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台灣電力公司 110 年度新進僱用人員甄試試題
科 目:專業科目 A（ 電 子 學 ） 考試時間:第 2 節，60 分鐘
注 意 事 項
1.本試題共 5 頁(A3 紙 1 張、A4 紙 1 張)。
2.本科目禁止使用電子計算器。
3. 本試題為單選題共 50 題，每題 2 分，共 100 分，須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答，於本 試題或其他紙張作答者不予計分。
4. 請就各題選項中選出最適當者為答案，各題答對得該題所配分數，答錯或畫記多於一 個選項者倒扣該題所配分數 3 分之 1，倒扣至本科之實得分數為零為止，未作答者不給 分亦不扣分。
5.本試題採雙面印刷，請注意正、背面試題。
6.考試結束前離場者，試題須隨答案卡繳回，俟本節考試結束後，始得至原試場或適當 處所索取。
[A] 1. 二極體若加順向偏壓，則會產生下列何種情形？
(A)障壁電壓降低，空乏區寬度減小 (B)障壁電壓增加，空乏區寬度減小 (C)障壁電壓增加，空乏區寬度增加 (D)障壁電壓降低，空乏區寬度增加 [D] 2. 在稽納二極體中，有關崩潰電壓的敘述，下列何者正確？
(A)崩潰電壓發生在順向偏壓區 (B)崩潰電壓會破壞稽納二極體
(C)具正溫度係數，溫度愈高崩潰電壓愈高 (D)崩潰電壓大概為定值
[A] 3. 有關PN接面二極體的敘述，下列何者有誤？
(A)溫度上升時，障壁電壓上升
(B)二極體加順向偏壓後，空乏區變窄 (C)矽二極體的障壁電壓較鍺二極體高 (D)溫度上升時，漏電流上升
[B] 4. 如右圖所示之全波整流電路，若欲產生平均值 3.18 V(伏特)之 直流電壓輸出，試求二極體之峰值反向電壓(PIV)值最接近下列 何者？
(A) 5 V (B) 10 V (C) 6.36 V (D) 20 V
[D] 5. 發光二極體(LED) 之所以能產生不同顏色，最主要受下列何者影響？
(A)外加電壓 (B)外加電壓之頻率 (C)周遭溫度 (D)材料能帶間隙 [A] 6. 如右圖所示之橋式全波整流電路，次級線圈電壓Vi峰對峰
值(Vp-p)為 50 V之交流電壓，若二極體為理想元件，則輸出 電壓之平均值最接近下列何者？
(A) 15.9 V (B) 17.7 V (C) 31.8 V (D) 35.4 V [A] 7. 下列何者會有負電阻值區域？
(A)透納二極體 (B)步級回復二極體 (C)蕭特基二體體 (D)光耦合器 [B] 8. 二極體逆向電流係由少數載子電流與下列何者所組成？
(A)雪崩效應 (B)表面漏電流 (C)順向電流 (D)稽納電流
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[C] 9. 電晶體偏壓時，若將集極與射極對調，使得基極對射極接面為逆向偏壓，而基極對集極接面 為順向偏壓，則有關電晶體之敘述，下列何者正確？
(A)耐壓降低，增益提高 (B)耐壓提高，增益降低 (C)耐壓及增益皆降低 (D)耐壓及增益皆提高
[D] 10. 電晶體作為開關使用，若開關未導通時，則此電晶體工作於輸出特性曲線的何區域？
(A)飽和區 (B)順向偏壓工作區 (C)反向偏壓工作區 (D)截止區 [A] 11. 若NPN電晶體應用於工作區，則有關電晶體偏壓情形，下列敘述何者正確？
(A) B-E極加順偏，B-C極加逆偏 (B) B-E極加順偏，B-C極加順偏 (C) B-E極加逆偏，B-C極加逆偏 (D) B-E極加逆偏，B-C極加順偏 [A] 12. 如右圖所示，共射極電路若VCC = 12 V，VCE = 6 V，VBE = 0.7 V，
RB = 390 kΩ，RC = 2 kΩ，則電晶體之β值最接近下列何者？
(A) 104 (B) 123 (C) 133 (D) 145
[A] 13. 有關金氧半場效電晶體(MOSFET)，下列敘述何者有誤？(VGS為閘極至源極之電壓) (A)空乏型MOSFET本身結構中並無通道存在
(B)空乏型N通道MOSFET其VGS可接負電壓或正電壓
(C)增強型P通道MOSFET其VGS若接正電壓，則無法建立通道 (D)增強型N通道MOSFET臨界電壓VT之值為正
[D] 14. 有關場效電晶體，下列敘述何者有誤？(ID為汲極電流，IG為閘極電流) (A)場效電晶體的輸入阻抗大於雙接面電晶體
(B)場效電晶體的主要型式有接面場效應(JFET)、空乏型MOSFET、增強型MOSFET (C)場效電晶體以控制通道之寬度達到控制ID大小之目的
(D)對場效電晶體的ID影響最大的是IG
[C] 15. 如右圖所示，當VGS = -5 V 時，IDSS = 25 mA 及VGS(off) = -10 V，求偏壓時之RS
值為何？
(A) 625 Ω (B) 750 Ω (C) 800 Ω (D) 1,000 Ω
[D] 16. 接面場效應電晶體(JFET)之汲極與源極間，通道的有效寬度會隨著VGS逆向偏壓增加而減小，
而當VGS逆向偏壓夠大，致使通道寬度降為零，此時的VGS值稱為何種電壓？
(A)夾止電壓 (B)崩潰電壓 (C)峰值反向電壓 (D)截止電壓 [C] 17. 為使一差動放大器的共模拒斥比(CMRR)變大，下列敘述何者正確？
(A)減少基極電阻 (B)減少射極電阻 (C)加大射極電阻 (D)加大集極電阻 [D] 18. 如右圖所示之串級電路，已知β1 = β2 = 50，則此放大器的電流增益為何？
(A) 5 (B) 50 (C) 100 (D) 2,500
電子學 第 3 頁，共 5 頁 [C] 19. 頻寬相同的各放大器加以串接，則串接後下列敘述何者正確？
(A)總電壓增益大於單級增益，總頻寬等於單級頻寬之總和 (B)總電壓增益大於單級增益，總頻寬等於單級頻寬之乘積 (C)總電壓增益大於單級增益，總頻寬小於單級頻寬
(D)總電壓增益等於單級增益之總和，總頻寬等於單級頻寬 [C] 20. 在各種耦合放大電路中，下列何者之頻率響應最差？
(A)RC耦合 (B)電感耦合 (C)變壓器耦合 (D)直接耦合 [D] 21. 一般功率放大器之最高功率轉換效率，其大小依序為何？
(A)A類≧AB類≧B類 (B) A類≧B類≧AB類 (C) AB類≧B類≧A類 (D) B類≧AB類≧A類 [C] 22. 有一功率放大器的直流電壓為20 V，操作電流為500 mA，交流輸出功率為0.875 W，則此放大
器之效率為何？
(A) 15.75 % (B) 12.75 % (C) 8.75 % (D) 5.75 % [B] 23. 某功率電晶體電路輸出級為AB類放大器，有關導通角度之敘述，下列何者正確？
(A)導通角度為360º (B) 180º<導通角度<360º (C) 90º<導通角度<180º (D) 導通角度<90º [B] 24. 如右圖所示，下列敘述何者有誤？
(A)為共集極放大器 (B)電壓增益值約為-5 (C)為射極隨耦器
(D)其交流等效電路在集極是接地
[B] 25. 若NMOS場效電晶體之汲極與源極電壓VDS>閘極與源極電壓VGS>臨界電壓Vth，則下列敘述 何者正確？
(A) NMOS操作在非飽和區 (B) NMOS操作在飽和區
(C) NMOS操作在截止區 (D) NMOS操作在飽和區及非飽和區交界處 [D] 26. 如右圖所示為一理想運算放大器，若其飽和電壓為±10 V，
VS = 1 mV，則VO為何？
(A) 10 V (B) -10 V (C) 100 mV (D) -100 mV
[C] 27. 有一差動放大器之共模增益為0.2，差模增益為500，試求其共模拒斥比(CMRR)為何？
(A) 0.004 (B) 100 (C) 2,500 (D) 5,000
[A] 28. 有一理想差動放大器，若電壓增益值Ad = 100，兩端輸入電壓V1 = 20 mV，V2 = -10 mV，則輸 出電壓VO為何？
(A) 3 V (B) 2 V (C) 1 V (D) -1 V [B] 29. 如右圖所示之Vin為三角波，則Vout為何？
(A)三角波 (B)方波 (C)正弦波 (D)脈衝波
[A] 30. 下列何者可作為電路的方波產生器？
(A)無穩態多諧振盪器 (B)單穩態多諧振盪器
(C)雙穩態多諧振盪器 (D) RC相移振盪器
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電子學 第 4 頁，共 5 頁 [C] 31. 有關多諧振盪器之敘述，下列何者有誤？
(A)單穩態多諧振盪器的輸出狀態包括一種穩定狀態和一種暫時狀態 (B)雙穩態多諧振盪器之工作情形有如數位電路的正反器
(C)無穩態多諧振盪器有一個輸入觸發信號 (D)多諧振盪器之輸出波形為非正弦波 [B] 32. 下列何者為正弦波振盪器？
(A)施密特振盪器 (B)考畢子振盪器 (C)單穩態多諧振盪器 (D)雙穩態多諧振盪器 [D] 33. 有一脈波頻率為2 kHz，脈波寬度時間為0.3 ms，試求其工作週期為何？
(A) 30 % (B) 40 % (C) 50 % (D) 60 % [C] 34. 如右圖所示之理想放大器，試求其工作週期(VO > 0之週期占比)？
(A) 1
2 (B) 1
3
(C) 2
3 (D) 1
[C] 35. 有一串級放大電路之各級電壓增益值分別為1倍、10倍及100倍，若不考慮各級負載效應，則 其總電壓增益分貝值(dB)為何？
(A) 20 dB (B) 40 dB (C) 60 dB (D) 80 dB [B] 36. 分析運算放大器電路時，兩輸入端常被視為虛擬短路，其意義為何？
(A)兩輸入端需各自接地 (B)兩輸入端的電壓相等 (C)需將兩輸入端連在一起 (D)兩輸入端的輸入阻抗為零 [D] 37. 如右圖所示之放大器電路，試問C1和C2耦合(coupling)電容會
衰減放大器頻率響應的頻段為何？
(A)沒有影響 (B)高頻段 (C)中頻段 (D)低頻段
[C] 38. 如右圖所示之方形脈波，其頻率為何？
(A) 300 kHz (B) 250 kHz (C) 200 kHz (D) 150 kHz
[B] 39. 如右圖所示之放大器，若 R1 = 100 kΩ，R2 = 10 kΩ，
R = 100 kΩ，求由A端看入之輸入電阻Ri為何？
(A) 1 MΩ (B) -1 MΩ (C) 2 MΩ (D) -2 MΩ
[B] 40. 有一共射極放大器之電壓增益分貝值為20 dB，其後串接射極隨耦器，求總電壓增益分貝值 (dB)為何？
(A) 10 dB (B) 20 dB (C) 30 dB (D) 40 dB
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電子學 第 5 頁，共 5 頁 [A] 41. 理想差動放大器之共模拒斥比(CMRR)為何？
(A) ∞ (B) 0 (C) 1 (D)介於0 ~ 1之間
[A] 42. 有一運算放大器之轉動率(slew rate)為0.628 V/μs，若此運算放大器之輸出電壓峰值為10 V，則此 運算放大器在輸出不允許失真的情況下，輸入所能允許之正弦波最高頻率為多少？(π = 3.14) (A) 10 kHz (B) 20 kHz (C) 30 kHz (D) 40 kHz
[A] 43. 有關555計時IC的控制電壓腳(第5腳)，下列敘述何者有誤？
(A)可改變輸出之電壓大小 (B)可改變輸出之振盪頻率
(C)可改變內部上比較器之參考電位 (D)可改變內部下比較器之參考電位 [C] 44. 積體電路內之串級放大器電路，大部分採用何種耦合方式？
(A)電阻耦合 (B)電容耦合 (C)直接耦合 (D)變壓器耦合 [B] 45. 如右圖所示電路，已知R = 20 Ω，C = 16 μF，則此濾波器的截止
頻率最接近下列何者？
(A) 400 Hz (B) 500 Hz (C) 600 Hz (D) 700 Hz
[D] 46. 如右圖所示之方波振盪器電路，下列敘述何者有誤？
(A)對實際OPA而言，VO之峰對峰值接近2 VCC
(B)對實際OPA而言，VO之工作週期(duty cycle)約為50 % (C)隨C之數值增加，則振盪頻率會下降
(D)隨R2之數值增加，則振盪頻率會增加
[B] 47. 有一濾波器之電壓增益值為Av(ω) =1+jωRCjωRC ，試問此為何種濾波器？
(A)低通 (B)高通 (C)帶通 (D)帶拒
[C] 48. 如右圖所示為一理想運算放大器，其飽和電壓為±15 V，
若稽納(Zener)二極體之崩潰電壓為6 V，則 I 值為何？
(A) 0 A (B) 3 mA (C) 6 mA (D) 9 mA
[D] 49. 有一濾波器在截止頻率的情況下，其功率增益為中頻功率增益之多少倍？
(A) 0 倍 (B) 0.125 倍 (C) 0.25 倍 (D) 0.5 倍 [A] 50. 如右圖所示為一理想運算放大器，若Vi = -3 V時，則OPA之VO
為何？
(A) 15 V (B) -15 V (C) 30 V (D) -30 V
