RTCVD透明半導體薄膜光電特性研究 吳昌任、范榮權、李得勝
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摘 要
我們利用(Rapid-Thermal Chemical Vapor Deposition)RTCVD成長ZnO透明半導體，所使用的基板是康寧玻璃，在不同的腔 體溫度下成長透明半導體薄膜，工作壓力約在5 Torr 左右，比較其差異性。氧化鋅薄膜在可見光範圍之穿透率可達到75%
以上， X-ray儀器量測下，在34.4度有一個peak值，為C軸成長結構(002)面，原子力顯微鏡Atomic Force Microscope (AFM)
，觀察樣品平整度為350度最佳，場發掃描式電子顯微鏡Field Emission Scanning Electron Microscopy (FE-SEM) ，主要觀察 薄膜厚度約40nm，在實驗中，測量熱激發電流效應，所推算出的活化能，接近氧化鋅激子束縛能60meV，樣品以成長溫 度350oC為最佳和電阻率0.1621Ω cm為最小。
關鍵詞 : 氧化鋅、快速升溫化學氣相沈積系統、薄膜光電特性 目錄
封面內頁 簽名頁 中文摘要．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．． iii 英文摘要．．．．．．．．．．．．．
．．．．．．．．．．iv 誌謝．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．vi 目錄．．．．．．．．．．．．
．．．．．．．．．．．．．vii 圖目錄．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．ix 表目錄．．．．．．．
．．．．．．．．．．．．．．．．．． xi 第一章 緒論 1.1 前言與研究目的．．．．．．．．．．．．．．．1 1.2 氧化 鋅薄膜(zinc oxide thin films，ZnO)的介紹．．2 1.2.1 光電性質．．．．．．．．．．．．．．．．3 第二章 實驗方法與步 驟 2.1 實驗流程．．．．．．．．．．．．．．．．．．5 2.2 實驗材料．．．．．．．．．．．．．．．．．．7 2.3 實驗 裝置．．．．．．．．．．．．．．．．．．8 2.4 鍍膜參數及步驟．．．．．．．．．．．．．．．9 2.4.1鍍膜參數．．
．．．．．．．．．．．．．．9 2.4.2基座清洗．．．．．．．．．．．．．．． 10 2.4.3 沉積ZnO薄膜．．．．．．．
．．．．．．10 2.5 薄膜性質測試與應用分析 2.5.1 X-Ray繞射研究．．．．．．．．．．．． 11 2.5.2原子力顯微鏡(AFM) 圖像之分析．．．．． 12 2.5.3光穿透率量測．．．．．．．．．．．．． 13 2.5.4 X射線能量散佈分析儀．．．．．．．
．．15 2.5.5熱激發電流．．．．．．．．．．．．．． 17 2.5.6 Van Der Pauw量測．．．．．．．．．．． 24 2.5.7霍爾 量測原理．．．．．．．．．．．．． 26 第三章 結果與討論 3.1 ZnO薄膜結構、表面形貌與組成之研究 3.1.1 製成參數對 薄膜結構造成的影響．．．．32 3.1.2 製成參數對表面形貌造成的影響．．．．35 3.2 製程參數對ZnO薄膜光電特性之影響
．．．．44 3.2.1 製程參數對熱激發電流效應的影響 ．．．53 第四章 結論．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．55 參考文獻．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．．56
參考文獻
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