【11】證書號數：I342986
【45】公告日： 中華民國 100 (2011) 年 06 月 01 日
【51】Int. Cl.： G03F7/20 (2006.01) H01L21/027 (2006.01)
發明 全 6 頁
【54】名 稱：光學式奈米熱壓印製程
OPTICAL THERMAL NANO-IMPRINTING PROCESS
【21】申請案號：095117177 【22】申請日： 中華民國 95 (2006) 年 05 月 15 日
【11】公開編號：200742945 【43】公開日期： 中華民國 96 (2007) 年 11 月 16 日
【72】發 明 人： 李永春 (TW) LEE, YUNG CHUN；蕭飛賓 (TW) HSIAO, FEI BIN；陳俊宏 (TW) CHEN, CHUN HUNG；邱正宇 (TW) CHIU, CHENG YU；鍾明宏 (TW) CHUNG, MINGHUNG
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY
臺南市東區大學路 1 號
【74】代 理 人： 劉正格
【56】參考文獻：
US 2005/0156353A1 US 2006/0046069A1
V. Grigaliunas et al., “Laser pulse assisted nanoimprint
lithography”, Thin Solid Films, 1st April 2004, Volume 453-454, pages 13 to 15.
[57]申請專利範圍
1. 一種光學式奈米熱壓印製程，至少包括：提供一模仁，其中該模仁具有相對之一第一表 面以及一第二表面，且該模仁之該第一表面設有一壓印圖案；形成一加熱光源吸收層於 該模仁之該第一表面上；提供一基板，其中該基板具有相對之一第一表面與一第二表 面，且該基板之該第一表面上設有一高分子材料層；將該模仁放置在該基板上，並使該 模仁之該第一表面與該基板之該第一表面彼此相對；從該基板之該第二表面對該基板施 加一壓力；提供一加熱光源，使該加熱光源從該模仁之該第二表面朝該第一表面入射 光，以加熱該模仁與該加熱光源吸收層，並將該模仁之該壓印圖案轉印至該高分子材料 層中；以及移除該模仁。
2. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該模仁之材質為矽晶圓、包 含所有高分子聚合物(polymer)系列材質、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材 料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、具導電材質、或上述材料中兩者或兩者以 上所合成之材料。
3. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該壓印圖案為微米尺寸或奈 米尺寸。
4. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中形成該加熱光源吸收層之步 驟係利用塗佈法(coating)、印刷法(Printing)、物理沉積法(Physical Deposition)、化學沉積 法(Chemical Deposition)或離子佈植法(Ion Implantation)法。
5. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源吸收層係一金屬 層。
6. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源吸收層係一半導 體材料、陶瓷材料、有機材料、塑膠材料、高分子材料、具導電材質、無機材料、或上 述材料中兩者或兩者以上所合成之材料。
7. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源吸收層係由一離 子植入材料所組成。
8. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該基板之材質為半導體材 料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、有機材料、塑膠材料、高分子材料、具導 電材質、無機材料、或上述材料中兩者或兩者以上所合成之材料。
9. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該基板之材質為矽。
10. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中設置該高分子材料層時，係 利用塗佈法、印刷法、物理沉積法或化學沉積法。
11. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該高分子材料層之熔點低於 該模仁及該加熱光源吸收層之熔點。
12. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該高分子材料層之玻璃轉換 溫度低於該模仁及該加熱光源吸收層之熔點。
13. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該高分子材料層之材料為包 含所有高分子聚合物系列材質、有機材料、塑膠材料、光阻材、或上述材料中兩者或兩 者以上所合成之材料。
14. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該高分子材料層之材料為環 氧基紫外負光阻(SU－8)或聚甲基丙烯酸甲酯光阻(PMMA)。
15. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該基板與該模仁均具有複數 個對準標記。
16. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，該將該模仁放置在該基板上時，
更至少包括從該模仁之該第二表面朝該第一表面施加一預壓力。
17. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源為一雷射或一燈 泡。
18. 如申請專利範圍第 17 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源之光源波長介於 1nm 至 107 μm 之間。
19. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源為波長 1064nm 之雷射。
20. 如申請專利範圍第 1 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中施加該壓力之步驟係利用機 械式、電磁式、液壓式或氣壓式。
21. 一種光學式奈米熱壓印製程，至少包括：提供一模仁，其中該模仁具有相對之一第一表 面以及一第二表面，且該模仁之該第一表面設有一壓印圖案；形成一加熱光源吸收層於 該模仁之該第一表面上；塗佈一脫模劑於該模仁之該第一表面上；提供一基板，其中該 基板具有相對之一第一表面以及一第二表面；形成一高分子材料層於該基板之該第一表 面上；將該模仁放置在該基板上，並使該模仁之該第一表面與該基板之該第一表面彼此 相對；從該基板之該第二表面對該基板施加一壓力；提供一加熱光源，使該加熱光源從 該模仁之該第二表面朝該第一表面入射光，以加熱該模仁與該加熱光源吸收層，並將該 模仁之該壓印圖案轉印至該高分子材料層中；以及移除該模仁。
22. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該模仁之材質為矽晶圓、包 含所有高分子聚合物系列材質、有機材料、塑膠材料、半導體材料、金屬材料、石英、
玻璃材料、陶瓷材料、無機材料、具導電材質、或上述材料中兩者或兩者以上所合成之 材料。
23. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該壓印圖案為微米尺寸或奈 米尺寸。
24. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該脫模劑為鐵氟龍。
25. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中形成該加熱光源吸收層之步 驟係利用塗佈法、印刷法、物理沉積法、化學沉積法或離子佈植法法。
26. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源吸收層係一金屬 層。
27. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源吸收層係一半導 體材料、陶瓷材料、有機材料、塑膠材料、高分子材料、具導電材質、無機材料、或上 述材料中兩者或兩者以上所合成之材料。
28. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源吸收層係由一離 子植入材料所組成。
29. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該基板之材質為半導體材 料、金屬材料、石英、玻璃材料、陶瓷材料、有機材料、塑膠材料、高分子材料、具導 電材質、無機材料、或上述材料中兩者或兩者以上所合成之材料。
30. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該基板之材質為矽。
31. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中形成該高分子材料層之步驟 係利用塗佈法、印刷法、物理沉積法或化學沉積法。
32. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該高分子材料層之熔點低於 該模仁及該加熱光源吸收層之熔點。
33. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該高分子材料層之玻璃轉換 溫度低於該模仁及該加熱光源吸收層之熔點。
34. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該高分子材料層之材料為包 含所有高分子聚合物系列材質、有機材料、塑膠材料、光阻材、或上述材料中兩者或兩 者以上所合成之材料。
35. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該高分子材料層之材料為環 氧基紫外負光阻或聚甲基丙烯酸甲酯光阻。
36. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該基板與該模仁均具有複數 個對準標記。
37. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，該將該模仁放置在該基板上時，
更至少包括從該模仁之該第二表面朝該第一表面施加一預壓力。
38. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源為一雷射或一燈 泡。
39. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源之光源波長介於 1nm 至 107 μm 之間。
40. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中該加熱光源為波長 1064nm 之雷射。
41. 如申請專利範圍第 21 項所述之光學式奈米熱壓印製程，其中施加該壓力之步驟係利用機 械式、電磁式、液壓式或氣壓式。
圖式簡單說明
第 1 圖至第 7 圖係繪示依照本發明一較佳實施例的一種光學式奈米熱壓印製程之製程剖 面圖。
