銅
/鈦鎢薄膜特性檢測
• 完成SEM 及 XRD 對薄膜成分分析
工作項目需確認介接層薄膜及銅薄膜比例及成分,,橫截面場發掃描式電子顯 微鏡,Scanning Electron Microscopy(簡稱 SEM,型號 JSM-7000F,廠牌/國家: JEOL/日本。設備實體圖如左圖)中的能量散步光譜儀(EDS)進行薄膜比例分析;X 光繞射儀(簡稱 XRD,型號為 D2 Phaser,廠牌/國家: Bruker AXS Gmbh, 德國。 1:SEM 成分分析 本查核分析目標是以介接層薄膜(鈦、鎳系列金屬或合金)及銅薄膜為主,分 別有金屬鈦、鈦鎢合金、鎳鉻合金、金屬銅鍍製的薄膜。經由橫截面場發式掃 描電子顯微鏡(SEM)中的能量散佈光譜儀(EDS)功能分析顯示,金屬鈦薄膜中鈦成 分為100(wt%)、鈦鎢合金薄膜成分比例為 77.29 : 22.71 (wt%)、鎳鉻合金薄膜成 分比例為81.13 : 18.87 (wt%)、銅薄膜成分比例為 100(wt%),量測結果如下表 20;能量散佈光譜儀(EDS)量測時具有誤差約 5~10%,考量靶材商提供成分分析與 EDS 儀器量測誤差,可視金屬鈦、鈦鎢合金、鎳鉻合金、金屬銅薄膜成分比例 與靶材一致。 2:XRD 成分分析
• 以X 光繞射儀(簡稱 XRD,型號為 D2 Phaser,廠牌/國家: Bruker AXS Gmbh, 德國),分析金屬鈦、鈦鎢合金、鎳鉻合金薄膜結晶與否,以及對 應晶面方向。經量測結果顯示 金屬鈦、鈦鎢合金、鎳鉻合金薄膜確實都 有結晶 ,對應至JCPDS 數據庫顯示,如圖 34,(a)於 38°對應晶面方向 為Ti(002),另外,於 71°處對應晶面方向為 Ti(103)。如圖(b)於 39 °對應 晶面方向為Ti(002)。如圖(c),於 44°對應晶面方向為 Ni(111),另外,於 53°對應晶面方向為 Ni(200)。如圖(d)於 43°對應晶面方向為 Cu(111),另 外,於52°對應晶面方向為 Cu(200),另外,於 74°對應晶面方向 為Cu(220)。如圖(e)於 39°對應晶面方向為 Ti(002),另外,於 44°對應晶 面方向為Cu(111),另外,於 52°對應晶面方向為 Cu(200)。
完成薄膜粗糙度及厚度檢驗分析
• 本工作項目需驗證檢測製程,進行針對介接層、銅、銅/介接層薄膜檢查 相關的粗糙度及膜厚進行量測,粗糙度及薄膜厚度檢測機台為: 表面粗 度儀(alpha-step),型號為 ASIQ,廠牌/國籍: KLA-Tenso /美國,其機台 實體圖如圖所示;藉由表面粗度儀檢測結果驗證是否符合開發查核點目 標。 以表面粗度儀(Alpha-step)分別量測未鍍膜的鐵氧體與鍍製過金屬膜鐵氧體之表 面粗糙度,如圖所示為表面粗糙度量測圖,中心值平均粗糙度(Ra)值分別(a)未 鍍膜的鐵氧體Raa 為 218.5nm,(b)已鍍金屬膜鐵氧體 Rab 為 233.3nm。介接層 薄膜粗糙度與基板粗糙度差異計算((Rab-Raa)/Raa)。經計算,介接層薄膜粗糙度
與基板粗糙度差異為6.7%。 以表面粗度儀(Alpha-step)分別量測未鍍膜的鐵氧體與鍍製過金屬膜鐵氧體之表 面粗糙度,如圖所示為表面粗糙度量測圖,中心值平均粗糙度(Ra)值分別(a)未 鍍膜的鐵氧體Raa 為 276.9nm 與,(b)已鍍金屬膜鐵氧體 Rab 為 260.2nm。介接 層薄膜粗糙度與基板粗糙度差異計算((Rab-Raa)/Raa)。經計算,已鍍銅薄膜的鐵 氧體與鐵氧體表面粗糙度表面差異為6.0%。