氮化硼粉體之製備方法

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(1)【19】中華民國【12】專利公報（B）【11】證書號數：I543935 【45】公告日：中華民國 105 (2016) 年 08 月 01 日【51】Int. Cl.： C01B35/14 (2006.01) 發明全 8 頁【54】名稱：氮化硼粉體之製備方法 METHOD FOR MANUFACTURING BN 【21】申請案號：103144881 【22】申請日：中華民國 103 (2014) 年 12 月 22 日【11】公開編號：201623148 【43】公開日期：中華民國 105 (2016) 年 07 月 01 日【72】發明人：鍾賢龍 (TW) CHUNG, SHYAN LUNG；徐煜翔 (TW) HSU, YU HSIANG；曾冠穎 (TW) TSENG, KUAN YING 【71】申請人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 臺南市東區大學路 1 號【74】代理人：陳豐裕【56】參考文獻： CN 1173879C CN 100368284C S-L Chung and Y-H Hsu, ”Combustion Synthesis of Boron Nitride via Magnesium Reduction Under Low Nitrogen Pressures”, J. Am. Ceram. Soc., Vol. 97, Iss. 11, November 2014, page 3418-3422 C-C Hwang and S-L Chung, “Combustion synthesis of boron nitride powder”, J. Mater. Res., Vol. 13, No. 13, Mar 1998, page 680-686 審查人員：洪敏峰. [57]申請專利範圍 1. 一種氮化硼粉體之製備方法，其包括下列步驟：步驟一：將一裂解產生氧化硼之硼化合物或氧化硼、一金屬元素粉體與一添加物均勻混合形成一混合物，其中金屬元素之活性係大於硼，且該混合物係具有 1%~30%重量百分比之添加物；步驟二：將該混合物置於一真空密閉容器中，並添加一氣體，其中氣體壓力係不大於 8MPa，且該氣體係選自氮氣(N2)、氦氣(He)、氨氣(NH3)、氬氣(Ar)及氫氣(H2)其中之一或兩者以上之組合，且必包含氮氣(N2)或氨氣(NH3)；以及步驟三：以瞬間溫度大於 1500℃之加熱方式引發該混合物進行氮化反應，以製得一氮化硼粉體，其中該加熱時間係不大於 1 分鐘。 2. 如申請專利範圍第 1 項所述之氮化硼粉體之製備方法，其中該硼化合物係選自硼酸 (H3BO3)、硼酐(B2O3)、硼砂(Na2B4O7．10H2O)其中之一。 3. 如申請專利範圍第 1 項所述之氮化硼粉體之製備方法，其中該金屬元素粉體係選自鋰 (Li)、鈣(Ca)、鈉(Na)、鋁(Al)、鎂(Mg)、鈦(Ti)、錳(Mn)或鋅(Zn)其中之一。 4. 如申請專利範圍第 1 項所述之氮化硼粉體之製備方法，其中該添加物係選自固態氮源、鹵化物或粉體填充物其中之一或兩者以上之組合。 5. 如申請專利範圍第 4 項所述之氮化硼粉體之製備方法，其中該固態氮源係高溫裂解產生氮氣或氨氣之化合物。 6. 如申請專利範圍第 5 項所述之氮化硼粉體之製備方法，其中該固態氮源係三聚氰胺 (C3H6N6)或疊氮化鈉(NaN3)。 - 2019 -.

(2) (2) 7. 如申請專利範圍第 4 項所述之氮化硼粉體之製備方法，其中該鹵化物係選自氟化銨 (NH4F)、溴化銨(NH4Br)或氯化銨(NH4Cl)其中之一。 8. 如申請專利範圍第 4 項所述之氮化硼粉體之製備方法，其中該粉體填充物係氮化硼(BN) 或氧化鎂(MgO)。 9. 如申請專利範圍第 1 項所述之氮化硼粉體之製備方法，其中該加熱方式係以鎢絲線圈或微波裝置進行。 10. 如申請專利範圍第 1 項所述之氮化硼粉體之製備方法，其中該瞬間溫度係介於 1800℃ ~4000℃。 11. 如申請專利範圍第 1 項所述之氮化硼粉體之製備方法，其中該加熱時間係介於 5~30 秒。圖式簡單說明第一圖：本發明氮化硼粉體製備方法之步驟流程圖。第二圖：本發明氮化硼粉體製備方法所製得氮化硼粉體之 XRD 圖。第三圖：本發明實施例一所製得氮化硼粉體之 SEM 圖。第四圖：本發明實施例二所製得氮化硼粉體之 SEM 圖。第五圖：本發明實施例三所製得氮化硼粉體之 SEM 圖。第六圖：本發明實施例四所製得氮化硼粉體之 SEM 圖。第七圖：本發明實施例五所製得氮化硼粉體之 SEM 圖。. - 2020 -.

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