氮化鎵族化合物半導體之高功率電子元件製作及其高頻特性量測分析

表 Y04

行政院國家科學委員會補助國內專家學者出席國際學術會議報告

91 年 10 月 31 日 報告人姓名 張翼 服務機構 _及職稱 國立交通大學材料科學與工程學系 時間 會議 地點 OCT 20-24, 2002 美國，猶他州，鹽湖城 本會核定 補助文號 會議 名稱 (中文)第 202 屆電化學協會會議 (英文)202nd

Meeting of The Electrochemical Society, Inc. 發表

論文 題目

(中文)氮化鎢閘極之氮化鎵高速電晶體在高溫上應用的研究

(英文)A Study of WNx Gate AlGaN/GaN HEMT for High Temperature Applications.

報告內容應包括下列各項： 一、參加會議經過

本次會議於美國猶他州的鹽湖城舉行，該地為 2002 年冬季奧運的所在地。議場在 市中心的 Little America Hotel 的 Sawtooth Room 舉行。我們參加的是:

”State-of-The-Art Program on Semiconductiors XXXVII”，會議內容主要分成三個大 主體，分別為氮化鎵族元件、砷化鎵族元件與三五族光電輔助化學濕式蝕刻。與會的人 員來自各個知名大學，包含德國 Magdegurg 大學，美國佛羅里達大學，University of Limerick, Nitride Semiconductors Co. Ltd., Agilent Technologies, US Army Research Center, University of New Mexico,日本 NTT 光電實驗室，法國凡爾賽大學 (Universite de Versailles)，以色列科技學院（Technion-Israel Institute of Technology）及臺灣的穩懋半導體、臺灣大學、清華大學及交通大學。 二、與會心得 美國佛羅里達大學深耕氮化鎵 Schottky 二極體多年，著重高功率 switch 的研究。 美國軍方則一直從事光偵測器的研究，日本 NTT 則提出一種非破壞性檢驗 HEMT 磊晶片 品質的方法。而法國方面則對光電化學輔助濕式蝕刻有相當的著墨。然而，本次會議最 吸引人的仍是氮化鎵在矽晶片上的磊晶技術。該篇論文由德國 Megdegurg 大學提出，以 MOCVD 方式將氮化鎵磊晶成長在矽晶片上，以 AlN 為緩衝層，或搭以 SiN 微遮罩，即可 以成長出高品質的磊晶。

三、建議

應強化並推廣氮化鎵在矽晶片上的磊晶技術研發，可解決諸多問題，包括基材成 本、元件散熱、晶片尺寸及積體電路整合…等等諸多問題，皆可因此遊刃而解。 四、攜回資料名稱及內容

1. “Proceeding of State-of-The Art Program on Semiconductors XXXVII” 詳細之論文內容。

2. Agenda of “202nd

Meeting of The Electrochemical Society, Salt Lake City, Utah” 詳細之會議行程。

五、其他

與安捷倫、穩懋科技等公司餐敘。