【19】中華民國 【12】專利公報 （B）
【11】證書號數：I401301 【45】公告日： 中華民國 102 (2013) 年 07 月 11 日 【51】Int. Cl.： C09D5/24 H01B5/14 (2006.01) (2006.01) C09D11/00 H01B13/00 (2006.01) (2006.01) 發明 全 3 頁 【54】名 稱：燒結成型之組成物及燒結成型方法SINTERING COMPOSITION AND SINTERING METHOD
【21】申請案號：099133998 【22】申請日： 中華民國 99 (2010) 年 10 月 06 日 【11】公開編號：201215654 【43】公開日期： 中華民國 101 (2012) 年 04 月 16 日 【72】發 明 人： 郭昌恕 (TW) KUO, CHANG SHU；陳引幹 (TW) CHEN, IN GANN
【71】申 請 人： 國立成功大學 NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY 臺南市東區大學路 1 號 【74】代 理 人： 吳冠賜；蘇建太 【56】參考文獻： JP JPH4-77345A JP 2010-185134A 審查人員：謝錦淇 [57]申請專利範圍 1. 一種燒結成型之組成物，包括：複數個燒結原料；以及一高能化學物質，其裂解溫度為 50℃至 400℃。 2. 如申請專利範圍第 1 項所述之燒結成型之組成物，更包括：一溶劑、一分散劑、一界面 活性劑或其混合物。 3. 如申請專利範圍第 1 項所述之燒結成型之組成物，其中，該些燒結原料係為金屬奈米材 料。 4. 如申請專利範圍第 2 項所述之燒結成型之組成物，其中，該些燒結原料係為金屬奈米材 料，而該燒結成型之組成物係為一導電墨水。 5. 如申請專利範圍第 1 項所述之燒結成型之組成物，其中，該高能化學物質係為過氧化 物、硝酸鹽、過氯酸鹽、硝基苯類化合物或其混合物。 6. 如申請專利範圍第 1 項所述之燒結成型之組成物，其中，該些燒結原料與該高能化學物 質之重量比為 1/1 至 300/1。 7. 一種燒結成型方法，包括：提供一燒結成型之組成物，其包括複數個燒結原料及一高能 化學物質，其中該高能化學物質之裂解溫度為 50℃至 400℃；以及於高於該裂解溫度之 溫度下進行一熱處理步驟，使該些燒結原料燒結為一燒結體。 8. 如申請專利範圍第 7 項所述之燒結成型方法，其中，該燒結成型之組成物更包括：一溶 劑、一分散劑、一界面活性劑或其混合物。 9. 如申請專利範圍第 7 項所述之燒結成型方法，其中，該高能化學物質為過氧化物、硝酸 鹽、過氯酸鹽、硝基苯類化合物或其混合物。 10. 如申請專利範圍第 7 項所述之燒結成型方法，其中，該些燒結原料與該高能化學物質之 重量比為 1/1 至 300/1。 11. 如申請專利範圍第 7 項所述之燒結成型方法，其中，該熱處理步驟係於低於 500℃下進 行。 1870
-12. 如申請專利範圍第 8 項所述之燒結成型方法，其中，該些燒結原料係為金屬奈米材料， 而該燒結成型之組成物係為一導電墨水，該燒結體係為一導電膜、一導電圖案或一連結 點。 13. 如申請專利範圍第 12 項所述之燒結成型方法，其中，該燒結成型之組成物係提供至一基 板上。 圖式簡單說明 圖 1 係本發明實施例 1 至 7 之 BPO/金奈米粒子重量比對熱探針誘發金奈米薄膜產生熔融 溫度之趨勢圖。 圖 2 係本發明實施例 1 至 5 及比較例 2 之溫度對金薄膜電阻率之影響比較圖。 圖 3 係本發明實施例 6 至 8 之溫度對金薄膜片電阻之影響比較圖。 (2) 1871
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