方法的封膠步驟。 圖 15 為本發明另一實施例量產發光二極體晶粒模組的封裝方法的封膠步驟。 圖 16 為本發明一實施例，使用具有至少一個凹狀結構的基板。 10114
-(4)
-(6)
-(8)
-(10)
-(12)
-(14)
