薄膜轉印方法

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【11】證書號數：I436415

【45】公告日：中華民國 103 (2014) 年 05 月 01 日

【51】Int. Cl.： H01L21/30 (2006.01)

發明　　　　　全 7 頁　

【54】名　　稱：薄膜轉印方法

METHOD OF MEMBRANE TRANSLATION

【21】申請案號：100136157 【22】申請日：中華民國 100 (2011) 年 10 月 05 日

【11】公開編號：201316387 【43】公開日期：中華民國 102 (2013) 年 04 月 16 日

【72】發明人：蘇炎坤 (TW) SU, UAN KUIN；莊明岳 (TW) CHUANG, MING YUEH；黃士哲 (TW) HUANG, SHYH JER

【71】申請人：國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY

臺南市東區大學路 1 號

【74】代理人：吳冠賜；蘇建太

【56】參考文獻：

TW 200609998 TW 200827934 審查人員：邱智強

[57]申請專利範圍

1.　一種薄膜轉印方法，包括：(A)　提供一基板及一固定單元，該固定單元係具有一表面，

且該基板係設置有一催化金屬層及一薄膜，其中，該催化金屬層係形成於該基板上，且該薄膜係形成於該催化金屬層上；(B)　設置該固定單元於該薄膜上，其中，該固定單元之該表面係面向該薄膜；(C)　蝕刻該催化金屬層，且該固定單元係施予該薄膜一壓力，

以將該薄膜轉印至該基板上；以及(D)　移除該固定單元。

2.　如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，該壓力係一持續之壓力。

3.　如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，步驟(C)係為：(C)　蝕刻該催化金屬層，且該固定單元係施予該薄膜一持續之壓力，以使該薄膜於該催化金屬層蝕刻過程中，固定該薄膜與該基板之相對位置，並使該薄膜逐漸朝該基板之方向移動，以轉印該薄膜至該基板上。

4.　如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，該壓力係一持續之外界壓力。

5.　如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，步驟(C)係為：(C)　蝕刻該催化金屬層，並提供一持續之外界壓力至該固定單元上，以使該薄膜於該催化金屬層蝕刻過程中，固定該薄膜與該基板之相對位置，並使該薄膜逐漸朝該基板之方向移動，以轉印該薄膜至該基板上。

6.　如申請專利範圍第 4 項所述之薄膜轉印方法，其中，該外界壓力係為一機械力、一重力、或其組合。

7.　如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，該基板之材料係至少一選自由：藍寶石、氮化鎵、氮化鋁鎵、氮化銦鎵、磷化鋁銦鎵、矽晶圓、及玻璃所組成之群組。

8.　如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，該薄膜係為一具可撓性之薄膜。

9.　如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，該薄膜之材料係至少一選自由：石墨烯、金屬材料、介電材料、半導體材料、及高分子材料所組成之群組。

10. 如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，該薄膜係石墨烯。

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11. 如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，該固定單元之該表面係為一經由表面處理之表面。

12. 如申請專利範圍第 12 項所述之薄膜轉印方法，其中，該經由表面處理之表面，其表面處理方法為表面電漿處理法、UV 光照射法、或鍍膜法。

13. 如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，該固定單元係為一圖案化之固定單元。

14. 如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，該固定單元之材料係為一軟性材料。

15. 如申請專利範圍第 15 項所述之薄膜轉印方法，其中，該固定單元之材料係至少一選自由：聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(Polyethylene terephthalate,PET)、矽膠、高分子材料、及金屬箔所組成之群組。

16. 如申請專利範圍第 15 項所述之薄膜轉印方法，其中，該固定單元之材料係為聚二甲基矽氧烷(Polydimethylsiloxane,PDMS)。

17. 如申請專利範圍第 1 項所述之薄膜轉印方法，其中，該催化金屬層係以濕式蝕刻法進行蝕刻。

圖式簡單說明

圖 1 係習知薄膜轉印流程圖。

圖 2 係本發明實施例 1 之薄膜轉印流程圖。

圖 3 係本發明實施例 1 之固定單元立體圖。

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